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半导体技术资料
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通过MRA0510-50H / D
射频线
超高频功率晶体管
主要用于宽带，大信号输出和驱动放大器设计
阶段在5001000 MHz的频率范围。
专为AB类线性功率放大器
规定的28伏， 1000 MHz的特点：
输出功率 - 50瓦
功率增益 - 7分贝（最小值） ， AB类
内置匹配网络的宽带运营
镀金以提高可靠性
扩散镇流电阻
密封包装的军事/航天应用
MRA0510-50H
7.0分贝， 500 - 1000兆赫
50 W
宽带
超高频功率晶体管
CASE 391-03 ，风格1
(HLP–42)
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作结温
存储温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
PD
TJ
TSTG
价值
30
60
4
125
0.715
200
- 65 + 200
单位
VDC
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
热特性
特征
热电阻， RF ，结到外壳（ TC = 70 ° C）
符号
R
θJC
最大
1.4
单位
° C / W
电气特性
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性（ 1 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 25 mA时， VBE = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 25 mA时， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（ IE = 5毫安， IC = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 25 mA时， RBE = 1
)
集电极截止电流（ VCB = 30V， IE = 0 ）
（ 1 ）分别测量每个晶体管的芯片。
V（ BR ） CES
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
V（ BR ） CER
ICBO
60
60
4
50
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
25
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
（续）
REV 1
摩托罗拉RF设备数据
摩托罗拉1997年公司
MRA0510–50H
1
电气特性 - 续
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
(1)
直流电流增益（ IC = 1 A， VCE = 5V）
的hFE
20
–
80
–
动态特性
(1)
输出电容（ VCB = 28 V ， IE = 0 ， F = 1兆赫）
COB
–
–
24
pF
功能测试
(2)
共发射极放大器的功率增益
（ VCE = 28 V ，噘= 50 W， F = 1 GHz的， ICQ = 2 ×120 mA）的
负载不匹配
（ VCE = 28 V ， ICQ = 2 ×120毫安，噘= 50 W， F = 1 GHz的，
负载电压驻波比= 5:1 ，全相位角）
宽带功率增益
（ VCE = 28 V ，噘= 45 W， F = 500 MHz至1 GHz的，
ICQ = 2 ×120 mA）的
（ 1 ）分别测量每个晶体管的芯片。
（2 ）两个晶体管芯片工作于推挽放大器。
GPE1
ψ
在输出功率不降低
GPE2
6.5
–
–
dB
7
–
–
dB
典型特征
OL * ，串联输出阻抗（欧姆）
12
中的Z ，输入端串联阻抗（欧姆）
10
8.0
6.0
4.0
R
2.0
0
500
VCC = 28 V
PO = 50瓦
仅一侧
JX
6.0
5.0
R
4.0
3.0
2.0
1.0
0
600
700
800
男，频率（MHz）
900
1000
JX
VCC = 28 V
PO = 50瓦
仅一侧
600
700
800
男，频率（MHz）
900
1000
–1.0
500
图1.输入阻抗与频率
图2.输出阻抗与频率
MRA0510–50H
2
摩托罗拉RF设备数据
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4
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