摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MPSH17 / D
CATV晶体管
NPN硅
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
MPSH17
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
PD
TJ ， TSTG
价值
15
20
3.0
350
2.81
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
mW
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，花柱2
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
（印刷电路板安装）
符号
R
q
JA
最大
357
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 15 VDC ， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
15
20
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
100
VDC
VDC
VDC
NADC
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSH17
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
的hFE
VCE （ SAT ）
25
—
—
—
250
0.5
—
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = 5.0 MADC ， VCC = 12 VDC， RS = 50Ω ， F = 200兆赫）
fT
建行
的hFE
NF
800
0.3
30
—
—
—
—
—
—
0.9
—
6.0
兆赫
pF
—
dB
功能测试
放大器的功率增益
（ IC = 5.0 MADC ， VCC = 12 VDC， RS = 50Ω ， F = 200兆赫）
GPE
—
24
—
dB
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MPSH17
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MPSH17/D*
MPSH17/D
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MPSH17 / D
CATV晶体管
NPN硅
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
MPSH17
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
PD
TJ ， TSTG
价值
15
20
3.0
350
2.81
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
mW
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，花柱2
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
（印刷电路板安装）
符号
R
q
JA
最大
357
单位
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 15 VDC ， IE = 0 ）
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
15
20
3.0
—
—
—
—
—
—
—
—
100
VDC
VDC
VDC
NADC
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSH17
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
的hFE
VCE （ SAT ）
25
—
—
—
250
0.5
—
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 100兆赫）
集电极 - 基极电容
（ VCB = 10 VDC ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 5.0 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 1.0千赫）
噪声系数
（ IC = 5.0 MADC ， VCC = 12 VDC， RS = 50Ω ， F = 200兆赫）
fT
建行
的hFE
NF
800
0.3
30
—
—
—
—
—
—
0.9
—
6.0
兆赫
pF
—
dB
功能测试
放大器的功率增益
（ IC = 5.0 MADC ， VCC = 12 VDC， RS = 50Ω ， F = 200兆赫）
GPE
—
24
—
dB
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MPSH17
摩托罗拉保留更改，恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保，声明或保证
其产品适用于任何特定用途，也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任，并
具体来说不承担任何责任，包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数，包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他
应用程序旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员，员工，附属公司，联营公司及分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔，即使此类索赔称，
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司，摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
如何找到我们：
美国/欧洲/点未列出：
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;凤凰城，亚利桑那州85036. 1-800-441-2447或602-303-5454
M传真：
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
互联网：
http://Design-NET.com
日本：
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ， 6F西武Butsuryu中心，
3-14-2巽江东区，东京135 ，日本。 03-81-3521-8315
亚洲/太平洋网络C：
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园，
51汀角路，大埔，新界，香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
*MPSH17/D*
MPSH17/D
MPSH17
包装尺寸
TO-92 （TO- 226）
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
民
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
民
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
方式2 ：
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
安森美半导体
和
是半导体元件工业，LLC （ SCILLC ）的注册商标。 SCILLC保留随时更改，恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保，声明或保证，也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用，并特别声明，任何和所有责任，包括但不限于特殊，间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格，可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数，包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计，意，或授权用作系统组件用于外科植入到体内，或其他应用程序
旨在支持或维持生命，或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿并SCILLC及其高级人员，雇员，子公司，关联公司，
和分销商对所有索赔，费用，损失，费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关，即使此类索赔称， SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律，并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行：
N.美国技术支持：
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒，凤凰城，亚利桑那州85082-1312 USA
电话：
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本：
安森美半导体，日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ，目黑区，东京，日本153-0051
传真：
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话：
81357733850
电子邮件：
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站：
http://onsemi.com
为了文学：
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息，请联系您
当地销售代表。
http://onsemi.com
3
MPSH17/D
ST 2SB772T
PNP硅外延功率晶体管
这些器件旨在用于音频应用
高频功率放大器和低速切换
应用
E
C
B
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流 - DC
集电极电流 - 脉冲
1)
基极电流 - DC
总功率耗散@ T
C
= 25
O
C
总功率耗散@ T
A
= 25
O
C
工作和存储结温范围
1)
TO- 126塑料包装
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
C
-I
B
P
D
P
D
T
J
, T
s
价值
40
30
5
3
7
0.6
10
1.0
- 65至+ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
O
C
PW = 10ms时，占空比
≤
50%
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 2 V ， -I
C
= 20毫安
在-V
CE
= 2 V ， -I
C
= 1 A
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） EBO
-I
CBO
-I
EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE （ SAT ）
C
O
f
T
分钟。
30
60
100
160
200
30
40
5
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
80
马克斯。
-
120
200
320
400
-
-
-
1
1
0.5
2
-
-
单位
-
-
-
-
-
V
V
V
A
A
V
V
pF
兆赫
R
Q
P
E
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 1毫安
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
= 30 V
发射Cuto FF电流
在-V
EB
= 3 V
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 2 A， -I
B
= 200毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 2 A， -I
B
= 200毫安
输出电容
在-V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
电流增益带宽积
在-I
C
= 100毫安， -V
CE
= 5 V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/05/2006
QQ：2881677436 复制
