ST 2SB772T
PNP硅外延功率晶体管
这些器件旨在用于音频应用
高频功率放大器和低速切换
应用
E
C
B
绝对最大额定值（T
a
= 25
O
C)
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极电压
集电极电流 - DC
集电极电流 - 脉冲
1)
基极电流 - DC
总功率耗散@ T
C
= 25
O
C
总功率耗散@ T
A
= 25
O
C
工作和存储结温范围
1)
TO- 126塑料包装
符号
-V
CBO
-V
首席执行官
-V
EBO
-I
C
-I
C
-I
B
P
D
P
D
T
J
, T
s
价值
40
30
5
3
7
0.6
10
1.0
- 65至+ 150
单位
V
V
V
A
A
A
W
W
O
C
PW = 10ms时，占空比
≤
50%
特点在T
a
= 25
O
C
参数
直流电流增益
在-V
CE
= 2 V ， -I
C
= 20毫安
在-V
CE
= 2 V ， -I
C
= 1 A
符号
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
h
FE
-V
（ BR ） CEO
-V
（ BR ） CBO
-V
（ BR ） EBO
-I
CBO
-I
EBO
-V
CE （ SAT ）
-V
BE （ SAT ）
C
O
f
T
分钟。
30
60
100
160
200
30
40
5
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
55
80
马克斯。
-
120
200
320
400
-
-
-
1
1
0.5
2
-
-
单位
-
-
-
-
-
V
V
V
A
A
V
V
pF
兆赫
R
Q
P
E
集电极发射极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
集电极基极击穿电压
在-I
C
= 1毫安
发射极基极击穿电压
在-I
E
= 1毫安
收藏家Cuto FF电流
在-V
CB
= 30 V
发射Cuto FF电流
在-V
EB
= 3 V
集电极 - 发射极饱和电压
在-I
C
= 2 A， -I
B
= 200毫安
基极发射极饱和电压
在-I
C
= 2 A， -I
B
= 200毫安
输出电容
在-V
CB
= 10 V ， F = 1兆赫
电流增益带宽积
在-I
C
= 100毫安， -V
CE
= 5 V
SEMTECH ELECTRONICS LTD 。
（子公司
泰丰国际集团有限公司，公司
在香港联交所上市，股票代码： 724 ）
日期： 25/05/2006
MPSA05 ， MPSA06 ， MPSA55 ，
MPSA56
MPSA06和MPSA56是首选设备
放大器晶体管
电压和电流均为负
对于PNP晶体管
http://onsemi.com
NPN
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
风格1
MPSA05 ， MPSA06
2
BASE
1
辐射源
风格1
MPSA55 ， MPSA56
PNP
集热器
3
NPN
MPSA05 ， MPSA06
PNP
MPSA55 ， MPSA56
标记图
TO92
CASE 29
风格1
MPS
AXXX
YWW
最大额定值
等级
集电极发射极电压
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
集电极基极电压
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗
@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
60
80
V
CBO
60
80
V
EBO
I
C
P
D
625
5.0
P
D
1.5
12
T
J
, T
英镑
-55
+150
瓦
毫瓦/°C的
°C
mW
毫瓦/°C的
4.0
500
VDC
MADC
VDC
价值
单位
VDC
1
2
3
MPSA
xxx
Y
WW
=具体设备守则
= 05 ， 06 ， 55或56
=年
=工作周
订购信息
设备
MPSA05
MPSA05RLRA
MPSA05RLRM
MPSA06
MPSA06RLRA
MPSA06RLRM
MPSA06RLRP
MPSA55
包
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
TO92
航运
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
热特性
特征
热阻，
结到环境
热阻，
结到外壳
符号
R
θJA
（注1 ）
R
θJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
MPSA55RLRA
MPSA56
MPSA56RLRA
MPSA56RLRM
MPSA56RLRP
1. R
qJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年10月 - 第1版
出版订单号：
MPSA05/D
MPSA05 ， MPSA06 ， MPSA55 ， MPSA56
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压（I
E
= 100
μAdc ，
I
C
= 0)
集电极截止电流（V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
V
（ BR ） CEO
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
60
80
4.0
0.1
VDC
μAdc
μAdc
VDC
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
h
FE
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.25
1.2
VDC
VDC
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注3 ）
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 2.0 V，F = 100兆赫）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏， F = 100兆赫）
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
MPSA05
MPSA06
MPSA55
MPSA56
100
50
兆赫
开启时间
1.0 V
V
CC
+40 V
R
L
产量
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
V
in
5.0
mF
关断时间
+V
BB
V
CC
+40 V
100
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
100
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
100
图1.开关时间测试电路
http://onsemi.com
2
MPSA05 ， MPSA06 ， MPSA55 ， MPSA56
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
PNP
100
70
50
100
70
50
30
2.0
30
20
2.0 3.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图2. MPSA05 / 06电流增益 -
带宽积
图3. MPSA55 / 56电流增益 -
带宽积
80
60
40
C，电容（pF ）
C
IBO
20
C，电容（pF ）
T
J
= 25°C
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25°C
10
8.0
6.0
4.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
C
敖包
50
100
10
7.0
5.0
