MRF141G
射频功率场效应管
300W ， 175MHz的， 28V
产品图片
专为宽带商业和军事应用
系统蒸发散频率为175兆赫。的高功率，高
获得这种设备的宽带性能埃斯佩
对于调频广播或电视频道频率cially有用
波段固态发射机和放大器。
M / A- COM产品
发布 - 第3版
保证性能在175MHz时， 28V ：
输出功率： 300W
增益： 12分贝（ 14分贝典型值）。
效率： 50 ％
低热阻： 0.35 ° C / W
耐用性测试，在额定输出功率
氮化物钝化模具提高可靠性
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
MRF141G
射频功率场效应管
300W ， 175MHz的， 28V
M / A- COM产品
发布 - 第3版
2
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北美
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欧洲
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300W ， 175MHz的， 28V
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射频功率场效应管
300W ， 175MHz的， 28V
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4
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射频功率场效应管
300W ， 175MHz的， 28V
M / A- COM产品
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5
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北美
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欧洲
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MRF141G
射频场效应功率晶体管
描述：
该
ASI MRF141G
是一个双
共源N沟道
增强型MOSFET
RF功率晶体管，为设计
175兆赫， 300瓦发射器和
放大器应用。
封装类型.385X.850 4LFG
最大额定值
I
D
V
DSS
V
GS
P
DISS
T
J
T
英镑
θ
JC
O
O
32 A
65 V
±40
V
500瓦@ T
C
= 25 C
-65℃至+ 200C
-65℃至+ 200C
0.35 C / W
O
O
O
O
1 & 2 =漏极
3 & 4 = GATE
5 =源
特性/每侧
符号
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS （ TH）
V
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
G
ps
推挽
η
推挽
ψ
推挽
V
DS
= 28 V
V
DS
= 0 V
I
D
= 100毫安
I
D
= 10 A
I
D
= 5.0 A
V
DS
= 28 V
V
DD
= 28 V
I
D
= 100毫安
V
GS
= 0 V
T
C
= 25 C
O
无
测试条件
最低
65
典型
最大
5.0
1.0
单位
V
mA
A
V
V
姆欧
V
GS
= 20 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 10 V
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0 V
I
DQ
= 500毫安
F = 1.0 MHz的
12
45
5.0
350
420
40
1.0
5.0
1.5
pF
dB
%
P
OUT
= 300 W
F = 175 MHz的
V
DD
= 28 V
I
D（最大）
= 21.4％的P
OUT
= 300 W
F = 175 MHz的
V
DD
= 28 V
I
DQ
= 500毫安P
OUT
= 300 W
F = 175 MHz的V
SWR
= 5:1
在所有相位角
在输出功率不降低
A D V A N c个E D性S E M I C 0 N D ü （C T） R， I N C。
7525 ETHEL AVENUE
北好莱坞， CA 91605
(818) 982-1202
传真（ 818 ） 765-3004
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
