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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSW05 / D
一瓦放大器晶体管
NPN硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPSW05
MPSW06*
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
MPSW05
60
60
4.0
500
1.0
8.0
2.5
20
- 55 + 150
MPSW06
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-05 ,风格1
TO-92 (TO- 226AE )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 100
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 40 VDC , IB = 0 )
( VCE = 60 VDC , IB = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 40 VDC , IE = 0 )
( VCB = 60 VDC , IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = 3.0伏, IC = 0 )
1.脉冲测试:脉冲宽度
MPSW05
MPSW06
ICBO
MPSW05
MPSW06
IEBO
0.1
0.1
0.1
μAdc
V( BR ) CEO
MPSW05
MPSW06
V( BR ) EBO
0.5
0.5
μAdc
60
80
4.0
VDC
μAdc
VDC
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSW05 MPSW06
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征( 1 )
直流电流增益
( IC = 50 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 250 MADC , VCE = 1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 250 MADC , IB = 10 MADC )
基射极饱和电压
( IC = 250 MADC , VCE = 5.0 V直流)
的hFE
80
60
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
0.4
1.2
VDC
VDC
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
( IC = 200 MADC , VCE = 5.0伏, F = 20兆赫)
输出电容
( VCB = 10 V , F = 1.0兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
fT
科博
50
12
兆赫
pF
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
400
TJ = 125°C
的hFE , DC电流增益
200
25°C
–55°C
100
80
60
40
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70
100
200
300
500
VCE = 1.0 V
图1.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
TJ = 25°C
0.8
IC = 10毫安
50
mA
百毫安
250毫安
500毫安
V,电压(V )
1.0
TJ = 25°C
0.8
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
0.6
VBE ( ON) @ VCE = 1.0 V
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
2.0
5.0
1.0
IB ,基极电流(毫安)
10
20
50
0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
50
100
20
IC ,集电极电流(毫安)
200
500
图2.集电极饱和区
图3. “开”电压
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPSW05 MPSW06
θ
VB ,温度系数(毫伏/
°
C)
–0.8
–1.2
C,电容(pF )
80
60
40
CIBO
TJ = 25°C
–1.6
θ
VB的VBE
20
–2.0
–2.4
10
8.0
6.0
科博
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
VR ,反向电压(伏)
50
100
–2.8
0.5
1.0
2.0
5.0
20
50
10
100
IC ,集电极电流(毫安)
200
500
4.0
0.1
图4.基射极温度系数
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
图5.电容
300
IC ,集电极电流(毫安)
200
VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
占空比
10%
2k
1k
500
200
100
50
20
30
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
IC ,集电极电流(毫安)
200
10
1.0
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0 s
1.0毫秒
100
s
100
70
50
dc
dc
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPSW05
MPSW06
10
20
60 80 100
2.0
5.0
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
图6.电流增益 - 带宽积
图7.活动区 - 安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MPSW05 MPSW06
包装尺寸
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.135
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.56
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
3.43
–––
3.43
–––
K
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
X X
G
H
V
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
N
CASE 029-05
(TO–226AE)
ISSUE AD
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
*MPSW05/D*
MPSW05/D
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSW05 / D
一瓦放大器晶体管
NPN硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPSW05
MPSW06*
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
MPSW05
60
60
4.0
500
1.0
8.0
2.5
20
- 55 + 150
MPSW06
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-05 ,风格1
TO-92 (TO- 226AE )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 100
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCE = 40 VDC , IB = 0 )
( VCE = 60 VDC , IB = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 40 VDC , IE = 0 )
( VCB = 60 VDC , IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = 3.0伏, IC = 0 )
1.脉冲测试:脉冲宽度
MPSW05
MPSW06
ICBO
MPSW05
MPSW06
IEBO
0.1
0.1
0.1
μAdc
V( BR ) CEO
MPSW05
MPSW06
V( BR ) EBO
0.5
0.5
μAdc
60
80
4.0
VDC
μAdc
VDC
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSW05 MPSW06
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征( 1 )
直流电流增益
( IC = 50 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 250 MADC , VCE = 1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 250 MADC , IB = 10 MADC )
基射极饱和电压
( IC = 250 MADC , VCE = 5.0 V直流)
的hFE
80
60
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
0.4
1.2
VDC
VDC
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
( IC = 200 MADC , VCE = 5.0伏, F = 20兆赫)
输出电容
( VCB = 10 V , F = 1.0兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
fT
科博
50
12
兆赫
pF
