MR2535L
过压
瞬态抑制器
中等电流
专为需要低电压整流与应用
用作反向功率瞬态反向雪崩特性
抑制器。发展到抑制汽车瞬变
系统，这些设备中的正向模式作为标准操作
整流器或反向模式为动力雪崩整流，并将保护
电子设备免受过压条件。
特点
http://onsemi.com
雪崩电压24 32 V
高功率容量
经济
通过并行操作能力得到提高
无铅包可用*
MICRODE AXIAL
CASE 194
风格1
机械特性：
案例：环氧树脂，模压
重量：2.5克数（大约）
表面处理：所有外部表面耐腐蚀和终端
信息很容易焊
最大的铅焊接温度的目的：
350℃ 3/8“案件从10秒在5 lbs 。紧张
极性：由二极管符号或阴极频带指示
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
等级
DC峰值重复反向电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
重复峰值反向浪涌电流
（时间常数= 10毫秒，占空比
≤
1%,
T
C
= 25°C)
平均正向电流整流
（单相，阻性负载， 60赫兹，
T
C
= 125 ℃） （图4）
非重复性峰值浪涌电流浪涌
提供在额定负载条件
半波，单相
工作和存储结
温度范围
符号
V
RRM
V
RWM
V
R
I
RSM
价值
20
单位
V
标记图
MR2535LAYYWW
G
G
62
A
A
YY
WW
G
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
I
O
6.0
A
订购信息
I
FSM
600
A
设备
MR2535L
T
J
, T
英镑
-65到+175
°C
MR2535LG
MR2535LRL
MR2535LRLG
包
MICRODE AXIAL
MICRODE AXIAL
（无铅）
MICRODE AXIAL
MICRODE AXIAL
（无铅）
航运
1000单位/箱
1000单位/箱
800 /磁带&卷轴
800 /磁带&卷轴
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
出版订单号：
MR2535L/D
1
2006年6月 - 启示录7
MR2535L
1.20
1.18
V Z（ IRSM ） / V Z（ 100 mA时）
1.16
1.14
1.12
1.10
1.08
1.06
1.04
1.02
1.00
10 20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120
I
RSM
，反向重复峰值浪涌电流（ A）
PW = 80
女士，
T
L
= 25°C
图11.典型钳位因子
2
W
DL / DT限制
100
mH
0 150 V
50 μF的
MR2535L
图12.甩负荷试验电路
100
DL / DT < 1 A / MS
80
60
(%)
40
20
0
0
0.1
t (50%)
t (37%)
0.2
t (10%)
T，时间（S ）
0.3
0.5
0.4
T（ 37 ％ ） =时间常数
t (50%) = 0.7 t (37%)
t (10%) = 2.3 t (37%)
图13.抛负载脉冲电流
http://onsemi.com
4
MR2535L
包装尺寸
MICRODE AXIAL
CASE 194-04
ISSUE
A
D
1
注意事项：
1.阴极符号包。
2. 194-01陈旧， 194-04新标准。
MILLIMETERS
英寸
DIM MIN
最大
最小最大
A
8.43
8.69 0.332 0.342
B
5.94
6.25 0.234 0.246
D
1.27
1.35 0.050 0.053
K
25.15 25.65 0.990 1.010
风格1 ：
PIN 1阴极
2.阳极
K
B
K
2
安森美半导体
和
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