REV 。一
1/1
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF141G / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强型MOSFET
设计用于在频率宽带商业和军事应用
175兆赫。的高功率，高增益和该宽带性能
设备成为可能的固态发射机FM广播或电视频道
频带。
在175 MHz时， 28 V保证性能：
输出功率 - 300瓦
增益 - 12分贝（14 dB典型值）
效率 - 50 ％
低热阻 - 0.35 ° C / W
耐用性测试，在额定输出功率
氮化物钝化模具提高可靠性
MRF141G
300 W， 28 V， 175 MHz的
N沟道
宽带
RF功率MOSFET
D
G
G
S
（法兰）
CASE 375-04 ，花柱2
D
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
DGO
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
65
±40
32
500
2.85
-65到+150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.35
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 3
1
R1
+
BIAS 0-6 V
-
输入
L2
C4
C5
C10
T2
C11
L1
C13
C6
C1
C3
C7
C8 C9
C12
DUT
C2
T1
+
28 V
-
产量
高
阻抗
绕组
中心
龙头
中心
龙头
9:1
阻抗
比
4:1
阻抗
比
连接
以LOW
阻抗
绕组
C1 - 阿科402 ， 1.5-20 pF的
C2 - 阿科406 ， 15-115 pF的
C3，C4， C8 ，C9，C10 - 1000pF的片状
C5, C11 — 0.1
F
芯片
C6 - 330 pF的芯片
C7 - 200 pF和180 pF的芯片并行
C12 — 0.47
F
陶瓷芯片，基美1215或同等
C13 - 阿科403 ， 3.0-35 pF的
L1 - 10圈AWG ＃ 16漆包线，
L1 —
关闭伤口， 1/4“内径
L2 - 为合适的材料铁氧体磁珠
L2 —
1.5–2.0
H
总电感
R1 - 100欧姆， 1/2 W
R2 - 1.0千欧， 1/2 W
T1 - 9 ： 1的RF变压器。可制成15-18欧姆
T1 —
半刚性有限公司-AX ， 62-90密尔外径
T2 - 1 ： 9的RF变压器。可制成15-18欧姆
T2 —
半刚性有限公司-AX ， 70-90密尔外径
板材料 - 0.062 “玻璃纤维（ G10 ） ，
1盎司铜包钢， 2面，
ε
r
= 5
注：对于稳定性，输入变压器T1必须加载
注意：
用铁氧体磁环或磁珠，以增加公共
注意：
模电感。对于低于100 MHz的操作。该
注意：
同样是必需的输出变压器。
看到照片的施工细节。
除非另有说明，所有的贴片电容是ATC类型100或同等学历。
图1. 175 MHz的测试电路
典型特征
VGS ，门源极电压（标准化）
100
I D ，漏极电流（ AMPS ）
1.04
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
0.9
-25
I
D
= 5 A
10
4A
2A
1A
0.5 A
0
25
50
T
C
，外壳温度（ ° C）
75
0.25 A
100
T
C
= 25°C
1
1
10
V
DS
，漏极至源极电压（伏）
100
图2.直流安全工作区
图3.栅源电压与
外壳温度
REV 3
3
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF141G / D
射频MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强型MOSFET
设计用于在频率宽带商业和军事应用
175兆赫。的高功率，高增益和该宽带性能
设备成为可能的固态发射机FM广播或电视频道
频带。
在175 MHz时， 28 V保证性能：
输出功率 - 300瓦
增益 - 12分贝（14 dB典型值）
效率 - 50 ％
低热阻 - 0.35 ° C / W
耐用性测试，在额定输出功率
氮化物钝化模具提高可靠性
MRF141G
300 W， 28 V， 175 MHz的
N沟道
宽带
RF功率MOSFET
D
G
G
S
（法兰）
D
CASE 375-04 ，花柱2
最大额定值
等级
漏源电压
漏极 - 栅极电压
栅源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
