半导体
MR27V852D
524,288字×16位或1,048,576字×8位
8字×16位或16字×8位页面模式一次性可编程ROM
描述
1A
该MR27V852D是8Mbit的电可编程只读存储器与页模式。其
配置可以524,288字X 16位和1,048,576字X 8位之间电切换。
在MR27V852D工作在+ 3.3V单电源供电， TTL兼容。该MR27V852D
提供页面模式，可以大大减少读取时间。由于MR27V852D
异步运行，外部时钟都没有规定，使该器件易于使用。该
MR27V852D适合作为大容量的固定存储器的微型计算机和数据终端。这是
采用双CMOS硅栅工艺制造，提供42引脚DIP ， 44引脚
SOP和44引脚TSOP封装。
特点
524,288字X 16位/ 1,048,576字X 8位电可切换的配置
+ 3.3V单电源供电
存取时间为80ns
网页模式访问时间为30ns
输入/输出TTL兼容
三态输出
包
42引脚塑料DIP （ DIP42 -P - 600-2.54 ）
（产品名称： MR27V852DRA ）
44引脚塑料SOP （ SOP44 -P - 600-1.27 -K ）
（产品名称： MR27V852DMA ）
44引脚塑料TSOP （ TSOP II 44 -P - 400-0.80 -K ） （产品名称： MR27V852DTP ）
1999年11月
1/10
MR27V852D
绝对最大额定值
参数
在偏置工作温度
储存温度
输入电压
输出电压
电源电压
项目电源电压
每个封装功耗
符号
TOPR
T
英镑
V
I
V
O
V
CC
V
PP
P
D
-
相对于V
SS
条件
-
价值
0到70
-55至125
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到5
-0.5至11.5
1.0
单位
°C
°C
V
V
V
V
W
为FOR READ推荐工作条件
（ TA = 0 70
°C)
参数
V
CC
电源电压
V
PP
电源电压
输入"H"水平
输入"L"水平
电压是相对于Vss
*： Vcc的+ 1.5V （最大）时的过冲的脉冲宽度小于10ns的。
**： -1.5V （最小值）时，下冲的脉冲宽度小于10ns的。
符号
V
CC
V
PP
V
IH
V
IL
V
CC
=3.0V-3.6V
条件
分钟。
3.0
-0.5
2.2
-0.5**
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
3.6
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5*
0.6
单位
V
V
V
V
4/10
MR27V852D
电气特性（读操作）
DC特性
(V
CC
=3.3V
±
0.3V ， TA = 0 70
°
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
电源电流
（待机）
V
CC
电源电流
（READ ）
V
PP
电源电流
输入"H"水平
输入"L"水平
输出"H"水平
输出"L"水平
电压是相对于Vss
*： Vcc的+ 1.5V （最大）时的过冲的脉冲宽度小于10ns的。
**： -1.5V （最小值）时，下冲的脉冲宽度小于10ns的。
AC特性
(V
CC
=3.3V
±
0.3V ，TA = 0 70 ° C）
参数
地址访问周期时间
地址访问时间
页面访问周期时间
页面访问时间
CE访问时间
OE访问时间
输出禁止时间
输出保持时间
符号
T
C
T
加
T
PC
T
PAC
T
CE
T
OE
T
CHZ
T
OHZ
T
OH
条件
-
CE = OE = V
IL
-
-
OE = V
IL
CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
CE = OE = V
IL
分钟。
80
-
30
-
-
-
0
0
0
马克斯。
-
80
-
30
80
30
30
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
I
LI
I
LO
I
CS1
I
CS2
I
CCA
I
PP
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
tc=80ns
V
PP
=V
CC
-
-
I
OH
=-400A
I
OL
=2.1mA
条件
V
I
= 0至Vcc的
V
O
= 0至Vcc的
CE = V
CC
CE = V
IH
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH
分钟。
-
-
-
-
-
-
2.2
-0.5**
2.4
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10
10
50
1
80
10
V
CC
+0.5*
0.6
-
0.4
单位
A
A
A
mA
mA
A
V
V
V
V
测量条件
输入信号电平
输入时序参考电平
输出负载
输出时序参考电平
0V/3V
0.8V/2.0V
100pF
0.8V/2.0V
