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MPSH10
首选设备
甚高频/超高频晶体管
NPN硅
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
辐射源
: BASE
电压
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
25
30
3.0
350
2.8
1.0
8.0
55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
http://onsemi.com
集热器
3
1
BASE
2
辐射源
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200357
125
单位
° C / W
° C / W
1
2
3
TO92
CASE 29-11
方式2
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
标记图
MPS
H10
AYWW
G
G
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2007年
2007年2月,
第3版
1
出版订单号:
MPSH10/D
MPSH10
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0)
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 25伏直流,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 2.0伏,我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 4.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
集热器
:辐射源
饱和电压
(I
C
= 4.0 MADC ,我
B
= 0.4 MADC )
BASE
:辐射源
ON电压
(I
C
= 4.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC )
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 4.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
共基极反馈电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
集电极基时间常数
(I
C
= 4.0 MADC ,V
CB
= 10 VDC , F = 31.8兆赫)
f
T
C
cb
C
rb
rb'C
c
650
0.35
0.7
0.65
9.0
兆赫
pF
pF
ps
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
60
0.5
0.95
VDC
VDC
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
25
30
3.0
100
100
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
符号
最大
单位
订购信息
设备
MPSH10
MPSH10G
MPSH10RLRA
MPSH10RLRAG
MPSH10RLRP
MPSH10RLRPG
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
5000单位/箱
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
有关磁带和卷轴规格,包括部分方向和磁带大小,请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册, BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MPSH10
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
H
V
1
D
G
J
C
N
N
第X-X
方式2 :
1. PIN BASE
2.辐射源
3.收集
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
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文学履行:
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