半导体
MR53V8052J
524,288字×16位或1,048,576字×8位
8Word X 16位或16Word ×8位/页模式MASK ROM
这个版本： 1999年2月
以前的版本： -------
初步
描述
该MR53V8052J是8Mbit的只读存储器，其配置可电切换
与524,288字X 16位和1,048,576字X 8位。该MR53V8052J异步运行，
外部时钟不是必需的，使得该装置易于使用。该MR53V8052J适合作为
大容量的内存固定微型计算机和数据终端。它是使用CMOS制造
硅栅工艺和42引脚DIP ， 44引脚SOP和44引脚TSOP封装提供。
特点
524,288字X 16位/ 1,048,576字X 8位电可切换的配置
· 8word ×16位或16word ×8位/页阅读模式
·单+ 2.7V 3.6V电源
·正常访问时间
·页面访问时间
· V
CC
电源电流
· V
CC
待机电流
三态输出
包
42引脚塑料DIP
44引脚塑料SOP
(DIP42-P-600-2.54)
(SOP44-P-600-1.27-K)
MR53V8052J-XXRA
MR53V8052J-XXMA
100ns
30ns
80mA
10mA
输入/输出TTL兼容
44引脚塑料TSOP （ TSOPII44 -P - 400-0.80 -K ） MR53V8052J - XXTP
1/6
半导体
MR53V8052J
框图
A-1
字节
X8 / X16开关
CE
OE
CE
OE
控制
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
ROW
解码器
地址
卜FF器
记忆细胞
矩阵
524288 ×16或1048676 ×8
COLUMN
解码器
多路复用器
输出缓冲器
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
D8 D9 D10 D11 D12 D13 D14 D15
功能表
模式
支持
输出禁用
READ(16-BIT)
READ(8-BIT)
CE
H
L
L
L
L
OE
X
H
H
L
L
字节
X
H
L
H
L
D0~D7
D8~D14
高阻
D
OUT
高阻
L / H
L / H
A-1/D15
D
OUT
3/6
半导体
MR53V8052J
绝对最大额定值
参数
在偏置工作温度
储存温度
输入电压
输出电压
电源电压
每个封装功耗
符号
T
OPR
T
英镑
V
I
V
O
V
CC
P
D
条件
-
-
相对于V
SS
-
价值
0 ~ 70
-55 ~ 125
-0.5 ~ V
CC
+0.5
-0.5 ~ V
CC
+0.5
-0.5 ~ 5
1.0
单位
`C
`C
V
V
V
W
为FOR READ推荐工作条件
参数
V
CC
电源电压
输入“ H”电平
输入“ L”电平
电压相对于V
SS
符号
V
CC
V
IH
V
IL
条件
V
CC
=2.7V ~ 3.6V
分钟。
2.7
2.2
-0.5
典型值。
-
-
-
（大= 0 70`C ）
分钟。
单位
3.6
`C
V
CC
+0.5
`C
0.8
V
引脚电容
参数
输入
产量
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
I
=0V
V
O
=0V
（VCC = 3.3V ，TA = 25`C ， F = 1MHz的）
分钟。
典型值。
分钟。
单位
-
-
12
pF
-
-
15
pF
4/6
半导体
MR53V8052J
电气特性
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
电源电流
（待机）
V
CC
电源电流
（有源）
输入“ H”电平
输入“ L”电平
输出“ H”电平
输出“L”电平
电压相对于V
SS
AC特性
符号
C
IN
C
OUT
I
CCSC
I
CCST
I
CCA
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
条件
V
I
=0V~V
CC
V
O
=0V~V
CC
CE = V
CC
CE = V
IH
CE = V
IL
， OE = V
IH
TC = 100ns的
-
-
I
OH
=-200
mA
I
OL
=1mA
（VCC = 2.7V 3.6V ，TA = 0 70`C ）
分钟。
典型值。
分钟。
单位
-
-
10
mA
-
-
10
mA
-
-
10
mA
-
-
1
mA
-
2.0
-0.5
V
CC
-0.4
-
-
-
-
-
-
80
V
CC
+0.5
0.8
-
0.4
mA
V
V
V
V
（VCC = 2.7V 3.6V ，TA = 0 70`C ）
参数
符号
条件
分钟。
分钟。
单位
地址访问周期时间
T
C
-
100
-
ns
地址访问时间
T
加
CE = OE = V
IL
-
100
ns
页面设置时间
T
PSET
NOTE.1
100
-
ns
页面访问周期时间
T
PC
-
30
-
ns
页面访问时间
T
PAC
-
-
30
ns
CE访问时间
T
CE
OE = V
IL
-
100
ns
OE访问时间
T
OE
CE = V
IL
-
30
ns
输出禁止时间
T
CHZ
OE = V
IL
0
30
ns
T
OHZ
CE = V
IL
0
25
ns
输出保持时间
T
OH
CE = OE = V
IL
0
-
ns
注1牛逼
PSET
被定义为在随机接入任CE下降沿或地址过渡结束
术语直到第一页的地址转换。
测量条件
输入信号电平
输入时序参考电平
输出负载
输出时序参考电平
1.7V
0V/3V
0.8V/2.0V
100pF
0.8V/2.0V
400W
产量
100pF