2.08V
800ohms
产量
100pF
5/10
半导体
MR27V852D
524,288字×16位或1,048,576字×8位
8字×16位或16字×8位页面模式一次性可编程ROM
描述
1A
该MR27V852D是8Mbit的电可编程只读存储器与页模式。其
配置可以524,288字X 16位和1,048,576字X 8位之间电切换。
在MR27V852D工作在+ 3.3V单电源供电， TTL兼容。该MR27V852D
提供页面模式，可以大大减少读取时间。由于MR27V852D
异步运行，外部时钟都没有规定，使该器件易于使用。该
MR27V852D适合作为大容量的固定存储器的微型计算机和数据终端。这是
采用双CMOS硅栅工艺制造，提供42引脚DIP ， 44引脚
SOP和44引脚TSOP封装。
特点
524,288字X 16位/ 1,048,576字X 8位电可切换的配置
+ 3.3V单电源供电
存取时间为80ns
网页模式访问时间为30ns
输入/输出TTL兼容
三态输出
包
42引脚塑料DIP （ DIP42 -P - 600-2.54 ）
（产品名称： MR27V852DRA ）
44引脚塑料SOP （ SOP44 -P - 600-1.27 -K ）
（产品名称： MR27V852DMA ）
44引脚塑料TSOP （ TSOP II 44 -P - 400-0.80 -K ） （产品名称： MR27V852DTP ）
1999年11月
1/10
MR27V852D
绝对最大额定值
参数
在偏置工作温度
储存温度
输入电压
输出电压
电源电压
项目电源电压
每个封装功耗
符号
TOPR
T
英镑
V
I
V
O
V
CC
V
PP
P
D
-
相对于V
SS
条件
-
价值
0到70
-55至125
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到V
CC
+ 0.5
-0.5到5
-0.5至11.5
1.0
单位
°C
°C
V
V
V
V
W
为FOR READ推荐工作条件
（ TA = 0 70
°C)
参数
V
CC
电源电压
V
PP
电源电压
输入"H"水平
输入"L"水平
电压是相对于Vss
*： Vcc的+ 1.5V （最大）时的过冲的脉冲宽度小于10ns的。
**： -1.5V （最小值）时，下冲的脉冲宽度小于10ns的。
符号
V
CC
V
PP
V
IH
V
IL
V
CC
=3.0V-3.6V
条件
分钟。
3.0
-0.5
2.2
-0.5**
典型值。
-
-
-
-
马克斯。
3.6
V
CC
+0.5
V
CC
+0.5*
0.6
单位
V
V
V
V
4/10
MR27V852D
电气特性（读操作）
DC特性
(V
CC
=3.3V
±
0.3V ， TA = 0 70
°
C)
参数
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
电源电流
（待机）
V
CC
电源电流
（READ ）
V
PP
电源电流
输入"H"水平
输入"L"水平
输出"H"水平
输出"L"水平
电压是相对于Vss
*： Vcc的+ 1.5V （最大）时的过冲的脉冲宽度小于10ns的。
**： -1.5V （最小值）时，下冲的脉冲宽度小于10ns的。
AC特性
(V
CC
=3.3V
±
0.3V ，TA = 0 70 ° C）
参数
地址访问周期时间
地址访问时间
页面访问周期时间
页面访问时间
CE访问时间
OE访问时间
输出禁止时间
输出保持时间
符号
T
C
T
加
T
PC
T
PAC
T
CE
T
OE
T
CHZ
T
OHZ
T
OH
条件
-
CE = OE = V
IL
-
-
OE = V
IL
CE = V
IL
OE = V
IL
CE = V
IL
CE = OE = V
IL
分钟。
80
-
30
-
-
-
0
0
0
马克斯。
-
80
-
30
80
30
30
25
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
符号
I
LI
I
LO
I
CS1
I
CS2
I
CCA
I
PP
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
tc=80ns
V
PP
=V
CC
-
-
I
OH
=-400A
I
OL
=2.1mA
条件
V
I
= 0至Vcc的
V
O
= 0至Vcc的
CE = V
CC
CE = V
IH
CE = V
白细胞介素，
OE = V
IH
分钟。
-
-
-
-
-
-
2.2
-0.5**
2.4
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
10
10
50
1
80
10
V
CC
+0.5*
0.6
-
0.4
单位
A
A
A
mA
mA
A
V
V
V
V
测量条件
输入信号电平
输入时序参考电平
输出负载
输出时序参考电平
0V/3V
0.8V/2.0V
100pF
0.8V/2.0V
2.08V
800ohms
产量
100pF
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