分立半导体元件的迷你尺寸
二极管
整流器器
肖特基SOD- 723 / SOD- 523 / SOD- 323
TO- 252 / TO263
SOT - 23-6 / TSSOP - 8 / SOP- 8
微型MELF / MELF
SMA / SMB / SMC
开关SOT - 523 / SOT - 323 / SOT -23
桥（单相/三相）
RF（低电容） &变容二极管
SOT-323
SOT-23
的TO- 252 / TO-263 / TO-220 / TO-3P
TSSOP - 8 / SOP- 8
开关稳压器/充电器泵
的DC-DC转换器/ PWM IC
升压/降压（升压/降压）
LDO稳压器
超LDO稳压器
SOT - 323 / SOT- 363
（双N ，双P，P + N）
SOT -23 / SOT- 89
的TO- 252 / TO-263
的TO- 92 / TO-220 / TO-3P
三端双向可控硅/ SCR / RF （ 1GHz的 ）
数字
SOT -23 / SOT- 23-5
SOT- 89 / TO- 92
SOT - 23-5 / SOT- 323-5
标准
SIDAC /晶闸管/ EMI滤波器
TVS / ESD阵列/压敏电阻（片）
Gastube避雷器/ 5 6针避雷器
聚合物可复位保险丝/热开关&
传感器
-----
P1
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
-----
MOSFET
P2
P3
P4
P5
P6
P7
P8
P9~
P11
P12
P13
P14
P15
P16~
P18
调节器
晶体管
（数字）
复位IC
逻辑IC
EEPROM IC
保护
设备
----- P19
----- P20
-----
-----
-----
-----
P21
P22
P23
P24
薄膜电容器
----- P25
一流的X1 / X2安全生产许可证（ 300V交流）
MPP / MPE / DMP （高电流）
MINIBOX DC膜套。 /
X + Y
combint帽。 ----- P26
灯光膜/ AC起点膜套。
类Y1 / Y2安全生产许可证
高电压（ 1KV 6KV ）
贴片电容&多层（ MLCC ）
钽电容
-----
----- P27
陶瓷帽。
包装外形尺寸
P28 ~ P34
*其他工业规格（ -20
o
C / -30
o
C / - 40
o
C ~ 85
o
C )
发布日期： 2004年9月 2005年第二次编辑
ON Semiconductort
放大器晶体管
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
MPS8098
MPS8598
60
60
6.0
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
MPS8099
MPS8599
80
80
5.0
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
NPN
MPS8098
MPS8099*
PNP
MPS8598
MPS8599*
电压和电流均为负
对于PNP晶体管
·安森美半导体首选设备
瓦
毫瓦/°C的
°C
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
1
2
3
CASE 29-11 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
集热器
3
2
BASE
NPN
1
辐射源
2
BASE
集热器
3
PNP
1
辐射源
首选
设备是安森美半导体建议以供将来使用和最佳的整体价值选择。
半导体元件工业有限责任公司， 2001年
1
2001年9月 - 第2版
出版订单号：
MPS8098/D
NPN MPS8098 MPS8099 PNP MPS8598 MPS8599
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
IEBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
—
—
0.1
0.1
V（ BR ） CEO
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
V（ BR ） CBO
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
V（ BR ） EBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
冰
ICBO
—
—
0.1
0.1
μAdc
6.0
5.0
—
—
—
0.1
μAdc
μAdc
60
80
—
—
VDC
60
80
—
—
VDC
VDC
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
的hFE
100
100
75
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ON）的
0.5
0.6
0.7
0.8
0.4
0.3
VDC
300
—
—
VDC
—
小信号特性
电流增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
CIBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
—
—
25
30
fT
科博
—
—
6.0
8.0
pF
150
—
兆赫
pF
http://onsemi.com
2
NPN MPS8098 MPS8099 PNP MPS8598 MPS8599
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P（ PK）
t1
单脉冲
t2
占空比D = T1 / T2
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
Z
θJC
（吨） = R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC
(t)
Z
θJA
（吨） = R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T1
（见AN469 ）
10 k
20 k
50 k 100 k
R（T ） ，归一化暂态
热阻
图1. MPS8098 ， MPS8099 ， MPS8598和MPS8599热响应
开启时间
-1.0 V
VCC
+40 V
打开-O FF时间
+ V BB心跳
VCC
+40 V
RL
5.0
ms
+10 V
0
VIN
TR = 3.0纳秒
5.0
mF
100
RB
RL
100
产量
VIN
* CS
t
6.0 pF的
5.0
mF
100
5.0
ms
TR = 3.0纳秒
RB
产量
* CS
t
6.0 pF的
100
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图2.开关时间测试电路
http://onsemi.com
3
NPN MPS8098 MPS8099 PNP MPS8598 MPS8599
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
200
TJ = 25°C
5.0 V
VCE = 1.0 V
100
70
50
30
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
200
TJ = 25°C
-5.0 V
VCE = -1.0 V
100
70
50
30
-1.0
PNP
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70 -100
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图3. MPS8098 / 99电流增益 -
带宽积
40
TJ = 25°C
20
C，电容（pF ）
CIBO
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
科博
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
C，电容（pF ）
20
40
图4. MPS8598 / 99电流增益 -
带宽积
TTJ==25°C
