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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1244页 > MR758
MCC
特点
低成本
低正向压降
高电流能力
高浪涌电流能力
低漏
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MR750
THRU
MR7510
6安培整流器
50 - 1000伏
LEADED BUTTON
A
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
最大热阻; 10
° C / W
结到环境
MCC
目录
设备
记号
最大
Reccurrent
PEAK
反向
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
C
MR750
MR751
MR752
MR754
MR756
MR758
MR7510
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
标志
B
D
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
I
F( AV )
I
FSM
6.0A
400A
T
A
= 60°C
8.3ms的,半正弦
V
F
0.9V
1.25V
I
FM
= 6.0A;
T
J
= 25°C*
I
FM
= 100A;
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
尺寸
英寸
.332
.234
.050
.990
MM
8.43
5.94
1.27
25.15
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
I
R
25A
1.0mA
暗淡
A
B
C
D
最大
.342
.246
.053
1.010
最大
8.69
6.25
1.35
25.65
2PL
*脉冲测试:脉冲宽度300
微秒,
占空比1 %
www.mccsemi.com
MR750通MR7510
图1
典型的正向特性
200
100
60
40
5
20
安培
10
6
4
2
25°C
1
.6
.4
.2
.1
.8
.9
1.0
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
1.1
1.2
1.3
0
1
安培
2
4
6
MCC
图2
远期降额曲线
3
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
50
75
100
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
125
150
175
科幻gure 3
典型热阻随引线长度
20
15
° C / W
10
5
0
.1
.2
.3
英寸
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1.0
1.1
热电阻 -
° C / W
等于引线长度为散热器 - 英寸
www.mccsemi.com
MR750通MR7510
图4
典型的反向特性
100
60
40
20
10
6
4
2
T
J
=100°C
μAMPS
1
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
T
J
=25°C
安培
600
500
400
300
200
100
5
0
MCC
图5
最大非重复正向浪涌电流
1
2
4
6
8 10
周期
20
40
60 80 100
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60
80
100
120
140
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
www.mccsemi.com
摩托罗拉
设计师
半导体技术资料
订购此文件
由MR750 / D
高电流引线装式
整流器
电流容量媲美底盘安装整流器
非常高浪涌能力
保温箱
机械特性:
案例:环氧树脂,模压
重量:2.5克数(大约)
表面处理:所有外部表面耐腐蚀和终端铅是
随手可焊
无铅焊接温度的目的: 260 °C最大。为10秒
极性:负极极性带
运1000个单位的塑料袋。可用的磁带和缠绕, 800台
每盘加入了“ RL '后缀的零件编号
标记: R750 , R751 , R752 , R754 , R758 , R760
数据表
MR750
MR751
MR752
MR754
MR756
MR758
MR760
MR754和MR760是
摩托罗拉的首选设备
HIGH CURRENT
铅装式
矽整流器
50-1000伏
扩散结
CASE 194-04
最大额定值
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
非重复性峰值反向电压
(半波,单相, 60赫兹峰)
RMS反向电压
平均正向电流整流
(单相,阻性负载, 60赫兹)
参见图5和6
非重复性峰值浪涌电流
(浪涌应用在额定负载条件下)
工作和存储结
温度范围
符号
VRRM
VRWM
VR
VRSM
VR ( RMS )
IO
MR750
50
MR751
100
MR752
200
MR754
400
MR756
600
MR758
800
MR760
1000
单位
60
35
120
70
240
140
480
280
720
420
960
