MCC
微型商业组件
TM
?????????? ?????? omponents
20736玛丽拉
街道查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MPSA13
MPSA14
特点
能功率耗散1.5Watts的。
集电极 - 500mA的电流
集电极 - 基极电压30V
工作和存储结温范围： -55
O
C至+150
O
C
环氧符合UL 94 V - 0阻燃等级
水分动态敏感度等级1
NPN硅
达林顿晶体管
TO-92
A
E
标记： MPSA13 - MPSA13 ， MPSA14 - MPSA14 。
无铅涂层/符合RoHS （ "P"后缀候
符合RoHS 。参见订购信息）
最大额定值
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
T
英镑
符号
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
器件总功耗@T = 25
O
C
A
减免上述25
O
C
器件总功耗@T = 25
O
C
A
减免上述25
O
C
结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 100uAdc ，我
B
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30V直流，我
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 10Vdc的，我
C
=0)
直流电流增益
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
等级
30
30
10
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
-55到+150
民
30
100
100
最大
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/
O
C
W
毫瓦/
O
C
O
C
O
C
单位
VDC
NADC
NADC
B
C
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
（ BR ） CES
I
CBO
I
EBO
D
基本特征
(1)
h
FE(1)
G
MPSA13
MPSA14
5000
10000
10000
20000
1.5
2.0
VDC
VDC
暗淡
A
B
C
D
E
G
尺寸
英寸
民
.170
.170
.550
.010
.130
.096
MM
最大
.190
.190
.590
.020
.160
.104
民
4.33
4.30
13.97
0.36
3.30
2.44
最大
4.83
4.83
14.97
0.56
3.96
2.64
记
E
B
C
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
直流电流增益
(I
C
= 100mAdc ，V
CE
= 5.0VDC ） MPSA13
MPSA14
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100mAdc ，我
B
=0.1mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 100mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
小信号特性
f
T
1.
电流增益 - 带宽积
(2)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 5.0VDC ， F = 100MHz时）
脉冲测试：脉冲Width<300us ，职务Cycle<2.0 ％
f
T
=|h
fe
| X F
TEST
125
兆赫
2.
www.mccsemi.com
修改：
A
1 5
2011/01/01
MPSA13 MPSA14通
MCC
微型商业组件
TM
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
500
200
100
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
带宽= 1.0赫兹
恩，噪声电压（NV ）
I
C
= 1.0毫安
10
A
50
100
A
20
10
5.0
10 20
50 100 200
I
C
= 1.0毫安
100
A
10
A
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 10
A
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻值（kΩ ）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
I
C
= 1.0毫安
100
A
带宽= 10 Hz至15.7千赫
100
70
50
30
20
10
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻值（kΩ ）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
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修订版：A
2 5
2011/01/01
MPSA13 MPSA14通
20
T
J
= 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
MCC
TM
微型商业组件
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25°C