25℃
CIBO
10
8.0
6.0
4.0
2.0
-0.1 -0.2
科博
-0.5 -1.0
-2.0
-5.0
-10 -20
-50 -100
VR ，反向电压（伏）
VR ，反向电压（伏）
图5. MPS8098 / 99电容
图6. MPS8598 / 99电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
VCC = 40 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
200
10
ts
VCC = -40 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
tf
tr
tf
TD @ VBE （关闭） = 0.5 V
10
20
30
50
70
100
IC ，集电极电流（毫安）
tr
TD @ VBE （关闭） = -0.5 V
-10
-20
-30
-50
-70
-100
-200
IC ，集电极电流（毫安）
图7. MPS8098 / 99开关时间
图8. MPS8598 / 99开关时间
http://onsemi.com
4
NPN MPS8098 MPS8099 PNP MPS8598 MPS8599
NPN
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
-1.0 k
-700
-500
-300
-200
-100
-70
-50
-30
-20
-10
-1.0
PNP
I C ，集电极电流（毫安）
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
占空比
≤
10%
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MPS8098
MPS8099
20
30
50
70 100
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS8598
占空比
≤
10%
MPS8599
-2.0 -3.0
-5.0 -7.0 -10
-20 -30
-50 -70 -100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图9. MPS8098 / 99有源区安全
工作区
400
TJ = 125°C
^ h FE ， DC电流增益
200
300
图10. MPS8598 / 99有源区安全
工作区
TJ = 125°C
^ h FE ， DC电流增益
25°C
-55°C
200
25°C
100
70
50
30
-0.2
-55°C
VCE = -5.0 V
100
80
60
40
0.2 0.3 0.5
VCE = 5.0 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200
-0.5
-1.0 -2.0
-5.0
-10
-20
-50 -100 -200
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图11. MPS8098 / 99直流电流增益
图12. MPS8598 / 99直流电流增益
1.0
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
TJ = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 5.0 V
1.0
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
TJ = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 5.0 V
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
20
50
100
200
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图13. MPS8098 / 99 “开”电压
图14. MPS8598 / 99 “开”电压
http://onsemi.com
5
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPS8098 / D
放大器晶体管
集热器
3
2
BASE
NPN
1
辐射源
2
BASE
PNP
1
辐射源
集热器
3
NPN
MPS8098
MPS8099*
PNP
MPS8598
MPS8599*
电压和电流均为负
对于PNP晶体管
*摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
符号
VCEO
VCBO
MPS8098
MPS8598
60
60
MPS8099
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
6.0
500
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
MPS8099
MPS8599
80
80
MPS8598
MPS8599
5.0
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
1
单位
VDC
VDC
瓦
毫瓦/°C的
°C
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 1 ）
（ IC = 10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = 100
μAdc ，
IE = 0 ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 10
μAdc ，
IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 60 VDC ， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = 60 VDC ， IE = 0 ）
（ VCB = 80伏直流电， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VEB = 6.0伏， IC = 0 ）
（ VEB = 4.0伏， IC = 0 ）
1.脉冲测试：脉冲宽度
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
IEBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
—
—
0.1
0.1
V（ BR ） CEO
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
V（ BR ） CBO
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
V（ BR ） EBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
冰
ICBO
—
—
0.1
0.1
μAdc
6.0
5.0
—
—
—
0.1
μAdc
μAdc
60
80
—
—
VDC
60
80
—
—
VDC
VDC
v
300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
NPN MPS8098 MPS8099 PNP MPS8598 MPS8599
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征（ 1 ）
直流电流增益
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 100 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 5.0 MADC ）
（ IC = 100 MADC ， IB = 10 MADC ）
基射极电压ON
（ IC = 1.0 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0 V直流）
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
的hFE
100
100
75
