1N6373 - 1N6381系列
（ ICTE -5 - ICTE -36，
MPTE -5 - MPTE -45）
1500瓦峰值功率
Mosorb 齐纳瞬态
电压抑制器
单向*
Mosorb设备旨在保护电压敏感
组件由高电压，高能量瞬变。他们有
出色的钳位能力，高浪涌能力，低齐纳
阻抗和快速响应时间。这些设备是
安森美半导体专有的，高性价比，高可靠性
Surmetic 轴向引线封装，是理想的适合于用在
通信系统，数控系统，过程控制，
医疗设备，商用机器，电源和许多
其他工业/消费应用，以保护CMOS ， MOS和
双极集成电路。
规格特点：
阴极
阳极
http://onsemi.com
轴向引线
CASE 41A
塑料
L
MPTE
–xx
1N
63xx
YYWW
L
ICTE
–xx
YYWW
L =大会地点
MPTE -XX = ON器件代码
ICTE -XX = ON器件代码
1N63xx = JEDEC器件代码
YY =年
WW =工作周
工作峰值反向电压范围 - 5 V至45 V
峰值功率 - 1500瓦@ 1毫秒
ESD等级3级（ >16 KV ）每人体模型
最大钳位电压@峰值脉冲电流
低漏< 5
mA
上述10 V
响应时间通常< 1纳秒
机械特性：
案例：
无空隙，传递模塑，热固性塑料
表面处理：
所有的外部表面耐腐蚀和导线
随手可焊
最大的铅焊接温度的目的：
230_C ， 1/16“从10秒的情况下
极性：
阴极指示的极性带
安装位置：
任何
最大额定值
等级
峰值功耗（注1 ）
@ T
L
≤
25°C
稳定状态下的功耗
@ T
L
≤
75 ° C，引线长度= 3/8 “
上述牛逼降额
L
= 75°C
热阻，结到铅
正向浪涌电流（注2 ）
@ T
A
= 25°C
工作和存储
温度范围
符号
P
PK
P
D
价值
1500
5.0
20
R
qJL
I
FSM
T
J
, T
英镑
20
200
- 65
+175
单位
瓦
瓦
毫瓦/°C的
° C / W
安培
°C
订购信息
设备
MPTE -XX
MPTE–xxRL4
ICTE -XX
ICTE–xxRL4
1N63xx
1N63xxRL4*
包
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
轴向引线
航运
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
500单位/箱
1500 /磁带&卷轴
*请参阅1N6382 - 1N6389 （ ICTE - 10C - ICTE - 36C ， MPTE - 8C - MPTE -45C ）
对于双向器件
注意事项：
按照图5和der- 1.非重复性电流脉冲
上述牛逼ated
A
= 25 ℃，按照图2 。
2. 1/2正弦波（或同等学历方波） ， PW =
8.3毫秒，占空比= 4个脉冲每分钟马克西 -
妈妈。
* 1N6378不可用1500 /磁带&卷轴
半导体元件工业有限责任公司， 2002年
1
2002年6月 - 第2版
出版订单号：
1N6373/D
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
电气特性
(T
A
= 25°C ，除非
另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
符号
I
PP
V
C
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
QV
BR
I
F
V
F
参数
最大反向峰值脉冲电流
钳位电压@ I
PP
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
V的最大温度变化
BR
正向电流
正向电压@ I
F
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明，V
F
= 3.5 V最大。 @我
F
（注3 ） = 100 A）
JEDEC
设备
（器件）
1N6373
(MPTE–5)
1N6374
(MPTE–8)
1N6375
(MPTE–10)
1N6376
(MPTE–12)
1N6377
(MPTE–15)
1N6378*
(MPTE–18)
1N6379
(MPTE–22)
1N6380
(MPTE–36)
1N6381
(MPTE–45)
ICTE–5
ICTE–10
ICTE–12
ICTE–15
ICTE–18
ICTE–22
ICTE–36
V
RWM
（注4 ）
（伏）
5.0
8.0
10
12
15
18
22
36
45
5.0
10
12
15
18
22
36
I
R
@
V
RWM
（MA ）
300
25
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
300
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
击穿电压
V
BR
（注5 。
)
（伏）
民
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
6.0
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
喃
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
最大
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–
@ I
T
（MA ）
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
V
C
@ I
PP
（注6 ）
V
C
（伏）
9.4
15
16.7
21.2
25
30
37.5
65.2
78.9
9.4
16.7
21.2
25
30
37.5
65.2
I
PP
(A)
160
100
90
70
60
50
40
23
19
160
90
70
60
50
40
23
V
C
（伏）
（注6 ）
@ I
PP
=
