MRF10150
微波脉冲功率型硅NPN晶体管
150W （峰值）， 1025-1150MHz
产品图片
专为1125至50年兆赫脉冲共基放大器应用
如TCAS ， TACAN和S模式的发射机。
M / A- COM产品
发布 - 启示录07.07
保证性能@ 1090 MHz的
输出功率= 150瓦峰值
增益= 9.5分贝分钟，10.0分贝（典型值）。
100 ％测试负载失配，在所有相位角为10 ： 1 VSWR
密封包装
氮化硅钝化
黄金金属化，发射器碴的长寿命和耐
金属迁移
内部输入和输出匹配
特点10
μs,
10 ％占空比脉冲
一对MRF10500晶体管的驱动推荐
CASE 376B -02 ，风格1
1
高级：
数据表包含有关产品M / A - COM技术解决方案的信息
北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
数据表包含有关产品M / A- COM技术信息
访问www.macomtech.com额外的数据表和产品信息。
解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
M / A - COM技术解决方案公司及其附属公司保留作出正确的
致力于生产数量难以保证。
更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
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150W （峰值）， 1025-1150MHz
M / A- COM产品
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2
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北美
电话： 800.366.2266 /传真： 978.366.2266
正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
联系电话： 44.1908.574.200 /传真： 44.1908.574.300
和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
联系电话： 81.44.844.8296 /传真： 81.44.844.8298
初步：
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典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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致力于生产数量难以保证。
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微波脉冲功率型硅NPN晶体管
150W （峰值）， 1025-1150MHz
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
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微波脉冲功率型硅NPN晶体管
150W （峰值）， 1025-1150MHz
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4
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北美
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欧洲
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
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北美
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正在考虑发展。性能是基于目标的规格，仿真结果，
欧洲
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和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。
亚洲/太平洋地区
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解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格
典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用的。
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更改产品（ S）或信息包含在此恕不另行通知。
半导体技术资料
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通过MRF10150 / D
射频线
微波脉冲
功率晶体管
。 。 。专为1125至50年兆赫脉冲共基放大器应用
如TCAS ， TACAN和S模式的发射机。
保证性能@ 1090 MHz的
输出功率= 150瓦峰值
增益= 9.5分贝敏，10.0分贝（典型值）
100 ％测试负载失配，在所有相位角为10 ： 1 VSWR
密封包装
氮化硅钝化
黄金金属化，发射器碴的长寿命和抗金属
迁移
内部输入和输出匹配
特点10
s,
10 ％占空比脉冲
一对MRF10500晶体管的驱动推荐
MRF10150
为150W （PEAK）
1125至50年兆赫
微波功率
晶体管
NPN硅
CASE 376B -02 ，风格1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 峰值（ 1 ）
器件总功耗@ T
C
= 25°C (1), (2)
减免上述25℃
存储温度范围
结温
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
65
3.5
14
700
4.0
-65到+200
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到管壳（ 3 ）
符号
R
θJC
最大
0.25
单位
° C / W
注意事项：
1.在脉冲射频的工作条件。
2.这些器件专为RF操作。该器件总功耗的评价只适用于该设备为脉冲RF操作
放大器器。
3.热电阻是根据红外测量技术规定的RF操作条件来确定。 （最坏情况
θ
JC
价值
测量@ 10
s,
10%.)
1
电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（I
C
= 60 MADC ，V
BE
= 0)
集电极 - 基极击穿电压（I
C
= 60 MADC ，我
E
= 0)
发射极 - 基极击穿电压（I
E
= 10 MADC ，我
C
= 0)
集电极截止电流（V
CB
= 36 VDC ，我
E
= 0)
V
（ BR ） CES
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
65
65
3.5
—
—
—
—
—
—
—
—
25
VDC
VDC
VDC
MADC
基本特征
直流电流增益（I
C
= 5.0 ADC ，V
CE
= 5.0伏）
h
FE
20
—
—
—
功能测试
共基放大器的功率增益
(V
CC
= 50伏直流电，P
OUT
= 150 W峰值， F = 1090兆赫）
收藏家EF网络效率
(V
CC
= 50伏直流电，P
OUT
= 150 W峰值， F = 1090兆赫）
负载不匹配
(V
CC
= 50伏直流电，P
OUT
= 150 W峰值， F = 1090兆赫，
VSWR = 10 ： 1所有相位角）
G
PB
η
ψ
9.5
40
10
—
—
—
dB
%
在输出功率不降低
Z5
D.U.T.
