【MRF150射频功率场效应管150W ， 150MHz的， 50V主要用于线性大信号设计的输出级了1】,IC型号MRF150,MRF150 PDF资料,MRF150经销商,ic,电子元器件-51电子网

MRF150

射频功率场效应管

150W ， 150MHz的， 50V

主要用于线性大信号设计的输出级了

150兆赫

高级高阶IMD

IMD （ D3 ）（ 150W PEP ）（典型值） -32dB

IMD （ D11 ）（ 150W PEP ）（典型值） -60dB

指定50V ， 30MHz的特点

输出功率= 150瓦

功率增益= 17分贝（典型值）。

效率= 45 ％（典型值）。

100％在所有相位角测试负载失配

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MRF150

硅射频功率MOSFET

描述：

该

MRF150

是一个N沟道

增强型MOS宽带

RF Ppwer晶体管专为

宽带大信号放大器

应用程序从2.0至150兆赫。

包装样式0.500 4L FLG

.112x45°

A

，完全R

L

S

D

.125 NOM 。

C

B

最大额定值

H

G

E

D

G

F

S

I

D

V

DSS

V

GS

P

DISS

T

J

T

英镑

θ

JC

16 A

125 V

±

40 V

300瓦@ T

C

= 25 C

-65℃至+ 200C

-65℃至+ 150℃

10 C / W

O

暗淡

A

B

C

D

E

F

G

H

I

J

K

L

.980 / 24.89

.970 / 24.64

.495 / 12.57

.003 / 0.08

.090 / 2.29

.150 / 3.81

.245 / 6.22

.720 / 18.28

.125 / 3.18

最低

英寸/毫米

I J

K

最大

英寸/毫米

.220 / 5.59

.125 / 3.18

.230 / 5.84

.255 / 6.48

.7.30 / 18.54

.980 / 24.89

.505 / 12.83

.007 / 0.18

.110 / 2.79

.175 / 4.45

.280 / 7.11

1.050 / 26.67

特征

符号

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

V

GS （ TH）

g

fs

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

G

ps

η

ψ

T

C

= 25 C

O

测试条件

I

D

= 100毫安

V

DSS

= 50 V

V

GS

= 20 V

V

DS

= 10 V

V

DS

= 10 V

V

GS

= 0 V

V

GS

= 0 V

V

DS

= 0 V

I

D

= 100毫安

I

D

= 100毫安

最小典型最大

125

5.0

1.0

4

350

250

50

45

17.0

50

5.0

单位

V

mA

A

V

姆欧

V

DS

= 50 V

V

GS

= 0 V

F = 1.0 MHz的

pF

V

DD

= 50 V

I

DQ

= 250毫安

P

OUT

= 150 W

（PEP）

FO = 30 & 30.001兆赫

VSWR = 30 ： 1

在所有相位角

dB

%

NO DEGRADRADATION输出功率

A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。

7525 ETHEL AVENUE

北好莱坞， CA 91605

(818) 982-1200

传真（ 818 ） 765-3004

特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。

REV 。一

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半导体技术资料

订购此文件

由MRF150 / D

射频MOSFET线

射频功率场效应晶体管

N沟道增强模式

主要为直链的大信号输出级高达150 MHz设计

频率范围。

规定的50伏， 30 MHz的特点

输出功率= 150瓦

功率增益= 17分贝（典型值）

效率= 45 ％（典型值）

高级高阶IMD

IMD

(d3)

（ 150瓦PEP ） - - 51分贝（典型值）

IMD

(d11)

（ 150瓦PEP ） - - 60分贝（典型值）

100 ％测试负载不匹配在所有相位角带

30 ： 1 VSWR

MRF150

150 W，频率为150 MHz

N沟道MOS

线性RF功率

FET

D

G

CASE 211-11 ，花柱2

S

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

C

= 25°C

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

V

DSS

V

DGO

V

GS

I

D

P

D

T

英镑

T

J

价值

125

±

40

16

300

1.71

- 65 + 150

200

单位

VDC

ADC

瓦

W / ℃，

°C

热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

R

θJC

最大

0.6

单位

° C / W

注 -

小心

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

第9版

1

电气特性

(T

C

= 25 ° C除非另有说明。）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压（V

GS

= 0, I

D

= 100 mA时）

零栅极电压漏极电流（V

DS

= 50 V, V

GS

= 0)