560
1200
700
安培
22 ( TL = 60 ° C, 1/8“铅长度)
6.0 ( TA = 60℃署长板安装)
IFSM
TJ , TSTG
400( 1个循环)
安培
°C
*
65至+175
符号
vF
VF
IR
最大
1.25
0.90
25
1.0
电气特性
特色与条件
最大正向电压降
( IF = 100安培, TJ = 25°C )
最大正向电压降
( IF = 6.0安培, TA = 25 ℃, 3/8“引线)
最大反向电流
(额定直流电压)
TJ = 25°C
TJ = 100℃
单位
A
mA
设计师的数据为“最坏情况”的条件
- 设计师的数据表允许大多数电路的设计完全是从显示的信息。 SOA限制
曲线 - 表示对器件特性的边界 - 被给予促进“最坏情况”的设计。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 2
整流设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MR750 MR751 MR752 MR754 MR756 MR758 MR760
IFSM ,峰值半波电流( AMP )
700
500
300
200
典型
100
如果正向电流( AMP )
70
50
30
20
TJ = 25°C
600
400
300
25°C
200
25°C
TJ = 175℃
100
80
60
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
循环次数在60赫兹
175°C
VRRM MAY BE之间施加
每个周期激增。的TJ
说明的是TJ事先激增
最大
10
7.0
5.0
3.0
2.0
系数(MV /
°
C)
+0.5
图2.最大浪涌能力
0
典型范围
–0.5
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
2.4
2.6
VF ,正向电压(伏)
–1.0
–1.5
–2.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
如果正向电流( AMP )
图1.正向电压
20
10
5.0
3.0
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
散热器
L
L
图3.正向电压温度系数
R
θ
JL (T ) ,结到引线型瞬态
热阻(
°
C / W )
1/2”
3/8”
1/4”
1/8”
既导致如图所示,散热片,与长度。 R中的变化
q
JL (T )
下面2.0秒独立于1/8英寸导线的连接
或更大,并且仅改变约
±20%
从所示的值。值
为倍大于2.0秒可通过绘制得到
曲线,与终点(在70秒),从图8中,或采取
从笔记计算,使用给定的曲线作为参考。或
可以使用典型或最大的值。对于R
q
JL ( t)值在脉冲
宽度小于0.1秒,上面的曲线可以外推
下降到10
s
在持续的斜率。
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
T,时间(秒)
图4.典型的瞬态热阻
2
整流设备数据
MR750 MR751 MR752 MR754 MR756 MR758 MR760
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
28
L = 1/8”
24
20
16
12
8.0
4.0
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
1/4”
3/8”
电阻式电感
负载
既导致热
水槽长度
如图所示
5/8”
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
0
20
40
R
θJA
= 40 ° C / W
见注
6
F
( IPK / IAVE = 6.28 )
60
80
100
120
140
160
180
200
R
θJA
= 25 ° C / W
见注
阻性感性负载
电容负载 - 1
F
& 3
F
我( PK) = 5 IAVG
我( PK )= 10 IAVG
我( PK )= 20 IAVG
F = 60赫兹
TL ,焊接温度( ° C)
TA ,环境温度( ° C)
图5.最大额定电流
图6.最大额定电流
笔记
32
PF ( AV ) ,功耗(瓦)
28
24
20
16
12
8.0
4.0
0
0
4.0
8.0
12
16
20
24
28
32
阻性 - 感性负载
利用上述模型允许结导致的热阻
被发现的任何安装结构。出现最低值,当一个
整流器侧被带到尽可能接近到散热片作为
如下所示。条款中的模型表示:
TA =环境温度
TC =外壳温度
TL =焊接温度
TJ =结温
R
q
S =热阻,散热器到环境
R
q
L =热阻,导致散热器
R
q
J =热阻,结到外壳
PF =功率耗散
(下标甲和K是指阳极和阴极侧,分别)。
值,热电阻部件是:
R
q
L = 40℃ / W /英寸通常情况下和44 ° C / W /中最大。
R
q
J = 2 ° C / W典型4 ° C / W最大。
由于R
q
J是如此之低的情况下,温度的测量,TC将
近似等于在实际引线结温安装
应用程序。当作为一个60赫兹使用rectifierm慢的热响应
拥有TJ ( PK )接近TJ ( AVG ) 。因此最大的铅温度
发现从: TL = 175 ° -R
θJL
PF 。 PF可以发现,从图7中。
安装到交媾的推荐方法板显示在
素描,其中R
θJA
是约25℃/ W代表一个1-1 / 2 “× 1-1 / 2”铜