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
C
敖包
50 100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图4. MPSA05 / 06电容
图5. MPSA55 / 56电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
5.0 7.0 10
t
s
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
s
t
f
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20
30
50
70 100
200 300
500
t
f
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20 30
50 70 100
t
r
200 300
500
10
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. MPSA05 / 06开关时间
图7. MPSA55 / 56开关时间
http://onsemi.com
3
MPSA05 ， MPSA06 ， MPSA55 ， MPSA56
NPN
1.0 k
700
500
300
200
T
A
= 25°C
100
70
50
30
20
10
1.0
T
C
= 25°C
100
ms
1.0毫秒
1.0 s
1.0 k
700
500
300
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
1.0 s
200
100
70
50
30
20
10
1.0
PNP
100
ms
1.0毫秒
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPSA05
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MPSA06
20
30
50
70 100
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPSA55
2.0 3.0
5.0 7.0 10
MPSA56
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图8. MPSA05 / 06有源区安全
工作区
400
T
J
= 125°C
V
CE
= 1.0 V
^ h FE ， DC电流增益
25°C
55°C
100
80
60
40
0.5
^ h FE ， DC电流增益
200
200
400
图9. MPSA55 / 56有源区安全
工作区
T
J
= 125°C
V
CE
= 1.0 V
25°C
55°C
100
80
60
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200 300 500
40
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图10. MPSA05 / 06直流电流增益
图11. MPSA55 / 56直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V，电压（V ）
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.8
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图12. MPSA05 / 06 “开”电压
图13. MPSA55 / 56 “开”电压
http://onsemi.com
4
MPSA05 ， MPSA06 ， MPSA55 ， MPSA56
NPN
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
50毫安
0.6
I
C
=
百毫安
I
C
=
250毫安
I
C
=
500毫安
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
-50毫安
I
C
=
-100毫安
I
C
=
= 250毫安
I
C
=
± 500毫安
PNP
0.6
0.4
0.2
0
I
C
=
10毫安
0.4
0.2
I
C
=
= 10毫安
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
B
，基极电流（毫安）
I
B
，基极电流（毫安）
图14. MPSA05 / 06集电极饱和
地区
图15. MPSA55 / 56集电极饱和
地区
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.2
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
0.8
0.8
1.2
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
2.4
2.8
0.5
2.4
2.8
0.5 1.0 2.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图16. MPSA05 / 06基射极
温度COEF网络cient
图17. MPSA55 / 56基射极
温度COEF网络cient
R（T ） ，归一化暂态
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P
（ PK）
t
1
单脉冲
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
Z
θJC
（吨） = R （t）的
R
θJC
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
θJC
(t)
Z
θJA
（吨） = R （t）的
R
θJA
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
Z
θJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T
1
（见AN469 ）
10 k
20 k
50 k 100 k
图18. MPSA05 ， MPSA06 ， MPSA55 MPSA56和热响应
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPSA05 / D
放大器晶体管
集热器
3
2
BASE
NPN
1
辐射源
2
BASE
PNP
1
辐射源
集热器
3
NPN
MPSA05
MPSA06*
PNP
MPSA55
MPSA56*
电压和电流均为负
对于PNP晶体管
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
MPSA05
MPSA55
60
60
4.0
500
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
MPSA06
MPSA56
80
80
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA(1)
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
（ IC = 1.0 MADC ， IB = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 100
μAdc ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
V（ BR ） CEO
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
V（ BR ） EBO
冰
ICBO
—
—
0.1
0.1
60
80
4.0
—
—
—
—
0.1
VDC
μAdc
μAdc
VDC
1. R
q
JA度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
2.脉冲测试：脉冲宽度
300
m
S，占空比
2.0%.
