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分立半导体
数据表
dbook , halfpage
M3D186
MPSA42 ; MPSA43
NPN型高压晶体管
产品数据表
取代1999年的数据4月12日
2004年10月11日
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
特点
低电流(最大100 mA时)
高电压(最大300伏) 。
应用
视频
电话
专业的通讯设备。
描述
NPN型高压晶体管在TO -92 ; SOT54塑料
封装。 PNP补充: MPSA92 。
Fig.1
1
手册, halfpage
2
3
MPSA42 ; MPSA43
钉扎
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
1
2
3
MAM279
简化外形( TO- 92 ; SOT54 )
和符号。
订购信息
类型编号
名字
MPSA42
MPSA43
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 60134 ) 。
符号
V
CBO
MPSA42
MPSA43
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
MPSA42
MPSA43
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
环境温度
T
AMB
25
°C
集电极开路
开基
65
65
300
200
6
100
200
100
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
300
200
V
V
分钟。
马克斯。
单位
SC-43A
描述
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
VERSION
SOT54
2004年10月11日
2
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
热特性
符号
R
号(j -a)的
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
AMB
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极 - 基极截止电流
MPSA42
MPSA43
I
EBO
发射极 - 基极截止电流
MPSA42
MPSA43
h
FE
直流电流增益
V
EB
= 6 V ;我
C
= 0 A
V
EB
= 4 V ;我
C
= 0 A
V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 30毫安
V
CESAT
V
BESAT
C
c
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
MPSA42
MPSA43
f
T
1.脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
跃迁频率
V
CE
= 20V;我
C
= 10毫安; F = 100 MHz的
I
C
能力= 20 mA ;我
B
= 2毫安;注1
I
C
能力= 20 mA ;我
B
= 2毫安;注1
V
CB
= 20V;我
E
= i
e
= 0 ; F = 1 MHz的
V
CB
= 200 V ;我
E
= 0 A
V
CB
= 160 V ;我
E
= 0 A
条件
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
MPSA42 ; MPSA43
价值
250
单位
K / W
分钟。
25
40
40
50
马克斯。
100
100
100
100
500
900
3
4
单位
nA
nA
nA
nA
mV
mV
pF
pF
兆赫
2004年10月11日
3
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
包装外形
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
MPSA42 ; MPSA43
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.55
c
0.45
0.38
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L
1(1)
马克斯。
2.5
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-92
JEITA
SC-43A
欧洲
投影
发行日期
04-06-28
04-11-16
2004年10月11日
4
恩智浦半导体
产品数据表
NPN型高压晶体管
数据表状态
文件
状态
(1)
目标数据表
初步数据表
产品数据表
笔记
产品
状态
(2)
发展
QUALI科幻阳离子
生产
MPSA42 ; MPSA43
德网络nition
本文件包含的数据从客观规范的产品
发展。
本文件包含的初步规格数据。
本文件包含的产品规格。
1.启动或完成设计之前,请咨询最新发布的文档。
2.本文档中描述的设备(S )的产品的状态可能已经改变,因为这个文件发布
和可能不同的情况下,多个器件。最新产品状态信息可在互联网上
网址http://www.nxp.com 。
免责声明
一般
本文件中的信息被认为是
准确和可靠。然而,恩智浦半导体
不提供任何陈述或保证,
明示或暗示的内容的准确性或完整性
这样的信息,并有权对任何法律责任
使用这些信息的后果。
有权进行修改
恩智浦半导体
保留随时更改信息的权利
文件中公布的,包括但不限于
规格和产品说明,在任何时间,
恕不另行通知。本文件取代所有
之前,此次公布的信息。
适合使用
恩智浦半导体产品
没有设计,授权或担保适合
在医疗,军事,航空,航天和生活配套使用
设备,或者是在故障或失效
的恩智浦半导体的产品可以合理
预期会导致人身伤害,死亡或严重
属性或环境损害。恩智浦半导体
接受列入恩智浦和/或使用不承担任何责任
半导体产品在此类设备或
应用,因此这样的夹杂物和/或用途是在
客户自己的风险。
应用
在此描述为应用程序
任何这些产品仅用于说明性目的。
恩智浦半导体作任何陈述或
保修这样的应用将是适当的
没有进一步的测试或修改指定用途。
极限值
应力以上的一个或多个限制
值(如在绝对最大额定值定义
IEC 60134 )的系统可能会造成永久性损坏
该设备。极限值值仅为
该器件在这些或任何其他条件操作
超过上述的这种特性部分给出
文档是不是暗示。暴露限制值
长时间可能会影响器件的可靠性。
销售条款和条件
恩智浦半导体
产品的销售都遵循的一般条款和
商业销售截至公布的条件下,
http://www.nxp.com/profile/terms ,包括那些
关于保修,知识产权
侵权和赔偿责任限制,除非明确
恩智浦半导体另有书面同意。在
案件信息有任何不一致或冲突
本文与此类条款和条件,后者
将占上风。
没有任何要约出售或许可
本文档中的任何内容
也许能被解释为要约出售产品
这是开放的接受或批,运送或
任何许可下的任何版权,专利暗示或
其它工业或知识产权。
出口管制
本文档以及所述一条(或多条)
这里描述可能会受到出口管制
的规定。出口可能需要从一个事先授权
国家主管部门。
快速参考数据
快速参考的数据是
在限制值赋予了产品数据的提取物和
本文档的特征的部分,并且因此是
不完整的,详尽的或具有法律约束力。
2004年10月11日
5
MPSA 43分之42
NPN硅外延平面晶体管
对于高压开关和放大器
应用程序。
该晶体管被细分为一组
根据它的直流电流增益。如
互补型PNP晶体管MPSA 92
和MPSA 93建议。
特殊要求,这些晶体管可
在不同的引脚配置生产。
TO- 92塑料包装
重量约。 0.19克
绝对最大额定值(T
a
= 25
o
C)
符号
价值
MPSA 42
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流
器件总功耗@ TA = 25 ℃
减免上述25 °
器件总功耗@ TC = 25 ℃
减免上述25 °
结温
存储温度范围
P
合计
T
j
T
S
P
合计
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
300
300
6
500
625
5.0
1.5
12
150
-55到+150
MPSA 43
200
200
V
V
V
mA
mW
毫瓦/ °
W
毫瓦/ °
O
O
单位
C
C
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 18/06/2004
MPSA 43分之42
特点在T
AMB
=25
o
C
符号
直流电流增益
在我
C
=1mA,V
CE
=10V
在我
C
=10mA,V
CE
=10V
在我
C
=30mA,V
CE
=10V
发射Cuto FF电流
在V
EB
=6V
V
EB
=4V
收藏家Cuto FF电流
在V
CB
=200V
V
CB
=160V
集电极基极击穿电压
在我
C
=100μA
集电极发射极击穿电压
在我
C
=1mA
发射极基极击穿电压
在我
E
=100μA
集电极饱和电压
在我
C
=20mA,I
B
=2mA
基本饱和电压
在我
C
=20mA,I
B
=2mA
增益带宽积
在我
C
= 10毫安,V
CE
=20V,f=100MHz
集电极输出电容
在V
CB
=20V,f=1MHz
MPSA 42
MPSA 43
C
ob
C
ob
-
-
-
-
3
4
pF
pF
f
T
50
-
-
兆赫
V
BE ( SAT )
-
