飞思卡尔半导体公司
数据表
文档编号： MR2A16A
第4版， 6/2007
256K ×16位3.3 V
异步
磁阻RAM
介绍
该MR2A16A是4,194,304位磁阻
随机存取存储器（MRAM ）器件
内部组织为16位262,144字。该
MR2A16A配有芯片使能（E ），写
使能（ W），以及输出使能（G）的引脚，允许
为显著的系统设计灵活性，而公交车
争。由于MR2A16A具有独立
字节使能控制（ LB和UB ） ，单个字节
可以写入和读出。
MRAM是非易失性存储器技术，它
保护数据在电力损失的情况下和不
不需要周期性的清爽。该MR2A16A是
对于应用的理想存储解决方案
必须永久性地存储和检索关键数据
快。
该MR2A16A可在400万， 44引脚
塑料小外形TSOP II型封装，
行业标准的中心电源和接地SRAM
引脚排列。
该MR2A16A是商业用（ 0°C至
70°C ） ，工业（
-
40℃至85℃ ）和扩展
(
-
40℃到105℃ ）的环境温度范围内。
特点
MR2A16A
44-TSOP
案例924A -02
采用3.3 V单电源
商业级温度范围（ 0 ° C至
70°C ） ，工业级温度范围（
-
40C
至85℃ ）和扩展级温度范围
(
-
40℃至105℃ ）
对称的高速读取和写入
快速存取时间（ 35纳秒）
灵活的数据总线控制 - 8位或16位
ACCESS
相等的地址和芯片使能访问
时
具有低电压自动数据保护
抑制电路，以防止电源写入
损失
所有的输入和输出
晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）兼容
全静态操作
全非易失性操作具有20年
最少可以保存数据
飞思卡尔半导体公司， 2004年， 2006年， 2007年。保留所有权利。
器件引脚分配
产量
启用
卜FF器
G
高字节输出使能
低字节输出使能
A [ 17 ： 0 ]地址
缓冲器
18
8
10
ROW
解码器
COLUMN
解码器
SENSE
安培
上
字节
产量
卜FF器
低
字节
产量
卜FF器
8
最终科幻
写
DRIVERS
上
字节
写
司机
低
字节
写
司机
8
8
E
芯片
启用
卜FF器
256K ×16
位
内存
ARRAY
16
8
8
W
写
启用
卜FF器
8
DQU [15：8 ]
16
8
UB
LB
字节
启用
BUFFER LB
UB
高字节写使能
低字节写使能
8
DQL [7 ：0]的
图1.框图
器件引脚分配
A0
A1
A2
A3
A4
E
DQL0
DQL1
DQL2
DQL3
V
DD
V
SS
DQL4
DQL5
DQL6
DQL7
W
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A17
A16
A15
G
UB
LB
DQU15
DQU14
DQU13
DQU12
V
SS
V
DD
DQU11
DQU10
DQU9
DQU8
NC
A14
A13
A12
A11
A10
表1.引脚功能
信号名称
A[17:0]
E
W
G
UB
LB
DQL [7 ：0]的
DQU [15：8 ]
V
DD
V
SS
NC
功能
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
高字节选择
低字节选择
数据I / O，低字节
数据I / O，高字节
电源
地
请勿连接该引脚
图2. MR2A16A采用44引脚TSOP II型封装
MR2A16A数据手册，第4
2
飞思卡尔半导体公司
电气规格
表2.操作模式
E
1
H
L
L
L
L
L
L
L
L
G
1
X
H
X
L
L
L
X
X
X
W
1
X
H
X
H
H
H
L
L
L
LB
1
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
1
X
X
H
H
L
L
H
L
L
模式
未选择
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
V
DD
当前
I
SB1
, I
SB2
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
DQL [7 ：0]的
2
高阻
高阻
高阻
D
OUT
高阻
D
OUT
D
In
高阻
D
In
DQU [15：8 ]
2
高阻
高阻
高阻
高阻
D
OUT
D
OUT
高阻
D
In
D
In
注意事项：
1
H =高， L =低，X =无关
2
HI- Z =高阻抗
电气规格
绝对最大额定值
该器件包含电路，以防止由于高静电压或损坏的输入
电场;然而，它是表示通常采取预防措施，以避免施加任何电压的
超过最大额定电压，这些高阻抗（Hi -Z ）电路的更大。
该器件还包含保护免受外部磁场。应采取预防措施，以
避免应用任何磁场的比在规定的最大场强更强烈
最大额定值。
MR2A16A数据手册，第4
飞思卡尔半导体公司
3
电气规格
表3.绝对最大额定值
1
参数
电源电压
2
任何引脚电压
2
每个引脚输出电流
封装功耗
3
在偏置温度
MR2A16ATS35C （商业）
MR2A16ACYS35 （工业）
MR2A16AVYS35 （扩展）
