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半导体
技术参数
高电流应用。
特征
·补充
到MPS8050 。
B
MPS8550
外延平面PNP晶体管
C
A
N
最大额定值（ TA = 25 ℃ ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
*铜引线框架： 625mW
铁引线框架：为400mW
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
-40
-25
-6
-1.5
625
mW
400
150
-55½150
℃
℃
单位
V
V
V
A
L
K
D
G
E
H
F
F
M
1
2
3
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.基
3.收集
TO-92
电气特性（Ta = 25℃）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
直流电流增益
h
FE
（2）（注）
h
FE
(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
（2）分类
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= -35V ，我
E
=0
V
EB
= -6V ，我
C
=0
I
C
=-100μ I
E
=0
A,
I
C
= -2mA ，我
B
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-5mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-800mA
I
C
= -800mA ，我
B
=-80mA
I
C
= -800mA ，我
B
=-80mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-50mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz时，我
E
=0
分钟。
-
-
-40
-25
45
85
40
-
-
-
100
-
典型值。
-
-
-
-
170
160
80
-0.28
-0.98
-0.66
200
15
马克斯。
-100
-100
-
-
-
300
-
-0.5
-1.2
-1.0
-
-
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
V
B:85½160 , C : 120½200 , D : 160½300
2010. 6. 10
版本号： 3
1/2
MPS8550
I
C
- V
CE
-0.5
集电极电流I（A ）
C
I
B
=-4.0mA
I
B
=-3.0mA
h
FE
- I
C
1000
直流电流增益
FE
I
B
=-3.5mA
I
B
=-2.5mA
I
B
=-2.0mA
I
B
=-1.5mA
I
B
=-1.0mA
V
CE
=-1V
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
100
I
B
=-0.5mA
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
10
0.1
1
10
100
1000
10000
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
I
C
- V
BE
集电极电流I
C
（MA ）
-100
-50
-30
-10
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
V
CE
=-1V
V
BE （ SAT ） ，
V
CE （ SAT ）
- I
C
10000
饱和电压
V
BE （ SAT ） ，
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
V
BE
（SAT）
I
C
=10I
B
1000
100
V
CE
（SAT）
10
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
1
0.1
1
10
100
1000
10000
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
- I
C
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
过渡频率f
T
（兆赫）
300
V
CE
=-10V
C
ob
- V
CB
100
50
30
f=1MHz
I
E
=0
100
50
30
10
5
3
10
1
-1
-3
-5
-10
-30
-50
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
-1
-3 -5
-10
-30 -50 -100
-300
集电极电流I
C
（MA ）
2010. 6. 10
版本号： 3
2/2
半导体
技术参数
高电流应用。
特征
补充MPS8050 。
B
MPS8550
外延平面PNP晶体管
C
A
N
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
T
j
T
英镑
等级
-40
-25
-6
-1.5
625
150
-55
150
单位
V
V
V
A
L
K
D
E
G
H
F
F
1
2
3
mW
M
C
暗淡
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
MILLIMETERS
4.70 MAX
4.80 MAX
3.70 MAX
0.45
1.00
1.27
0.85
0.45
_
14.00 + 0.50
0.55最大
2.30
0.45最大
1.00
J
1.发射器
2.基
3.收集
TO-92
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
直流电流增益
h
FE
（2）（注）
h
FE
(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
（2）分类
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= -35V ，我
E
=0
V
EB
= -6V ，我
C
=0
I
C
= -100 A，I
E
=0
I
C
= -2mA ，我
B
=0
V
CE
= -1V ，我
C
=-5mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-100mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-800mA
I
C
= -800mA ，我
B
=-80mA
I
C
= -800mA ，我
B
=-80mA
V
CE
= -1V ，我
C
=-10mA
V
CE
= -10V ，我
C
=-50mA
V
CB
= -10V ， F = 1MHz时，我
E
=0
300
分钟。
-
-
-40
-25
45
85
40
-
-
-
100
-
典型值。
-
-
-
-
170
160
80
-0.28
-0.98
-0.66
200
15
马克斯。
-100
-100
-
-
-
300
-
-0.5
-1.2
-1.0
-
-
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
V
B： 85 160 ，C ： 120 200 ， D： 160
1999. 10. 25
版本号： 1
1/2
MPS8550
I
C
- V
CE
-0.5
集电极电流I
C
（MA ）
I
B
=-4.0mA
h
FE
- I
C
1k
直流电流增益
FE
I
B
=-3.5mA
I
B
=-3.0mA
I
B
=-2.5mA
I
B
=-2.0mA
I
B
=-1.5mA
I
B
=-1.0mA
V
CE
=-1V
-0.4
-0.3
-0.2
-0.1
0
500
300
100
50
30
I
B
=-0.5mA
0
-0.4
-0.8
-1.2
-1.6
-2.0
10
-0.1
-0.3
-1
-3
-10
-30
-100
-300 -1K
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
I
C
- V
BE
集电极电流I
C
（MA ）
-100
-50
-30
-10
-5
-3
-1
-0.5
-0.3
-0.1
0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE
=-1V
V
BE （ SAT ） ，
V
CE （ SAT ）
- I
C
-5k
-3k
饱和电压
V
BE （ SAT ） ，
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
-1k
-500
-300
-100
-50
-30
-10
-0.1
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
C
=10I
B
-0.3
-1
-3
-10
-30 -100 -300 -1K
集电极电流I
C
（MA ）
f
T
- I
C
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
过渡频率f
T
（兆赫）
300
100
50
30
V
CE
=-10V
C
ob
- V
CB
f=1MHz
I
E
=0
100
50
30
10
5
3
10
-1
-3 -5
-10
-30 -50 -100
-300
集电极电流I
C
（MA ）
1
-1
-3
-5
-10
-30
-50
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
1999. 10. 25
版本号： 1
2/2
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M29W512B90K1T
M28010-10KA1T
MI-P2K-IAX
MAX6479BL17AD4-T
MAX6732UTVDD4-T
M5LV-320/74-12YC
MI-P22V-IXY
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MPS8550
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市集创讯科技有限公司
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电话：0755-83244680/82865294
联系人：吴小姐
地址：深圳市福田区华强北电子科技大厦A座36楼C09室
MPS8550
MOTOROLA/摩托罗拉
24+
16500
TRTO-92
原装进口正品现货，只做原装，长期供货
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
MPS8550
KEC
2443+
23000
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MPS8550
KEC
24+
18650
TO-92
全新原装现货，原厂代理。
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MPS8550
KEC
21+22+
62710
TO-92
原装正品
深圳市芯福林电子科技有限公司
QQ：
电话：0755-82574045
联系人：张女士
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格广场66楼6608B
MPS8550
KEC
12+
1660000
TO-92
原装正品，支持实单
上海熠富电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：892174007 复制 点击这里给我发消息 QQ：2300949663 复制 点击这里给我发消息 QQ：2719079875 复制

电话：15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人：销售部
地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
MPS8550
2024
41186
TO-92
原装现货上海库存！专营进口元件
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MPS8550
KEC
22+
32570
全新原装正品/质量有保证
深圳市华斯顿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777607/83777708/82799993
联系人：销售部1部
地址：美驻深办公室:广东省深圳市福田区上步工业区201栋4楼A18室/分公司:深圳市福田区华强北深纺大厦C座西7楼,展销柜:深圳市福田区华强北新亚洲电子城3B047柜,分展销柜:湖南省桂阳和平杉林下展销柜
MPS8550
KEC
25+23+
37451
TO-92
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒
北京首天伟业科技有限公司
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MPS8550
KEC
14+
672200
SOT23
全新原装正品/质量有保证
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
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