-
0.9
V
V
CE ( SAT )
-
-
0.5
V
V
( BR ) EBO
6
-
-
V
MPSA 42
MPSA 43
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CEO
300
200
-
-
-
-
V
V
MPSA 42
MPSA 43
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CBO
300
200
-
-
-
-
V
V
MPSA 42
MPSA 43
I
CBO
I
CBO
-
-
-
-
0.1
0.1
μA
μA
MPSA 42
MPSA 43
I
EBO
I
EBO
-
-
-
-
0.1
0.1
μA
μA
h
FE
h
FE
h
FE
25
40
40
-
-
-
-
-
-
-
-
-
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 18/06/2004
MPSA 43分之42
120
h
FE
,直流电流增益
100
80
60
40
T
J
=+125°C
V
CE
=10V
T
J
=25°C
T
J
=-55°C
20
0
0.1
1.0
10
100
I
C
,集电极电流(毫安)
图1.直流电流增益
C,电容(pF )
100
C
eb
@ 1MHz的
10
1
C
cb
@ 1MHz的
0.1
0.1
1
10
100
1000
V
R
,反向电压(伏)
图2.电容
1.4
1.2
A
V
BE
(SAT) @ -55 ° C,I
C
/I
B
=10
B
V
BE
(上) @ -55°C ,V
CE
=10V
C
V
BE
(SAT) @ 125 ° C,I
C
/I
B
=10
D
V
BE
(SAT) @ 25 ° C,I
C
/I
B
=10
E
V
BE
(上) @ 125° C,V
CE
=10V
F
V
BE
(上) @ 25 ° C,V
CE
=10V
G
V
CE
(SAT) @ 125 ° C,I
C
/I
B
=10
H
V
CE
(SAT) @ 25 ° C,I
C
/I
B
=10
I
V
CE
(SAT) @ -55 ° C,I
C
/I
B
=10
0.1
1.0
10
100
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
I
C
,集电极电流(毫安)
图3."on"电压
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
(子公司
泰丰国际集团有限公司,公司
在香港联交所上市,股票代码: 724 )
日期: 18/06/2004
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥(单相/三相)
RF(低电容) &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压(升压/降压)
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
(双N ,双P,P + N)
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF ( 1GHz的 )
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻(片)
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
(数字)
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证( 300V交流)
MPP / MPE / DMP (高电流)
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压( 1KV 6KV )
贴片电容&多层( MLCC )
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格( -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期: 2004年9月 2005年第二次编辑
晶体管
NPN
部分
or
PNP
(V)
(V)
(MA )
BVCBO
最大额定值
BVCEO
IC
PD
Ta=25°C
( mW)的
最大
电气特性(Ta = 25℃)
的hFE
IC
(MA )
VCE
(V)
最大
(V)
VCE ( SAT )
IC
(MA )
IB
(MA )
fT
兆赫
SOT-323
(P.28)
BC846W
BC847W
MMBT2222AW
MMBT2907AW
MMBT3904W
MMBT3906W
*MMBT5401W
*MMBT5551W
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
NPN
80
50
75
-60
60
-40
-160
180
65
45
40
-60
40
-40
-150
160
100
100
600
-600
200
-200
-600
600
225
225
225
225
225
225
225
225
110
110
100
100
100
120
60
80
800
800
300
300
300
360
240
250
2
2
150
-150
10
-10
-10
10
5
5
10
-10
1
-1
-5
5
0.25
0.25
0.5
-0.4
0.2
0.25
-0.2
0.15
10
10
380
-150
10
-10
-10
10
0.5
0.5
10
-15
1
-1
-1
1
300
300
300
200
300
250
100
100
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
BCE
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
DAUL
N + P
SOT-363
(P.29)
MMDT2412
MMDT3904
MMDT2222
MMDT2411
MMDT1036
MMDT1037
MMDT3906
MMDT2907
MMDT2227
MMDT3946
N*2
N*2
N*2
N*2
P*2
P*2
P*2
P*2
N + P
50
60
75
40
-40
-60
-40
-60
75
-60
60
-40
40
40
40
40
-32
-50
-40
-60
40
-60
40
-40
150
200
600
600
500
150
200
600
600
600
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
200
120
100
100
82
100
120
100
100
100
100
100
100
820
300
300
560
300
820
300
300
300
300
300
300
1
10
150
100
-150
-1
-10
-150
150
-150
10
-10
6
1
10
3
-10
-6
-1
-10
10
-10
1
-1
0.4
0.2
0.5
0.4
-0.4
-0.5
-0.25
-0.4
0.3
-0.4
0.2
-0.25
1
10
150
100
-150
-1
-10
-150
150
-150
10
-10
5
1
10
10
-15
-5
-1
-15
15
-15
1
-1
180
300
300
300
200
140
250
200
300
200
300
250
N + P
N + P
SOT-23
(P.28)
BC807
BC817
BC846
BC847
BC848
BC856
BC857
BC858
BCW65C
MMBT1015
MMBT1815
MMBT2222A
MMBT2369
MMBT2484
MMBT2907A
MMBT3904
MMBT3906
MMBT4124
MMBT4125
MMBT4401
MMBT4403
MMBT5086
MMBT5087
MMBT5088
MMBT5089
MMBT5401
MMBT5550
MMBT5551
MMBT6427
MMBT6429
MMBT6517
MMBT6520
MMBT8050
MMBT8099
MMBT8550
MMBT8599
MMBT9018
MMBTA06
MMBTA13
MMBTA14
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
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200
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225
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225
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225
225
225
225
225
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225
225
225
225
225
225
225
225
225
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100
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125
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BCE
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BCE