表面积。为40℃ / W的值是典型的用于安装到端子条
署长或板,其中可利用的表面积是小的。
电容负载
我( PK) = 5 IAVG
10 IAVG
20 IAVG
6
F
1
F
& 3
F
热路模型
(对于通过动态热传导)
R
θS ( A)
TA ( A)
TL ( A)
TC ( A)
TJ
R
θL ( A)
R
θJ ( A)
R
θJ ( K)
PF
TC ( K)
TL ( K)
R
θL ( K)
R
θS ( K)
TA ( K)
IF ( AV ) ,平均正向电流( AMPS )
图7.功耗
40
R
θ
JL ,热电阻,
结到铅(
°
C / W )
35
30
25
20
15
10
5.0
0
0
1/8
1/4
3/8
1/2
5/8
3/4
7/8
1.0
L,引线长度(英寸)
既导致热
水槽,等长
单导致散热片,
微不足道的热流
通过其他LEAD
图8.稳态热阻
整流设备数据
地平面
推荐安装半波电路
3
MR750 MR751 MR752 MR754 MR756 MR758 MR760
100
70
TJ = 175℃
电流输入波形
30
TJ = 25°C
吨RR ,反向恢复时间(
m
s)
相对效率( % )
30
20
TJ = 25°C
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.1
0
IR
TRR
0.2
0.3
0.5 0.7 1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
IF = 5 A
3A
1A
IF
50
20
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
重复频率(千赫)
IR / IF ,比相反的正向电流
图9.整流效率
1000
700
500
C,电容(pF )
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
1.0
吨FR ,正向恢复时间(
m
s)
0.7
0.5
图10.反向恢复时间
u
f
TFR
TJ = 25°C
TJ = 25°C
u
fr
u
FR = 1.0 V
0.3
0.2
u
FR = 2.0 V
0.1
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
VR ,反向电压(伏)
IF ,正向脉冲电流( AMP )
图11.结电容
图12.正向恢复时间
对于振幅VM的一个方波输入时,效率
系数变为:
RS
RL
VO
图13.单相半波
整流电路
整改效率因子
σ
图9所示为
使用下式计算:
V
2
o
(DC)的
R
L
R
L
(1)
σ
(方形)
+
V
2m
2
R
L
.
V
2m
100%
R
L
+
50%
(3)
σ
V
+
P
( RMS)
+
V
2
o
( RMS)
.100%
+
V
2
o
ac)2
)
(dc)2
o
(DC)的
.100%
V
P
(DC)的
(
对于一个正弦波输入VM罪(重量)到二极管,假定
无损的,理论上的最大效率因子变为:
V
2m
p
2
R
L
.
V
2m
100%
4R
L
σ
(正弦)
+
+
π
4
2
.100%
+
40.6%
(2)
(全波电路具有这些功效的两倍)
作为输入信号的频率增加,则重新
二极管的节恢复时间(图10)变得显
斜面,横跨导致增加的交流电压分量
RL是极性相反的正向电流, there-
通过减小的效率因子的值
σ,
如图上
图9 。
应当强调的是,图9示出了波形EF -
只有FICIENCY ;它不提供的二极管损耗的量度。
数据是通过测量武的交流成分得到
用真有效值交流电压表和直流分量与直流
电压表。该数据是在式(1) ,以获得分用
对于图9中。
4
整流设备数据
MR750 MR751 MR752 MR754 MR756 MR758 MR760
包装尺寸
A
D
1
注意事项:
1.阴极符号包。
MILLIMETERS
最大
8.43
8.69
5.94
6.25
1.27
1.35
25.15
25.65
英寸
最大
0.332
0.342
0.234
0.246
0.050
0.053
0.990
1.010
K
暗淡
A
B
D
E
B
K
2
风格1 :
PIN 1阴极
2.阳极
CASE 194-04
本期
整流设备数据
5
上海Lunsure电子
科技有限公司
联系电话: 0086-21-37185008
传真: 0086-21-57152769
MR750
THRU
MR7510
特点
低成本
低正向压降
高电流能力
高浪涌电流能力
低漏
6安培整流器
50 - 1000伏
LEADED BUTTON
A
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
最大热阻; 10
° C / W
结到环境
设备
记号
最大
Reccurrent
PEAK
反向
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
C
目录
MR750
MR751
MR752
MR754
MR756
MR758
MR7510
---
---
---
---
---
---
---
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
标志
B
D
电气特性@ 25 ° C除非另有说明
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
I
F( AV )
I
FSM
6.0A
400A
T
A
= 60°C
8.3ms的,半正弦
V
F
0.9V
1.25V