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ON）的
0.5
0.6
0.7
0.8
0.4
0.3
VDC
300
—
—
VDC
—
小信号特性
电流 - 增益 - 带宽积
（ IC = 10 MADC ， VCE = 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
（ VCB = 5.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
输入电容
（ VEB = 0.5伏， IC = 0 ， F = 1.0兆赫）
1.脉冲测试：脉冲宽度
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
CIBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
—
—
25
30
fT
科博
—
—
6.0
8.0
pF
150
—
兆赫
pF
v
300
m
S，占空比= 2.0 ％ 。
开启时间
–1.0 V
VCC
+40 V
5.0
m
s
+10 V
VIN
0
TR = 3.0纳秒
5.0
m
F
100
5.0
m
s
TR = 3.0纳秒
*测试夹具和连接器共有并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
* CS
RB
100
RL
产量
VIN
关断时间
+ V BB心跳
VCC
+40 V
RL
产量
RB
5.0
m
F
100
* CS
100
t
6.0 pF的
t
6.0 pF的
图1.开关时间测试电路
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MPS8098 MPS8099 PNP MPS8598 MPS8599
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
TJ = 25°C
200
5.0 V
VCE = 1.0 V
100
70
50
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
TJ = 25°C
200
–5.0 V
VCE = -1.0 V
100
70
50
PNP
30
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
IC ，集电极电流（毫安）
30
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
IC ，集电极电流（毫安）
图2. MPS8098 / 99电流增益 -
带宽积
图3. MPS8598 / 99电流增益 -
带宽积
40
TJ = 25°C
20
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
CIBO
10
8.0
6.0
4.0
科博
2.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
40
TTJ==25°C
25℃
20
CIBO
10
8.0
6.0
科博
4.0
2.0
–0.1 –0.2
–0.5 –1.0
–2.0
–5.0
–10 –20
–50 –100
VR ，反向电压（伏）
VR ，反向电压（伏）
图4. MPS8098 / 99电容
图5. MPS8598 / 99电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
VCC = 40 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
ts
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
ts
VCC = -40 V
IC / IB = 10
IB1 = IB2
TJ = 25°C
tf
tf
tr
TD @ VBE （关闭） = 0.5 V
10
10
20
30
50
70
100
tr
200
20
10
TD @ VBE （关闭） = -0.5 V
–10
–20
–30
–50
–70
–100
–200
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图6. MPS8098 / 99开关时间
图7. MPS8598 / 99开关时间
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
3
NPN MPS8098 MPS8099 PNP MPS8598 MPS8599
NPN
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
占空比
≤
10%
10
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
–1.0 k
–700
–500
–300
–200
–100
–70
–50
–30
–20
–10
50
70 100
–1.0
PNP
I C ，集电极电流（毫安）
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS8098
MPS8099
20
30
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS8598
占空比
≤
10%
MPS8599
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
–50 –70 –100
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
图8. MPS8098 / 99有源区安全
工作区
400
TJ = 125°C
^ h FE ， DC电流增益
200
–55°C
^ h FE ， DC电流增益
25°C
300
图9. MPS8598 / 99有源区安全
工作区
TJ = 125°C
200
25°C
100
70
50
–55°C
VCE = -5.0 V
100
80
60
40
0.2 0.3 0.5
VCE = 5.0 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200
30
–0.2
–0.5
–1.0 –2.0
–5.0
–10
–20
–50 –100 –200
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图10. MPS8098 / 99直流电流增益
图11. MPS8598 / 99直流电流增益
1.0
TJ = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 5.0 V
1.0
TJ = 25°C
VBE （星期六） @ IC / IB = 10
VBE @ VCE = 5.0 V
0.8
V，电压（V ）
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.2
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
IC ，集电极电流（毫安）
IC ，集电极电流（毫安）
图12. MPS8098 / 99 “开”电压
图13. MPS8598 / 99 “开”电压
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
NPN MPS8098 MPS8099 PNP MPS8598 MPS8599
NPN
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
IC =
20毫安
IC =
50毫安
IC =
百毫安
TJ = 25°C
IC =
200毫安
2.0
IC =
10毫安
IC =
20毫安
IC =
50毫安
IC =
百毫安
IC =
200毫安
PNP
1.6
1.6
1.2
1.2
0.8
0.8
0.4
IC =
10毫安
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0.4
TJ = 25°C
0
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
IB ，基极电流（毫安）
IB ，基极电流（毫安）
图14. MPS8098 / 99集电极饱和