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BCE
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NPN
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PNP
PNP
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NPN
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-
-
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BCE
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BCE
BCE
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欧洲央行
EBC
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欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
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PNP
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PNP
PNP
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PNP
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PNP
PNP
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PNP
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NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
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NPN
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50
P.13
NPN
部分
or
PNP
(V)
BVCBO
最大额定值
BVCEO
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(V)
(MA )
( mW)的
最大
电气特性(Ta = 25℃)
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IC
(MA )
VCE
(V)
最大
(V)
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(MA )
fT
兆赫
TO-92
(P.31)
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DY227
E8050
E8050S
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PNP
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PNP
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-50
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-250
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2000
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-2000
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625
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830
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450
-
625
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625
625
625
625
625
625
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625
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625
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625
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112
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10K
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600
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-
-
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500
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-
-
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-
-
-
-
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-
-
-
-
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-
-
-
-
-
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-
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0.5
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-0.5
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125
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300
300
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60
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300
300
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
CBE
欧洲央行
欧洲央行
EBC
欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
EBC
BEC
CBE
EBC
EBC
EBC
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
P.14
NPN
部分
or
PNP
(V)
BVCBO
最大额定值
BVCEO
IC
PD
Ta=25°C
(V)
(MA )
( mW)的
最大
电气特性(Ta = 25℃)
的hFE
IC
(MA )
VCE
(V)
最大
(V)
VCE ( SAT )
IC
(MA )
IB
(MA )
fT
兆赫
TO-92
(P.31)
SB764
SB772S
SC1815
SC1959
SC2228Y
SC2240
SC3953S
SC945
SD1609S
SD1616A
SD468
SD471A
SD667A
SD879
SD882S
SD965
T666
TL145
TL194
TL195
TO-220
(P.30)
H2584
H2585
2N6388
2N6668
BU406
BU407
D44H11
D45H11
LB124E
LB125E
MJE13005
MJE13007
MJE13009
MJE2955T
MJE3055T
SB507
SB857
SC4242
SD1159
SD313
SD880
TIP102
TIP105
TIP107
TIP112
TIP117
TIP122
TIP125
TIP127
TIP29C
TIP31C
TIP32C
TIP41C
TIP42C
TIP47
TIP49
TIP50
SC4234
PNP
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
NPN
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-300
-300
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900
750
750
750
625
1000
1000
1000
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135
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100
