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MPSA75 , MPSA77
达林顿晶体管
PNP硅
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
MPSA75
MPSA77
符号
V
CES
V
EBO
I
C
P
D
T
J
, T
英镑
价值
40
60
10
500
625
5.0
-55到+150
单位
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
°C
http://onsemi.com
集热器3
BASE
2
发射器1
记号
热特性
特征
热阻,结到环境
符号
R
qJA
最大
200
单位
° C / W
1
2
3
TO92
CASE 29-11
风格1
MPS
AXX
AYWW
G
G
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
MPSAxx =器件代码
XX = 75或77
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MPSA75RLRA
MPSA75RLRAG
MPSA75RLRP
MPSA75RLRPG
MPSA77
MPSA77G
MPSA77RLRA
MPSA77RLRAG
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
5000套/箱
5000套/箱
2000 /弹药包
2000 /弹药包
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
出版订单号:
MPSA75/D
1
2006年1月 - 第4版
MPSA75 , MPSA77
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
V
BE
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= -30 V,I
E
= 0)
(V
CB
= -50 V,I
E
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 30 V, V
BE
= 0)
(V
CE
= 50 V, V
BE
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= -10伏直流)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= -10毫安,V
CE
= 5.0 V)
(I
C
= -100毫安,V
CE
= 5.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= -100毫安,我
B
= -0.1 MADC )
基地发射极电压上
(I
C
= -100毫安,V
CE
= -5.0 V直流)
小信号特性
电流 - 获得 - 高频
(I
C
= -10毫安,V
CE
= -5.0 V,F = 100兆赫)
|h
fe
|
1.25
2.4
h
FE
10,000
10,000
V
CE ( SAT )
V
BE
1.5
2.0
VDC
VDC
MPSA75
MPSA77
MPSA75
MPSA77
MPSA75
MPSA77
I
CES
MPSA75
MPSA77
I
EBO
500
500
100
NADC
V
( BR ) CES
V
( BR ) CBO
I
CBO
100
100
NADC
40
60
40
60
VDC
VDC
NADC
符号
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
MPSA75 , MPSA77
200
的hFE , DC电流增益( X1.0 K)
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.3
25°C
V
CE
= 2.0 V
5.0 V
T
A
= 125°C
10 V
55°C
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
200 300
I
C
,集电极电流(毫安)
图1.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏特
2.0
T
A
= 25°C
1.6
V,电压(V )
1.2
V
BE(上)
@ V
CE
= 5.0 V
0.8
0.4
0
0.3 0.5
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 1000
I
C
/I
B
= 100
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 100
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
I
C
= -10毫安-50毫安-100毫安-175毫安
T
A
= 25°C
= 300毫安
1.0
2 3 5 10 20 30 50
I
C
,集电极电流(毫安)
100 200 300
0.6
0.10.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100200500 1K2K 5K10K
I
B
,基极电流(毫安)
图2. “开”电压
图3.集电极饱和区
| H FE |高频电流增益
10
4.0
3.0
2.0
1.0
0.4
0.2
0.1
1.0 2.0
5.0
10 20
50 100 200
I
C
,集电极电流(毫安)
500
1K
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
A
= 25°C
1000
IC ,集电极电流(毫安)
1.0毫秒
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
电流限制
热限制
第二击穿极限
(占空比
10%) MPSA75
MPSA77
20
40 60
2.0
4.0 6.0
10
100
ms
300
200
100
50
20
10
1.0
1.0 s
V
CE
,集电极电压(伏)
图4.高频电流增益
图5.活动区,安全作业区
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3
MPSA75 , MPSA77
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
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和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
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机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
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安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
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MPSA75/D
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