储存温度
焊锡中铅的温度（ 3分钟最大值）
写在最大磁科幻场
MR2A16ATS35C （商业）
MR2A16ACYS35 （工业）
MR2A16AVYS35 （扩展）
在读或待机最大磁科幻场
MR2A16ATS35C （商业）
MR2A16ACYS35 （工业）
MR2A16AVYS35 （扩展）
符号
V
DD
V
In
I
OUT
P
D
T
BIAS
T
英镑
T
领导
H
max_write
价值
-0.5到4.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±20
0.600
-10到85
-45到95
-45至110
-55到150
260
15
25
25
100
100
100
单位
V
V
mA
W
C
C
C
Oe
H
max_read
Oe
注意事项：
1
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作
应限制在推荐的工作条件。暴露于过度的电压或磁
场可能会影响器件的可靠性。
2
所有电压都参考V 。
SS
3
功率耗散能力取决于封装的特点和使用环境。
MR2A16A数据手册，第4
4
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电气规格
表4.工作条件
参数
电源电压
MR2A16ATS35C （商业）
MR2A16ACYS35 （工业）
MR2A16AVYS35 （扩展）
写禁止电压
MR2A16ATS35C （商业）
MR2A16ACYS35 （工业）
MR2A16AVYS35 （扩展）
输入高电压
输入低电压
工作温度
MR2A16ATS35C （商业）
MR2A16ACYS35 （工业）
MR2A16AVYS35 （扩展）
符号
V
DD
民
3.0
1
3.0
2
3.0
2
2.5
2.5
2.5
2.2
–0.5
4
0
-40
-40
典型值
3.3
3.3
3.3
2.7
2.7
2.7
—
—
最大
3.6
3.6
3.6
3.0
1
3.0
2
3.0
2
V
DD
+
0.3
3
0.8
70
85
105
单位
V
V
WI
V
V
IH
V
IL
T
A
V
V
C
注意事项：
1
系统上电或若V
DD
低于V
WI
， 2的等待期
μ
s必须是观察到的，而E和W
必须保持高2
μ
秒。内存是专为防止写入所有输入引脚的条件，如果V
DD
低于最小V
WI
.
2
系统上电或若V
DD
低于V
WI
， 2毫秒的等待时间必须遵守，以及E和W
必须保持高度的2毫秒。内存是专为防止写入所有输入引脚的条件，如果V
DD
低于最小V
WI
.
3
V（最大值） = V
IH
DD
+ 0.3伏; V
IH
（MAX） = V
DD
+ 2.0 V交流（脉冲宽度
≤
10纳秒）为我
≤
20.0毫安。
4
V（分钟） = -0.5伏; V（分钟） = -2.0 V交流（脉冲宽度
≤
10纳秒）为我
≤
20.0毫安。
IL
IL
MR2A16A数据手册，第4
飞思卡尔半导体公司
5
器件引脚分配
产量
启用
卜FF器
G
高字节输出使能
低字节输出使能
A [ 15 ： 0 ]地址
缓冲器
16
8
8
ROW
解码器
COLUMN
解码器
SENSE
安培
上
字节
产量
卜FF器
低
字节
产量
卜FF器
8
最终科幻
写
DRIVERS
上
字节
写
司机
低
字节
写
司机
8
8
E
芯片
启用
卜FF器
64K ×16
位
内存
ARRAY
16
8
8
W
写
启用
卜FF器
8
DQU [15：8 ]
16
8
UB
LB
字节
启用
BUFFER LB
UB
高字节写使能
低字节写使能
8
DQL [7 ：0]的
图1.框图
器件引脚分配
A0
A1
A2
A3
A4
E
DQL0
DQL1
DQL2
DQL3
V
DD
V
SS
DQL4
DQL5
DQL6
DQL7
W
A5
A6
A7
A8
A9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A15
A14
A13
G
UB
LB
DQU15
DQU14
DQU13
DQU12
V
SS
V
DD
DQU11
DQU10
DQU9
DQU8
NC
V
DD
V
SS
A12
A11
A10
表1.引脚功能
信号名称
A[15:0]
E
W
G
UB
LB
DQL [7 ：0]的
DQU [15：8 ]
V
DD
V
SS
NC
功能
地址输入
芯片使能
写使能
OUTPUT ENABLE
高字节选择
低字节选择
数据I / O，低字节
数据I / O，高字节
电源
地
请勿连接该引脚
图2. MR0A16A采用44引脚TSOP II型封装
MR0A16A高级信息数据手册，Rev. 0
2
飞思卡尔半导体公司
电气规格
表2.操作模式
E
1
H
L
L
L
L
L
L
L
L
G
1
X
H
X
L
L
L
X
X
X
W
1
X
H
X
H
H
H
L
L
L
LB
1
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
1
X
X
H
H
L
L
H
L
L
模式
未选择