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400
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320
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300
300
300
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100
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500
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-20
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10
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10
10
-10
-10
-0.7
-0.3
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0.25
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1
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-0.5
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-2000
100
100
20
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100
30
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800
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2000
3000
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80
100
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100
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-2
-2
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80
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150
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100
190
130
140
200
90
150
300
10
10
10
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
欧洲央行
EBC
欧洲央行
欧洲央行
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NPN
PNP
NPN
PNP
PNP
NPN
NPN
PNP
NPN
PNP
NPN
NPN
NPN
NPN
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-20
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-80
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-80
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600
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700
700
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70
-60
-70
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60
100
-60
-100
100
-100
100
-60
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100
100
-100
100
-100
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500
1200
-15
-15
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-80
200
150
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-80
400
400
400
400
400
-60
60
-60
-50
400
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60
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-60
-100
100
-100
100
-60
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100
100
-100
100
-100
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350
400
800
-10
-5
10
-10
7
7
10
-10
2
5
4
8
12
-10
10
-3
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7
4.5
3
3
8
-8
-8
4
-4
5
-5
-5
1
3
-3
6
-6
1
1
1
3
65
40
65
65
60
60
50
50
35
40
75
80
100
75
75
30
40
40
40
30
30
80
80
80
50
50
65
65
65
30
40
40
65
65
40
40
40
45
1K
1K
1K
1K
30
35
60
60
10
10
10
10
10
20
20
40
60
10
30
40
60
1K
1K
1K
1K
1K
1K
1K
1K
15
10
10
15
15
30
30
30
8
60K
60K
20K
20K
125
200
-
-
40
-
60
40
30
100
100
320
320
-
160
320
300
20K
20K
20K
-
-
-
-
-
75
50
50
75
75
150
150
150
-
-10
-5
5
-5
2
2
2
-2
0.3
0.01
1
2
0.5
-4
4
-1
-1
4
1
1
0.5
3
-3
-3
1
-1
0.5
-0.5
-0.5
1
3
-3
3
-3
0.3
0.3
0.3
1
-1.7
-1.7
3
-3
5
5
1
-1
5
5
5
5
5
-4
4
-2
-4
5
5
2
5
4
-4
-4
4
-4
3
-3
-3
4
4
-4
4
-4
10
10
10
5
-1.5
-1.5
2
-2
1
1
1
-1
0.3
0.5
0.5
1
1
-1.1
1.1
-1
-1
0.8
1
1
1
2
-2
-2
2.5
-2.5
2
-2
-2
0.7
1.2
-1.2
1.5
-1.5
1
1
1
1
-10
-5
5
-5
5
5
8
-8
0.1
1
1
2
5
-4
4
-2
-2
4
4
2
3
3
-3
-3
2
-2
3
-3
-3
1
3
-3
6
-6
1
1
1
1.5
-10
-5
10
-10
500
500
400
-800
10
200
200
400
1000
-400
400
-200
-200
800
400
200
300
6
-6
-6
8
-8
12
-12
-12
125
375
-375
600
-600
200
200
200
300
3
3
3
3
3
10
10
10
8
10
8
3
4
2
2
8
15
10
50
40
15
TO-3P
(P.30)
MJE13007R
MJE13009R
KTC5242
NPN
NPN
NPN
700
700
230
400
400
230
8
12
15
130
130
130
10
8
55
30
40
160
0.5
5
7
5
5
5
1
1
0.4
2
5
8
400
1000
1000
30
BCE
P.15
MCC
特点
l
通孔封装
l
150
o
C的结温
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯

???? ?????? ? ! ?? " # ???
$ % ? ? ? ???? ? ! ?? " # ???
MPSA42
THRU
MPSA43
NPN硅高
电压晶体管
625mW
引脚配置
底部视图
C
B
E
TO-92
机械数据
l
案例: TO- 92 ,模压塑料
A
E
l
标记:
MPSA42 --------- A42
MPSA43 --------- A43
B
最大额定值@ 25
o
C除非另有说明
charateristic
符号
集电极 - 发射极电压MPSA42
V
首席执行官
MPSA43
集电极 - 基极电压MPSA42
V
CBO
MPSA43
发射极 - 基极电压
MPSA42
V
EBO
MPSA43
集电极电流(DC)的
I
C
功率耗散@ T
A
=25
o
C
功率耗散@ T
C
=25
o
C
热阻,结到
环境空气
热阻,结到
工作&储存温度
P
d
P
d
R
q
JA
价值
300
200
300
200