I
FM
= 6.0A;
T
J
= 25°C*
I
FM
= 100A;
T
J
= 25°C
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
尺寸
英寸
.332
.234
.050
.990
MM
8.43
5.94
1.27
25.15
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
I
R
25A
1.0mA
暗淡
A
B
C
D
最大
.342
.246
.053
1.010
最大
8.69
6.25
1.35
25.65
2PL
*脉冲测试:脉冲宽度300
微秒,
占空比1 %
www.cnelectr.com
MR750通MR7510
图1
典型的正向特性
200
100
60
40
5
20
安培
10
6
4
2
25°C
1
.6
.4
.2
.1
.8
.9
1.0
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
1.1
1.2
1.3
0
1
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
50
75
100
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
125
150
175
安培
2
4
6
图2
远期降额曲线
3
科幻gure 3
典型热阻随引线长度
20
15
° C / W
10
5
0
.1
.2
.3
英寸
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1.0
1.1
热电阻 -
° C / W
等于引线长度为散热器 - 英寸
www.cnelectr.com
MR750通MR7510
图4
典型的反向特性
100
60
40
20
10
6
4
2
T
J
=100°C
μAMPS
1
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
T
J
=25°C
安培
600
500
400
300
200
100
5
0
图5
最大非重复正向浪涌电流
1
2
4
6
8 10
周期
20
40
60 80 100
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60
80
100
120
140
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
www.cnelectr.com
MCC
微型商业组件
TM
微型商业组件公司
生命通知产品结束
发行日期: OCT- 7
th
-2008
最后购买日期:十二月-31
th
-2008
简介及用途:
MCC经历其核心业务和产品的审核,
决定停止以下产品:
停产器件
MR750
MR751
MR752
MR754
MR756
MR758
MR7510
可能的替换
6A05或60S05
6A1或60S1
6A2或60S2
6A4或60S4
6A6或60S6
6A8或60S8
6A10或60S10
www.mccsemi.com
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MR750
THRU
MR7510
特点
低成本
低正向压降
高电流能力
高浪涌电流能力
低漏
6安培整流器
50 - 1000伏
最大额定值
工作温度: -65 ° C到+ 175℃
存储温度: -65 °C至+ 175℃
最大热阻; 10
° C / W
结到环境
MCC
目录
设备
记号
注1
绿色
棕色
LEADED BUTTON
A
MR750
MR751
MR752
MR754
MR756
MR758
MR7510
最大
Reccurrent
PEAK
反向
电压
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
最大
RMS
电压
最大
DC
闭塞
电压
35V
70V
140V
280V
420V
560V
700V
50V
100V
200V
400V
600V
800V
1000V
C
B
注1 :阴极频带的身体上不同的颜色代表了电压合格率。
D
电气特性@ 25除非另有说明
°C
平均正向
当前
峰值正向浪涌
当前
最大
瞬时
正向电压
I
F( AV )
6.0A
T
A
= 60°C
I
FSM
400A
8.3ms的,半正弦
V
F
0.9V
1.25V
I
FM
= 6.0A;
T
J
= 25°C*
I
FM
= 100A;
T
J
= 25°C
尺寸
最大直流
反向电流
额定DC阻断
电压
暗淡
A
B
C
D
英寸
.332
.234
.050
.990
最大
.342
.246
.053
1.010
MM
8.43
5.94
1.27
25.15
最大
8.69
6.25
1.35
25.65
2PL
I
R
25A
1.0mA
T
J
= 25°C
T
J
= 100°C
*脉冲测试:脉冲宽度300
微秒,
占空比1 %
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修订: 6
1 4
2006/08/09
MR750通MR7510
图1
典型的正向特性
200
100
60
40
5
20
安培
10
6
4
2
25°C
1
.6
.4
.2
.1
.8
.9
1.0
瞬时正向电流 - 安培
正向电压 - 伏特
1.1
1.2
1.3
0
1
安培
2
4
6
MCC
微型商业组件
图2
远期降额曲线
3
TM
单相半波
60Hz的阻性或感性负载