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
V
R
，反向电压（伏）
10
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
T
J
= 125°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
3.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1 0.2
I
C
= 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
的hFE ， DC电流增益
25°C
-55°C
V
CE
= 5.0 V
500
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
B
，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
T
J
= 25°C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
0.8
0.6
-1.0
-2.0
-3.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
*R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
25 ° C至125°C
-55 ° C到25°C时
25 ° C至125°C
-4.0
q
VB
对于V
BE
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
-55 ° C到25°C时
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
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修订版：A
3 5
2011/01/01
MCC
微型商业组件
TM
订购信息：
设备
型号-AP
型号-BP
填料
弹药包装：
2Kpcs/Ammo
箱
BULK ：
100Kpcs/Carton
***重要提示***
微型商业组件公司
保留随时更改，恕不另行通知任何产品在此向右
进行更正，修改，增强，改进或其它更改。
微型商业组件
公司。
不承担因本文所述的任何产品的应用或使用任何责任;它也不
转达根据其专利权的任何许可，也没有他人的权利。产品在这些应用中的用户须承担所有
这样的使用和风险会同意举行
微型商业组件公司。
和其产品都是公司
代表我们的网站上，反对一切损害无害。
***生命支持***
未经明确的书面MCC的产品不得用于生命支持设备或系统使用的关键部件
微审批商业组件公司。
***客户意识***
半导体部分假冒是在行业内日益严重的问题。微型商业组件（ MCC ）正在
强有力的措施保护自己和我们的客户从假冒伪劣配件泛滥。 MCC大力鼓励
客户可以直接从MCC或谁是对上市按国家授权分销商MCC MCC采购零部件
我们的网页引用
下文。
产品购买客户无论是从MCC直接或授权分销商MCC均为正品
件，具有完整的可追溯性，满足MCC的质量标准进行处理和存储。
MCC将不提供任何保修
覆盖或其他援助的零件未经授权来源购买。
MCC致力于打击这一全球
的问题，并鼓励我们的客户尽自己的一份制止这种做法通过购买或直接从授权
分销商。
www.mccsemi.com
修订版：A
5
2011/01/01
3
TRANSYS
电子
L I M I T E
NPN外延平面达林顿晶体管
MPSA 13
MPSA 14
TO-92
E
BC
绝对最大额定值。
描述
符号
价值
VCES
30
集电极发射极电压
VCBO
30
集电极基极电压
VEBO
10
发射极基极电压连续
IC
500
集电极电流 - 连续
PD
625
功率耗散@ TA = 25摄氏度
5.0
减免上述25℃
PD
1.5
功耗@ TC = 25摄氏度
12
减免上述25℃
TJ ， TSTG
-55到+150
工作和存储结
温度范围
热阻
RTH （J -C ）
83.3
结到外壳
Rth的第（j-一）
200
结到环境
电气特性（Ta = 25℃除非另有说明）
描述
符号测试条件
民
VCES
IC=100uA,IB=0
30
集电极发射极电压
ICBO
VCB = 30V ， IE = 0
-
集电极切断电流
IEBO
VEB = 10V ， IC = 0
-
射极切断电流
的hFE *
直流电流增益
5.0
MPSA13
IC=10mA,VCE=5V
10
MPSA14
MPSA13
IC=100mA,VCE=5V
MPSA14
VCE （星期六） * IC = 100mA时IB = 0.1毫安
VBE （ ON） * IC = 100mA时VCE = 5V
FT **
IC = 10毫安， VCE = 5V
f=100MHz
10
20
-
-
.
125
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/摄氏度
W
毫瓦/摄氏度
摄氏度
摄氏度/ W
摄氏度/ W
最大
-
100
100
-
-
-
-
1.5
2.0
-
单位
V
nA
nA
K
K
K
K
V
V
兆赫
集电极 - 发射极饱和电压
基极发射极电压
动态特性
电流增益带宽积
*脉冲测试：脉冲宽度= 300US ，占空比= 2 ％
**英尺= / HFE / * FTEST 。
TO- 92塑料包装
B
TO- 92晶体管上的磁带和弹药包
AMM 包装风格
M EC h的IC AL ATA
在向对希德ê广告hesive胶带
P
h
A
A1
(p)
FE ê
D
arrier
条
A
h
T
3 2 1
H1
H0
L
LA为L
FL舷侧
8.2"
W2
Wo
W1
W
K
t1
t
F1
F
P2
Po
F2
Do
1 3英寸
1. 7
7"
D
3
E
2
1
项
平虏身份证电子华氏度陈德良体管和