5.0
300
625
5.0
1.5
12
200
83.3
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/
o
C
W
毫瓦/
o
C
o
C
D
G
尺寸
C / W
C / W
o
暗淡
A
B
C
D
E
G
英寸
.175
.175
.500
.016
.135
.095
R
q
JC
o
T
j
, T
英镑
-55~150
C
最大
.185
.185
---
.020
.145
.105
MM
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
最大
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
www.mccsemi.com
MPSA42通MPSA43
MCC
符号
最大
单位
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = 100
m
的adc ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 10
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 200伏, IE = 0 )
( VCB = 160伏, IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB =
3.0
VDC , IC = 0 )
( VEB = 4.0伏, IC = 0 )
MPSA42
MPSA43
IEBO
MPSA42
MPSA43
0.25
0.1
V( BR ) CEO
MPSA42
MPSA43
V( BR ) CBO
MPSA42
MPSA43
V( BR ) EBO
ICBO
0.25
0.1
μAdc
300
200
5.0
VDC
μAdc
300
200
VDC
VDC
基本特征( 1 )
直流电流增益
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 10 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC =
50
MADC , VCE = 10 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 20 MADC , IB = 2.0 MADC )
基射极饱和电压
( IC = 20 MADC , IB = 2.0 MADC )
MPSA42
MPSA43
VBE ( SAT )
的hFE
25
80
25
VCE ( SAT )
0.5
0.4
0.9
VDC
250
VDC
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
( IC =
10
MADC , VCE =
5
VDC , F =
30MHz)
集电极 - 基极电容
( VCB = 20伏直流电, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
MPSA42
MPSA43
fT
建行
3.0
4.0
50
兆赫
pF
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
www.mccsemi.com
MPSA42通MPSA43
120
100
的hFE , DC电流增益
80
60
40
–55°C
20
0
0.1
1.0
IC ,集电极电流(毫安)
10
25°C
TJ = + 125°C
MCC
VCE = 10 VDC
100
图1.直流电流增益
100
CEB @ 1MHz的
C,电容(pF )
F T电流增益 - 带宽(MHz )
,
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
IC ,集电极电流(毫安)
TJ = 25°C
VCE = 20 V
F = 20MHz的
50 70 100
10
1.0
建行@ 1MHz的
0.1
0.1
1.0
10
100
VR ,反向电压(伏)
1000
图2.电容
图3.电流增益 - 带宽
1.4
1.2
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
VCE (SAT) @ 25 ° C, IC / IB = 10
VCE (SAT) @ 125°C , IC / IB = 10
VCE (SAT) @ -55°C , IC / IB = 10
VBE (星期六) @ 25 ° C, IC / IB = 10
VBE (星期六) @ 125°C , IC / IB = 10
VBE (星期六) @ -55°C , IC / IB = 10
VBE ( ON) @ 25°C , VCE = 10 V
VBE (上) @ 125°C , VCE = 10 V
VBE ( ON) @ -55°C , VCE = 10 V
1.0
10
IC ,集电极电流(毫安)
100
图4. “开”电压
www.mccsemi.com
MPSA42 , MPSA43
小信号晶体管( NPN )
TO-92
.181 (4.6)
分钟。 0.492 (12.5) 0.181 (4.6)
.142 (3.6)
特点
NPN硅外延平面晶体管
特别适合作为长焦附加镜行开关
手机子集和视频输出级
的电视接收机和监视器。
互补型, PNP型晶体管
MPSA92 MPSA93和建议
马克斯。
.022 (0.55)
.098 (2.5)
E
B
C
机械数据
案例:
TO- 92塑料包装
重量:
约。 0.18克
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
在25 ° C环境温度,除非另有规定等级
符号
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
在T功耗
AMB
= 25 °C
结温
存储温度范围
1)
价值
300
200
300
200
6
500
625
1)
150
-65到+150
单位
V
V
V
V
V
mA
mW
°C
°C
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
V
首席执行官
V
首席执行官
V
CBO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
合计
T
j
T
S
有效的条件是引线保持在环境温度下,以2毫米的情况下的距离。
4/98
MPSA42 , MPSA43
电气特性
在25 ° C环境温度,除非另有规定等级
符号
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A,
I
E
= 0
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
A,
I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200 V,I
E
= 0
V
CB
= 160 V,I
E
= 0
发射基截止电流
V
EB
= 6 V,I
C
= 0
V
EB
= 4 V,I
C
= 0
直流电流增益
I
C
= 1毫安, V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA时, V
CE
= 10 V
I
C
= 30 mA时, V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 20 mA时,我
B
= 2毫安
基射极饱和电压
I
C
= 20 mA时,我
B
= 2毫安
增益带宽积
I
E
= 10 mA时, V
CE
= 20 V , F = 100 MHz的
集电极 - 基极电容
V
CB
= 20 V,I
E
= 0中,f = 1 MHz的
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
分钟。
300
200
300
200
6
典型值。
马克斯。
单位
V
V
V
V
V
I
CBO
I
CBO
I
EBO
I
EBO
h
FE
h
FE
h
FE
V
CESAT
V
BESAT
f
T
C
CBO
C
CBO
R
thJA
25
40
40
50
100
100
100
100
500
900
3
4
200
1)
nA
nA
nA
nA
mV
mV
兆赫
pF
pF
K / W
热阻结到环境空气
1)
有效的规定,导致被保持在环境温度下,以从壳体2毫米的距离。
NPN硅高压晶体管
MPSA 42
MPSA 43
q
q
q
高的击穿电压
低集电极 - 发射极饱和电压
互补类型: MPSA 92
MPSA 93 ( PNP )
1
32
TYPE
MPSA 42
MPSA 43
记号
MPSA 42
MPSA 43
订购代码
1
Q68000-A413
Q68000-A4809
E
引脚配置
2
B
3
C
1)
TO-92
最大额定值
参数
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
基极电流
总功耗
, T
C
= 66 C
2)
结温
存储温度范围
热阻
结 - 环境
结 - 壳
2)
符号
MPSA 42
MPSA 43
200
200
6
500
100
625
150
– 65 … + 150
mW
C
mA
V
300
300
单位
V
CE0
V
CB0
V
EB0
I
C
I
B
P
合计
T
j
T
英镑
R
日JA
R
日JC
200
135
K / W
1)
2)
有关详细信息,请参阅本章包装纲要。
安装AI-散热器15毫米
×
25 mm
×
0.5 mm.