地区
图15. MPS8598 / 99集电极饱和
地区
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
–1.4
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
–1.0
–1.0
–1.4
–1.8
R
q
VB的VBE
–2.2
-55 ° C至125°C
–1.8
R
q
VB的VBE
-55 ° C至125°C
–2.2
–2.6
–3.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
IC ，集电极电流（毫安）
–2.6
–3.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
IC ，集电极电流（毫安）
图16. MPS8098 / 99基射极
温度COEF网络cient
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
500
图17. MPS8598 / 99基射极
温度COEF网络cient
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P（ PK）
t1
单脉冲
t2
占空比D = T1 / T2
1.0 k
2.0 k
5.0 k
Z
θJC
（吨） = R （t）的
R
θJC
TJ （ PK） - TC = P （ PK ）z
θJC
(t)
Z
θJA
（吨） = R （t）的
R
θJA
TJ （ PK） - TA = P （ PK ）z
θJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T1
（见AN469 ）
10 k
20 k
50 k
100 k
R（T ） ，归一化暂态
热阻
图18. MPS8098 ， MPS8099 ， MPS8598和MPS8599热响应
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
5
NPN - MPS8099 ; PNP - MPS8599
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
f
T
150
C
敖包
C
IBO
30
8.0
pF
pF
兆赫
h
FE
100
100
75
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
0.8
0.4
0.3
VDC
300
VDC
V
（ BR ） CEO
80
V
（ BR ） CBO
80
V
（ BR ） EBO
5.0
I
CES
I
CBO
I
EBO
0.1
0.1
MADC
0.1
MADC
MADC
VDC
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
NPN - MPS8099 ; PNP - MPS8599
订购信息
设备
MPS8099
MPS8099G
MPS8099RLRA
MPS8099RLRAG
MPS8099RLRP
MPS8099RLRPG
MPS8599RLRA
MPS8599RLRAG
MPS8599RLRMG
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
（无铅）
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
2000 /弹药包
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
2000 /弹药包
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
R（T ） ，归一化暂态
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P
（ PK）
t
1
单脉冲
t
2
占空比D = T
1
/t
2
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
Z
QJC
（吨） = R （t）的
R
QJC
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC
(t)
Z
qJA
（吨） = R （t）的
R
qJA
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
Z
qJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T
1
（见AN469 ）
10 k
20 k
50 k 100 k
图1.热响应
开启时间
1.0 V
V
CC
+40 V
R
L
产量
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
V
in
5.0
mF
关断时间
+V
BB
V
CC
+40 V
100
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
100
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
100
*测试夹具总并联电容和连接器适用于PNP测试电路，所有的反向电压极性
图2.开关时间测试电路
http://onsemi.com
3
NPN - MPS8099 ; PNP - MPS8599
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
200
5.0 V
V
CE
= 1.0 V
100
70
50
30
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
5.0 V
V
CE
= 1.0 V
200
PNP
100
70
50
30
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3.电流增益 - 带宽积
图4.电流增益 - 带宽积
40
T
J
= 25°C
20
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
C
IBO
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0.1
40
25°C
TT
J
==25°C
J
20
C
IBO
10
8.0
6.0
C
敖包
4.0
2.0
0.1 0.2
C
敖包
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
0.5 1.0
2.0
5.0
10 20
50 100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图5.电容
图6.电容
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
s
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
200
t
s
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
f
t
f
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
10
10
20
30
50
70
100
t
r
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
10
20
30
50
70
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.开关时间
图8.开关时间
http://onsemi.com
4
NPN - MPS8099 ; PNP - MPS8599
NPN
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
PNP
I C ，集电极电流（毫安）
I C ，集电极电流（毫安）
电流限制
热限制
第二击穿极限
占空比
≤
10%
2.0
3.0
5.0 7.0 10
MPS8098
MPS8099
20
30
50
70 100
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS8598
占空比
≤
10%
MPS8599