v
v
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = 10 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0 V直流）
的hFE
100
100
VCE （ SAT ）
VBE （ON）的
—
—
—
—
0.25
1.2
VDC
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积（ 3 ）
（ IC = 10 mA时， VCE = 2.0 V，F = 100兆赫）
fT
MPSA05
MPSA06
MPSA55
MPSA56
100
—
兆赫
（ IC = 100 MADC ， VCE = 1.0伏， F = 100兆赫）
50
—
3. fT的被定义为频率在哪些| HFE |外推到统一。
开启时间
–1.0 V
VCC
+40 V
5.0
m
s
+10 V
VIN
0
TR = 3.0纳秒
5.0
m
F
100
5.0
m
s
TR = 3.0纳秒
*测试夹具和连接器共有并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
* CS
RB
100
RL
产量
VIN
关断时间
+ V BB心跳
VCC
+40 V
RL
产量
RB
5.0
m
F
100
* CS
100
t
6.0 pF的
t
6.0 pF的
图1.开关时间测试电路
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
200
VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
VCE = -2.0 V
TJ = 25°C
100
70
50
PNP
100
70
50
30
20
–2.0 –3.0
30
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
–200
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图2. MPSA05 / 06电流增益 -
带宽积
图3. MPSA55 / 56电流增益 -
带宽积
80
60
40
C，电容（pF ）
CIBO
20
C，电容（pF ）
TJ = 25°C
100
70
50
30
20
CIBO
TJ = 25°C
10
8.0
6.0
4.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
科博
50
100
10
7.0
5.0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0
–2.0
–5.0
–10 –20
科博
–50 –100
VR ，反向电压（伏）
VR ，反向电压（伏）
图4. MPSA05 / 06电容
图5. MPSA55 / 56电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
VCC = 40 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
5.0 7.0 10
ts
T， TIME （ NS ）
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
VCC = -40 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
tf
tr
TD @ VBE （关闭） = 0.5 V
20
30
50
70 100
200 300
500
tf
TD @ VBE （关闭） = -0.5 V
–20 –30
–50 –70 –100
tr
–200 –300
–500
10
–5.0 –7.0 –10
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图6. MPSA05 / 06开关时间
图7. MPSA55 / 56开关时间
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
NPN
1.0 k
700
500
300
200
TA = 25°C
100
70
50
30
20
MPSA05
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MPSA06
20
30
50
70 100
TC = 25°C
100
m
s
1.0毫秒
1.0 s
–1.0 k
–700
–500
–300
–200
TA = 25°C
–100
–70
–50
–30
–20
–10
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
TC = 25°C
1.0 s
PNP
100
m
s
1.0毫秒
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPSA55
MPSA56
–20 –30
–50 –70 –100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图8. MPSA05 / 06有源区安全
工作区
400
TJ = 125°C
VCE = 1.0 V
^ h FE ， DC电流增益
25°C
–55°C
100
80
60
40
0.5
^ h FE ， DC电流增益
200
200
400
图9. MPSA55 / 56有源区安全
工作区
TJ = 125°C
VCE = -1.0 V
25°C
–55°C
100
80
60
40
–0.5 –1.0 –2.0
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200 300 500
–5.0 –10
–20
–50
–100 –200
–500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图10. MPSA05 / 06直流电流增益
图11. MPSA55 / 56直流电流增益
1.0
TJ = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
V，电压（V ）
–1.0
TJ = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
0.8
V，电压（V ）
–0.8
0.6
VBE （ ON） @ VCE = 1.0 V
–0.6
VBE （ ON） @ VCE = -1.0 V
0.4
–0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
–0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
–0.5
–1.0 –2.0
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图12. MPSA05 / 06 “开”电压
图13. MPSA55 / 56 “开”电压
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MPSA05 MPSA06 PNP MPSA55 MPSA56
NPN
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
TJ = 25°C
0.8
IC =
50毫安
0.6
IC =
百毫安
IC =
250毫安
IC =
500毫安
–1.0
TJ = 25°C
–0.8
IC =
-50毫安
–0.6
IC =
-100毫安
IC =
= 250毫安
IC =