半导体集团
1
5.91
MPSA 42
MPSA 43
电气特性
at
T
A
= 25
°C,
除非另有规定ED 。
参数
符号
分钟。
DC特性
集电极 - 发射极击穿电压
I
C
= 1毫安,
I
B
= 0
MPSA 42
MPSA 43
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
A
, I
B
= 0
MPSA 42
MPSA 43
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
A
, I
C
= 0
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200 V
V
CB
= 160 V
V
CB
= 200 V
, T
A
= 150
°C
V
CB
= 160 V,
T
A
= 150
°C
发射基截止电流
V
BE
= 3 V,
I
C
= 0
直流电流增益
1)
I
C
= 1毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10毫安,
V
CE
= 10 V
I
C
= 30毫安,
V
CE
= 10 V
集电极 - 发射极饱和电压
1)
I
C
= 20毫安,
I
C
= 2毫安
MPSA 42
MPSA 43
基射极饱和电压
I
C
= 20毫安,
I
B
= 2毫安
AC特性
跃迁频率
I
C
= 20毫安,
V
CE
= 10 V,
f
= 100兆赫
集电极 - 基极电容
V
CB
= 20 V,
f
= 1兆赫
MPSA 42
MPSA 43
MPSA 42
MPSA 43
MPSA 42
MPSA 43
限值
典型值。
马克斯。
单位
V
(BR)CE0
300
200
V
V
(BR)CB0
300
200
V
(BR)EB0
I
CB0
6
100
100
20
20
100
nA
nA
A
A
nA
I
EB0
h
FE
25
40
40
V
0.5
0.4
0.9
V
CESAT
V
BESAT
f
T
C
敖包
70
兆赫
pF
3
4
1)
脉冲测试条件:
t
300
s,
D
2 %.
半导体集团
2
MPSA 42
MPSA 43
总功耗
P
合计
=
f
(
T
A
;
T
C
)
允许的脉冲负载
R
thJA
=
f
(
t
p
)
工作范围
I
C
=
f
(
V
CE
)
T
A
= 25
°C,
D
= 0
收藏家Cuto FF电流
I
CB0
=
f
(
T
A
)
V
CB
=
V
CBmax
半导体集团
3
MPSA 42
MPSA 43
直流电流增益
h
FE
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 10 V
跃迁频率
f
T
=
f
(
I
C
)
V
CE
= 20 V,
f
= 20兆赫,
V
CE
= 10 V
集电极电流
I
C
=
f
(
V
BE
)
V
CE
= 10 V
半导体集团
4
半导体
技术参数
高电压应用。
电话应用。
B
MPSA42/43
外延平面NPN晶体管
C
特点
A
补充MPSA92 / 93 。
N
K
E
G
最大额定值( TA = 25
特征
集电极 - 基
电压
集电极 - 发射极
电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
发射极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
)
符号
V
CBO
等级
300
200
300
200
6.0
500
-500
625
150
-55 150
单位
V
D
H
F
F
L
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
E
P
C
T
j
T
英镑
V
V
mA
mA
mW
1
2
3
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.基
3.收集
TO-92
电气特性( TA = 25 )
特征
集电极 - 基
击穿电压
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极截止
当前
发射极截止
当前
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
MPSA42
MPSA43
符号
V
( BR ) CBO
测试条件
I
C
= 100 A,I
E
=0
分钟。
300
200
300
200
-
-
-
-
40
40
40
-
-
50
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-
0.1
0.1
0.1
0.1
-
-
-
0.5
0.9
-
3.0
4.0
V
V
兆赫
pF
单位
V
V
( BR ) CEO
I
C
= 1.0毫安,我
B
=0
V
CB
= 200V ,我
E
=0
V
CB
= 160V ,我
E
=0
V
EB
= 6V ,我
C
=0
V
EB
= 4V ,我
C
=0
I
C
= 1.0毫安,V
CE
=10V
V
I
CBO
A
I
EBO
A
直流电流增益
* h
FE
I
C
= 10毫安,V
CE
=10V
I
C
= 30mA时V
CE
=10V
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
跃迁频率
集电极输出
电容
MPSA42
MPSA43
* V
CE ( SAT )
* V
BE ( SAT )
f
T
C
ob
I
C
= 20mA时,我
B
=2.0mA
I
C
= 20mA时,我
B
=2.0mA
V
CE
= 20V ,我
C
= 10毫安中,f = 100MHz的
V
CB
= 20V ,我
E
= 0中,f = 1MHz的
*脉冲测试:脉冲宽度300秒,占空比2.0 %
1999. 11. 30
版本号: 3
1/2
MPSA42/43
h
FE
- I
C
V
CE
=10V
T
j
=125 C
f
T
- I
C
过渡频率f
T
(兆赫)
100
300
直流电流增益
FE
100
50
30
T
j
=25 C
T
j
=-55 C
50
30
T
j
=25 C
V
CE
=20V
f=20MHz
10
1
3
5
10
30
50
100
集电极电流I
C
(MA )
10
1
3
5
10
30
50
100
集电极电流I
C
(MA )
I
C
- V
CE
1k
C
ob
- V
R
集电极电流I
C
(MA )
集电极输出电容
C
ob
(PF )
100
50
30
C
eb
300
100
30
10
TC = 25℃
100mS
100S
1.0mS
10S
10
5
3
C
ob
TA = 25℃
3
曲线适用
1
1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
200
反向电压V
R
(V)
0.5
0.5
以下为V
首席执行官
MPSA43
MPSA42
1
3
10
30
100
500
集电极发射极电压V
CE
(V)
V
BE ( SAT ) ,
V
CE ( SAT )
- I
C
1.4
饱和电压
V
BE ( SAT ) ,
V
CE ( SAT )
(V)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
3
5
10
30
50
100
集电极电流I
C
(MA )
V
CE ( SAT )
@I
C
/I
B
=10
5.0
V
BE ( SAT )
@I
C
/I
B
=10
V
BE(上)
@V
CE
=10V
T
j
=25 C
1999. 11. 30
版本号: 3
2/2
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSA42 / D
高电压晶体管
NPN硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPSA42*
MPSA43
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
MPSA42
300
300
6.0
500
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
MPSA43
200
200
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-11 ,风格1
TO-92 (TO- 226AA )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C /毫瓦
° C /毫瓦
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = 100
m
的adc ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 100
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 200伏, IE = 0 )
( VCB = 160伏, IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = 6.0伏, IC = 0 )
