摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSW13 / D
一瓦达林顿晶体管
NPN硅
集热器3
BASE
2
MPSW13
MPSW14
发射器1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
30
30
10
1.0
1.0
8.0
2.5
20
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-05 ，风格1
TO-92 （TO- 226AE ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
VBE = 0）的
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
V（ BR ） CES
ICBO
IEBO
30
—
—
—
100
100
VDC
NADC
NADC
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSW13 MPSW14
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
MPSW13
MPSW14
MPSW13
MPSW14
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
5,000
10,000
10,000
20,000
—
—
—
—
—
—
1.5
2.0
VDC
VDC
—
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 0.1 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
2， FT = | HFE |
FTEST 。
fT
125
—
兆赫
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
电流限制
占空比
≤
10%
热限制
第二击穿极限
100
m
s
1.0毫秒
1.0 k
1.0 s
500
TA = 25°C
200
1.5
TC = 25°C
3.0 k
I C ，集电极电流（毫安）
2.0 k
2.0
5.0
10
20
30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图1.活动区 - 安全工作
区域
TJ = 125°C
^ h FE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
–55°C
VCE = 5.0 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
3.0
TJ = 25°C
2.5
IC =
10毫安
IC =
50毫安
IC =
250毫安
IC =
500毫安
25°C
2.0
1.5
1.0
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200 300
500
0.5
0.1
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
IC ，集电极电流（毫安）
IB ，基极电流（
m
A)
图2.直流电流增益
图3.集电极饱和区
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MPSW13 MPSW14
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
q
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
–1.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
25 ° C至125°C
–2.0
*q
VC的VCE （SAT）
-55 ° C到25°C时
–3.0
25 ° C至125°C
–4.0
q
VB的VBE
–5.0
-55 ° C到25°C时
0.8
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200 300
500
0.6
–6.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200 300
500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图4. “开”电压
图5.温度系数
4.0
^ h FE ，小信号电流增益
VCE = 5.0 V
TJ = 25°C
F = 100 MHz的
C，电容（pF ）
20
TJ = 25°C
10
7.0
5.0
科博
3.0
2.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
IC ，集电极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.5
CIBO
图6.高频电流增益
图7.电容
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MPSW13 MPSW14
包装尺寸
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.135
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.56
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
3.43
–––
3.43
–––
K
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
X X
G
H
V
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
N
CASE 029-05
(TO–226AE)
ISSUE AD
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
MPSW13/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MPSW13/D*
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSW13 / D
一瓦达林顿晶体管
NPN硅
集热器3
BASE
2
MPSW13
MPSW14
发射器1
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
30
30
10
1.0
1.0
8.0
2.5
20
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
瓦
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-05 ，风格1
TO-92 （TO- 226AE ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
VBE = 0）的
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 10 VDC ， IC = 0 ）
V（ BR ） CES
ICBO
IEBO
30
—
—
—
100
100
VDC
NADC
NADC
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSW13 MPSW14
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
的hFE
MPSW13
MPSW14
MPSW13
MPSW14
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
5,000
10,000
10,000
20,000
—
—
—
—
—
—
1.5
2.0
VDC
VDC
—
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 0.1 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
小信号特性
电流增益 - 带宽积（ 2 ）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
2， FT = | HFE |
FTEST 。
fT
125
—
兆赫
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
电流限制
占空比
≤
10%
热限制
第二击穿极限
100
m
s
1.0毫秒
1.0 k
1.0 s
500
TA = 25°C
200
1.5
TC = 25°C
3.0 k
I C ，集电极电流（毫安）
2.0 k
2.0
5.0
10
20
30
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图1.活动区 - 安全工作
区域
TJ = 125°C
^ h FE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
–55°C
VCE = 5.0 V
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
3.0
TJ = 25°C
2.5
IC =
10毫安
IC =
50毫安
IC =
250毫安
IC =
500毫安
25°C
2.0
1.5
1.0
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
200 300
500
0.5
0.1
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500 1000
IC ，集电极电流（毫安）
IB ，基极电流（
m
A)
图2.直流电流增益
图3.集电极饱和区
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MPSW13 MPSW14
TJ = 25°C
1.4
V，电压（V ）
VBE （星期六） @ IC / IB = 1000
1.2
VBE （ ON） @ VCE = 5.0 V
1.0
q
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
–1.0
*适用于IC / IB
≤
hFE/3.0
25 ° C至125°C
–2.0
*q
VC的VCE （SAT）
-55 ° C到25°C时
–3.0
25 ° C至125°C
–4.0
q
VB的VBE
–5.0
-55 ° C到25°C时
0.8
VCE （SAT） @ IC / IB = 1000
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200 300
500
0.6
–6.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200 300
500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图4. “开”电压
图5.温度系数
4.0
^ h FE ，小信号电流增益
VCE = 5.0 V
TJ = 25°C
F = 100 MHz的
C，电容（pF ）
20
TJ = 25°C
10
7.0
5.0
科博
3.0
2.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0
2.0
4.0
10
20
40
IC ，集电极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.5
CIBO
图6.高频电流增益
图7.电容
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
MPSW13 MPSW14
包装尺寸
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.135
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
民
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.56
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
3.43
–––
3.43
–––
K
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
X X
G
H
V
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
N
CASE 029-05
(TO–226AE)
ISSUE AD
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
MPSW13/D
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MPSW13/D*
MPSW13
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
情况29-10
ISSUE AL
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.021
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.457
0.533
0.407
0.482
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
3.43
K
X X
G
H
R
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
N
风格1 ：
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
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