VDSS
VDGO
VGS
ID
PD
TSTG
TJ
价值
65
65
±
40
32
500
2.85
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
0.35
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 2
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉1997年公司
MRF141G
1
电气特性
（ TC = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
(1)
漏源击穿电压
（VGS = 0时， ID = 100 mA）的
零栅极电压漏极电流
（ VDS = 28 V， VGS = 0 ）
门体漏电流
（ VGS = 20V时， VDS = 0）的
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
65
—
—
—
—
—
—
5.0
1.0
VDC
MADC
μAdc
基本特征
(1)
栅极阈值电压
（ VDS = 10V ， ID = 100 mA时）
漏源电压
（ VGS = 10V ， ID = 10A）
正向跨导
（ VDS = 10V ， ID = 5.0 A）
VGS （ TH）
VDS （上）
政府飞行服务队
1.0
0.1
5.0
3.0
0.9
7.0
5.0
1.5
—
VDC
VDC
姆欧
动态特性
(1)
输入电容
（ VDS = 28 V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
输出电容
（ VDS = 28 V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
反向传输电容
（ VDS = 28 V， VGS = 0 ， F = 1.0兆赫）
西塞
科斯
CRSS
—
—
—
350
420
35
—
—
—
pF
pF
pF
功能测试
(2)
共源放大器功率增益
（ VDD = 28 V ，噘= 300 W， IDQ = 500 mA时， F = 175兆赫）
漏EF网络效率
（ VDD = 28 V ，噘= 300 W，F = 175 MHz的ID （ MAX）= 21.4 A）
负载不匹配
（ VDD = 28 V ，噘= 300 W， IDQ = 500 mA时， F = 175 MHz时，
驻波比5 ： 1 ，在所有相位角）
注意事项：
1.每一方单独计量。
2.测在推挽式结构。
全球定位系统
η
ψ
在输出功率不降低
12
45
14
55
—
—
dB
%
MRF141G
2
摩托罗拉RF设备数据
R1
+
BIAS 0 - 6 V
–
L2
C4
C5
C10
C11
L1
C13
C6
C1
C3
C7
C8 C9
C12
+
28 V
–
产量
高
阻抗
绕组
中心
龙头
中心
龙头
9:1
阻抗
比
DUT
输入
C2
T1
T2
4:1
阻抗
比
连接
以LOW
阻抗
绕组
C1 - 阿科402 ， 1.5 - 20 pF的
C2 - 阿科406 ， 15 - 115 pF的
C3，C4， C8 ，C9，C10 - 1000pF的片状
C5, C11 — 0.1
F
芯片
C6 - 330 pF的芯片
C7 - 200 pF和180 pF的芯片并行
C12 — 0.47
F
陶瓷芯片，基美1215或同等
C13 - 阿科403 ， 3.0 - 35 pF的
L1 - 10圈AWG ＃ 16漆包线，
L1 —
关闭伤口， 1/4“内径
L2 - 为合适的材料铁氧体磁珠
L2 —
1.5 – 2.0
H
总电感
R1 - 100欧姆， 1/2 W
R2 - 1.0千欧， 1/2 W
T1 - 9 ： 1的RF变压器。可制成15 - 18欧姆
T1 —
半刚性联合斧， 62 - 90密尔外径
T2 - 1 ： 9的RF变压器。可制成15 - 18欧姆
T2 —
半刚性联合斧， 70 - 90密尔外径
板材料 - 0.062 “玻璃纤维（ G10 ） ，
1盎司铜包钢， 2面，
ε
r = 5
注：对于稳定性，输入变压器T1必须加载
注意：
用铁氧体磁环或磁珠，以增加公共
注意：
模电感。对于低于100 MHz的操作。该
注意：
同样是必需的输出变压器。
看到照片的施工细节。
除非另有说明，所有的贴片电容是ATC类型100或同等学历。
图1. 175 MHz的测试电路
典型特征
100
VGS ，栅源电压（归）
1.04
1.03
1.02
1.01
1
0.99
0.98
0.97
0.96
0.95
0.94
0.93
0.92
0.91
0.9
– 25
ID = 5 A
I D ，漏极电流（ AMPS ）
10
4A
2A
1A