门体漏电流（Ⅴ

GS

= 20 V, V

DS

= 0)

V

（ BR ） DSS

I

DSS

I

GSS

125

—

5.0

1.0

VDC

MADC

μAdc

基本特征

栅极阈值电压（V

DS

= 10 V，I

D

= 100 mA时）

漏源电压（V

GS

= 10 V，I

D

= 10 A)

正向跨导（V

DS

= 10 V，I

D

= 5.0 A)

V

GS （ TH）

V

DS （ ON）

g

fs

1.0

4.0

3.0

7.0

5.0

—

VDC

姆欧

动态特性

输入电容（V

DS

= 50 V, V

GS

= 0中，f = 1.0 MHz）的

输出电容（V

DS

= 50 V, V

GS

= 0中，f = 1.0 MHz）的

反向传输电容（V

DS

= 50 V, V

GS

= 0中，f = 1.0 MHz）的

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

—

400

240

40

—

pF

功能测试（ SSB ）

共源放大器功率增益

(V

DD

= 50 V，P

OUT

= 150 W（ PEP ），我

DQ

= 250 mA）的

F = 30 MHz的

F = 150 MHz的

G

ps

η

—

17

8.0

45

—

dB

%

漏EF网络效率

(V

DD

= 50 V，P

OUT

= 150 W（ PEP ）， F = 30 ; 30.001兆赫，

I

D

（ MAX）= 3.75 ）

互调失真（ 1 ）

(V

DD

= 50 V，P

OUT

= 150瓦（PEP），

F1 = 30 MHz时， F2 = 30.001兆赫，我

DQ

= 250 mA）的

负载不匹配

(V

DD

= 50 V，P

OUT

= 150 W（ PEP ）， F = 30 ; 30.001兆赫，

I

DQ

= 250毫安，电压驻波比30 ： 1 ，在所有相位角）

dB

IMD

(d3)

IMD

(d11)

ψ

在输出功率不降低

—

– 32

– 60

—

A类性能

互调失真（ 1 ）和功率增益

(V

DD

= 50 V，P

OUT

= 50 W（ PEP ）， F1 = 30 MHz时，

F2 = 30.001兆赫，我

DQ

= 3.0 A)

G

PS

IMD

(d3)

IMD

(d9 – 13)