广告hesive带Visib乐
20 00件/ A M P莫ACK
在MM都暗淡ensions除非指定otherw ISE
SYM BO L
A1
A
T
P
Po
SPEC IFICATIO
REM方舟
M IN 。否M 。 M AX 。于升。
4.8
4.0
5.2
4.8
4.2
3.9
12.7
±1
12.7
± 0.3 CUM ü LAT IVE PIT CH
这种现象以1.0米米/ 20
沥青
6.35
± 0.4为M EASU RED AT
BOT TOM华氏度CLIN CH
+0.6
5.08
-0.2
0
1
AT BO DY到P
18
± 0.5
6
± 0.2
9
+0.7
-0.5
0.5
± 0.2
16
± 0.5
23.25
11.0
4
± 0.2
1.2
t1 0.3 - 0.6
2.54
+0.4
-0.1
3
6N
D
G
A A
SEC AA
BOD W IDT
BOD年小时EIG HT
BOD 牛逼HICKNESS
对C OM PO新界东北PITCH
FEED何LE PIT CH
F
F
暗淡
A
分钟。
4.32
4.45
3.18
0.41
0.35
马克斯。
5.33
5.20
4.19
0.55
0.50
FEED何乐中心
CO M分量中心
DISTAN CE之间的VC UTER
LEADS
CO M分量ALIGN M EN牛逼
TAPE W ID
HO LD -DO W N TAPE W ID
何乐PO SITIO
HO LD -DO W N TAPE POSIT IO
LEAD W IRE 林奇HEIG HT
CO M分量HEIGHT
冷TH华氏度剪断LEADS
FEED何乐DIAM ET ER
TO TAPE TAL THIC KNESS
铅 - 要 - 铅DISTANCEF 1 ，
医务室H高度
拉 - UT F或CE
P2
F
h
W
Wo
W1
W2
Ho
H1
L
Do
t
F2
H2
(P)
3 2 1
在MM都diminsions 。
B
C
D
E
F
G
H
K
H
C
引脚配置
1.集热器
2.基
3.辐射源
5度
1.14
1.40
1.14
1.53
12.70
—
OT ES
1 。 MAX IM UMAL IG NMENTDEV IAT IO NBETWEENLEADSNOTTOBEG RE AT ERTHAN 0 0.2毫米。
2 。 MAX IM UMNON -CUMUL AT IV E VA IAT IO NBETWEEN TA PEFEEDHOLESSHALLNOTEX CEED 1毫米的2 0
P IT建华（E S） 。
3 。 HOLDDOWN TA PENOT TO EXCEEDBEYONDTHEEDGE （S ） OFCARR IE浏览器TA PEANDTHERESHALLBENO
E X P 2 O 5 S ü ê F A深高（E S） IV E 。
4 。 NOMORETHAN 3 CONSECUT IV EM是S IN GCOMPONENTSAREPERM IT TED 。
5 。一个TA PETRA IL ER ，H AV G中AT LEASTTHREEFEEDHOLESAR EREQU IR EDAFTERTHELASTCOMPONE T.
6 。 SPL IC ESSHALLNOT在TERFEREW IT HTHESPROCKETFEEDHOLES 。
包装细节
包
详细
TO-92散装
TO-92 T&A
1K/polybag
2K /弹药箱
标准包装
净重量/数量
200克/ 1K个
645克/ 2K个
SIZE
3" X 7.5" X 7.5"
12.5 ＆ QUOT ; X 8英寸×1.8 ＆ QUOT ;
内箱箱
数量
5.0K
2.0K
SIZE
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
17 ＆ QUOT ; ×15 ＆ QUOT ; X 13.5 ＆ QUOT ;
外箱BOX
数量
80.0K
32.0K
克重量
23公斤
12.5公斤
MPSA13 NPN达林顿晶体管
2005年2月
MPSA13
NPN达林顿晶体管
本设备是专为要求极高的电流增益集电极电流为1.0A的应用程序。
从工艺05采购。
见MPSA14的特点。
1
TO-92
1. 2.发射基地3.收藏家
绝对最大额定值
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
T
a
= 25 ° C除非另有说明
参数
价值
30
30
10
单位
V
V
V
A
°C
- 连续
1.2
-55到+150
工作和存储结温范围
电气特性
T
a
= 25 ° C除非另有说明
符号
开关特性
V
（ BR ） CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE （SAT）
V
BE（上）
f
T
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
I
C
= 100μA ，我
B
= 0
V
CB
= 30V ，我
E
= 0
V
EB
= 10V ，我
C
= 0
V
CE
= 5.0V ，我
C
=10mA
V
CE
= 5.0, I
C
= 100毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 0.1毫安
I
C
= 100mA时V
CE
= 5.0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V ， F = 100MHz的
125
5,000
10,000
1.5
2.0
V
V
30
100
100
V
nA
nA
参数
测试条件
分钟。
马克斯。
单位
在特性*
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
小信号特性
电流增益带宽积
pF
*脉冲测试：脉冲宽度= 300μS ，占空比= 2 ％