RF
输入
C2
L1
C3
C4
+
+
-
C1
Z1
Z2
Z3
Z4
Z6
Z7
Z8
Z9
RF
产量
C1 - 82 pF的100英里贴片电容
C2 - 39 pF的100英里贴片电容
C3 — 0.1
F
C4 — 100
F,
100伏，电解
L1 - 3打开＃ 18 AWG ， 1/8“ ID ，长0.18
Z1 - Z9 - 微带，查看详情
板材料 - 聚四氟乙烯玻璃层压
电介质厚度= 0.030 “
ε
r
= 2.55 ， 2盎司。铜
.625
.15
.275
.081
.09
.522
.625
.081
1.383
.081
1.803
.39
1.751
.081
.583
0.943
.334
.34
.173
1.0
.081
.489
.787
.37
.100
.081
.363
图1.测试电路
2
包装尺寸
G
Q
2 PL
0.25 (0.010)
R
K
D
2 PL
M
T A
M
B
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
N
Q
R
英寸
民
最大
0.890
0.910
0.370
0.400
0.145
0.160
0.140
0.160
0.055
0.065
0.003
0.006
0.650 BSC
0.110
0.130
0.180
0.220
0.390
0.410
0.115
0.135
0.390
0.140
MILLIMETERS
民
最大
22.61
23.11
9.40
10.16
3.69
4.06
3.56
4.06
1.40
1.65
0.08
0.15
16.51 BSC
2.80
3.30
4.57
5.59
9.91
10.41
2.93
3.42
9.91
10.41
–B–
0.25 (0.010)
M
T A
M
B
M
H
E
N
F
2 PL
0.25 (0.010)
–T–
M
T A
M
B
M
–A–
C
座位
飞机
风格1 ：
PIN 1.集热器
2.辐射源
3. BASE
CASE 376B -02
问题B
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266 ，传真：（ 800 ） 618-8883
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （ 1344 ） 869 595传真：+ 44 （ 1344 ） 300 020
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
4
摩托罗拉
射频线
半导体技术资料
订购此文件
通过MRF10150 / D
微波脉冲
功率晶体管
。 。 。专为1025年至1150年兆赫脉冲共基放大器应用
如TCAS ， TACAN和S模式的发射机。
保证性能@ 1090 MHz的
输出功率= 150瓦峰值
增益= 9.5分贝敏，10.0分贝（典型值）
100 ％测试负载失配，在所有相位角为10 ： 1 VSWR
密封包装
氮化硅钝化
黄金金属化，发射器碴的长寿命和抗金属
迁移
内部输入和输出匹配
特点10
s,
10 ％占空比脉冲
一对MRF10500晶体管的驱动推荐
MRF10150
为150W （PEAK）
一○二五年至1150年兆赫
微波功率
晶体管
NPN硅
CASE 376B -02 ，风格1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流 - 峰值（ 1 ）
器件总功耗@ TC = 25 ° C（ 1 ） ， （ 2 ）
减免上述25℃
存储温度范围
结温
符号
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
TSTG
TJ
价值
65
65
3.5
14
700
4.0
- 65至+ 200
200
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热阻，结到管壳（ 3 ）
符号
R
θJC
最大
0.25
单位
° C / W
注意事项：
1.在脉冲射频的工作条件。
2.这些器件专为RF操作。该器件总功耗的评价只适用于该设备为脉冲RF操作
放大器器。
3.热电阻是根据红外测量技术规定的RF操作条件来确定。 （最坏情况
θ
JC值
测量@ 10
s,
10%.)