1A
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
7.1
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
@ I
PP
=
10 A
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32
54.3
70
7.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32
54.3
QV
BR
（毫伏/ ° C）
4.0
8.0
12
14
18
21
26
50
60
4.0
8.0
12
14
18
21
26
设备
记号
1N6373
MPTE–5
1N6374
MPTE–8
1N6375
MPTE–10
1N6376
MPTE–12
1N6377
MPTE–15
1N6378*
MPTE–18
1N6379
MPTE–22
1N6380
MPTE–36
1N6381
MPTE–45
ICTE–5
ICTE–10
ICTE–12
ICTE–15
ICTE–18
ICTE–22
ICTE–36
注意事项：
3，方波， PW = 8.3毫秒，不重复的占空比。
4.瞬态抑制器是根据最高工作峰值反向电压通常选择（V
RWM
），这应该等于
或大于直流或连续峰值工作电压电平。
5. V
BR
在脉冲测试电流I测量
T
在25 ℃的环境温度和最低电压V中
BR
要被控制的。
按照图5和每图1和2减功率6.浪涌电流波形。
*不可用1500 /磁带&卷轴
http://onsemi.com
2
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
峰值脉冲降额的％
峰值功率或电流@ TA = 25
°
C
100
不重复
脉冲波形
如图5中所示
PPK ，峰值功率（kw ）
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
T
A
，环境温度（ ° C）
10
1
0.1
ms
1
ms
10
ms
100
ms
1毫秒
10毫秒
t
P
，脉宽
图1.脉冲额定值曲线
图2.脉冲降额曲线
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
10,000
标准@
零偏压
C，电容（pF ）
1000
测量@ V
RWM
100
10
1
10
100
1000
V
BR
，击穿电压（伏）
图3.电容与击穿电压
PD ，稳态功耗（瓦）
3/8″
IPP ，值（％ ）
5
4
3
2
1
0
0
25
50
75
100 125 150 175
T
L
，焊接温度（ ° C）
200
0
0
3/8″
100
t
r
≤
10
ms
峰值 - 我
PP
脉冲宽度（T
P
）被定义为
这一点在峰值
电流衰减到我的50 ％
PP
.
半值 -
50
t
P
1
2
I
PP
2
3
4
吨，时间（ ms）的
图4.稳态功率降额
图5.脉冲波形
http://onsemi.com
3
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
1N6373 ， ICTE - 5 ， MPTE - 5 ，
通过
1N6389 ， ICTE - 45 ，C ， MPTE - 45 ，C
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
V
BR（ MIN）的
= 6.0 11.7 V
19 V
42.4 V
21.2 V
1000
500
信息技术，测试电流（安培）
200
100
50
20
10
5
2
1
0.3
0.5 0.7 1
2
3
5 7 10
20 30
DV
BR
，瞬加IN V
BR
上述V
BR （ NOM ）
（伏）
180 V
120 V
T
L
= 25°C
t
P
= 10
ms
1.5KE6.8CA
通过
1.5KE200CA
V
BR （ NOM ）
= 6.8 13 V
20 V
24 V
43 V
75 V
图6.动态阻抗
1
0.7
0.5
0.3
降额因子
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
10
ms
0.2
0.5
1
2
5
10
D，占空比（ ％ ）
20
50
100
脉冲宽度
10毫秒
1毫秒
100
ms
图7.典型的降额因子的占空比
http://onsemi.com
4
1N6373 - 1N6381系列（ ICTE -5 - ICTE -36， MPTE -5 - MPTE -45）
应用笔记
响应时间
在大多数应用中，瞬变抑制器装置是
平行放置，所述设备或组件是
受保护的。在这种情况下，存在相关联的时间延迟
与器件的电容和过冲
与该装置的电感条件相关联，并且
连接方法的电感。电容
作用是不重要的，在并联保护
方案，因为它只产生的时间延迟，在
从操作电压钳位电压作为过渡
在图8中示出。
在器件中的电感效应是由于实际
开启时间（所需要的设备，从零到时间
到全电流）和引线电感电流。这种感性
效应产生的过冲在整个电压
设备或组件的保护，如图
图9.尽量减少这种过冲是在非常重要
应用中，由于主要目的，用于将瞬时
抑制器是为钳位电压峰值。这些器件具有
良好的反应时间，通常是在皮秒范围
和电感可以忽略不计。但是，外部感应
效果可能会产生不能接受的过冲。正确
电路布局，最小导线长度和放置
抑制装置尽可能接近该设备或
元件被保护将这种过冲最小化。
由Z表示的一些输入阻抗
in
是必不可少的
防止所述保护装置的过应力。这种阻抗
应尽可能地高，而不限制电路
操作。
占空比降额
图1的数据适用于不重复的条件
并在25 ℃的铅温度。如果占空比增大，
由曲线所指示的峰值功率必须减少
图7.平均功耗必须降低为主角或
环境温度上升到高于25 ℃。平均功率
降额曲线上的数据表，通常给出可能
归一化，并用于此目的。
乍一看图7的降额曲线似乎是
错误为10毫秒的脉冲具有比更高的降额系数
10
ms
脉搏。然而，当一降额因子
图7中的给定的脉冲乘以峰值功率值
