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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第1486页 > MPS8599RLRAG
NPN - MPS8099 ; PNP -
MPS8599
首选设备
放大器晶体管
电压和电流均为负
对于PNP晶体管
http://onsemi.com
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
80
80
4.0
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
NPN
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
2
BASE
PNP
集热器
3
1
辐射源
TO92
CASE 29
风格1
12
1
热特性
特征
热阻，结到环境
（注1 ）
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. R
qJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
MPS
8x99
AYWW
G
G
x
= 0或5
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2007年4月 - 修订版0
出版订单号：
MPS8099/D
NPN - MPS8099 ; PNP - MPS8599
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
f
T
150
C
敖包
C
IBO
30
8.0
pF
pF
兆赫
h
FE
100
100
75
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.8
0.4
0.3
VDC
300
VDC
V
（ BR ） CEO
80
V
（ BR ） CBO
80
V
（ BR ） EBO
5.0
I
CES
I
CBO
I
EBO
0.1
0.1
MADC
0.1
MADC
MADC
VDC
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
NPN - MPS8099 ; PNP - MPS8599
订购信息
设备
MPS8099
MPS8099G
MPS8099RLRA
MPS8099RLRAG
MPS8099RLRP
MPS8099RLRPG
MPS8599RLRA
MPS8599RLRAG
MPS8599RLRMG
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
R（T ） ，归一化暂态
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P
（ PK）
t
1
单脉冲
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
Z
QJC
（吨） = R （t）的
R
QJC
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC
(t)
Z
qJA
（吨） = R （t）的
R
qJA
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
Z
qJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T
1
（见AN469 ）
10 k
20 k
50 k 100 k
图1.热响应
开启时间
1.0 V
V
CC
+40 V
R
L
产量
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
V
in
5.0
mF
关断时间
+V
BB
V
CC
+40 V
100
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
100
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
100
*测试夹具总并联电容和连接器适用于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图2.开关时间测试电路
http://onsemi.com
3
NPN - MPS8099 ; PNP - MPS8599
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
200
5.0 V
V
CE
= 1.0 V
100
70
50
30
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
5.0 V
V
CE
= 1.0 V
200
PNP
100
70
50
30
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.电流增益 - 带宽积
图4.电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
20
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
C
IBO
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
40
25°C
TT
J
==25°C
J
20
C
IBO
10
8.0
6.0
C
敖包
4.0
2.0
0.1 0.2
C
敖包
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
50 100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图5.电容
图6.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
s
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
200
t
s
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
f
t
f
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
10
10
20
30
50
70
100
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
10
20
30
50
70
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.开关时间
图8.开关时间
http://onsemi.com
4
NPN - MPS8099 ; PNP - MPS8599
NPN
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
PNP
I C ，集电极电流（毫安）
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
占空比
≤
10%
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MPS8098
MPS8099
20
30
50
70 100
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS8598
占空比
≤
10%
MPS8599
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图9.有源区安全工作区
图10.有源区安全工作区
400
T
J
= 125°C
^ h FE ， DC电流增益
200
55°C
^ h FE ， DC电流增益
25°C
300
T
J
= 125°C
200
25°C
100
70
50
55°C
V
CE
= 5.0 V
100
80
60
40
0.2 0.3 0.5
V
CE
= 5.0 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200
30
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.直流电流增益
图12.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.8
V，电压（V ）
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13为“ON”电压
http://onsemi.com
5
图14为“ON”电压
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ，
（ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
*首选设备
放大器晶体管
电压和电流均为负
对于PNP晶体管
http://onsemi.com
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
集电极基极电压
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
60
80
V
CBO
60
80
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
4.0
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
VDC
价值
单位
VDC
NPN
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
风格1
MPS8098,
MPS8099
2
BASE
PNP
集热器
3
1
辐射源
风格1
MPS8598,
MPS8599
1
2
3
TO92
CASE 29-11
风格1
热特性
特征
热阻，结到环境
（注1 ）
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
MPS
8x9y
AYWW
G
G
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. R
qJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
MPS8x9y =器件代码
X = 0或5
Y = 8或9的