2005仙童半导体公司
1
www.fairchildsemi.com
MPSA13版本B
MPSA13 NPN达林顿晶体管
商标
下面的注册和未注册商标仙童半导体公司拥有或授权使用，不适合于
将所有这些商标的详尽清单。
A
CEX
ActiveArray
深不见底
CoolFET
CROSSVOLT
DOME
EcoSPARK
E
2
CMOS
Ensigna
FACT
FACT静音系列
快
FASTr
FPS
FRFET
GlobalOptoisolator
GTO
HiSeC
I
2
C
我罗
ImpliedDisconnect
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
的IntelliMAX
等平面
LittleFET
MICROCOUPLER
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerEdge
PowerSaver技术
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SerDes
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
的SuperFET
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TINYOPTO
TruTranslation
UHC
UltraFET
的UniFET
VCX
放弃
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何责任
所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;它也不
在其专利权利的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持设备或中的关键部件
系统没有FAIRCHILD半导体公司明确的书面批准。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统，其中，
（一）打算通过外科手术移植到体内，或（b ）支持
或维持生命，或（c ）其不履行时，正确使用
按照提供的标签的使用说明，
可以合理预期造成显著伤害
用户。
2.关键部件是在生命支持设备的任何部件
或系统，其不履行可以合理预期
造成的生命支持设备或系统的故障，或以
影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
修订版I15
4
MPSA13版本B
www.fairchildsemi.com
UTC MPSA13 NPN外延硅晶体管
达林顿晶体管
描述
在UTC MPSA13是一个达林顿晶体管。
1
特点
*集电极 - 发射极电压： V
CES
= 30V
*集电极耗散：PC （ MAS） = 625毫瓦
SOT-89
1 ：发射器2 ：收藏家3 ： BASE
绝对最大额定值
(Ta=25°C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极耗散
集电极电流
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
CES
V
EBO
Pc
Ic
T
j
T
英镑
价值
30
30
10
625
500
150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mW
mA
°C
°C
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极截止电流
发射极截止电流
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
电流增益带宽积
脉冲测试：脉冲Width<300μs ，占空比= 2 ％
符号
BV
CES
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
CE
（SAT）
V
BE
（上）
f
T
测试条件
Ic=100A,I
B
=0
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=10V,Ic=0
V
CE
=5V,Ic=100mA
Ic=100mA,I
B
=0.1mA
V
CE
=5V,Ic=100mA
V
CE
=5V,Ic=10mA,
f=100MHz
民
30
最大
100
100
单位
V
nA
nA
V
V
兆赫
10000
1.5
2.0
125
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
1
QW-R208-001,B
UTC MPSA13 NPN外延硅晶体管
典型特征
电流增益&集电极电流
1000k
我（ TOT ）
mA
的hFE
的hFE @ V
CE
=5V
10000
我（ TOT ）
mA
V
BE
(sat)@IC=100I
B
1000
V
CE
(sat)@IC=100I
B
饱和电压&集电极电流
100k
10k
0.1
饱和电压（MV ）
1000
1
10
100
集电极电流（毫安）
100
1
10
100
集电极电流（毫安）
1000
电压&集电极电流
10000
我（ TOT ）
mA
电容（pF）
10
电容&反向偏置电压
上压（MV ）
我（ TOT ）
mA
1000
V
BE
（上） @V
CE
=5V
COB
100
0.1
1
10
100
集电极电流（毫安）
1000
1
1
10
反向偏置电压（V ）
安全工作区
100
截止频率&集电极电流
1000
我（ TOT ）
mA
V
CE
=5V
100
1000
集电极电流-Ic （毫安）
截止频率（MHz ）
100
我（ TOT ）
mA
P
T
=1s
P
T
=100ms
P
T
=1ms
10
10
1
