MPSA13 ， MPSA14
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 10 VDC ，我
C
= 0)
基本特征
（注1 ）
直流电流增益
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 0.1 MADC ）
基地发射极电压上
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
电流增益 - 带宽积（注2 ）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
2. f
T
= |h
fe
|
S
f
TEST
.
f
T
125
兆赫
h
FE
MPSA13
MPSA14
MPSA13
MPSA14
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
5,000
10,000
10,000
20,000
1.5
2.0
VDC
VDC
V
（ BR ） CES
I
CBO
I
EBO
30
100
100
VDC
NADC
NADC
符号
民
最大
单位
订购信息
设备
MPSA13
MPSA13G
MPSA13RLRA
MPSA13RLRAG
MPSA13RLRM
MPSA13RLRMG
MPSA13RLRP
MPSA13RLRPG
MPSA13ZL1
MPSA13ZL1G
MPSA14
MPSA14G
MPSA14RLRA
MPSA14RLRAG
MPSA14RLRP
MPSA14RLRPG
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
5000单位/箱
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /弹药包
5000单位/箱
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
MPSA13 ， MPSA14
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
噪声特性
(V
CE
= 5.0伏，T
A
= 25°C)
500
200
100
10
mA
50
100
mA
20
I
C
= 1.0毫安
10
5.0
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
2.0
带宽= 1.0赫兹
I N ，噪声电流（PA ）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
100
mA
10
mA
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
恩，噪声电压（NV ）
I
C
= 1.0毫安
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
I
C
= 10
mA
14
带宽= 10 Hz至15.7千赫
12
NF ，噪声系数（dB ）
100
70
50
30
20
10
10
mA
8.0
6.0
4.0
2.0
I
C
= 1.0毫安
100
mA
100
mA
1.0毫安
10
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻（千瓦）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
http://onsemi.com
3
MPSA13 ， MPSA14
小信号特性
20
T
J
= 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2 0.4
1.0 2.0 4.0
10
V
R
，反向电压（伏）
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图7.高频电流增益
200 k
T
J
= 125°C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
3.0
T
J
= 25°C
2.5
I
C
= 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
25°C
2.0
1.5
55
°C
V
CE
= 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
B
，基极电流（毫安）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV / C）
°
1.6
T
J
= 25°C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
1.0
2.0
3.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
*R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
25 ° C至125°C
55
°C
至25℃
25 ° C至125°C
4.0
q
VB
对于V
BE
5.0
6.0
5.0 7.0 10
55
°C
至25℃
0.8
0.6
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
http://onsemi.com
4
QQ：2881677436 复制