—

20

– 50

– 75

—

dB

注意：

1. MIL -STD -1311版本A ，测试方法2204B ，双音，参考每个音调。

L1

BIAS +

0 – 12 V –

C5

R1

DUT

T2

RF

输入

T1

R3

C1

R2

C2

C4

C3

RF

产量

C6

C7

C8

L2

+

C9

+

C10

–

50 V

C1 - 470 pF的云母浸

C2, C5, C6, C7, C8, C9 — 0.1

F

陶瓷贴片或

用的单片短信息

C3 - 200 pF的未包封云母或云母浸

短信息

C4 - 15 pF的未包封云母或云母浸

短信息

C10 — 10

F/100

V电解

L1 - VK200 / 4B铁氧体扼流圈或同等学历， 3.0

H

L2 - 铁氧体磁珠（S ）， 2.0

H

R1, R2 — 51

/1.0

W碳

R3 — 3.3

/1.0

W碳（或2.0× 6.8

/1/2

在并行W

T1 - 9 ： 1宽带变压器

T 2 - 1 ：9的宽带变压器

图1. 30 MHz的测试电路（ AB类）

第9版

2

25

噘嘴，输出功率（瓦）

20

功率增益（ dB）的

V

DD

= 50 V

40 V

10

20

I

DQ

= 250毫安

100

50

00

250

200

150

100

50

0

40

V

0

1

2

3

4

P

in

，输入功率（瓦）

I

DQ

= 250毫安

5

6

15

10

V

DD

= 50 V

I

DQ

= 250毫安

P

OUT

= 150瓦（PEP）

30

5

V

DD

= 50 V

0

2

5

10

20

50

100

200

男，频率（MHz）

图2.功率增益与频率

图3.输出功率与输入功率

IMD ，互调失真（分贝）

– 30

– 35

– 40

– 45

– 50

150兆赫

d

3

d

5

V

DD

= 50 V，I

DQ

= 250毫安，分色= 1千赫

– 30

– 35

– 40

– 45

– 50

0

20

40

60

80

30兆赫

d

3

d

5

100

120

140

160

P

OUT

输出功率（瓦特PEP ）

1000

F T ，单位增益频率（MHz）

V

DS

= 30 V

800

600

15 V

400

200

0

5

10

I

D

，漏极电流（ AMPS ）

15

20

图4. IMD与P

OUT

图5.共源单位增益频率

与漏极电流

10

IDS ，漏极电流（ AMPS ）

8

6

4

2

V

DS

= 10 V

g

fs

= 5姆欧

0

2

4

6

8

10

0

V

GS

，栅源电压（伏）

图6.栅极电压与

漏电流

第9版

3

30兆赫

150兆赫

250

200

150

150

90

136

F = 175 MHz的

30

Z

in

15

30

15

7.5

4.0 Z

OL

*

2.0

Z

o

= 10

V

DD

= 50 V

I

DQ

= 250毫安

P

OUT

= 150瓦PEP

Z

OL

* =最佳负载阻抗的共轭

Z

OL

* =

入该装置的输出工作在

Z

OL

* =

给定的输出功率，电压和频率。

90

F = 175 MHz的

4.0

2.0

注：门分流25欧姆。

图7.系列等效阻抗

RFC2

+ 50伏直流

R1

C4

C1

RF输入

C2

C3

R2

+

C5

R3

L1

C6

DUT

L3

L2

C7

C8

L4

C10

+

C11

BIAS

0 – 12 V

C9

RF输出

C 1 ，C 2， C 8 - 阿科463或等效

C3 - 25 pF的， Unelco

C4 — 0.1

F,

陶瓷的

C5 — 1.0

F,

15 WV钽

C6 - 25 pF的， Unelco J101

C7 - 25 pF的， Unelco J101

C9 - 阿科262或同等学历

C10 — 0.05

F,

陶瓷的

C11 — 15

F,

60 WV电解

L1 - 3/4“ ， 18 AWG成发夹

L2 - 印刷线， 0.200 “× 0.500 ”

L3 - 1 “ ，＃ 16 AWG成发夹

L4 - 2打开＃ 16 AWG ， 5/16 ID

RFC1 - 5.6

H,

呛

RFC2 - VK200-4B

R1 — 150

,

为1.0W碳

R2 - 10 kΩ的1/2 W碳

R3 — 120

,

1/2 W碳

图8. 150 MHz的测试电路（ AB类）

第9版

4

5

第9版

f

兆赫

440

430

420

410

400

390

380

370

360

350

340

330

320

310

300

290

280

270

260

250

240

230

220

210

200

190

180

170

160

150

140

130

120

100

110

90

80

70

60

50

40

30

0.970

0.969

0.970

0.968

0.969

0.967

0.968

0.965

0.966

0.965

0.963

0.966

0.965

0.963

0.960

0.961

0.959

0.960

0.957

0.955

0.956

0.954

0.953

0.952

0.949

0.947

0.946

0.945

0.942

0.941

0.940

0.939

0.937

0.936

|S

11

|

S

11

表1.常见源S参数（V

DS

= 50 V，I

D

= 2 A)