10
100
集电极电流（毫安）
1000
1
1
10
正向电压-V
CE
(V)
100
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
2
QW-R208-001,B
UTC MPSA13 NPN外延硅晶体管
功率耗散
VS环境温度
1
PD-功耗（ W）
0.75
我（ TOT ）
mA
0.5
0.25
0
0
25
50
75
100
温度（ ℃ ）
125
150
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
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本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
3
QW-R208-001,B
MPSA13/MPSA14
塑料封装Transistros
NPN达林顿晶体管
1.发射器
2.基
3.收集
1 2 3
TO-92
最大额定值
（T = 25℃除非 therwise说明）
A
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散（T
A
=25C)
工作结存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
TJ ， TSTG
价值
30
30
10
500
0.625
- 55~+150
单位
V
V
V
mA
W
C
电气特性
值（TA = 25℃ ，除非另有说明）
特征
集电极 - 基极击穿电压
I
C
=100A,I
E
=0
I
C
=1mA,I
B
=0
符号
V（ BR ）
CB
V（ BR ）
CE
V（ BR ）
EB
I
CB
I
EBO
MPSA13
MPSA14
MPSA13
MPSA14
民
30
30
10
最大
-
-
-
0.1
0.1
单位
V
V
V
A
A
-
-
V
V
兆赫
集电极 - 发射极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
I
E
=100A,I
C
=0
V
CB
=30V,I
E
=0
V
EB
=10V,I
C
=0
集电极截止电流
发射极截止电流
DC CURENT增益
1
V
CE
=5V,I
C
=10mA
V
CE
=5V,I
C
=100mA
H
FE （1）
H
FE （2）
V
CE （SAT）
V
BE （ON）的
5000
10000
10000
20000
-
-
1.5
2.0
集电极 - 发射极饱和电压
1
I
C
=100mA,I
B
=0.1mA
V
CE
=5V,I
C
=10mA
基射极电压
1
跃迁频率
V
CE
=5V,I
C
=10mA,F=100Mhz
f
T
125
-
注： 1.Pulse测试：脉冲宽度≤ 300μS ，占空比≤ 2 ％ 。
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WEITRON
1/4
17-Jun-05
MPSA13/MPSA14
20
T
J
= 25 C
| HFE | ，小信号电流增益
4.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25 C
我们将其R ON
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
2.0
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2 0.4
1.0 2.0 4.0
V
R
，反VOL TAGE （伏）
10
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
F igure 1 亚太itanc ê
F igure 2.高F requenc 光凭目前摹泉
T
J
= 125 C
的hFE ， DC电流增益
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
3.0
T
J
= 25 C
2.5
I
C
= 10毫安50毫安
250毫安500毫安
25 C
2.0
1.5
- 55 C
V
CE
= 5.0 V
1.0
0.5
0.1 0.2
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
I
B
，基极电流（
A)
F igure 3. 直流光凭目前摹泉
F igure 4 ollec器S aturation egion
R
θ
V，温度系数（MV /
5
C)
1.6
T
J
= 25 C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
- 1.0
- 2.0
- 3.0
*适用于我
C
/I
B
3
h
FE
/3.0
*R
VC
对于V
CE （ SAT ）
25 ℃ 125℃
- 55 ℃至25℃
25 ℃ 125℃
- 4.0
VB
对于V
BE
0.8
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
- 5.0
- 6.0
5.0 7.0 10
- 55 ℃至25℃
0.6
5.0 7.0
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
F igure 5. " On"电压
F igure 6.温度℃ oeffic客户作
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2/4
17-Jun-05
MPSA13/MPSA14
我们将其R ON
R（T ） ， TRANSIENTTHERMAL
RESIST ANCE （归）
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.05