± 500毫安
PNP
0.4
IC =
10毫安
–0.4
IC =
= 10毫安
0.2
0
–0.2
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
–0.05 –0.1 –0.2
–0.5
–1.0
–2.0
–5.0
–10
–20
–50
IC ，集电极电流（毫安）
IB ，基极电流（毫安）
图14. MPSA05 / 06集电极饱和
地区
图15. MPSA55 / 56集电极饱和
地区
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
–1.2
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
–0.8
–0.8
–1.2
–1.6
R
q
VB的VBE
–1.6
R
q
VB的VBE
–2.0
–2.0
–2.4
–2.8
0.5
–2.4
–2.8
–0.5 –1.0 –2.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
–5.0
–10
–20
–50
–100 –200
–500
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图16. MPSA05 / 06基射极
温度COEF网络cient
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
500
图17. MPSA55 / 56基射极
温度COEF网络cient
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P（ PK）
t1
单脉冲
t2
占空比D = T1 / T2
1.0 k
2.0 k
5.0 k
Z
θJC
（吨） = R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC
(t)
Z
θJA
（吨） = R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T1
（见AN469 ）
10 k
20 k
50 k
100 k
R（T ） ，归一化暂态
热阻
图18. MPSA05 ， MPSA06 ， MPSA55 MPSA56和热响应
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
商标
下面的注册和未注册商标飞兆半导体拥有或有权使用，不
旨在成为所有此类商标的详尽清单。
ACEX
FACT
ActiveArray
FACT静音系列
深不见底
快
FASTr
CoolFET
CROSSVOLT
FRFET
GlobalOptoisolator
DOME
EcoSPARK
GTO
2
CMOS
E
HiSeC
Ensigna
I
2
C
一刀切。周围的世界。
电源特许经营
可编程有源下垂
放弃
ImpliedDisconnect
等平面
LittleFET
的MicroFET
采用MicroPak
MICROWIRE
MSX
MSXPro
OCX
OCXPro
OPTOLOGIC
OPTOPLANAR
吃豆
POP
Power247
的PowerTrench
QFET
QS
QT光电
静音系列
RapidConfigure
RapidConnect
SILENT SWITCHER
SMART START
SPM
隐形
SuperSOT-3
SuperSOT-6
SuperSOT-8
SyncFET
TinyLogic
TruTranslation
UHC
UltraFET
VCX
飞兆半导体公司保留随时修改而不任何进一步通知的权利
产品中，为了提高可靠性，功能或设计。 FAIRCHILD不承担任何
责任所产生的应用或使用任何产品或电路此处所述的成本;
它也没有传达根据其专利权的任何执照，也没有他人的权利。
生命支持政策
飞兆半导体的产品不得用于生命支持的关键部件
设备或系统，而无需FAIRCHILD半导体的明确书面批准
公司。
如本文所用：
1.生命支持设备或系统的设备或系统
其中， （ a）打算通过外科手术移植到体内，
或（b ）支持或维持生命，或（c ）其不履行
如果使用得当按照使用说明
提供的标签，可以合理预期
造成显著伤害到用户。
2.关键部件是在生命支持任何组件
设备或系统，其未能履行可
合理预期造成的生命支持故障
装置或系统，或影响其安全性或有效性。
产品状态定义
条款的德网络nition
数据表标识
超前信息
产品状态
阶段或
设计
一是生产
德网络nition
该数据表包含了设计规范
产品开发。特定网络阳离子可改变
恕不另行通知方式。
该数据表包含的初步数据，和
补充资料将在晚些时候公布。
飞兆半导体保留做出正确的
在任何时候，恕不另行通知，以提高变化
设计。
该数据表包含最终规格。飞兆半导体
半导体公司保留在作出变更的权利
恕不另行通知，以便随时改进设计。
该数据表包含在产品规格
已经停产了仙童半导体公司。
数据表打印仅供参考信息。
初步
没有Identi网络所需的阳离子
满负荷生产
过时的
不在生产中
2002仙童半导体公司
牧师I1
NPN - MPSA05 ， MPSA06 * ;
PNP - MPSA55 ， MPSA56 *
*首选设备
放大器晶体管
电压和电流均为负
对于PNP晶体管
http://onsemi.com
特点
NPN
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
2
BASE
1
辐射源
PNP
集热器
3
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
集电极基极电压
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
60
80
V
CBO
60
80
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
4.0
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
VDC
MADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
VDC
价值
单位
VDC
TO92
CASE 29
风格1
12
1
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
热特性
特征
热阻，结到环境
（注1 ）
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. R
qJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
MPS
AXX
AYWW
G
G
xx
= 05 ， 06 ， 55 ，或56
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2007年4月 - 第3版
出版订单号：
MPSA05/D
NPN - MPSA05 ， MPSA06 * ; PNP - MPSA55 ， MPSA56 *
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 100
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积（注3 ）
(I
C
= 10 mA时， V
CE
= 2.0 V，F = 100兆赫）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏， F = 100兆赫）
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
2%.