图1为相同的脉冲，结果按照
预期的趋势。
通常的保护电路
Z
in
V
in
负载
V
L
V
V
in
（瞬态）
V
L
V
过冲DUE TO
电感效应
V
in
（瞬态）
V
L
V
in
t
d
t
D
= TIME DELAY由于电容的影响
t
t
网络连接gure 8 。
图9 。
http://onsemi.com
5
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔，CA ， USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
1-800-831-4881电子邮件： sales@mdesemiconductor.com网址： www.mdesemiconductor.com
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
特点
塑料包装有保险商实验室
可燃性分类94V-0
玻璃模压塑料封装钝化结
在1ms的1500W浪涌能力
出色的钳位能力
低齐纳inpedance
快速的响应时间：通常小于
从0伏1.0 ps至BV分钟。
典型的IR小于1μA ，高于10V
高温焊接保证：
250 ° C. / 10秒/ 0.375" ，设计（9.5mm ）导线
长度， 5磅，（ 2.3公斤）张力
包括直通1N6385 1N6373
机械数据
案例： JEDEC DO - 201模压塑料
端子：镀轴向引线，每焊
MIL- STD- 750 ，方法2026
极性：色环表示正端（阴极）
除双极
安装位置：任意
重量： 0.045盎司， 1.2克
最大额定值和特性
在25 ° C环境温度额定值除非另有规定。
等级
在TA = 25 ° C峰值脉冲功率耗散， TP = 1毫秒
（注1 ）
符号
P
PPM
I
PPM
价值
最低1500
参照表1
5.0
200
3.5
-55 +175
单位
瓦
安培
瓦
安培
伏特
°C
对10/1000微秒波形峰值脉冲电流
（注1 ）
稳态功耗为
T
L
= 75°C
引线长度0.375" ， 9.5毫米
（注2 ）
峰值正向浪涌电流8.3ms单正弦半波
叠加在额定负荷，
（JEDEC的方法） （注3）
最大正向电压在100A的
只有单向的
Operatings和存储温度范围
P
M
（AV）
I
FSM
V
F
T
J
, T
英镑
注意事项：
1.非重复性电流脉冲，每个图3及以上每2所示的Ta = 25°C降额。
2.安装在铜焊盘每5所示面积0.8x0.8" （ 20x20mm ） 。
3. 8.3ms单半正弦波，或等效的方波，占空比= 4个脉冲每分钟最多。
认证符合RoHS
UL文件号： E223026
MDE半导体公司
78-150卡莱坦皮科，股210 ，拉昆塔，CA ， USA 92253电话： 760-564-8656 传真： 760-564-2414
1-800-831-4881电子邮件： sales@mdesemiconductor.com网址： www.mdesemiconductor.com
ICTE5.0到ICTE15C MPTE -5至MPTE -45
1N6373 1N6381到1N6382和1N6389来
玻璃钝化结瞬态电压抑制器
STANDOFF电压 - 5.0 45.0V
1500瓦峰值功率
最低
反向
最低
最大
夹紧
STANDOFF反向击穿
电压
电压
电压
泄漏
（VC ） @
（ VRWM ）
VBR @ 1毫安
IR @ VR
Ipp=1A
(V)
（伏）
(A)
（伏）
最大
夹紧
电压
（VC ） @
Ipp=1A
（伏）
最大
PEAK
脉冲
当前
IPP （ A）
产品编号
ICTE-5*
ICTE-8
ICTE-10
ICTE-12
ICTE-15
ICTE-18
ICTE-22
ICTE-36
ICTE-45
ICTE-8C
ICTE-10C
ICTE-12C
ICTE-15C
ICTE-18C
ICTE-22C
ICTE-36C
ICTE-45C
1N6373
1N6374
1N6375
1N6376
1N6377
1N6378
1N6379
1N6380
1N6381
1N6382
1N6383
1N6384
1N6385
1N6386
1N6387
1N6388
1N6389
MPTE-5*
MPTE-8
MPTE-10
MPTE-12
MPTE-15
MPTE-18
MPTE-22
MPTE-36
MPTE-45
MPTE-8C
MPTE-10C
MPTE-12C
MPTE-15C
MPTE-18C
MPTE-22C
MPTE-36C
MPTE-45C
5*
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
8.0
10.0
12.0
15.0
18.0
22.0
36.0
45.0
6.0
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
9.4
11.7
14.1
17.6
21.2
25.9
42.4
52.9
300.0
25.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
50
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
2.0
7.1
11.3
13.7
16.1
20.1
24.2
29.8
50.6
63.3
11.4
14.1
16.7
20.8
24.8
30.8
50.6
63.3
7.5
11.5
14.1
16.5
20.6
25.2
32.0
54.3
70.0
11.6
14.5
17.1
21.4
25.5
32.0
54.3
70.0
160.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
100.0
90.0
70.0
60.0
50.0
40.0
23.0
19.0
* ICTE -5不处于双向可用。
认证符合RoHS
UL文件号： E223026
后缀“C”表示双向设备。
QQ：2880707522 复制