单脉冲
0.1
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
0.1
0.2
单脉冲
Z
θJC （T ）
= R （t）的
ω
R
θJC
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
θJC （T ）
Z
θJA （T ）
= R （t）的
ω
R
θJA
T
J（下PK）
- T
A
= P
（ PK）
Z
θJA （T ）
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
吨，时间（ ms）的
100
200
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k 10 k
F igure 7.牛逼有源冰箱 ES脑桥ê
IC ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
0.4 0.6
电流限制
热限制
第二击穿极限
T
A
= 25 C
T
C
= 25 C
1.0毫秒
100
s
1.0 s
图A
t
P
P
P
P
P
t
1
1/f
40
占空比
T1 F
t1
tP
1.0
2.0
4.0 6.0
10
20
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
峰值脉冲功率= P
P
F igure 8.一个C略去 egion S AFE操作意图德IGN注：我们电子商务跨ient牛逼有源冰箱 ES是TANC ê数据
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WEITRON
3/4
17-Jun-05
MPSA13/MPSA14
TO- 92外形尺寸
E
单位：mm
C
J
K
G
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
H
TO-92
民
最大
3.70
3.30
1.40
1.10
0.55
0.38
0.51
0.36
4.70
4.40
-
3.43
4.70
4.30
1.270TYP
2.44
2.64
14.10
14.50
B
L
WEITRON
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D
A
4/4
17-Jun-05
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
MCC
特点
?????????? ?????? omponents
21201 Itasca的街查茨沃斯
???? ?????? ？ ！ ?? " ＃ ???
$ ％ ？ ？ ？ ???? ？ ！ ?? " ＃ ???
MPSA13
MPSA14
能功率耗散1.5Watts的。
集电极 - 500mA的电流
集电极 - 基极电压30V
工作和存储结温范围： -55
O
C至+150
O
C
NPN硅
达林顿晶体管
TO-92
A
E
引脚配置
底部视图
C
B
E
最大额定值
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
T
英镑
符号
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
器件总功耗@T = 25
O
C
A
减免上述25
O
C
器件总功耗@T = 25
O
C
A
减免上述25
O
C
结温
储存温度
参数
集电极 - 发射极击穿电压
(I
C
= 100uAdc ，我
B
=0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 30V直流，我
E
=0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 10Vdc的，我
C
=0)
直流电流增益
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
等级
30
30
10
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
-55到+150
民
30
100
100
最大
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/
O
C
W
毫瓦/
O
C
O
C
O
C
单位
VDC
NADC
NADC
B
C
电气特性@ 25
O
C除非另有说明
开关特性
V
（ BR ） CES
I
CBO
I
EBO
D
基本特征
(1)
h
FE(1)
MPSA13
MPSA14
5000
10000
10000
20000
1.5
2.0
VDC
VDC
G
尺寸
英寸
民
.175
.175
.500
.016
.135
.095
MM
民
4.45
4.46
12.7
0.41
3.43
2.42
h
FE(2)
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
直流电流增益
(I
C
= 100mAdc ，V
CE
= 5.0VDC ） MPSA 13
MPSA14
集电极 - 发射极饱和电压
(I
C
= 100mAdc ，我
B
=0.1mAdc)
基射极饱和电压
(I
C
= 100mAdc ，V
CE
=5.0Vdc)
暗淡
A
B
C
D
E
G
最大
.185
.185
---
.020
.145
.105
最大
4.70
4.70
---
0.63
3.68
2.67
记
小信号特性
f
T
1.
电流增益 - 带宽积
(2)
(I
C
= 10mAdc ，V
CE
= 5.0VDC ， F = 100MHz时）
脉冲测试：脉冲Width<300us ，职务Cycle<2.0 ％
f
T
=|h
fe
| X F
TEST
125
兆赫
2.