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
400
TJ = 125°C
的hFE , DC电流增益
200
25°C
–55°C
100
80
60
40
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70
100
200
300
500
VCE = 1.0 V
图1.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
TJ = 25°C
0.8
IC = 10毫安
50
mA
百毫安
250毫安
500毫安
V,电压(V )
1.0
TJ = 25°C
0.8
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
0.6
VBE ( ON) @ VCE = 1.0 V
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
2.0
5.0
1.0
IB ,基极电流(毫安)
10
20
50
0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
50
100
20
IC ,集电极电流(毫安)
200
500
图2.集电极饱和区
图3. “开”电压
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPSW05 MPSW06
θ
VB ,温度系数(毫伏/
°
C)
–0.8
–1.2
C,电容(pF )
80
60
40
CIBO
TJ = 25°C
–1.6
θ
VB的VBE
20
–2.0
–2.4
10
8.0
6.0
科博
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
VR ,反向电压(伏)
50
100
–2.8
0.5
1.0
2.0
5.0
20
50
10
100
IC ,集电极电流(毫安)
200
500
4.0
0.1
图4.基射极温度系数
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
图5.电容
300
IC ,集电极电流(毫安)
200
VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
占空比
10%
2k
1k
500
200
100
50
20
30
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
IC ,集电极电流(毫安)
200
10
1.0
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0 s
1.0毫秒
100
s
100
70
50
dc
dc
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPSW05
MPSW06
2.0
5.0
10
20
60 80 100
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
图6.电流增益 - 带宽积
图7.活动区 - 安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MPSW05 MPSW06
包装尺寸
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.135
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.56
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
3.43
–––
3.43
–––
K
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
X X
G
H
V
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
N
CASE 029-05
(TO–226AE)
ISSUE AD
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
*MPSW05/D*
MPSW05/D
MPSW06
分立功率&信号
技术
MPSW06
C
TO-226
B
E
NPN通用放大器
这个装置是专为通用放大器应用
集电极电流为300毫安。从工艺33.见来源
MPSA06的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
80
80
4.0
500
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项:
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θ
JA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25
°
C
热阻,结到外壳
热阻,结到环境
最大
MPSW06
1.0
8.0
125
50
单位
W
毫瓦/
°
C
°
C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
MPSW06
NPN通用放大器
(续)
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
最大
单位
开关特性
V
( BR ) CEO
V
( BR ) EBO
I
首席执行官
I
CBO
集电极 - 发射极耐受电压*
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
集电极截止电流
I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
V
CE
= 60 V,I
B
= 0
V
CB
= 80 V,I
E
= 0
80
4.0
0.1
0.1
V
V
A
A
基本特征
h
FE
V
CE(
SAT
)
V
BE (
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安, V
CE
= 1.0 V
I
C
= 100毫安,我
B
= 10毫安
I
C
= 100毫安, V
CE
= 1.0 V
100
100
0.25
1.2
V
V
小信号特性
f
T
电流增益 - 带宽积
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 2.0 V,
F = 100 MHz的
100
兆赫
*
脉冲测试:脉冲宽度
300
s,
占空比
2.0%
SPICE模型
NPN ( IS = 8.324f XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 12.16K NE = 1.368伊势= 73.27f IKF = 0.1096 XTB = 1.5 BR = 11.1 NC = 2的Isc = 0
IKR = 0 RC = 0.25 CJC = 18.36p建超= 0.3843 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 55.61p MJE = 0.3834 VJE = 0.75 TR表示72.15n铁蛋白= 516.1p ITF = 0.5
VTF = 4 XTF = 6的Rb = 10 )
MPSW05 , MPSW06
一瓦的放大器
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
符号
MPSW05
MPSW06
MPSW05
MPSW06
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
60
80
60
80
4.0
500
1.0
8.0
2.5
20
55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
12
1
2
TO- 92 1瓦
(TO226)
情况29-10
风格1
1
辐射源
无铅包可用*
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
辐射源
: BASE
电压
集电极电流
连续
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
标记图
MPS
W0x
AYWW
G
G
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
x
= 5或6个
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MPSW05G
MPSW06G
MPSW06RLRA
MPSW06RLRAG
TO92
(无铅)
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
2010年8月
第4版
1
出版订单号:
MPSW05/D
MPSW05 , MPSW06
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压(注1 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
= 100
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 40 VDC ,我
B
= 0)
(V
CE
= 60 VDC ,我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 40 VDC ,我
E
= 0)
(V
CB
= 60 VDC ,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 3.0伏,我
C
= 0)
基本特征
(注1 )
直流电流增益
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 250 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 250 MADC ,我
B
= 10 MADC )
基射极饱和电压
(I
C
= 250 MADC ,V
CE
= 5.0伏)
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 200 MADC ,V
CE
= 5.0伏, F = 20兆赫)
输出电容
(V
CB
= 10 V , F = 1.0兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士,
占空比
v
2.0%.