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年1月 - 修订版5
出版订单号：
MPS8098/D
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ， （ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏，我
C
= 0)
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k 100 k
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
C
IBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
25
30
f
T
C
敖包
6.0
8.0
pF
150
兆赫
pF
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
h
FE
100
100
75
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.5
0.6
0.7
0.8
0.4
0.3
VDC
300
VDC
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
I
EBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
0.1
0.1
V
（ BR ） CEO
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
V
（ BR ） CBO
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
V
（ BR ） EBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
MADC
6.0
5.0
0.1
MADC
MADC
60
80
VDC
60
80
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P
（ PK）
t
1
单脉冲
t
2
占空比D = T
1
/t
2
Z
QJC
（吨） = R （t）的
R
QJC
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC
(t)
Z
qJA
（吨） = R （t）的
R
qJA
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
Z
qJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T
1
（见AN469 ）
R（T ） ，归一化暂态
热阻
图1. MPS8098 ， MPS8099 ， MPS8598和MPS8599热响应
http://onsemi.com
2
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ， （ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
开启时间
1.0 V
V
CC
+40 V
R
L
产量
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
*测试夹具总并联电容和连接器适用于PNP测试电路，所有的反向电压极性
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
V
in
5.0
mF
100
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
关断时间
+V
BB
V
CC
+40 V
100
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
100
图2.开关时间测试电路
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
200
5.0 V
V
CE
= 1.0 V
100
70
50
30
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
200
PNP
5.0 V
V
CE
= 1.0 V
100
70
50
30
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3. MPS8098 / 99电流增益 -
带宽积
图4. MPS8598 / 99电流增益 -
带宽积
40
T
J
= 25°C
20
C
IBO
10
8.0
6.0
4.0
2.0
40
25°C
TT
J
==25°C
J
20
C
IBO
10
8.0
6.0
C
敖包
4.0
2.0
0.1 0.2
C，电容（pF ）
C
敖包
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
C，电容（pF ）
0.5 1.0 2.0
5.0
10 20
50 100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图5. MPS8098 / 99电容
http://onsemi.com
3
图6. MPS8598 / 99电容
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ， （ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
NPN
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
10
10
20
30
50
70
100
t
r
200
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
10
20
30
50
70
100
200
t
f
PNP
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
s
t
s
t
f
t
r
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7. MPS8098 / 99开关时间
图8. MPS8598 / 99开关时间
I C ，集电极电流（毫安）
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
2.0
I C ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
电流限制
热限制
第二击穿极限
占空比
≤
10%
3.0
5.0 7.0 10
MPS8098
MPS8099
20
30
50
70 100
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS8598
占空比
≤
10%
MPS8599
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图9. MPS8098 / 99有源区安全
工作区
图10. MPS8598 / 99有源区安全
工作区
400
T
J
= 125°C
^ h FE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
55°C
300
T
J
= 125°C
200
25°C
100
70
50
55°C
V
CE
= 5.0 V
100
80
60
40
V
CE
= 5.0 V
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200
30
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11. MPS8098 / 99直流电流增益
图12. MPS8598 / 99直流电流增益
http://onsemi.com
4
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ， （ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
NPN
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
PNP
0.8
V，电压（V ）
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13. MPS8098 / 99 “开”电压
图14. MPS8598 / 99 “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
I
C
=
20毫安
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏特
T
J
= 25°C
I
C
=
200毫安
2.0
I
C
=
10毫安
I
C
=
20毫安
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
I
C
=
200毫安
1.6
1.6
1.2
1.2
0.8
0.4
0.8
0.4
T
J
= 25°C
0
0.05 0.1
0.02
I
C
=
10毫安
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0
0.02
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
I
B
，基极电流（毫安）
I
B
，基极电流（毫安）
图15. MPS8098 / 99集电极饱和区
图16. MPS8598 / 99集电极饱和区
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.4
1.8
R
QVB
对于V
BE
2.2
-55 ° C至125°C
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
1.0
1.4
1.8
2.2
R
QVB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
2.6
3.0
2.6
3.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图17. MPS8098 / 99基射极
温度COEF网络cient
图18. MPS8598 / 99基射极
温度COEF网络cient