0.5 A
0
25
50
TC ，外壳温度（ ° C）
75
0.25 A
100
TC = 25°C
1
1
10
VDS ，漏极至源极电压（伏）
100
图2.直流安全工作区
图3.栅源电压与
外壳温度
摩托罗拉RF设备数据
MRF141G
3
RF功率MOSFET的注意事项
MOSFET电容
的MOSFET的结果在电容器的物理结构
端子之间。金属阳极栅结构DE-
从栅极到漏极（ Cgd的） ，和栅极termines电容器
到源极（C GS） 。期间所形成的PN结
的MOSFET的结果中的结电容的制造
从漏极到源极（CDS） 。
这些电容的特点是输入（ CISS） ，输出
把（科斯）和反向数据传输（的Crss ）电容
床单。的端子间电容之间的关系
可用距离以及在数据表上给出如下所示。该
西塞可以通过两种方式来指定：
1.漏短接至源和正电压在门口。
排在2方面正电压源和零
伏在栅极。在后一种情况下的数字低。
然而，无论是方法表示实际operat-
荷兰国际集团在RF应用的条件。
漏
CGD
门
CDS
CGS
西塞= Cgd的=的Cgs
COSS = Cgd的=硫化镉
CRSS = Cgd的
应避免荷兰国际集团。这些条件可导致开启
在装置由于在输入电压累积
电容由于漏电流或皮卡。
栅极保护
- 该装置不具有一个内部
从栅极到源极的单片齐纳二极管。如果门保护
化是必需的，一个外部齐纳二极管被推荐。
使用电阻器，以保持栅极 - 源阻抗
低也有助于潮湿的瞬态和服务的又一重要
功能。在漏极电压瞬变可耦合到
过寄生栅极 - 漏极电容的栅极。如果
栅极到源极的阻抗和电压的变化率
在漏极都为高，则耦合到所述栅极信号
可以足够大，以超过门限电压
并开启设备。
搬运注意事项
当运输，设备只应在运
防静电屏蔽袋或导电泡棉。在除去从
包装，仔细的处理程序应遵循
要。这些处理设备应接地穿吊带
而不是在防静电包装装置应保持在
金属搬运箱。的MOSFET应的情况下进行处理
而不是由引线和测试设备时，所有线索
应该使良好的电接触之前电压为AP-
合股。最后一点，把FET进入系统时，它
是专为，焊接应与接地来完成
铁。
设计注意事项
该MRF141G是RF功率， MOS ， N沟道恩
设计用于hancement模式的场效应晶体管（FET）
高频和甚高频功率放大器应用。
摩托罗拉应用笔记AN211A ，在理论和场效应管
实践中，建议阅读对于那些不熟悉
建设和FET的特性。
RF功率MOSFET的主要优点包括
高增益，低噪声，简单的系统偏差，相对免疫力
免受热失控影响，并承受严重的能力
不匹配负载不遭受损害。输出功率
可以改变在宽范围内具有低功率DC控制
信号。
直流偏置
该MRF141G是一个增强型FET ，并且there-
前，当漏极电压被施加不导通。漏
电流流动时，一个正电压施加到栅极。
RF功率FET需要正向偏置对于优化性能
曼斯。的静态漏电流（ IDQ ）的值不criti-
CAL用于许多应用。该MRF141G的特点
在IDQ = 250毫安，每一侧，这是建议的最小
IDQ的值。对于特殊的应用，如线性amplifi-
阳离子， IDQ可以具有被选择以优化关键
参数。
门是一个直流开路和不消耗电流。 There-
脱颖而出，栅极偏置电路可能只是一个简单的电阻divid-
呃网络。一些应用可能需要更精细的
系统正偏差。
增益控制
在MRF141G的功率输出可以从它的控制
测定值下降到零（负增益）通过改变直流
栅极电压。该功能有利于手册的设计
增益控制， AGC / ALC和调制系统。
MRF141G
5
来源
线性度和增益特性
除了在典型的IMD和功率增益数据压力
ented ，图4可以得到设计的其他信息
在此设备的能力。该图表示的
在给定的漏电流小信号电流单位增益频率
租金水平。这相当于fT的双极晶体管。
由于该试验是在一个快扫描速度，加热进行
该装置不会发生。因此，在正常使用中，高
温度可能会降低这些特点在一定EX-
帐篷里。
排水特性
值得一FET的一个数字是，在它的静态阻力
全条件。该导通电阻， VDS （上） ，发生在
的输出特性的线性区域，并指定非
明镜特定测试条件为栅极 - 源极电压和漏极
电流。对于MOSFET的VDS （上）具有正温度
系数，构成一个重要的设计考虑因素
在高温下，因为它有助于电力
该设备内的功耗。
GATE特性
MOSFET的栅极是多晶硅材料，并且是
由氧化物层从源电隔离。该
输入电阻非常高 - 109欧姆的量级 -
导致的几nA的漏电流。
栅极控制是通过施加正电压来实现
稍微过量的栅极 - 源极阈值电压，
VGS （ TH） 。
栅极电压额定值
- 不要超过栅极电压
投资评级。超过额定VGS可能会导致永久性的
损坏在栅极区域中的氧化物层。
门终止
- 该装置的门基本上是
电容。电路的离开门开路或悬空
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