MPSA44
MPSA44
NPN
版本2010-09-30
功耗
Verlustleistung
ê BC
高压硅外延平面型晶体管
Hochspannungs硅外延平面Transistoren
NPN
625毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。
Gewicht约
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
9
18
2 x 2.54
尺寸/集体[ MM]
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MPSA44
400 V
500 V
6V
625毫瓦
1
)
300毫安
-55...+150°C
-55…+150°C
T
j
T
S
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
集电极 - 基极截止电流 - Kollektorreststrom
I
E
= 0, V
CB
= 400 V
发射基截止电流 - Emitterreststrom
I
B
= 0, V
EB
= 4 V
I
C
= 1毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
I
C
= 50 mA时，我
B
= 5毫安
MPSA44
MPSA44
I
EB0
V
CESAT
V
CESAT
V
CESAT
–
–
MPSA44
I
CB0
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
马克斯。
100 nA的
100 nA的
400毫伏
500毫伏
750毫伏
集电极饱和电压 - Kollektor - Sttigungsspannung
2
)
1
2
有效的，如果引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte在2毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲TP = 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen TP = 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2 ％
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
MPSA44
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
基本饱和电压 - 基础 - Sttigungsspannung
1
)
I
C
= 10 mA时，我
B
= 1毫安
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
V
CE
= 10 V，I
C
= 1毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 10毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 50毫安
V
CE
= 10 V，I
C
= 100毫安
集电极 - 基极电容 - Kollektor个基本Kapazitt
V
CB
= 20 V，I
E
= i
e
= 0中，f = 1 MHz的
热阻结 - 环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
MPSA44
C
CB0
R
THA
–
–
< 200 K / W
2
)
MPSA94
7pF
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
40
50
45
40
–
200
–
–
–
–
–
–
V
BESAT
–
–
750毫伏
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
马克斯。
120
[%]
100
80
60
40
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
1
功耗与环境温度）
1
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。 ）
1
2
测试了脉冲TP = 300微秒，占空比≤ 2 ％ - Gemessen MIT Impulsen TP = 300微秒， Schaltverhltnis ≤ 2 ％
有效的，如果引线被保持在环境温度下从所述壳体的距离为2毫米
Gültig ，德恩死Anschlussdrhte在2毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
小信号晶体管
TO- 92案例（续）
型号
描述
LEAD VCBO VCEO VEBO ICBO @ VCB
CODE
（ nA的）
(V)
民
40
50
60
80
100
300
500
400
60
80
20
30
30
30
30
--
40
50
60
300
500
--
--
30
30
140
100
30
75
40
60
60
30
30
30
40
80
80
80
25
6.0
12
(V)
* VCES
民
40*
50*
50*
80*
100
300
400
350
60
80
20*
30*
30*
30*
30*
40
40*
50*
60*
300
400
25*
25*
25
25
120
100
15
40
15
60
60
12
15
25
30
40
60
40
25
6.0
12
(V)
最大
10
10
10
12
12
6.0
6.0
6.0
4.0
4.0
10
10
10
8.0
8.0
4.0
10
10
10
5.0
6.0
10
10
3.0
3.0
5.0
4.0
3.0
6.0
4.5
6.0
5.0
2.0
4.0
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
4.0
4.0
4.0
* ICES
* ICEV
最大
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
100
250
100
1,000
1,000
100
100
1,000
1,000
10
10
400
10
10
50
50
50
50
50
50
50
35*
