MPV1965 & MPV2100
TM
变容二极管
表面贴装MMSM
变容二极管
符合RoHS
描述
在MPV系列表面贴装变容二极管采用了独特的
新的单片制造技术。该技术采用
封装/设备集成完成的晶圆制造
的水平。由于阴极和阳极互连利用
精密光刻技术,而不是引线键合,
寄生封装电感最小化和严格的控制。
封装寄生效应提供平稳的非共振功能
至8 GHz的。这些器件采用磁带和卷轴形式提供
上为低聚酯薄膜框架,以及在膨胀锯开晶片
费用自动插入。
该系列二极管达到每欧盟RoHS指令的要求
2002/95 / EC 。向厂家咨询了解详细信息。
主要特点
磁带和缠绕自动
www.Microsemi.com
装配
低串联电感( <0.2nH
典型)
低寄生电容( PF 0.06
典型)
满足所有的商业资质
需求
0204大纲
符合RoHS
1
应用
MPV1965是低电压和电池供电的理想选择
微波压控振荡器, VCXO的,电压可变的过滤器和模拟阶段
转换器。
MPV2100是宽的带宽的理想选择,低噪声线性压控振荡器
至8 GHz的。这也是理想的微波电压可变的过滤器和
模拟移相器。
应用/优势
低电压压控振荡器
宽带宽的VCO
VCXO的
线性压控振荡器
低噪声压控振荡器
可调谐滤波器
微型表面贴装footprintUltra
紧张的参数分布
绝对最大额定值在25°
(除非另有规定编)
等级
最大工作电压 - MPV1965
最大工作电压 - MPV2100
储存温度
工作温度
符号
V
R
V
R
T
英镑
T
OP
价值
15
22
-55到+125
-55到+125
单位
V
V
C
C
MPV1965 & MPV2100
重要提示:
有关最新资料,请咨询我们的网站:
:
www.Microsemi.com
规格如有变更。向厂家咨询,了解最新信息。
这些设备ESD敏感,必须使用防静电措施进行处理。
除非另有规定,这些产品
用合适的黄金终端提供
对于符合RoHS标准的组件。
1
版权
2007
冯: 2009-01-19
Microsemi的
微波产品
第1页
75技术驱动,洛厄尔,MA 。 01851 , 978-442-5600 ,传真: 978-937-3748
MPV1965 & MPV2100
TM
变容二极管
表面贴装MMSM
变容二极管
符合RoHS
MMSM变容二极管的低电压压控振荡器
电气参数@ 25 ° C(除非另有说明)
V
B
(V)
比
C
T
(PF )
1
比
I
R
=为10uA
V
R
= 1V
C
T(-1V)
/ C
T(-6V)
C
T(-1V)
/ C
T(-3V)
(最小 - 最大)
(最小 - 最大)
(分钟)
(最小 - 最大)
15
2.6 – 3.8
1.4 – 2.2
2.6 – 3.6
www.Microsemi.com
模型
数
MPV1965
Q
2
V
R
=4V
(分钟)
1500
MMSM变容二极管的宽带压控振荡器
模型
数
MPV2100
笔记
1.
电容的测量是在 = 1 MHz的
Q是在V确定
R
= 4V , = 50 MHz的经
电气参数@ 25 ° C(除非另有说明)
C
T
(PF )
1
C
T
(PF )
1
比
V
B
(V)
V
R
= 4V
V
R
= 20V
C
T(0V)
/ C
T(-20V)
I
R
=为10uA (最小值)
(典型值)。
(最小 - 最大)
(最小 - 最大)
22
0.9 – 1.5
0.2 – 0.5
10
Q
2
V
R
=4V
(分钟)
1500
2.
1 / 2
fRsCj
典型CT VS电压
10
MPV1965
MPV2100
封装类型206
C( pF)的
T
1
0.1
0.1
1
V
R
+岛( V)
10
100
MPV1965 - MPV2100
MPV1965 - MPV2100
版权
2007
冯: 2009-01-19
Microsemi的
微波产品
第2页
75技术驱动,洛厄尔,MA 。 01851 , 978-442-5600 ,传真: 978-937-3748
MPV1965 , MPV2100
微波产品划分
单片微波表面贴装
变容二极管
产品预览
描述
主要特点
! "
磁带和缠绕自动
装配
! "
低串联电感( <0.2nH
典型)
! "
低寄生电容
( 0.06 PF典型值)
! "
满足所有商业
资格要求
! "
0204大纲
! "
极低的热阻
应用/优势
应用/ BENEFIT S
! "
GHz的PCS
2.4
! "
GHz的无线局域网
5.7
! "
VCO的(压控
振荡器)
! "
可调谐滤波器
! "
任何带宽最宽
商业面
安装设备
! "
超紧的参数
分配
W W W .
Microsemi的
.COM
这一系列的表面贴装变容二极管利用新的和独特的
单片MMSM技术。该技术是一种封装/设备
整合完成的晶圆制造水平。由于阴极
和阳极互连利用精密光刻技术
而不是引线键合,寄生电感包被严格控制。
封装寄生效应通过提供平滑的非共振功能
12GHz.
重要提示:
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Microsemi的
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电气特性
产品编号
Vb@10uA
(分钟)
伏
15
Ct@1V
(PF )
CT 1V /
CT 3V
(PF )
1.4-2.2
CT 1V /
CT 6V
(PF )
2.6-3.6
Q
(Min/4v/
50MHz)
1500
概要
DWG
数
206
应用
MPV1965
2.6-3.8
低电压VCO
MPV1965 , MPV2100
MPV1965 , MPV2100
电气特性
产品编号
Vb@10uA
(分钟)
伏
22
Ct@4V
Pf
CT 0V /
(典型值)
(PF )
3.25
CT @ 20V
(PF )
0.2-0.5
Q
(Min/4v/
50MHz)
1500
概要
DWG
数
206
应用
MPV2100
0.9-1.5
宽带VCO
版权
2000
MSC1598.PDF 2000年10月11日
Microsemi的
微波产品划分
75技术驱动,洛厄尔,MA 。 01851 , 978-442-5600 ,传真: 978-937-3748
第1页
MPV1965 , MPV2100
微波产品划分
单片微波表面贴装
变容二极管
产品预览
W W W .
Microsemi的
.COM
尺寸
顶部
阴极
指标
0 0.0 4 0 "
SIDE
0 0.0 1 5 "
0 0.0 2 0 "
底部
0.019"
2 PLCS
0 0.0 1 1 "
0 0.0 1 6 "
金焊
2 PLCS
0 0.0 1 2 "
外形尺寸公差为+ - 0.002"
包数据
包数据
版权
2000
MSC1598.PDF 2000年10月11日
Microsemi的
微波产品划分
75技术驱动,洛厄尔,MA 。 01851 , 978-442-5600 ,传真: 978-937-3748
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MPV1965 , MPV2100
微波产品划分
单片微波表面贴装
变容二极管
产品预览
W W W .
Microsemi的
.COM
笔记
笔记
版权
2000
MSC1598.PDF 2000年10月11日
Microsemi的
微波产品划分
75技术驱动,洛厄尔,MA 。 01851 , 978-442-5600 ,传真: 978-937-3748
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