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
V
DD
当前
I
SB1
, I
SB2
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
I
DDA
DQL [7 ：0]的
2
高阻
高阻
高阻
D
OUT
高阻
D
OUT
D
In
高阻
D
In
DQU [15：8 ]
2
高阻
高阻
高阻
高阻
D
OUT
D
OUT
高阻
D
In
D
In
注意事项：
1
H =高， L =低，X =无关
2
HI- Z =高阻抗
电气规格
绝对最大额定值
该器件包含电路，以防止由于高静电压或损坏的输入
电场;然而，它是表示通常采取预防措施，以避免施加任何电压的
超过最大额定电压，这些高阻抗（Hi -Z ）电路的更大。
该器件还包含保护免受外部磁场。应采取预防措施，以
避免应用任何磁场的比在规定的最大场强更强烈
最大额定值。
MR0A16A高级信息数据手册，Rev. 0
飞思卡尔半导体公司
3
电气规格
表3.绝对最大额定值
1
参数
电源电压
2
任何引脚电压
2
每个引脚输出电流
封装功耗
3
在偏置温度
MR0A16AYS35 （商业）
MR0A16ACYS35 （工业）
MR0A16AVYS35 （扩展）
储存温度
焊锡中铅的温度（ 3分钟最大值）
写在最大磁科幻场
MR0A16AYS35 （商业）
MR0A16ACYS35 （工业）
MR0A16AVYS35 （扩展）
在读或待机最大磁科幻场
MR0A16AYS35 （商业）
MR0A16ACYS35 （工业）
MR0A16AVYS35 （扩展）
符号
V
DD
V
In
I
OUT
P
D
T
BIAS
T
英镑
T
领导
H
max_write
价值
-0.5到4.0
-0.5到V
DD
+ 0.5
±20
0.600
-10到85
-45到95
-45至110
-55到150
260
15
25
25
100
100
100
单位
V
V
mA
W
C
C
C
Oe
H
max_read
Oe
注意事项：
1
如果绝对最大额定值被超过，可能会出现永久性设备损坏。功能操作
应限制在推荐的工作条件。暴露于过度的电压或磁
场可能会影响器件的可靠性。
2
所有电压都参考V 。
SS
3
功率耗散能力取决于封装的特点和使用环境。
表4.工作条件
参数
电源电压
写禁止电压
输入高电压
输入低电压
工作温度
MR0A16AYS35 （商业）
MR0A16ACYS35 （工业）
MR0A16AVYS35 （扩展）
符号
V
DD
V
WI
V
IH
V
IL
T
A
民
3.0
1
2.5
2.2
–0.5
3
0
-40
-40
典型值
3.3
2.7
—
—
最大
3.6
3.0
1
V
DD
+
0.3
2
0.8
70
85
105
单位
V
V
V
V
C
注意事项：
1
系统上电或若V
DD
低于V
WI
， 2毫秒的等待时间必须遵守，以及E和W
必须保持高度的2毫秒。内存是专为防止写入所有输入引脚的条件，如果V
DD
低于最小V
WI
.
2
V（最大值） = V
IH
DD
+ 0.3伏; V
IH
（MAX） = V
DD
+ 2.0 V交流（脉冲宽度
≤
10纳秒）为我
≤
20.0毫安。
3
V（分钟） = -0.5伏; V（分钟） = -2.0 V交流（脉冲宽度
≤
10纳秒）为我
≤
20.0毫安。
IL
IL
MR0A16A高级信息数据手册，Rev. 0
4
飞思卡尔半导体公司
电气规格
直流（DC ）
表5. DC特性
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出低电压
(I
OL
= 4毫安）
(I
OL
= +100
μA)
输出高电压
(I
OH
= -4毫安）
(I
OH
= -100毫安）
符号
I
LKG （I）的
I
LKG （ O）
V
OL
民
—
—
—
典型值
—
—
—
最大
±1
±1
0.4
V
SS
+ 0.2
—
单位
μA
μA
V
V
OH
2.4
V
DD
– 0.2
—
V
表6.电源特性
参数
交流活动的电源电流 - 读模式
1
(I
OUT
= 0 mA时，V
DD
=最大值）
交流活动的电源电流 - 写模式
1
(V
DD
=最大值）
AC待机电流
(V
DD
=最大值，E = V
IH
)
（在其他投入，没有其他限制）
CMOS待机电流
(E
≥
V
DD
- 0.2 V和V
In
≤
V
SS
+ 0.2 V或
≥
V
DD
– 0.2 V)
(V
DD
=最大值中，f = 0兆赫）
符号
I
DDR
I
DDW
I
SB1
典型值
待定
待定
待定
最大
待定
待定
待定
单位
mA
mA
mA
I
SB2
待定
待定
mA
注意事项：
1
所有的有功电流测量是测量每个周期一个地址转换。
表7.电容
1
参数
地址输入电容
控制输入电容
输入/输出电容
符号
C
In
C
In
C
I / O
典型值
—
—
—
最大
6
6
8
单位
pF
pF
pF
注意事项：
1
F = 1.0兆赫，DV = 3.0 V，T = 25°C ，周期性采样，而不是100 ％测试。
A
MR0A16A高级信息数据手册，Rev. 0
飞思卡尔半导体公司
5
QQ：2880707522 复制