10*
10*
(V)
的hFE
*的hFE
(1kHZ)
民
最大
10,000
--
10,000
10,000
10,000
10,000
40
50
50
50
50
20,000
10,000
20,000
20,000
40,000
40
10,000
10,000
10,000
25
50
1,000
1,000
60
60
50
40
20
100
40
250
100
20
20
150
150
40
40
100
100
30
30
--
--
--
--
--
200
200
--
--
--
--
--
--
--
400
--
--
--
--
200
--
--
--
--
300
250
--
300
120
--
300
200
200
600
600
120
120
300
--
120
120
@ VCE
(V)
@ IC
（MA ）
VCE （ SAT ） @ IC
(V)
（MA ）
COB
fT
NF
花花公子
MPSA25
MPSA26
MPSA27
MPSA28
MPSA29
MPSA42
MPSA44
MPSA45
MPSA55
MPSA56
MPSA62
MPSA63
MPSA64
MPSA65
MPSA66
MPSA70
MPSA75
MPSA76
MPSA77
MPSA92
MPSA94
MPSD04
MPSD54
MPSH10
MPSH11
MPSL01
MPSL51
PN918
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN达林顿
NPN高压
NPN高压
NPN高压
PNP幅度/ SWITCH
PNP幅度/ SWITCH
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP低噪声
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP达林顿
PNP高压
PNP高压
NPN达林顿
PNP达林顿
NPN RF OSC
NPN RF OSC
NPN高压
PNP高压
NPN RF OSC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
BEC
BEC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
30
40
50
60
80
200
400
320
60
80
15
30
30
30
30
30
30
40
50
200
400
20
20
25
25
75
50
15
60
20
45
50
15
15
25
20
40
40
40
15
3.0
6.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
10
10
1.0
1.0
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
10
5.0
5.0
5.0
10
10
5.0
5.0
10
10
5.0
5.0
1.0
10
0.35
5.0
10
10
10
10
10
1.0
1.0
1.0
1.0
0.30
0.30
100
100
100
100
100
30
10
10
100
100
10
100
100
100
100
5.0
100
100
100
30
10
300
100
4.0
4.0
10
50
3.0
150
10
1.0
150
8.0
15
1.0
10
150
150
150
50
10
10
1.50
1.50
1.50
1.50
1.50
0.50
0.75
0.75
0.25
0.25
1.0
1.50
1.50
1.50
1.50
0.25
1.50
1.50
1.50
0.5
0.75
1.0
1.0
0.50
0.50
0.30
0.30
0.40
1.0
0.50
0.30
1.60
--
0.30
0.35
1.0
0.25
0.25
0.25
1.0
0.50
0.60
100
100
100
100
100
20
50
50
100
100
10
100
100
100
100
10
100
100
100
20
50
100
100
4.0
4.0
50
50
10
500
100
1.0
500
--
20
1.0
100
150
150
150
300
50
50
（ pF）的（兆赫） （ dB）的
* CRB * TYP
MAX MIN MAX MAX
125
--
--
--
125
125
8.0
8.0
3.0
6.0
6.0
--
--
--
--
--
--
--
4.0
--
--
--
6.0
6.0
--
--
--
--
125
125
50
20
20
50
50
125
125
125
100
100
125
125
125
125
50
20
100
100
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
6.0
4.0
--
3.0
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
--
285
18
--
100
--
--
--
--
--
--
--
170
60
75
0.65* 650
0.90* 650
8.0
8.0
1.7
8.0
4.0
6.0
8.0
1.7
3.5
4.0
25
20
20
20
10
3.5
3.5
60
60
600
300
500
--
200
600
400
40
40
60
60
60
150
500
500
PN2222A
NPN幅度/ SWITCH
PN2369A
NPN SAT SWITCH
PN2484
NPN低噪声
PN2907A
PNP幅度/ SWITCH
PN3563
PN3564
PN3565
PN3566
PN3567
PN3568
PN3569
NPN RF OSC
NPN RF OSC
NPN低噪声
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
NPN幅度/ SWITCH
PN3638A
PNP幅度/ SWITCH
PN3639
PN3640
PNP SAT SWITCH
PNP SAT SWITCH
76
W W瓦特权证N t个R A升发E M I 。 C 0米
器件可形成领先优势，
有关详细信息，请参阅第216页通219 。
此外，在Ammopack或磁带&卷可用，
有关详细信息，请参阅第230页通235 。
MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MPSA44
