摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSW55 / D
一瓦放大器晶体管
PNP硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPSW55
MPSW56*
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
MPSW55
–60
–60
–4.0
–500
1.0
8.0
2.5
20
- 55 + 150
MPSW56
–80
–80
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-05 ，风格1
TO-92 （TO- 226AE ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = -40伏直流， IB = 0 ）
（ VCE = -60伏直流， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -40伏直流， IE = 0 ）
（ VCB = -60伏直流， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = -3.0伏， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
MPSW55
MPSW56
ICBO
MPSW55
MPSW56
IEBO
—
—
—
–0.1
–0.1
–0.1
μAdc
V（ BR ） CEO
MPSW55
MPSW56
V（ BR ） EBO
冰
—
—
–0.5
–0.5
μAdc
–60
–80
–4.0
—
—
—
VDC
μAdc
VDC
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSW55 MPSW56
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = -50 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -250 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -250 MADC ， IB = -10 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = -250 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
的hFE
100
50
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
—
—
—
–0.5
–1.2
VDC
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = -250 MADC ， VCE = -5.0伏， F = 20兆赫）
输出电容
（ VCB = -10伏直流， F = 1.0兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
fT
科博
50
—
—
15
兆赫
pF
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
400
TJ = 125°C
的hFE ， DC电流增益
200
25°C
–55°C
100
80
60
40
–0.5 –0.7
VCE = -1.0 V
–1.0
–2.0
–3.0
–5.0
–7.0 –10
–20
–30
IC ，集电极电流（毫安）
–50
–70
–100
–200
–300
–500
图1.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–1.0
TJ = 25°C
–0.8
V，电压（V ）
–1.0
TJ = 25°C
–0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
–0.6
VBE （ ON） @ VCE = -1.0 V
–0.6
IC = -10毫安
–0.4
–50
mA
-100毫安
= 250毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
–0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
–0.05 –0.1
–0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0
IB ，基极电流（毫安）
–10
–20
–50
0
–0.5 –1.0
–2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200
IC ，集电极电流（毫安）
–500
图2.集电极饱和区
图3. “开”电压
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MPSW55 MPSW56
包装尺寸
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.135
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.56
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
3.43
–––
3.43
–––
K
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
X X
G
H
V
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
N
CASE 029-05
(TO–226AE)
ISSUE AD
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MPSW55/D*
MPSW55/D
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSW55 / D
一瓦放大器晶体管
PNP硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPSW55
MPSW56*
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
MPSW55
–60
–60
–4.0
–500
1.0
8.0
2.5
20
- 55 + 150
MPSW56
–80
–80
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-05 ，风格1
TO-92 （TO- 226AE ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = -1.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -100
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = -40伏直流， IB = 0 ）
（ VCE = -60伏直流， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -40伏直流， IE = 0 ）
（ VCB = -60伏直流， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = -3.0伏， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
MPSW55
MPSW56
ICBO
MPSW55
MPSW56
IEBO
—
—
—
–0.1
–0.1
–0.1
μAdc
V（ BR ） CEO
MPSW55
MPSW56
V（ BR ） EBO
冰
—
—
–0.5
–0.5
μAdc
–60
–80
–4.0
—
—
—
VDC
μAdc
VDC
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSW55 MPSW56
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = -50 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
（ IC = -250 MADC ， VCE = -1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -250 MADC ， IB = -10 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = -250 MADC ， VCE = -5.0 V直流）
的hFE
100
50
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
—
—
—
–0.5
–1.2
VDC
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = -250 MADC ， VCE = -5.0伏， F = 20兆赫）
输出电容
（ VCB = -10伏直流， F = 1.0兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
fT
科博
50
—
—
15
兆赫
pF
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
400
TJ = 125°C
的hFE ， DC电流增益
200
25°C
–55°C
100
80
60
40
–0.5 –0.7
VCE = -1.0 V
–1.0
–2.0
–3.0
–5.0
–7.0 –10
–20
–30
IC ，集电极电流（毫安）
–50
–70
–100
–200
–300
–500
图1.直流电流增益
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
–1.0
TJ = 25°C
–0.8
V，电压（V ）
–1.0
TJ = 25°C
–0.8
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
–0.6
VBE （ ON） @ VCE = -1.0 V
–0.6
IC = -10毫安
–0.4
–50
mA
-100毫安
= 250毫安
± 500毫安
–0.4
–0.2
–0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
–0.05 –0.1
–0.2
–0.5 –1.0 –2.0
–5.0
IB ，基极电流（毫安）
–10
–20
–50
0
–0.5 –1.0
–2.0
–5.0 –10 –20
–50 –100 –200
IC ，集电极电流（毫安）
–500
图2.集电极饱和区
图3. “开”电压
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MPSW55 MPSW56
包装尺寸
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.135
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.56
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
3.43
–––
3.43
–––
K
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
X X
G
H
V
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
N
CASE 029-05
(TO–226AE)
ISSUE AD
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，
并明确拒绝承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数，并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内，或其他应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员，雇员，子公司，联营公司及分销商无害
对所有索赔，费用，损失，费用，以及直接或间接引起的，合理的律师费，人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称，摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键（ 602 ） 244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ，利胜乙木，
6F西武Butsuryu中心， 3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-3521-8315
香港：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MPSW55/D*
MPSW55/D
MPSW55 ， MPSW56
包装尺寸
TO-92 （TO- 226） 1瓦特
情况29-10
发行
A
B
P
F
L
K
直引线
散装
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R IS
不受控制。
4.尺寸f适用尺寸P之间
AND L. DIMENSIONS D AND J APPLY BETWEEN DI
MENSIONS L＆K型最低。 THE LEAD
尺寸不受控制高维
P和超越维数k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.021
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.135
---
0.135
---
MILLIMETERS
民
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.53
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
3.43
---
3.43
---
R
X X
H
V
1
D
G
J
C
N
N
第X-X
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
A
R
B
P
T
座位
飞机
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
K
注意事项：
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M ， 1994年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R IS
不受控制。
4.尺寸f适用尺寸P之间
和L尺寸D和J之间适用
尺寸L和K降到最低。 THE LEAD
尺寸不受控制高维
P和超越维数k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.021
0.094
0.102
0.018
0.024
0.500
---
0.080
0.105
---
0.100
0.135
---
0.135
---
MILLIMETERS
民
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.53
2.40
2.80
0.46
0.61
12.70
---
2.04
2.66
---
2.54
3.43
---
3.43
---
G
X X
V
1
D
J
C
N
第X-X
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
安森美半导体文学配送中心
P.O.盒5163 ，丹佛，科罗拉多州80217美国
电话：
303-675-2175或800-344-3860免费电话美国/加拿大
传真：
303-675-2176或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
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