( VEB = 4.0伏, IC = 0 )
1.脉冲测试:脉冲宽度
MPSA42
MPSA43
IEBO
MPSA42
MPSA43
0.1
0.1
V( BR ) CEO
MPSA42
MPSA43
V( BR ) CBO
MPSA42
MPSA43
V( BR ) EBO
ICBO
0.1
0.1
μAdc
300
200
6.0
VDC
μAdc
300
200
VDC
VDC
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
REV 1
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1998年
1
MPSA42 MPSA43
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征( 1 )
直流电流增益
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 10 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 30 MADC , VCE = 10 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 20 MADC , IB = 2.0 MADC )
基射极饱和电压
( IC = 20 MADC , IB = 2.0 MADC )
MPSA42
MPSA43
VBE ( SAT )
的hFE
25
40
40
VCE ( SAT )
0.5
0.4
0.9
VDC
VDC
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
( IC = 10 MADC , VCE = 20伏, F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容
( VCB = 20伏直流电, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
MPSA42
MPSA43
fT
建行
3.0
4.0
50
兆赫
pF
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPSA42 MPSA43
120
100
的hFE , DC电流增益
80
60
40
–55°C
20
0
0.1
1.0
IC ,集电极电流(毫安)
10
100
25°C
TJ = + 125°C
VCE = 10 VDC
图1.直流电流增益
100
CEB @ 1MHz的
C,电容(pF )
F T ,电流增益 - 带宽(MHz )
80
70
60
50
40
30
20
10
1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20
30
IC ,集电极电流(毫安)
TJ = 25°C
VCE = 20 V
F = 20MHz的
50 70 100
10
1.0
建行@ 1MHz的
0.1
0.1
1.0
10
100
VR ,反向电压(伏)
1000
图2.电容
图3.电流增益 - 带宽
1.4
1.2
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
VCE (SAT) @ 25 ° C, IC / IB = 10
VCE (SAT) @ 125°C , IC / IB = 10
VCE (SAT) @ -55°C , IC / IB = 10
VBE (星期六) @ 25 ° C, IC / IB = 10
VBE (星期六) @ 125°C , IC / IB = 10
VBE (星期六) @ -55°C , IC / IB = 10
VBE ( ON) @ 25°C , VCE = 10 V
VBE (上) @ 125°C , VCE = 10 V
VBE ( ON) @ -55°C , VCE = 10 V
1.0
10
IC ,集电极电流(毫安)
100
图4. “开”电压
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MPSA42 MPSA43
包装尺寸
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-11
(TO–226AA)
ISSUE AJ
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们:
美国/欧洲/点未列出:
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ,科罗拉多州丹佛市80217. 1-303-675-2140或1-800-441-2447
以客户为中心中心: 1-800-521-6274
M传真 :
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键1-602-244-6609
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
摩托罗拉传真返回系统
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
- http://sps.motorola.com/mfax/
主页:
http://motorola.com/sps/
日本:
日本摩托罗拉有限公司; SPD ,战略规划办公室, 141 ,
4-32-1西五反田,品川区,东京,日本。 81-3-5487-8488
4
MPSA42/D
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSA42 / D
高电压晶体管
NPN硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPSA42 *
MPSA43
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
MPSA42
300
300
6.0
500
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
MPSA43
200
200
6.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ,风格1
TO-92 (TO- 226AA )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C /毫瓦
° C /毫瓦
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = 100
m
的adc ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 100
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 200伏, IE = 0 )
( VCB = 160伏, IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = 6.0伏, IC = 0 )
( VEB = 4.0伏, IC = 0 )
1.脉冲测试:脉冲宽度
MPSA42
MPSA43
IEBO
MPSA42
MPSA43
0.1
0.1
V( BR ) CEO
MPSA42
MPSA43
V( BR ) CBO
MPSA42
MPSA43
V( BR ) EBO
ICBO
0.1
0.1
μAdc
300
200
6.0
VDC
μAdc
300
200
VDC
VDC
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPSA42 MPSA43
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征( 1 )
直流电流增益
( IC = 1.0 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 10 MADC , VCE = 10 V直流)
( IC = 30 MADC , VCE = 10 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 20 MADC , IB = 2.0 MADC )
基射极饱和电压
( IC = 20 MADC , IB = 2.0 MADC )
MPSA42
MPSA43
VBE ( SAT )
的hFE
25
40
40
VCE ( SAT )
0.5
0.4
0.9
VDC
VDC
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
( IC = 10 MADC , VCE = 20伏, F = 100兆赫)
集电极 - 基极电容
( VCB = 20伏直流电, IE = 0 , F = 1.0兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
MPSA42
MPSA43
fT
建行
3.0
4.0
50
兆赫
pF
v
300
m
S,占空比
v
2.0%.