特点
通孔封装
150
o
C的结温
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
NPN硅高
电压晶体管
625mW
TO-92
A
E
机械数据
案例： TO- 92 ，模压塑料
标记：
A44
B
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
charateristic
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（DC）的
功率耗散@ T
A
=25
o
C
功率耗散@ T
C
=25
o
C
热阻，结到
环境空气
热阻，结到
例
工作&储存温度
符号价值
V
首席执行官
400
V
CBO
400
V
EBO
I
C
P
d
P
d
R
q
JA
C
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
D
5.0
200
625
5.0
1.5
12
200
83.3
E
B
G
尺寸
英寸
民
.170
.170
.550
.010
.130
.096
C
C / W
C / W
o
暗淡
A
B
C
D
E
G
MM
最大
.190
.190
.590
.020
.160
.104
民
4.33
4.30
13.97
0.36
3.30
2.44
最大
4.83
4.83
14.97
0.56
3.96
2.64
记
R
q
JC
o
T
j
, T
英镑
-55~150
C
www.mccsemi.com
修改：
A
1 4
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-AP
型号-BP
填料
弹药包装：
2Kpcs/Ammo
箱
BULK ：
100Kpcs/Carton
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
4 4
2011/01/01
3
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
MPSA44/45
高压晶体管
特点
*集电极 - 发射极电压：
*
V
首席执行官
= 400V （ UTC
MPSA44)
*
V
首席执行官
= 350V （ UTC
MPSA45)
*集电极电流高达300mA
NPN硅晶体管
订购信息
订购数量
无铅
无卤
MPSA44L-AB3-R
MPSA44G-AB3-R
MPSA45L-AB3-R
MPSA45G-AB3-R
MPSA44L-T92-B
MPSA44G-T92-B
MPSA44L-T92-K
MPSA44G-T92-K
MPSA44L-T92-R
MPSA44G-T92-R
MPSA45L-T92-B
MPSA45G-T92-B
MPSA45L-T92-K
MPSA45G-T92-K
MPSA45L-T92-R
MPSA45G-T92-R
包
SOT-89
SOT-89
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
TO-92
引脚分配
1
2
3
B
C
E
B
C
E
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
E
B
C
填料
带盘
带盘
磁带盒
体积
带盘
磁带盒
体积
带盘
www.unisonic.com.tw
版权所有 2012 Unisonic技术有限公司
1 4
QW-R208-006,G
MPSA44/45
绝对最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散
SOT-89
TO-92
MPSA44
MPSA45
MPSA44
MPSA45
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
NPN硅晶体管
评级
500
400
400
350
6
300
500
625
单位
V
V
V
mA
mW
结温
T
J
125
°C
工作温度
T
OPR
-20 ~ +85
°C
储存温度
T
英镑
-40 ~ +150
°C
注意：绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
电气特性
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿MPSA44
电压
MPSA45
集电极 - 发射极
MPSA44
击穿电压
MPSA45
发射极 - 基极击穿电压
MPSA44
收藏家Cuto FF电流
MPSA45
MPSA44
收藏家Cuto FF电流
MPSA45
发射Cuto FF电流
基本特征
直流电流增益（注）
符号
BV
CBO
BV
首席执行官
BV
EBO
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
测试条件
I
C
= 100μA ，我
E
=0
I
C
= 1mA时，我
B
=0
I
E
= 100μA ，我
C
=0
V
CB
= 400V ，我
E
=0
V
CB
= 320V ，我
E
=0
V
CE
= 400V ，我
B
=0
V
CE
= 320V ，我
B
=0
V
EB
= 4V ，我
C
=0
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=100mA
I
C
= 1mA时，我
B
=0.1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
V
CE
=20V,I
C
= 10毫安中，f = 100MHz的
V
CB
= 20V ，我
E
= 0，F = 1MHz的
民
500
400
400
350
6
典型值
最大单位
V
V
V
0.1
0.1
0.5
0.5
0.1
40
82
45
40
240
240
240
240
0.4
0.5
0.75
0.75
μA
μA
μA
h
FE
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （ SAT ）
V
V
兆赫
pF
基射极饱和电压
V
BE （ SAT ）
小信号特性
电流增益带宽积
f
T
输出电容
C
OB
注：脉冲测试： PW<300μs ，职务Cycle<2 ％
50
7
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW - R208-006 ，G