0
50
75
100
°C
平均正向整流电流 - 安培
环境温度 -
°C
125
150
175
科幻gure 3
典型热阻随引线长度
20
15
° C / W
10
5
0
.1
.2
.3
英寸
.4
.5
.6
.7
.8
.9
1.0
1.1
热电阻 -
° C / W
等于引线长度为散热器 - 英寸
修订: 6
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2 4
2006/08/09
MR750通MR7510
图4
典型的反向特性
100
60
40
20
10
6
4
2
T
J
=100°C
μAMPS
1
.6
.4
.2
.1
.06
.04
.02
.01
T
J
=25°C
安培
600
500
400
300
200
100
0
1
4
6
MCC
图5
最大非重复正向浪涌电流
TM
微型商业组件
2
8 10
周期
20
40
60 80 100
峰值正向浪涌电流 - 安培
周期在60Hz数 - 周期
20
40
60
80
100
120
140
瞬时反向漏电流 - 微安
%的额定峰值反向电压 - 伏特
修订: 6
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3 4
2006/08/09
MCC
TM
微型商业组件
***重要提示***
微型商业组件公司
.
保留随时更改,恕不另行通知任何权
此产品进行更正,修改,增强,改进或其它更改。
微型商业组件公司
.
不承担因应用程序的任何责任或
使用本文所述的任何产品的;它也没有传达任何许可在其专利的权利,也没有
他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有使用风险
并同意举行
微型商业组件公司
.
和所有的公司
产品的代表在我们的网站上,反对一切损害无害。
应用*** ***免责声明
产品提供了
微型商业组件公司
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不打算用于医学,
航空航天和军事应用。
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修订: 6
4 4
2006/08/09
WTE
功率半导体
MR750 - MR7510
Pb
6.0A标准二极管
特点
!
!
!
!
!
扩散结
低正向压降
高电流能力
高可靠性
高浪涌电流能力
A
B
A
机械数据
!
!
!
!
!
!
!
案例: P- 600 ,模压塑料
终端:每焊镀信息
MIL- STD- 202方法208
极性:负极频带
重量: 2.1克(约)
安装位置:任意
标记:型号数量
无铅:对于符合RoHS /无铅版本,
新增“ -LF ”后缀型号,见第4页
D
P-600
暗淡
最大
25.4
A
8.60
9.10
B
1.20
1.30
C
8.60
9.10
D
尺寸:mm
C
最大额定值和电气特性
单相半波, 60赫兹,电阻或电感性负载。
对于容性负载,减免电流20 % 。
@T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
平均整流输出电流
(注1 )
@T
A
= 60°C
非重复峰值正向浪涌电流
8.3ms单半正弦波叠加
额定负荷( JEDEC的方法)
正向电压
峰值反向电流
在额定阻断电压DC
@I
F
= 6.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
O
MR750
MR751
MR752
MR754
MR756
MR758 MR7510
单位
50
35
100
70
200
140
400
280
6.0
600
420
800
560
1000
700
V
V
A
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJA
T
j
T
英镑
400
1.0
5.0
1.0
150
20
-50至+150
-50至+150
A
V
A
mA
pF
° C / W
°C
°C
典型结电容(注2 )
典型热阻结到环境
(注1 )
工作温度范围
存储温度范围
注意:保持在环境温度下1信息,在从所述壳体的距离9.5毫米
2.测得1.0 MHz和应用的4.0V直流反接电压
MR750 - MR7510
1 4
2006韩元鼎好电子

8
I
F
,正向电流(A)
100
7
I
O
,平均整流电流( A)
6
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100
125
150 175
200
10
1.0
T
j
= 25C
脉冲宽度= 300
s
2 %的占空比
0.1
0
0.2
0.6
1.0
1.4
1.8
T
A
,环境温度(℃ )
图。 1正向电流降额曲线
V
F
,正向电压( V)
图。 2 ,典型的正向特性
500
I
FSM
,峰值正向浪涌电流( A)
1000
T
j
= 25°C
F = 1MHz的
300
C
j
,电容(pF )
8.3ms单半正弦波
JEDEC的方法
400
100
200
100
0
1
10
循环次数在60Hz
图。 3最大非重复性峰值正向浪涌电流
100
10
1
10
V
R
,反向电压(V)的
图。 4典型结电容
100
MR750 - MR7510
2 4
2006韩元鼎好电子
标识信息
大坪规格
0.8mm
最大
10mm
MR75x
WTE
阴极
MR75x
x
WTE
=极性带
=设备号
= 0,1 ,2,4 ,6,8或10个
=制造商的标志
1.2mm
最大
6mm