400
T
J
= 125°C
的hFE , DC电流增益
200
25°C
-55°C
100
80
60
40
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70
100
200
300
500
f
T
C
敖包
50
12
兆赫
pF
h
FE
80
60
0.4
1.2
MPSW05
MPSW06
MPSW05
MPSW06
MPSW05
MPSW06
V
( BR ) CEO
60
80
4.0
VDC
符号
最大
单位
V
( BR ) EBO
I
CES
VDC
MADC
0.5
0.5
0.1
0.1
0.1
I
CBO
MADC
I
EBO
MADC
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
VDC
VDC
V
CE
= 1.0 V
图1.直流电流增益
http://onsemi.com
2
MPSW05 , MPSW06
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 10毫安
50
mA
百毫安
250毫安
500毫安
V,电压(V )
0.8
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE(上)
@ V
CE
= 1.0 V
1.0
T
J
= 25°C
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
2.0
5.0
1.0
I
B
,基极电流(毫安)
10
20
50
0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
50
100
20
I
C
,集电极电流(毫安)
200
500
图2.集电极饱和区
图3. “开”电压
θ
VB ,温度系数(毫伏/
°
C)
-0.8
-1.2
C,电容(pF )
80
60
40
C
IBO
T
J
= 25°C
-1.6
θ
VB
对于V
BE
20
-2.0
-2.4
10
8.0
6.0
C
敖包
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
V
R
,反向电压(伏)
50
100
-2.8
0.5
1.0
2.0
5.0
20
50
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
200
500
4.0
0.1
图4.基射极温度系数
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
图5.电容
300
IC ,集电极电流(毫安)
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
占空比
10%
2k
1k
500
200
100
50
20
30
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
,集电极电流(毫安)
200
10
1.0
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
1.0 s
1.0毫秒
100
ms
100
70
50
dc
dc
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPSW05
MPSW06
2.0
5.0
10
20
60 80 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图6.电流增益
带宽积
图7.活动区
安全工作区
http://onsemi.com
3
MPSW05 , MPSW06
包装尺寸
TO-92 (TO- 226) 1瓦特
情况29-10
发行
A
B
P
F
L
K
直引线
散装
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R IS
不受控制。
4.尺寸f适用尺寸P之间
AND L. DIMENSIONS D AND J APPLY BETWEEN DI
MENSIONS L&K型最低。 THE LEAD
尺寸不受控制高维
P和超越维数k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.021
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.135
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.53
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
3.43
---
3.43
---
R
X X
H
V
1
D
G
J
C
N
N
第X-X
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
A
R
B
P
T
座位
飞机
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
K
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R IS
不受控制。
4.尺寸f适用尺寸P之间
和L尺寸D和J之间适用
尺寸L和K降到最低。 THE LEAD
尺寸不受控制高维
P和超越维数k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.021
0.094
0.102
0.018
0.024
0.500
---
0.080
0.105
---
0.100
0.135
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.53
2.40
2.80
0.46
0.61
12.70
---
2.04
2.66
---
2.54
3.43
---
3.43
---
G
X X
V
1
D
J
C
N
第X-X
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
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P.O.盒5163 ,丹佛,科罗拉多州80217美国
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MPSW06
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-83242658
联系人:廖先生
地址:广东深圳市福田区华强北路赛格科技园4栋西3楼3A31-32室★十佳优质供应商★
MPSW06
ON
24+
8000
TO-92L
100%原装正品,只做原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MPSW06
onsemi
24+
10000
TO-92(TO-226)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MPSW06
FAIRCHILD
2443+
23000
TO-92
一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MPSW06
FSC;ONS
24+
8420
TO-92-3
全新原装现货,原厂代理。
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电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
MPSW06
ONN
25+23+
15500
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ:2440138151 复制
电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MPSW06
ON
22+
45000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
QQ:
电话:0755-82574045
联系人:张女士
地址:广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MPSW06
ON/安森美
21+22+
62710
TO-92
原装正品
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电话:0755-23613962/82706142
联系人:雷小姐
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MPSW06
ON
2024+
9675
TO-92L
优势现货,全新原装进口
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电话:0755-/83218466/83200833
联系人:销售部
地址:深圳市罗湖区北站路1号中贸大厦402
MPSW06
Fairchild Semiconductor
24+
22000
TO-92-3
原装正品假一赔百!
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电话:0755-83291010 83678410
联系人:赵小姐
地址:深圳市福田区华强北华联发大厦西座402
MPSW06
FAIRCHILD/仙童
22+
33000
百分百进口正品原装现货 支持实单!
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