MPSA44/45
典型特征
NPN硅晶体管
ON电压
1.0
0.8
V
BE （ SAT ）
, I
C
/I
B
=10
0.6
V
BE（上）
, V
CE
=10V
0.4
0.2
0
V
CE （ SAT ）
, I
C
/I
B
=10
0.3
0.2
0.1
0
1
10
T
A
=25 C
0.5
0.4
收藏家SaturationRegion
I
C
=1mA
I
C
=10mA
I
C
=50mA
T
A
=25 C
10
2
10
3
10
4
基极电流，我
B
(A)
10
5
10
-1
10
0
10
1
10
2
集电极电流，I
C
（MA ）
10
3
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
3 4
QW - R208-006 ，G
MPSA44/45
典型特征（续）
NPN硅晶体管
10
小信号电流增益，H
FE
2
高频电流增益
V
CE
=10V
f=10MHz
T
A
=25 C
安全工作区
有效的责任
Cycle<10%
0.1ms
5
=2
T
C
集电极电流，I
C
（MA ）
1ms
10
3
10
1
1s
10
2
=2
T
A
C
10
0
10
1
5
C
10
-1 -1
10
10
10
10
集电极电流，I
C
（MA ）
0
1
2
10
3
10
0
10
0
10
1
10
2
10
3
集电极电压（V）的
10
4
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD。
www.unisonic.com.tw
4 4
QW - R208-006 ，G
NPN硅平面外延晶体管
MPSA44
MPSA45
TO-92
塑料包装
E
BC
电气特性（T
a
= 25C除非另有规定）
描述
符号
测试条件
*h
FE
V
CE
= 10V ，我
C
=1mA
直流电流增益
V
CE
= 10V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CE
= 10V ，我
C
=100mA
集电极 - 发射极饱和电压
*V
CE （SAT）
I
C
= 1mA时，我
B
=0.1mA
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
I
C
= 50mA时我
B
=5mA
基极发射极饱和电压
动态特性
描述
输出电容
输入电容
小信号电流增益
*V
BE （SAT）
I
C
= 10毫安，我
B
=1mA
民
40
50
45
40
最大
200
单位
0.40
0.50
0.75
0.75
V
V
V
V
符号
C
敖包
C
IBO
h
fe
测试条件
V
CB
= 20V ，我
E
= 0中，f = 1MHz的
V
EB
= 0.5V ，我
C
= 0中，f = 1MHz的
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ， F = 10MHz时
民
最大
7
130
单位
pF
pF
2
*脉冲测试：脉冲宽度<300μs ，职务Cycle<2 ％
MPSA44
MPSA45
TO-92
塑料包装
TO- 92塑料包装
B
维与“L”
除了“L”
2
3
D
G
F
F
A A
K
1
D
E
SEC AA
暗淡
分钟。马克斯。
A
5.33
4.32
B
5.20
4.45
C
4.19
3.18
D
0.55
0.41
E
0.50
0.35
F
5度
1.40
G
1.14
H
1.40
1.20
K
12.70
—
L
1.982 2.082
M
1.20
1.03
所有尺寸均为毫米
不受控制
M
可焊性有保证的
L
3 2 1
模具
离别
LINE
H
C
A
引脚配置
1.集热器
2.基
3.辐射源
3 2 1
在TO- 92封装，卷带弹药包图纸是正确的，因为在这个数据表的问题/修改的日期。
当前有效的尺寸和资料，可以请从TO- 92图中的包确认，
包装的产品目录第。
包装详细资料
包
详细
TO-92散装
TO-92 T&A
1K/
塑料袋
2K/
弹药箱
标准包装
净重/吨
Qy
200克/个
1K
645克/个
2K
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
12.5 ＆ QUOT ; X 8英寸×1.8 ＆ QUOT ;
内箱箱
数量
5K
2K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
80K
32K
克重量
23公斤
12.5公斤
UTC MPSA四十五分之四十四NPN外延硅晶体管
高压晶体管
特点
*集电极 - 发射极电压：
V
首席执行官
=400V(MPSA44)
V
首席执行官
=350V(MPSA45)
*集电极电流高达300mA
*补充到MPSA94 / 93
*集电极耗散：
Pc(max)=625mW
1
应用
*电话交换
*高压开关
SOT-89
1 ：发射器2 ：收藏家3 ： BASE
绝对最大额定值
（工作温度范围内适用，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
MPSA44
MPSA45
集电极 - 发射极电压
MPSA44
MPSA45
发射极 - 基极电压
集电极耗散（ TA = 25℃
)
集电极耗散（ TC = 25℃
)
集电极电流
结温
储存温度
符号
V
CBO
等级
500
400
单位
V
V
V
首席执行官
V
EBO
Pc
Pc
Ic
T
j
T
英镑
400
350
6
625
1.5
300
150
-55 ~ +150
V
mW
W
mA
°C
°C
电气特性
（ TJ = 25 ° C，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极击穿电压
MPSA44
MPSA45
集电极 - 发射极击穿电压
MPSA44
MPSA45
发射极 - 基极击穿电压
集电极截止电流
MPSA44
MPSA45
集电极截止电流
MPSA44
MPSA45
符号
BV
CBO
测试条件
Ic=100A,I
B
=0
民
500
400
典型值
最大
单位
V
BV
首席执行官
Ic=1mA,I
B
=0
400
350
6
0.1
0.1
A
V
CE
=400V,I
B
=0
V
CE
=320V,I
B
=0
0.5
0.5
V
V
A
BV
EBO
I
CBO
I
E
=100A,Ic=0
V