52.4mm
阴极带:红色
阳极带:白色
0.8mm
最大
包装信息
磁带&卷轴
体积
330mm
50mm
210mm
85mm
产品ID标签
80±5mm
包装
磁带&卷轴
体积
卷筒直径/
箱尺寸(mm )
330
210 x 85 x 50
QUANTITY
( PCS)的
800
250
外箱尺寸
(mm)
370 x 370 x 420
500 x 255 x 275
QUANTITY
( PCS)的
4,000
7,000
约。总重量
(公斤)
12.0
17.0
注意:
1.纸卷轴,白色或灰色。芯材:塑料或金属。
2.部件都装在符合EIA标准RS - 296 -E 。
MR750 - MR7510
3 4
2006韩元鼎好电子
订购信息
产品编号
MR750-T3
MR750
MR751-T3
MR751
MR752-T3
MR752
MR754-T3
MR754
MR756-T3
MR756
MR758-T3
MR758
MR7510-T3
MR7510
1.
2.
3.
套餐类型
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
P-600
送货数量
800 /磁带&卷轴
250单位/箱
800 /磁带&卷轴
250单位/箱
800 /磁带&卷轴
250单位/箱
800 /磁带&卷轴
250单位/箱
800 /磁带&卷轴
250单位/箱
800 /磁带&卷轴
250单位/箱
800 /磁带&卷轴
250单位/箱
产品上市
胆大
是WTE
首选
设备。
鉴于航运量仅为最小包装量。对于最低
订货量,请咨询售楼部。
订购RoHS /无铅版本(与无铅完成) ,加上“ -LF ”后缀
上面的零件编号。例如, MR750 -T3- LF 。
韩元鼎好电子有限公司( WTE )已仔细检查了所有的信息,并认为它是正确的,准确的。然而, WTE不承担任何
责任不准确。此外,这种信息不给半导体器件的购买者根据专利权的任何许可
制造商。 WTE保留此更改任何或所有信息,而无需另行通知的权利。
警告:
不要使用生命支持设备。垃圾发电功率半导体产品不授权在生活中使用的关键组件
支持设备或系统未经明确的书面批准。
韩元鼎好电子有限公司
44号谷喀嗯北三路,茅根陈DIST。 ,高雄,台湾
电话:
886-7-822-5408或886-7-822-5410
传真:
886-7-822-5417
电子邮件:
sales@wontop.com
互联网:
http://www.wontop.com
我们日常供电。
MR750 - MR7510
4 4
2006韩元鼎好电子
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单价/备注
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MR758
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2290748171 复制
电话:83682693
联系人:关先生
地址:深圳市福田区赛格广场57楼5704
MR758
SUNMATE
2018
66778
R-6
品质保证★免费送样★售后无忧★可开发票
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2236823936 复制

电话:0755-82569753-32922817-36561078-801
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北振兴路101号华匀大厦2栋5楼508-510室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
MR758
ON
1926+
35268
CASE194
只做进口原装正品现货,或订货假一赔十!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:12979146271572952678 复制 点击这里给我发消息 QQ:1693854995 复制

电话:19520735817/13148740183
联系人:米小姐,黄小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园2栋西
MR758
ON
21+
2800
DIP
二极管
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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▲10/11+
10059
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ:3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ:1245773710 复制

电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室(本公司为一般纳税人,可开增票)
MR758
ON
25+
4500
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电话:0755-82723761/82772189
联系人:夏先生 朱小姐
地址:深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2(本公司为一般纳税人,可开增票)
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