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5
NPN - MPS8099 ; PNP -
MPS8599
首选设备
放大器晶体管
电压和电流均为负
对于PNP晶体管
http://onsemi.com
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
集热器
：辐射源
电压
集热器
： BASE
电压
辐射源
： BASE
电压
集电极电流
连续
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
80
80
5.0
500
625
5.0
1.5
12
55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
NPN
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
2
BASE
PNP
集热器
3
1
辐射源
TO92
CASE 29
风格1
12
1
2
热特性
特征
热阻，结到环境
（注1 ）
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. R
qJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
MPS
8x99
AYWW
G
G
x
= 0或5
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2008年
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
2008年12月，
第1版
1
出版订单号：
MPS8099/D
NPN
MPS8099 ; PNP
MPS8599
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集热器
：辐射源
击穿电压（注2 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集热器
： BASE
击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
辐射源
： BASE
击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集热器
：辐射源
饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
当前
- 获得 -
带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
f
T
C
敖包
C
IBO
150
8.0
30
兆赫
pF
pF
h
FE
100
100
75
0.6
300
0.4
0.3
0.8
V
（ BR ） CEO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） EBO
I
CES
I
CBO
I
EBO
80
80
5.0
0.1
0.1
0.1
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
MADC
符号
民
最大
单位
V
CE （ SAT ）
VDC
V
BE（上）
VDC
http://onsemi.com
2
NPN
MPS8099 ; PNP
MPS8599
订购信息
设备
MPS8099G
MPS8099RLRAG
MPS8099RLRP
MPS8099RLRPG
MPS8599RLRAG
MPS8599RLRMG
包
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
R（T ） ，归一化暂态
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P
（ PK）
t
1
单脉冲
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
Z
QJC
（吨） = R （t）的
R
QJC
T
J（下PK）
- T
C
= P
（ PK）
Z
QJC
(t)
Z
qJA
（吨） = R （t）的
R
qJA
T
J（下PK）
- T
A
= P
（ PK）
Z
qJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T
1
（见AN469 ）
10 k
20 k
50 k 100 k
图1.热响应
开启时间
-1.0 V
V
CC
+40 V
5.0
ms
+10 V
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
100
R
L
产量
V
in
5.0
mF
打开-O FF时间
+V
BB
V
CC
+40 V
100
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
100
R
L
产量
*测试夹具总并联电容和连接器适用于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图2.开关时间测试电路
http://onsemi.com
3
NPN
MPS8099 ; PNP
MPS8599
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
200
5.0 V
V
CE
= 1.0 V
100
70
50
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
200
-5.0 V
V
CE
= -1.0 V
100
70
50
PNP
30
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
30
-1.0
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70 -100
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.电流增益
带宽积
图4.电流增益
带宽积
40
T
J
= 25°C
20
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
C
IBO
10
8.0
6.0
4.0
C
敖包
2.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
40
25°C
TT
J
==25°C
J
20
C
IBO
10
8.0
6.0
C
敖包
4.0
2.0
-0.1 -0.2
-0.5 -1.0 -2.0
-5.0
-10 -20
-50 -100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图5.电容
图6.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
s
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
t
s
V
CC
= -40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
f
t
f
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
10
10
20
30
50
70
100
t
r
200
20
10
-10
t
d
@ V
BE （OFF）的
= -0.5 V
-20
-30
-50
-70
-100
-200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.开关时间
图8.开关时间
http://onsemi.com
4
NPN
MPS8099 ; PNP
MPS8599
NPN
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
占空比
≤
10%
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
-1.0 k
-700
-500
-300
-200
-100
-70
-50
-30
-20
-10
50
70 100
-1.0
PNP
I C ，集电极电流（毫安）
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS8098
MPS8099
20
30
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS8598
占空比
≤
10%
MPS8599
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70 -100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图9.有源区安全工作区
图10.有源区安全工作区
400
T
J
= 125°C
^ h FE ， DC电流增益
200
-55°C
^ h FE ， DC电流增益
25°C
300
T
J
= 125°C
200
25°C
100
70
50
-55°C
V
CE
= -5.0 V
100
80
60
40
0.2 0.3 0.5
V
CE
= 5.0 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200
30
-0.2
-0.5
-1.0 -2.0
-5.0
-10
-20
-50 -100 -200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.直流电流增益
图12.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.8
V，电压（V ）
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13为“ON”电压
http://onsemi.com
5
图14为“ON”电压
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MC1GU016NCYC-0QC00
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MSK181Z
M27C256B-10XN7X
MX29F040CTI-55G
MI-L7T-IV
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