www.mccsemi.com
MPSA13 MPSA14通
MCC
R
S
i
n
e
n
理想
晶体管
图1.晶体管噪声模型
500
200
100
带宽= 1.0赫兹
R
S
≈
0
I N ，噪声电流（PA ）
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
10 20
带宽= 1.0赫兹
恩，噪声电压（NV ）
I
C
= 1.0毫安
10
A
50
100
A
20
10
5.0
10 20
50 100 200
I
C
= 1.0毫安
100
A
10
A
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
50 100 200
500 1 k 2 k 5 k 10 k 20 k
男，频率（Hz ）
50 k 100 k
图2.噪声电压
图3.噪声电流
VT ，总宽带噪声电压（NV ）
200
带宽= 10 Hz至15.7千赫
NF ，噪声系数（dB ）
I
C
= 10
A
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
5.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻值（kΩ ）
500
1000
0
1.0
2.0
5.0
I
C
= 1.0毫安
100
A
带宽= 10 Hz至15.7千赫
100
70
50
30
20
10
A
100
A
1.0毫安
10
1.0
2.0
10
20
50 100 200
R
S
，源电阻值（kΩ ）
500
1000
图4.总宽带噪声电压
图5.宽带噪声图
www.mccsemi.com
MPSA13 MPSA14通
20
T
J
= 25°C
| H FE | ，小信号电流增益
4.0
V
CE
= 5.0 V
F = 100 MHz的
T
J
= 25°C
MCC
2.0
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
C
IBO
C
敖包
1.0
0.8
0.6
0.4
3.0
2.0
0.04
0.1
0.2
0.4
1.0 2.0 4.0
V
R
，反向电压（伏）
10
20
40
0.2
0.5
1.0
2.0
0.5 10 20
50
100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图6.电容
图7.高频电流增益
T
J
= 125°C
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
200 k
100 k
70 k
50 k
30 k
20 k
10 k
7.0 k
5.0 k
3.0 k
3.0
T
J
= 25°C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.1 0.2
I
C
= 10毫安
50毫安
250毫安
500毫安
的hFE ， DC电流增益
25°C
-55°C
V
CE
= 5.0 V
500
2.0 k
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200
I
B
，基极电流（ μA ）
500 1000
图8.直流电流增益
图9.集电极饱和区
R
θ
V，温度系数（MV /
°
C)
1.6
T
J
= 25°C
1.4
V，电压（V ）
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
1.2
V
BE（上）
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
0.8
0.6
-1.0
-2.0
-3.0
*适用于我
C
/I
B
≤
h
FE
/3.0
*R
QVC
对于V
CE （ SAT ）
25 ° C至125°C
-55 ° C到25°C时
25 ° C至125°C
-4.0
q
VB
对于V
BE
-5.0
-6.0
5.0 7.0 10
-55 ° C到25°C时
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 1000
5.0 7.0
10
20 30
50 70 100 200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
20 30
50 70 100
200 300
I
C
，集电极电流（毫安）
500
图10. “开”电压
图11.温度系数
www.mccsemi.com
MPSA13 / MMBTA13 / PZTA13
MPSA13
MMBTA13
C
PZTA13
C
E
C
B
E
C
B
TO-92
E
SOT-23
马克： 1M
B
SOT-223
NPN达林顿晶体管
该器件是专为要求极高的应用
高电流增益集电极电流为1.0 A.从源
处理05.见MPSA14的特点。
绝对最大额定值*
符号
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
英镑
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
TA = 25° C除非另有说明
参数
集电极 - 发射极电压
价值
30
30
10
1.2
-55到+150
单位
V
V
V
A
°C
工作和存储结温范围
*
这些额定值的限制值高于其中任何半导体器件的适用性可能受到损害。
注意事项：
1)
这些评级是基于150度C的最高结温
2)
这些都是稳定状态的限制。厂方应征询涉及脉冲或低占空比操作的应用程序。
热特性
符号
P
D
R
θJC
R
θJA
TA = 25° C除非另有说明
特征
器件总功耗
减免上述25℃
热阻，结到外壳
热阻，结到环境
MPSA13
625
5.0
83.3
200
最大
*MMBTA13
350
2.8
357
**PZTA13
1,000
8.0
125
单位
mW
毫瓦/°C的
° C / W
° C / W
*
设备安装在FR- 4 PCB 1.6" X 1.6" X 0.06."
**
设备安装在FR- 4 PCB 36毫米×18 x 1.5毫米;安装焊盘的集电极引线分钟。 6厘米
2
.