5/6
半导体
MR53V8052J
524,288字×16位或1,048,576字×8位
8Word X 16位或16Word ×8位/页模式MASK ROM
这个版本： 1999年2月
以前的版本： -------
初步
描述
该MR53V8052J是8Mbit的只读存储器，其配置可电切换
与524,288字X 16位和1,048,576字X 8位。该MR53V8052J异步运行，
外部时钟不是必需的，使得该装置易于使用。该MR53V8052J适合作为
大容量的内存固定微型计算机和数据终端。它是使用CMOS制造
硅栅工艺和42引脚DIP ， 44引脚SOP和44引脚TSOP封装提供。
特点
524,288字X 16位/ 1,048,576字X 8位电可切换的配置
· 8word ×16位或16word ×8位/页阅读模式
·单+ 2.7V 3.6V电源
·正常访问时间
·页面访问时间
· V
CC
电源电流
· V
CC
待机电流
三态输出
包
42引脚塑料DIP
44引脚塑料SOP
(DIP42-P-600-2.54)
(SOP44-P-600-1.27-K)
MR53V8052J-XXRA
MR53V8052J-XXMA
100ns
30ns
80mA
10mA
输入/输出TTL兼容
44引脚塑料TSOP （ TSOPII44 -P - 400-0.80 -K ） MR53V8052J - XXTP
1/6
半导体
MR53V8052J
框图
A-1
字节
X8 / X16开关
CE
OE
CE
OE
控制
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
A17
A18
ROW
解码器
地址
卜FF器
记忆细胞
矩阵
524288 ×16或1048676 ×8
COLUMN
解码器
多路复用器
输出缓冲器
D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7
D8 D9 D10 D11 D12 D13 D14 D15
功能表
模式
支持
输出禁用
READ(16-BIT)
READ(8-BIT)
CE
H
L
L
L
L
OE
X
H
H
L
L
字节
X
H
L
H
L
D0~D7
D8~D14
高阻
D
OUT
高阻
L / H
L / H
A-1/D15
D
OUT
3/6
半导体
MR53V8052J
绝对最大额定值
参数
在偏置工作温度
储存温度
输入电压
输出电压
电源电压
每个封装功耗
符号
T
OPR
T
英镑
V
I
V
O
V
CC
P
D
条件
-
-
相对于V
SS
-
价值
0 ~ 70
-55 ~ 125
-0.5 ~ V
CC
+0.5
-0.5 ~ V
CC
+0.5
-0.5 ~ 5
1.0
单位
`C
`C
V
V
V
W
为FOR READ推荐工作条件
参数
V
CC
电源电压
输入“ H”电平
输入“ L”电平
电压相对于V
SS
符号
V
CC
V
IH
V
IL
条件
V
CC
=2.7V ~ 3.6V
分钟。
2.7
2.2
-0.5
典型值。
-
-
-
（大= 0 70`C ）
分钟。
单位
3.6
`C
V
CC
+0.5
`C
0.8
V
引脚电容
参数
输入
产量
符号
C
IN
C
OUT
条件
V
I
=0V
V
O
=0V
（VCC = 3.3V ，TA = 25`C ， F = 1MHz的）
分钟。
典型值。
分钟。
单位
-
-
12
pF
-
-
15
pF
4/6
半导体
MR53V8052J
电气特性
DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
电源电流
（待机）
V
CC
电源电流
（有源）
输入“ H”电平
输入“ L”电平
输出“ H”电平
输出“L”电平
电压相对于V
SS
AC特性
符号
C
IN
C
OUT
I
CCSC
I
CCST
I
CCA
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
条件
V
I
=0V~V
CC
V
O
=0V~V
CC
CE = V
CC
CE = V
IH
CE = V
IL
， OE = V
IH
TC = 100ns的
-
-
I
OH
=-200
mA
I
OL
=1mA
（VCC = 2.7V 3.6V ，TA = 0 70`C ）
分钟。
典型值。
分钟。
单位
-
-
10
mA
-
-
10
mA
-
-
10
mA
-
-
1
mA
-
2.0
-0.5
V
CC
-0.4
-
-
-
-
-
-
80
V
CC
+0.5
0.8
-
0.4
mA
V
V
V
V
（VCC = 2.7V 3.6V ，TA = 0 70`C ）
参数
符号
条件
分钟。
分钟。
单位
地址访问周期时间
T
C
-
100
-
ns
地址访问时间
T
加
CE = OE = V
IL
-
100
ns
页面设置时间
T
PSET
NOTE.1
100
-
ns
页面访问周期时间
T
PC
-
30
-
ns
页面访问时间
T
PAC
-
-
30
ns
CE访问时间
T
CE
OE = V
IL
-
100
ns
OE访问时间
T
OE
CE = V
IL
-
30
ns
输出禁止时间
T
CHZ
OE = V
IL
0
30
ns
T
OHZ
CE = V
IL
0
25
ns
输出保持时间
T
OH
CE = OE = V
IL
0
-
ns
注1牛逼
PSET
被定义为在随机接入任CE下降沿或地址过渡结束
术语直到第一页的地址转换。
测量条件
输入信号电平
输入时序参考电平
输出负载
输出时序参考电平
1.7V
0V/3V
0.8V/2.0V
100pF
0.8V/2.0V
400W
产量
100pF
5/6
QQ：2881677436 复制