–180

–179

169

170

171

172

173

174

175

176

177

178

179

180

φ

|S

21

|

0.19

0.18

0.20

0.21

0.22

0.24

0.23

0.25

0.26

0.28

0.29

0.32

0.34

0.35

0.36

0.39

0.42

0.43

0.49

0.51

0.52

0.57

0.59

0.65

0.71

0.74

0.83

0.88

0.99

1.21

1.34

1.53

1.81

2.13

2.52

3.16

4.13

1.11

S

21

25

24

23

26

22

24

25

27

22

26

27

28

25

29

31

32

35

38

39

41

42

44

46

49

52

53

56

58

60

65

67

68

72

75

79

84

φ

0.082

0.078

0.076

0.072

0.069

0.068

0.064

0.065

0.062

0.058

0.057

0.054

0.052

0.051

0.048

0.046

0.043

0.040

0.039

0.034

0.030

0.028

0.029

0.026

0.024

0.020

0.019

0.018

0.016

0.014

0.013

0.014

0.013

0.012

0.011

|S

12

|

S

12

73

72

71

73

76

74

73

74

75

72

74

76

79

78

74

73

74

76

77

74

71

70

71

74

75

72

68

62

63

68

67

61

52

46

45

42

36

29

23

22

φ

0.953

0.959

0.977

0.984

0.936

0.942

0.952

0.993

0.979

0.934

0.925

0.914

0.954

0.953

0.925

0.918

0.929

0.947

0.948

0.944

0.941

0.977

0.918

0.934

0.929

0.949

0.921

0.878

0.889

0.910

0.919

0.902

0.893

0.875

0.874

0.855

0.868

0.870

0.854

0.855

0.842

0.844

|S

22

|

S

22

–180

–179

–178

–179

–180

–176

169

168

167

168

172

170

172

168

171

172

174

172

174

175

177

176

175

177

179

178

179

180

178

180

179

φ

摩托罗拉

半导体技术资料

订购此文件

由MRF150 / D

射频MOSFET线

射频功率场效应晶体管

N沟道增强模式

主要为直链的大信号输出级高达150 MHz设计

频率范围。

规定的50伏， 30 MHz的特点

输出功率= 150瓦

功率增益= 17分贝（典型值）

效率= 45 ％（典型值）

高级高阶IMD

IMD （ D3 ）（ 150瓦PEP ） - - 51分贝（典型值）

IMD （ D11 ）（ 150瓦PEP ） - - 60分贝（典型值）

100 ％测试负载不匹配在所有相位角带

30 ： 1 VSWR

MRF150

150 W，频率为150 MHz

N沟道MOS

线性RF功率

FET

D

G

S

CASE 211-11 ，花柱2

最大额定值

等级

漏源电压

漏极 - 栅极电压

栅源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ TC = 25°C

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

VDSS

VDGO

VGS

ID

PD

TSTG

TJ

价值

125

±

40

16

300

1.71

- 65 + 150

200

单位

VDC

ADC

瓦

W / ℃，

°C

热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

R

θJC

最大

0.6

单位

° C / W

处理和包装

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

转8

摩托罗拉RF设备数据

摩托罗拉1997年公司

MRF150

1

电气特性

（ TC = 25 ° C除非另有说明。）

特征

符号

民

典型值

最大

单位

开关特性

漏源击穿电压（ VGS = 0 ， n = 100 mA时）

零栅极电压漏极电流（ VDS = 50V， VGS = 0 ）

门体漏电流（ VGS = 20V时， VDS = 0）

V（ BR ） DSS

IDSS

IGSS

125

—

5.0

1.0

VDC

MADC

μAdc

基本特征

栅极阈值电压（ VDS = 10V ， ID = 100 mA时）

漏源电压（ VGS = 10V ， ID = 10A）

正向跨导（ VDS = 10V ， ID = 5.0 A）

VGS （ TH）

VDS （上）

政府飞行服务队

1.0

4.0

3.0

7.0

5.0

—

VDC

姆欧

动态特性

输入电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

输出电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

反向传输电容（ VDS = 50V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）

西塞

科斯

CRSS

—

400

240

40

—

pF

功能测试（ SSB ）

共源放大器功率增益

（ VDD = 50V，噘= 150 W（ PEP ）， IDQ = 250 mA）的

F = 30 MHz的

F = 150 MHz的

全球定位系统

η

—

17

8.0

45

—

dB

%

漏EF网络效率

（ VDD = 50V，噘= 150 W（ PEP ）， F = 30 ; 30.001兆赫，

ID （ MAX）= 3.75 ）

互调失真（ 1 ）

（ VDD = 50V，噘= 150 W（ PEP ）

F1 = 30 MHz时， F2 = 30.001兆赫， IDQ = 250 mA）的

负载不匹配

（ VDD = 50V，噘= 150 W（ PEP ）， F = 30 ; 30.001兆赫，

IDQ = 250毫安，电压驻波比30 ： 1 ，在所有相位角）

dB

IMD(d3)