1997仙童半导体公司
MPSA13 / MMBTA13 / PZTA13
NPN达林顿晶体管
（续）
电气特性
符号
参数
TA = 25° C除非另有说明
测试条件
民
最大
单位
开关特性
V
（ BR ） CES
I
CBO
I
EBO
收藏家-EM伊特尔击穿
电压
集电极截止电流
EM伊特尔，截止电流
I
C
= 100
A,
I
B
= 0
V
CB
= 30 V，I
E
= 0
V
EB
= 10 V，I
C
= 0
30
100
100
V
nA
nA
基本特征*
h
FE
V
CE（
SAT
)
V
BE （
on
)
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
I
C
= 100毫安，我
B
- 0.1毫安
I
C
= 100毫安， V
CE
= 5.0 V
5,000
10,000
1.5
2.0
V
V
小信号特性
f
T
电流增益 - 带宽积
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 10 V,
F = 100 MHz的
125
兆赫
*
脉冲测试：脉冲宽度
300
女士，
占空比
2.0%
TO- 92卷带式数据和包装尺寸
TO-92封装
CON组fi guration ：
图1.0
磁带和卷轴选项
FSCINT标签样本
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
LOT ：
CBVK741B019
HTB ： B
数量：
10000
参见图2.0不同
缫丝样式
NSID ：
PN2222N
产品规格：
D / C1 ：
D9842
SPEC REV ：
QA REV ：
B2
FSCINT
LABEL
（ FSCINT ）
5卷轴元
中级盒
F63TNR
LABEL
定制
LABEL
375毫米X 267毫米X 375毫米
中级盒
F63TNR标签样本
LOT ： CBVK741B019
FSID ： PN222N
D / C1 ： D9842
D / C2 ：
QTY1 ：
QTY2 ：
数量： 2000
产品规格：
SPEC REV ：
CPN ：
N / F： F
定制
LABEL
(F63TNR)3
TO- 92 TNR / AMMO包装INFROMATION
填料
REEL
风格
A
E
弹药
M
P
QUANTITY
2,000
2,000
2,000
2,000
EOL代码
D26Z
D27Z
D74Z
D75Z
弹药盒OPTION
参见图3.0为2弹药
包选项
单位重量
= 0.22克
卷重量组件
= 1.04千克
弹药的重量与分量= 1.02公斤
每间箱= 10000台最大数量
FSCINT
LABEL
327毫米X 158毫米X 135毫米
立即盒
定制
LABEL
5弹药盒每
中级盒
F63TNR
LABEL
333毫米X 231毫米X 183毫米
中级盒
定制
LABEL
（ TO- 92 ）批量包装信息
EOL
CODE
J18Z
J05Z
NO EOL
CODE
描述
TO- 18 OPTION STD
TO- 5 OPTION STD
TO- 92标准
直
LEADCLIP
维
不含铅CLIP
不含铅CLIP
NO LEADCLIP
QUANTITY
2.0 K /盒
1.5 K /盒
2.0 K /盒
BULK选项
请参阅批量包装
信息表
防静电
泡泡表
FSCINT标签
2000个单位
EO70盒
std选项
114毫米X 102毫米X 51毫米
立即盒
5 EO70每个盒子
中级盒
530毫米X 130毫米X 83毫米
中级盒
定制
LABEL
FSCINT标签
最高1万台
每间箱
性病选项
1999年9月，修订版A
TO- 92卷带式数据和封装尺寸，继续
TO- 92缫丝风格
CON组fi guration ：
图2.0
机选“A” （H ）
机选“E” （J ）
款式“A” ， D26Z ， D70Z （ S / H）
风格“E” ， D27Z ， D71Z （ S / H）
TO- 92径向弹药包装
CON组fi guration ：
图3.0
第一网关在集电极
胶带上侧
FLAT晶体管的顶部
第一网OFF为辐射源
胶带上侧
FLAT晶体管是底
ORDER风格
D74Z （M）的
ORDER风格
D75Z （P）的
第一网OFF为发射器（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管是底
第一网关在集电极（ ON PKG 92 ）
胶带，底面
FLAT晶体管的顶部
1999年9月，修订版A
QQ：2880707522 复制
