MPSH10 / MMBTH10
MPSH10
MMBTH10
C
E
C
E
TO-92
B
SOT-23
马克： 3E
B
NPN晶体管RF
该器件是专为低噪音UHF / VHF放大器使用，
在100集电极电流
A
至20 mA范围内共同
操作的发射极或共基极方式，在低频
漂移，高输出超高频振荡器。从工艺42采购。
绝对最大额定值*
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
价值
25
30
3.0
50
-55到+150
单位
V
V
V
mA
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
MPSH10
350
2.8
125
357
最大
*MMBTH10
225
1.8
556
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
1997
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
MPSH10 / MMBTH10
NPN晶体管RF
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CBO
I
EBO
集电极 - 发射极耐受电压*
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
I
C
= 1.0毫安，我
B
= 0
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
I
E
= 10
A,
I
C
= 0
V
CB
= 25 V，I
E
= 0
V
EB
= 2.0 V，I
C
= 0
25
30
3.0
100
100
V
V
V
nA
nA
基本特征
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 4.0毫安， V
CE
= 10 V
I
C
= 4.0毫安，我
B
= 0.4毫安
I
C
= 4.0毫安， V
CE
= 10 V
60
0.5
0.95
V
V
小信号特性
f
T
C
cb
C
rb
rb'C
c
电流增益 - 带宽积
集电极 - 基极电容
共基极反馈电容
集电极基时间常数
I
C
= 4.0毫安， V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
V
CB
= 10 V，I
E
= 0中，f = 1.0兆赫
I
C
= 4.0毫安， V
CB
= 10 V,
F = 31.8兆赫
650
0.7
0.35
0.65
9.0
兆赫
pF
pF
pS
*
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300
s,
占空比
≤
2.0%
3
SPICE模型
NPN （ IS = 69.28E - 18 XTI = 3 =例如1.11 VAF = 100 BF = 308.6 NE = 1.197伊势= 69.28E - 18 IKF = 22.83米XTB = 1.5 BR = 1.11
NC = 2的Isc = 0 Ikr的= 0 RC = 4 CJC = 1.042p建超= 0.2468 VJC = 0.75 FC = 0.5 CJE = 1.52p MJE = 0.3223 VJE = 0.75 TR表示1.558n
TF = 135.8p ITF = 0.27 VTF = 10 XTF = 30的Rb = 10 ）
QQ：2880707522 复制