3. f
T
被定义为频率在哪些| H
fe
|推断团结。
f
T
MPSA05
MPSA06
MPSA55
MPSA56
100
50
兆赫
h
FE
100
100
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.25
1.2
VDC
VDC
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
V
（ BR ） CEO
MPSA05 ， MPSA55
MPSA06 ， MPSA56
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
60
80
4.0
0.1
VDC
MADC
MADC
VDC
符号
民
最大
单位
开启时间
1.0 V
V
CC
+40 V
R
L
产量
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
V
in
5.0
mF
关断时间
+V
BB
V
CC
+40 V
100
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
100
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
100
*测试夹具总并联电容和连接器适用于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图1.开关时间测试电路
http://onsemi.com
2
NPN - MPSA05 ， MPSA06 * ; PNP - MPSA55 ， MPSA56 *
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
200
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
PNP
100
70
50
100
70
50
30
2.0
30
20
2.0 3.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50
70 100
200
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图2. MPSA05 / 06电流增益 -
带宽积
图3. MPSA55 / 56电流增益 -
带宽积
80
60
40
C，电容（pF ）
C
IBO
20
C，电容（pF ）
T
J
= 25°C
100
70
50
30
20
C
IBO
T
J
= 25°C
10
8.0
6.0
4.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
C
敖包
50
100
10
7.0
5.0
0.1 0.2
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
C
敖包
50 100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图4. MPSA05 / 06电容
图5. MPSA55 / 56电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
5.0 7.0 10
t
s
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
s
t
f
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20
30
50
70 100
200 300
500
t
f
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
20 30
50 70 100
t
r
200 300
500
10
5.0 7.0 10
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图6. MPSA05 / 06开关时间
图7. MPSA55 / 56开关时间
http://onsemi.com
3
NPN - MPSA05 ， MPSA06 * ; PNP - MPSA55 ， MPSA56 *
NPN
1.0 k
700
500
300
200
T
A
= 25°C
100
70
50
30
20
10
1.0
T
C
= 25°C
100
ms
1.0毫秒
1.0 s
1.0 k
700
500
300
200
T
A
= 25°C
100
70
50
30
20
10
1.0
T
C
= 25°C
1.0 s
PNP
100
ms
1.0毫秒
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPSA05
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MPSA06
20
30
50
70 100
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPSA55
2.0 3.0
5.0 7.0 10
MPSA56
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图8. MPSA05 / 06有源区安全
工作区
400
T
J
= 125°C
V
CE
= 1.0 V
^ h FE ， DC电流增益
25°C
55°C
100
80
60
40
0.5
^ h FE ， DC电流增益
200
200
400
图9. MPSA55 / 56有源区安全
工作区
T
J
= 125°C
V
CE
= 1.0 V
25°C
55°C
100
80
60
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100
200 300 500
40
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图10. MPSA05 / 06直流电流增益
图11. MPSA55 / 56直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V，电压（V ）
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.8
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图12. MPSA05 / 06 “开”电压
图13. MPSA55 / 56 “开”电压