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPSA42 MPSA43
200
VCE = 10 VDC
的hFE , DC电流增益
TJ = + 125°C
100
25°C
50
–55°C
30
20
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
IC ,集电极电流(毫安)
20
30
50
70
100
图1.直流电流增益
100
50
C,电容(pF )
20
10
5.0
建行
0.5
1.0 2.0
5.0 10
20
50
VR ,反向电压(伏)
CEB
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
100
70
50
TJ = 25°C
VCE = 20 V
F = 20MHz的
30
20
2.0
1.0
0.2
100
200
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70 100
图2的电容
图3.电流增益 - 带宽积
1.4
IC ,集电极电流(毫安)
1.2
V,电压(V )
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1.0
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70 100
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
VBE ( ON) @ VCE = 10 V
TJ = 25°C
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5
0.5
电流限制
热限制
(PULSE曲线@ TC = 25 ° C)
第二击穿极限
曲线适用
低于额定VCEO
1.0
2.0
5.0
10
20
MPSA43
MPSA42
50
100
TA = 25°C
TC = 25°C
100毫秒
100
s
10
s
1.0毫秒
200
500
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
图4. “开”电压
图5.最大正向偏置
安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MPSA42 MPSA43
包装尺寸
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
*MPSA42/D*
MPSA42/D
分立半导体
数据表
书, halfpage
M3D186
MPSA42 ; MPSA43
NPN型高压晶体管
产品speci fi cation
取代1997年的数据9月4日
1999年04月12
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
特点
低电流(最大100 mA时)
高电压(最大300伏) 。
应用
视频
电话
专业的通讯设备。
描述
NPN型高压晶体管在TO -92 ; SOT54塑料
封装。 PNP补充: MPSA92 。
Fig.1
1
手册, halfpage
2
3
MPSA42 ; MPSA43
钉扎
1
2
3
集热器
BASE
辐射源
描述
1
2
3
MAM279
简化外形( TO- 92 ; SOT54 )
和符号。
极限值
按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。
符号
V
CBO
MPSA42
MPSA43
V
首席执行官
集电极 - 发射极电压
MPSA42
MPSA43
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
合计
T
英镑
T
j
T
AMB
发射极 - 基极电压
集电极电流( DC )
峰值集电极电流
峰值电流基地
总功耗
储存温度
结温
工作环境温度
T
AMB
25
°C
集电极开路
开基
65
65
300
200
6
100
200
100
500
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C
°C
参数
集电极 - 基极电压
条件
发射极开路
300
200
V
V
分钟。
马克斯。
单位
1999年04月12
2
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
热特性
符号
R
日J-一
1.晶体管安装在一FR4印刷电路板。
特征
T
j
= 25
°C
除非另有规定ED 。
符号
I
CBO
参数
集电极截止电流
MPSA42
MPSA43
I
EBO
发射极截止电流
MPSA42
MPSA43
h
FE
直流电流增益
I
C
= 0; V
EB
= 6 V
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
V
CE
= 10 V ;注1
I
C
= 1毫安
I
C
= 10毫安
I
C
= 30毫安
V
CESAT
V
BESAT
C
c
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
集电极电容
MPSA42
MPSA43
f
T
1.脉冲测试:吨
p
300
s; δ ≤
0.02.
跃迁频率
I
C
= 10毫安; V
CE
= 20V; F = 100 MHz的
I
C
能力= 20 mA ;我
B
= 2毫安;注1
I
C
能力= 20 mA ;我
B
= 2毫安;注1
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 20V; F = 1 MHz的
I
E
= 0; V
CB
= 200 V
I
E
= 0; V
CB
= 160 V
条件
参数
从结点到环境的热阻
条件
注1
MPSA42 ; MPSA43
价值
250
单位
K / W
分钟。
25
40
40
50
马克斯。
100
100
100
100
500
900
3
4
单位
nA
nA
nA
nA
mV
mV
pF
pF
兆赫
1999年04月12
3
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
包装外形
塑料单端含铅(通孔)包; 3引线
MPSA42 ; MPSA43
SOT54
c
E
d
A
L
b
1
D
2
e1
e
3
b
1
L1
0
2.5
规模
5 mm
外形尺寸(mm是原始尺寸)
单位
mm
A
5.2
5.0
b
0.48
0.40
b1
0.66
0.56
c
0.45
0.40
D
4.8
4.4
d
1.7
1.4
E
4.2
3.6
e
2.54
e1
1.27
L
14.5
12.7
L1
(1)
2.5
这个区域内的终端1.尺寸不受控制允许流胶和终端违规行为。
概要
VERSION
SOT54
参考文献:
IEC
JEDEC
TO-92
EIAJ
SC-43
欧洲
投影
发行日期
97-02-28
1999年04月12
4
飞利浦半导体
产品speci fi cation
NPN型高压晶体管
释义
数据表状态
客观的特定网络阳离子
初步speci fi cation
产品speci fi cation
极限值
MPSA42 ; MPSA43
此数据表包含的目标或目标的特定连接的阳离子进行产品开发。
此数据表包含的初步数据;补充数据可以以后出版。
此数据表包含网络最终产品规范阳离子。
给定的限值按照绝对最大额定值系统( IEC 134 ) 。强调以上一个或
更多的限制,可能导致器件的永久性损坏。这些压力额定值只有经营
该设备在这些或高于任何其他条件的特定网络阳离子的特性部分给出的
是不是暗示。暴露限制值长时间可能会影响器件的可靠性。
应用信息
其中应用信息被给出,它是咨询,并且不形成所述特定网络连接的阳离子的一部分。
生命支持应用
这些产品并非设计用于生命支持设备,设备或系统中使用,其中这些故障
产品可合理预期会导致人身伤害。使用或销售这些产品的飞利浦客户
在这类应用中使用这样做在自己的风险,并同意完全赔偿飞利浦对此类造成的任何损坏
不当使用或销售。
1999年04月12
5
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