IMD(d11)

ψ

在输出功率不降低

—

– 32

– 60

—

A类性能

互调失真（ 1 ）和功率增益

（ VDD = 50V，噘= 50 W（ PEP ）， F1 = 30 MHz时，

F2 = 30.001兆赫， IDQ = 3.0 A）

全球定位系统

IMD(d3)

IMD （ D9 - 13 ）

—

20

– 50

– 75

—

dB

注意：

1. MIL -STD -1311版本A ，测试方法2204B ，双音，参考每个音调。

L1

BIAS +

0 – 12 V –

C5

R1

DUT

T2

RF

输入

T1

R3

C1

R2

C2

C4

C3

RF

产量

C6

C7

C8

L2

+

C9

+

C10

–

50 V

C1 - 470 pF的云母浸

C2, C5, C6, C7, C8, C9 — 0.1

F

陶瓷贴片或

用的单片短信息

C3 - 200 pF的未包封云母或云母浸

短信息

C4 - 15 pF的未包封云母或云母浸

短信息

C10 — 10

F/100

V电解

L1 - VK200 / 4B铁氧体扼流圈或同等学历， 3.0

H

L2 - 铁氧体磁珠（S ）， 2.0

H

R1, R2 — 51

/1.0

W碳

R3 — 3.3

/1.0

W碳（或2.0× 6.8

/1/2

在并行W

T1 - 9 ： 1宽带变压器

T 2 - 1 ：9的宽带变压器

图1. 30 MHz的测试电路（ AB类）

MRF150

2

摩托罗拉RF设备数据

25

噘嘴，输出功率（瓦）

20

功率增益（ dB）的

VDD = 50 V

40 V

10

20

IDQ = 250毫安

100

50

00

250

200

150

100

50

0

40

V

0

1

2

3

4

引脚，输入功率（瓦）

IDQ = 250毫安

5

6

15

10

VDD = 50 V

IDQ = 250毫安

噘嘴= 150 W（ PEP ）

30

5

VDD = 50 V

0

2

5

10

20

50

100

200

男，频率（MHz）

图2.功率增益与频率

图3.输出功率与输入功率

IMD ，互调失真（分贝）

– 30

– 35

– 40

– 45

– 50

150兆赫

d3

d5

VDD = 50V， IDQ = 250 mA时，分色= 1千赫

– 30

– 35

– 40

– 45

– 50

0

20

40

60

80

30兆赫

d3

d5

100

120

140

160

噘嘴，输出功率（瓦特PEP ）

1000

F T ，单位增益频率（MHz）

VDS = 30 V

15 V

800

600

400

200

0

5

10

ID ，漏极电流（ AMPS ）

15

20

图4. IMD与噘

图5.共源单位增益频率

与漏极电流

10

IDS ，漏极电流（ AMPS ）

8

6

4

2

VDS = 10V

GFS = 5姆欧

0

2

4

6

8

10

0

VGS ，栅源电压（伏）

图6.栅极电压与

漏电流

摩托罗拉RF设备数据

MRF150

3

30兆赫

150兆赫

250

200

150

150

90

136

F = 175 MHz的

30

寻

15

30

15

7.5

4.0 ZOL *

2.0

ZO = 10

VDD = 50 V

IDQ = 250毫安

噘嘴= 150瓦PEP

ZOL * =共轭的最佳负载阻抗的

ZOL * =

入该装置的输出工作在

ZOL * =

给定的输出功率，电压和频率。

90

F = 175 MHz的

4.0

2.0

注：门分流25欧姆。

图7.系列等效阻抗

RFC2

+ 50伏直流

R1

C4

C1

RF输入

C2

C3

R2

+

C5

R3

L1

C6

DUT

L3

L2

C7

C8

L4

C10

+

C11

BIAS

0 – 12 V

C9

RF输出

C 1 ，C 2， C 8 - 阿科463或等效

C3 - 25 pF的， Unelco

C4 — 0.1

F,

陶瓷的

C5 — 1.0

F,

15 WV钽

C6 - 25 pF的， Unelco J101

C7 - 25 pF的， Unelco J101

C9 - 阿科262或同等学历

C10 — 0.05

F,

陶瓷的

C11 — 15

F,

60 WV电解

L1 - 3/4“ ， 18 AWG成发夹

L2 - 印刷线， 0.200 “× 0.500 ”