CB
=400V,I
E
=0
V
CB
=320V,I
E
=0
I
CES
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
1
QW-R208-006,A
UTC MPSA四十五分之四十四NPN外延硅晶体管
参数
发射极截止电流
直流电流增益（注）
符号
I
EBO
h
FE
测试条件
V
EB
=4V,Ic=0
V
CE
=10V,Ic=1mA
V
CE
=10V,Ic=10mA
V
CE
=10V,Ic=50mA
V
CE
=10V,Ic=100mA
Ic=1mA,I
B
=0.1mA
Ic=10mA,I
B
=1mA
Ic=50mA,I
B
=5mA
Ic=10mA,I
B
=1mA
V
CE
=20V,Ic=10mA,
f=100MHz
V
CB
=20V,I
E
=0
f=1MHz
民
40
50
45
40
典型值
最大
0.1
240
单位
A
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE
（SAT）
基射极饱和电压
电流增益带宽积
输出电容
V
BE
（SAT）
f
T
COB
0.4
0.5
0.75
0.75
50
7
V
V
兆赫
pF
注：脉冲测试： PW<300μs ，职务Cycle<2 ％
典型特性曲线
图1直流电流增益
H
FE
，直流电流电流增益
1
10
140
120
100
80
60
40
20
0
-20
-40
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
-1
10
0
10
1
10
图2的导通开关时间
2
10
图3关断开关时间
V
CE
=10V
时间（μs ）
时间（μs ）
V
CE
=150V
IC / I
B
=10
Ta=25°C
V
BE
(OFF)=4V
0
10
V
CE
=150V
IC / I
B
=10
Ta=25°C
1
10
T
s
0
10
T
f
T
f
T
d
2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图4电容
3
10
1.0
图5 ON电压
0.5
图6集电极饱和区
集电极 - 发射极电压（ V）
0.8
Ta=25°
C
V
BE
（SAT） ， IC / I
B
=10
0.4
电容（pF）
Ic=1mA
Ic=10mA
Ic=50mA
电压（V）的
2
10
兴业银行
0.6
0.3
V
BE
（开） ，V
CE
=10V
0.4
0.2
1
10
COB
0.2
V
CE
（SAT） ， IC / I
B
=10
0.1
0
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
Ta=25°
C
2
10
3
10
4
10
5
10
1
10
集电极电压（V）的
IC ，集电极电流（毫安）
IB ，基极电流（ μA ）
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
2
QW-R208-006,A
UTC MPSA四十五分之四十四NPN外延硅晶体管
图7高频
电流增益
小信号电流增益，H
FE
2
10
4
10
图8安全工作区
有效的责任
Cycle<10%
1ms
1s
C
5°
=2
Tc
IC ，集电极电流（毫安）
1
10
V
CE
=10V
f=10MHz
Ta=25°C
3
10
0.1ms
2
10
C
5°
=2
Ta
0
10
1
10
-1
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
0
10
MPSA44
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
IC ，集电极电流（毫安）
集电极电压（V）的
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 LTD。
3
QW-R208-006,A
MPSA44
高电压的NPN晶体管
TO-92
1.发射器
2.基
3.收集
1
2
3
绝对最大额定值（TA = 25℃ ）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
器件总耗散T
A
=25 C
结温
存储温度
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
Tj
TSTG
价值
400
400
5.0
200
0.625
150
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
C
C
电气特性
特征
集电极 - 发射极击穿电压（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压（ IC = 100 uAdc ， IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压（IE = 100 uAdc ， IC = 0 ）
集电极截止电流（ VCE = 400 VDC ， IB = 0 ）
集电极截止电流（ VCB = 400 VDC ， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流（ VEB = 4.0Vd C， IC = 0 ）
符号
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICE0
ICBO
IEBO
民
400
400
5.0
-
-
-
最大
-
-
-
5.0
0.1
0.1
单位
VDC
VDC
VDC
uAdc
uAdc
uAdc
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MPSA44
电气特性
（ TA = 25℃除非另有说明） （ Countinued ）
特征
符号
民
我们将其R ON
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
基射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
电流增益带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 20伏， F = 30MHz的）
VCE （ SAT ）
HFE(1)
HFE(2)
HFE(3)
70
80
60
-
-
-
300
.