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉公司1994年
MRF10150
1
电气特性
（ TC = 25 ° C除非另有说明。 ）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 60 MADC ， VBE = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 60 MADC ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 10 MADC ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ VCB = 36 VDC ， IE = 0 ）
V（ BR ） CES
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
65
65
3.5
—
—
—
—
—
—
—
—
25
VDC
VDC
VDC
MADC
基本特征
直流电流增益（ IC = 5.0 ADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
20
—
—
—
功能测试
共基放大器的功率增益
（ VCC = 50伏直流电，噘= 150 W峰值， F = 1090兆赫）
收藏家EF网络效率
（ VCC = 50伏直流电，噘= 150 W峰值， F = 1090兆赫）
负载不匹配
（ VCC = 50伏直流电，噘= 150 W峰值， F = 1090兆赫，
VSWR = 10 ： 1所有相位角）
GPB
η
ψ
9.5
40
10
—
—
—
dB
%
在输出功率不降低
Z5
L1
D.U.T.
RF
输入
C2
C3
C4
+
+
–
C1
Z1
Z2
Z3
Z4
Z6
Z7
Z8
Z9
RF
产量
C1 - 82 pF的100英里贴片电容
C2 - 39 pF的100英里贴片电容
C3 — 0.1
F
C4 — 100
F,
100伏，电解
L1 - 3打开＃ 18 AWG ， 1/8“ ID ，长0.18
Z1 - Z9 - 微带，查看详情
板材料 - 聚四氟乙烯玻璃层压
电介质厚度= 0.030 “
ε
R = 2.55 ， 2盎司。铜
.625
.15
.275
.081
.09
.522
.625
.39
1.751
.081
.583
0.943
.334
.34
.173
1.0
.081
.489
.787
.37
.100
.081
.363
.081
1.383
.081
1.803
图1.测试电路
MRF10150
2
摩托罗拉RF设备数据
220
噘嘴，输出功率（瓦）
180
140
100
60
20
0
F = 1090 MHz的
VCC = 50 V
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
引脚，输入功率（瓦）
图2.输出功率与输入功率
F = 1030 MHz的
寻
1060
1120
1090
ZO = 10
1150
ZOUT （ ZOL * ）
1150
1120
F = 1030 MHz的
1060
1090
POUT = 150W， Pk的VCC = 50 V
f
兆赫
1030
1060
1090
1120
1150
寻
欧
3.8 + j3.5
4.0 + j3.3
4.2 + j3.0
4.4 + j2.3
4.1 + j1.8
ZOL * （ ZOUT ）
欧
4.6 + j0.7
4.6 + j0.3
4.1 – j1.0
3.8 – j0.8
3.6 – j0.3
ZOL *是最佳负载的共轭
阻抗到其中的设备工作在
给定的输出功率的电压和频率。
图3.系列等效输入/输出阻抗
摩托罗拉RF设备数据
MRF10150
3
包装尺寸
G
Q
2 PL
0.25 (0.010)
R
K
D
2 PL
M
T A
M
B
M
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
K
N
Q
R
英寸
民
最大
0.890
0.910
0.370
0.400
0.145
0.160
0.140
0.160
0.055
0.065
0.003
0.006
0.650 BSC
0.110
0.130
0.180
0.220
0.390
0.410
0.115
0.135
0.390
0.140
MILLIMETERS
民
最大
22.61
23.11
9.40
10.16
3.69
4.06
3.56
4.06
1.40
1.65
0.08
0.15
16.51 BSC
2.80
3.30
4.57
5.59
9.91
10.41
2.93
3.42
9.91
10.41
–B–
0.25 (0.010)
M
T A
M
B
M
H
E
N
F
2 PL
0.25 (0.010)
–T–
M
T A
M
B
M
–A–
座位
飞机
C
风格1 ：
PIN 1.集热器
2.辐射源
3. BASE
CASE 376B -02
问题B
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
文学配送中心：
美国：摩托罗拉文学分布; P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036 。
欧洲：摩托罗拉有限公司;欧洲文献中心; 88制革驱动， Blakelands ，米尔顿凯恩斯， MK14 5BP ，英国。
日本：日本摩托罗拉有限公司; 4-32-1 ，西五反田，品川区，东京141 ，日本。
亚太地区：摩托罗拉半导体H.K.有限公司;硅港中心2号大景街，大埔工业村，大埔，新界，香港。
MRF10150
4
*MRF10150/D*
MRF10150/D
摩托罗拉RF设备数据
QQ：2880707522 复制