L3 - 1 “ ，＃ 16 AWG成发夹

L4 - 2打开＃ 16 AWG ， 5/16 ID

RFC1 - 5.6

H,

呛

RFC2 - VK200-4B

R1 — 150

,

为1.0W碳

R2 - 10 kΩ的1/2 W碳

R3 — 120

,

1/2 W碳

图8. 150 MHz的测试电路（ AB类）

MRF150

4

摩托罗拉RF设备数据

RF功率MOSFET的注意事项

MOSFET电容

的MOSFET的结果在电容器的物理结构

端子之间。金属氧化物栅极结构

确定从栅极到漏极的电容（ Cgd的），和

栅极 - 源极（ CGS）。期间所形成的PN结

制造的射频MOSFET结果中的结电容

tance从漏极到源极（CDS）。

这些电容的特征是输入（西塞）

输出（科斯）和反向传输（的Crss ）上的数据电容

床单。的端子间电容之间的关系

可用距离以及在数据表上给出如下所示。该

西塞可以通过两种方式来指定：

1.漏短接至源和正电压在门口。

排在2方面正电压源和零

伏在栅极。在后一种情况下的数字低。

然而，无论是方法表示实际operat-

荷兰国际集团在RF应用的条件。

由于该试验是在一个快扫描速度，加热进行

该装置不会发生。因此，在正常使用中，高

温度可能会降低这些特点在一定

程度。

排水特性

值得一FET的一个数字是，在它的静态阻力

全条件。该导通电阻， VDS （上），发生在

的输出特性的线性区域，并在被指定

具体的测试条件为栅极 - 源极电压和漏极

电流。对于MOSFET的VDS （上）具有正温度

系数，构成一个重要的设计考虑因素

在高温下，因为它有助于电力

该设备内的功耗。

GATE特性

的射频MOSFET的栅极是多晶硅材料，并

是从由氧化物层的源极电绝缘。该

输入电阻非常高 - 109欧姆的量级 -

导致的几nA的漏电流。

栅极控制是通过施加正电压来实现

稍微过量的栅极 - 源极阈值电压，

VGS （ TH）。

栅极电压额定值

- 不要超过栅极电压

投资评级。超过额定VGS可能会导致永久性的

损坏在栅极区域中的氧化物层。

门终止

- 这些器件的栅极是

基本上电容。电路的离开门打开，税务局局长

cuited或浮动应该避免。这些条件可以

结果在导通，由于在电压累积的装置的

输入电容由于漏电流或皮卡。

栅极保护

- 这些设备不具有内部

从栅极到源极的单片齐纳二极管。如果栅极保护

是需要一个外部齐纳二极管建议。

漏

CGD

门

CDS

CGS

西塞= Cgd的+的Cgs

COSS = Cgd的+硫化镉

CRSS = Cgd的

来源

线性度和增益特性

除了在典型的IMD和功率增益数据

介绍，图5可以给设计师更多的信息

化有关此设备的能力。该图表示的

在给定的排水小信号电流单位增益频率

电流电平。这相当于fT的双极晶体管。

晶体管等效参数术语

收藏家。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

发射器。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

基地。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

V（ BR ） CES 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

VCBO 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

IC 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

ICES 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

IEBO 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

VBE （ ON）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

VCE （SAT）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

CIB 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

COB 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

HFE 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

RCE （SAT） =

漏

来源

门

V（ BR ） DSS

VDGO

ID

IDSS

IGSS

VGS （ TH）

VDS （上）

西塞

科斯

政府飞行服务队

VDS （上）

VCE （SAT）。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

RDS （ ON） -

ID

IC

摩托罗拉RF设备数据

MRF150

5