http://onsemi.com
4
NPN - MPSA05 ， MPSA06 * ; PNP - MPSA55 ， MPSA56 *
NPN
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
50毫安
0.6
I
C
=
百毫安
I
C
=
250毫安
I
C
=
500毫安
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
=
-50毫安
I
C
=
-100毫安
I
C
=
= 250毫安
I
C
=
± 500毫安
PNP
0.6
0.4
0.2
0
I
C
=
10毫安
0.4
0.2
I
C
=
= 10毫安
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
0
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
I
B
，基极电流（毫安）
I
B
，基极电流（毫安）
图14. MPSA05 / 06集电极饱和
地区
图15. MPSA55 / 56集电极饱和
地区
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.2
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
0.8
0.8
1.2
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
1.6
2.0
R
QVB
对于V
BE
2.4
2.8
0.5
2.4
2.8
0.5 1.0 2.0
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
500
5.0
10
20
50
100 200
500
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图16. MPSA05 / 06基射极
温度COEF网络cient
图17. MPSA55 / 56基射极
温度COEF网络cient
R（T ） ，归一化暂态
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P
（ PK）
t
1
单脉冲
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
Z
QJC
（吨） = R （t）的
R
QJC
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC
(t)
Z
qJA
（吨） = R （t）的
R
qJA
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
Z
qJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T
1
（见AN469 ）
10 k
20 k
50 k 100 k
图18. MPSA05 ， MPSA06 ， MPSA55 MPSA56和热响应
http://onsemi.com
5
MPSA05 MPSA06 ...
MPSA05 MPSA06 ...
NPN
版本2006-07-25
功耗
Verlustleistung
ê BC
通用硅外延PlanarTransistors
硅外延平面- Transistoren献给universellen Einsatz
NPN
625毫瓦
TO-92
(10D3)
0.18 g
16
塑料外壳
Kunststoffgehuse
重量约。 - Gewicht约
18
9
塑料材料具有UL分类94V- 0
Gehusematerial UL94V- 0 klassifiziert
标准包装录音中的弹药盒
在弹药，包装标准Lieferform gegurtet
2 x 2.54
尺寸 - 集体[MM ]
最大额定值（T
A
= 25°C)
集电极 - 发射极电压。 - Kollektor发射极 - Spannung
集电极 - 基极电压 - Kollektor个基本Spannung
发射极基极电压 - 发射极 - 基 - Spannung
功耗 - Verlustleistung
集电极电流 - Kollektorstrom （ DC ）
峰值集电极电流 - Kollektor - Spitzenstrom
结温 - Sperrschichttemperatur
储存温度 - Lagerungstemperatur
B开
ê开放
c打开
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
P
合计
I
C
I
CM
T
j
T
S
Grenzwerte （T
A
= 25°C)
MPSA05
60 V
60 V
4V
625毫瓦
1
)
500毫安
1A
-55...+150°C
-55…+150°C
MPSA06
80 V
80 V
特性（T
j
= 25°C)
分钟。
直流电流增益 - Kollektor个基本Stromverhltnis
2
)
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1 V
I
C
= 100毫安，我
B
= 10毫安
基射极电压 - 基射极Spannung
2
)
I
C
= 100毫安， V
CE
= 1 V
集电极 - 基极截止电流 - Kollektor个基本Reststrom
V
CB
= 60 V ， （E打开）
V
CB
= 80 V， （E打开）
MPSA05
MPSA06
I
CBO
I
CBO
–
–
V
BE
–
h
FE
h
FE
V
CESAT
100
100
–
Kennwerte （T
j
= 25°C)
典型值。
–
–
–
–
–
–
马克斯。
–
–
0.25 V
1.2 V
100 nA的
100 nA的
集电极 - 发射极饱和电压 - Kollektor发射极 - Sttigungsspg 。
2
)
1
2
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrhte在2毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
测试了脉冲吨
p
= 300微秒，占空比
≤
2 ％ - Gemessen MIT Impulsen吨
p
= 300微秒， Schaltverhltnis
≤
2%
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
1
MPSA05 MPSA06 ...