-
-
-
0.2
0.3
VDC
VBE （ SAT ）
-
0.75
VDC
fT
50
-
兆赫
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MPSA44
FIG1.
FIG2.
FIG3.
FIG4.
FIG5.
FIG6.
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
MPSA44
TO- 92外形尺寸
E
单位：mm
TO-92
H
C
J
K
G
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
民
最大
3.70
3.30
1.40
1.10
0.55
0.38
0.51
0.36
4.70
4.40
-
3.43
4.70
4.30
1.270TYP
2.44
2.64
14.10
14.50
B
L
WEITRON
http://www.weitron.com.tw
D
A
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
特点
低电流（最大300 mA）的
高电压（最大400伏） 。
应用
电信应用。
描述
NPN型高压晶体管在TO -92 ; SOT54塑料
封装。
1
手册， halfpage
MPSA44
钉扎
针
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
2
3
1
2
3
MAM279
Fig.1
简化外形（ TO- 92 ; SOT54 ）
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
记
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流（ DC ）
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
≤
25
°C;
注1
条件
发射极开路
开基
集电极开路
65
65
分钟。
马克斯。
500
400
6
300
600
100
625
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
单位
1999年04月27
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
包装外形
塑料单端含铅（通孔）包; 3引线
MPSA44
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸（mm是原始尺寸）
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
记
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献：
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月27
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
MPSA44
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统（ IEC 134 ） 。强调以上一个或
更多的限制，可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出，它是咨询，并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备，设备或系统中使用，其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险，并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月27
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSA44 / D
高压晶体管
NPN硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPSA44
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
400
500
6.0
300
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
VBE = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 400 VDC ， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 400 VDC ， VBE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
冰
IEBO
400
500
500
6.0
—
—
—
—
—
—
—
0.1
500
0.1
VDC
VDC
VDC
VDC
μAdc
NADC
μAdc
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSA44
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
DC电流增益（1）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0.1 MADC ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
的hFE
40
50
45
40
VCE （ SAT ）
—
—
—
VBE （ SAT ）
—
0.4
0.5
0.75
0.75
VDC
—
200
—
—
VDC
—
小信号特性
输出电容
（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 20兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
科博
CIBO
的hFE
—
—
1.0
7.0
130
—
pF
pF
—
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSA44 / D
高压晶体管
NPN硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPSA44
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
400
500
6.0
300
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
VBE = 0）的
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 400 VDC ， IE = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 400 VDC ， VBE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CES
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
冰
IEBO
400
500
500
6.0
—
—
—
—
—
—
—
0.1
500
0.1
VDC
VDC
VDC
VDC
μAdc
NADC
μAdc
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSA44
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
DC电流增益（1）
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 50 MADC ， VCE = 10 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 10 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压（ 1 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0.1 MADC ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
（ IC = 50 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = 10 MADC ， IB = 1.0 MADC ）
的hFE
40
50
45
40
VCE （ SAT ）
—
—
—
VBE （ SAT ）
—
0.4
0.5
0.75
0.75
VDC
—
200
—
—
VDC
—
小信号特性
输出电容
（ VCB = 20伏直流电， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
小信号电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 10 VDC ， F = 20兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
科博
CIBO
的hFE
—
—
1.0
7.0
130
—
pF
pF
—
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
QQ：2881677436 复制