特性（T
j
= 25°C)
发射基截止电流 - 发射极 - 基 - Reststrom
V
EB
= 4 V， （C打开）
增益带宽积 - Transitfrequenz
I
C
= 10 mA时， V
CE
= 2 V ， F = 100 MHz的
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
推荐互补PNP晶体管
Empfohlene komplementre PNP - Transistoren
f
T
R
THA
100兆赫
–
< 200 K / W
1
)
MPSA55 ， MPSA56
–
I
EB0
–
–
100 nA的
Kennwerte （ TJ = 25 ° C）
分钟。
典型值。
马克斯。
120
[%]
100
80
60
40
20
P
合计
0
0
T
A
50
100
150
[°C]
功耗与环境温度
1
)
Verlustleistung在ABH 。冯 。 Umgebungstemp 。
1
)
1
有效的，如果引线被保持在环境温度下从壳体的距离为2毫米
Gültig德恩死Anschlussdrhte在2毫米Abstand VOM Gehuse奥夫Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
德欧泰克半导体公司
2
UTC MPSA05 / 55
NPN MPSA05
PNP MPSA55
特点
*集电极 - 发射极电压： V
首席执行官
=60V
*集电极耗散：P
D
=625mW
晶体管放大器
1
TO-92
1 ：发射器
2 ：基本
3 ：收藏家
绝对最大额定值
(T
A
= 25 ℃，除非另有规定）
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗， @T
A
=25°C
减免上述25℃
器件总功耗， @T
C
=25°C
减免上述25℃
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
Ic
P
D
P
D
T
j
T
英镑
等级
60
60
4
500
625
5
1500
12
-55 ~ +150
-55 ~ +150
单位
V
V
V
mA
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
°C
热特性
参数
符号
最大
单位
° C / W
° C / W
热阻，结到环境
R
θJA
（注）
200
热阻，结到外壳
R
θJC
83.3
注释：R
θJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
电气特性
（ TA = 25℃ ，除非另有规定）
参数
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
（注1 ）
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
收藏家Cuto FF电流
符号
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
测试条件
I
C
= 1.0毫安，我
B
=0
I
E
= 100μA ， IC = 0
V
CE
= 60V ，我
B
=0
V
CB
= 60V ，我
E
=0
民
60
4
典型值
最大
单位
V
V
A
A
0.1
0.1
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
1
QW-R201-034,A
UTC MPSA05 / 55
参数
基本特征
直流电流增益
集电极 - 发射极饱和电压
基射极电压上
小信号特性
电流增益带宽积
（注2 ）
晶体管放大器
符号
h
FE
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
f
T
测试条件
I
C
= 10毫安，V
CE
=1V
I
C
= 100mA时V
CE
=1V
I
C
= 100mA时我
B
=10mA
I
C
= 100mA时V
CE
=1V
MPSA05 ：
I
C
= 10毫安，V
CE
= 2V ， F = 100MHz的
MPSA55 ：
I
C
= 100mA时V
CE
= 1V ， F = 100MHz的
民
100
100
典型值
最大
单位
0.25
1.2
V
V
100
50
兆赫
兆赫
注1 ：脉冲测试： PW< = 300μS ，占空比Cycle< = 2 ％
注2 ：F
T
被定义为IhfeI外推，以统一的频率。
开关时间测试电路
图1
（注：测试夹具和连接器PNP测试电路的总并联电容，反向各电压极性）。
MPSA05
MPSA55
电流增益带宽积
图2
科幻gure 3
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
2
QW-R201-034,A
UTC MPSA05 / 55
MPSA05
晶体管放大器
MPSA55
电容
图4
图5
开关时间
图6
图7
有源区的安全工作区
图8
图9
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
3
QW-R201-034,A
UTC MPSA05 / 55
MPSA05
晶体管放大器
MPSA55
直流电流增益
图10
图11
“开”电压
图12
图13
集电极饱和区
图14
图15
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
4
QW-R201-034,A
UTC MPSA05 / 55
MPSA05
晶体管放大器
MPSA55
基射极温度系数
图16
图17
热响应
图18
UTC不承担由于使用产品价值的设备故障不承担责任的原则
超越，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作环境范围或
其他参数）的任何产品规格及所有UTC产品上市的描述或包含
在本文中。 UTC产品并非设计用于生命支持设备，装置或系统中使用
这些产品的故障可合理预期会导致人身伤害。再现
不得全部或部分未经版权所有人的事先书面同意。信息
本文件并不构成任何报价或合同的一部分提出的，被认为是准确的
可靠，可恕不另行通知。
世界标准时间
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 ， LTD 。
5
QW-R201-034,A
QQ：2880707522 复制