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图9.有源区安全工作区
图10.有源区安全工作区
400
T
J
= 125°C
^ h FE ， DC电流增益
200
55°C
^ h FE ， DC电流增益
25°C
300
T
J
= 125°C
200
25°C
100
70
50
55°C
V
CE
= 5.0 V
100
80
60
40
0.2 0.3 0.5
V
CE
= 5.0 V
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200
30
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11.直流电流增益
图12.直流电流增益
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
0.8
V，电压（V ）
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13为“ON”电压
http://onsemi.com
5
图14为“ON”电压
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ，
（ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
*首选设备
放大器晶体管
电压和电流均为负
对于PNP晶体管
http://onsemi.com
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
集电极基极电压
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
60
80
V
CBO
60
80
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
4.0
500
625
5.0
1.5
12
-55到+150
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
VDC
价值
单位
VDC
NPN
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
风格1
MPS8098,
MPS8099
2
BASE
PNP
集热器
3
1
辐射源
风格1
MPS8598,
MPS8599
1
2
3
TO92
CASE 29-11
风格1
热特性
特征
热阻，结到环境
（注1 ）
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
MPS
8x9y
AYWW
G
G
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
1. R
qJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
MPS8x9y =器件代码
X = 0或5
Y = 8或9的
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第6页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年1月 - 修订版5
出版订单号：
MPS8098/D
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ， （ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压（注2 ）
(I
C
= 10 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 60 VDC ，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ，我
E
= 0)
(V
CB
= 80伏直流，我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 6.0伏，我
C
= 0)
(V
EB
= 4.0伏，我
C
= 0)
基本特征
（注2 ）
直流电流增益
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 5.0 MADC ）
(I
C
= 100 MADC ，我
B
= 10 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 1.0 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 MADC ，V
CE
= 5.0伏， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 5.0伏，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
输入电容
(V
EB
= 0.5伏，我
C
= 0中，f = 1.0 MHz）的
2.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比= 2.0 ％ 。
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.01
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
吨，时间（ ms）的
500
1.0 k
2.0 k
5.0 k
10 k
20 k
50 k 100 k
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
C
IBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
25
30
f
T
C
敖包
6.0
8.0
pF
150
兆赫
pF
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
h
FE
100
100
75
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.5
0.6
0.7
0.8
0.4
0.3
VDC
300
VDC
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
I
EBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
0.1
0.1
V
（ BR ） CEO
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
V
（ BR ） CBO
MPS8098 ， MPS8598
MPS8099 ， MPS8599
V
（ BR ） EBO
MPS8098 ， MPS8099
MPS8598 ， MPS8599
I
CES
I
CBO
0.1
0.1
MADC
6.0
5.0
0.1
MADC
MADC
60
80
VDC
60
80
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
单脉冲
0.02
0.01
P
（ PK）
t
1
单脉冲
t
2
占空比D = T
1
/t
2
Z
QJC
（吨） = R （t）的
R
QJC
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
Z
QJC
(t)
Z
qJA
（吨） = R （t）的
R
qJA
T
J（下PK）
T
A
= P
（ PK）
Z
qJA
(t)
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T
1
（见AN469 ）
R（T ） ，归一化暂态
热阻
图1. MPS8098 ， MPS8099 ， MPS8598和MPS8599热响应
http://onsemi.com
2
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ， （ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
开启时间
1.0 V
V
CC
+40 V
R
L
产量
V
in
0
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
*测试夹具总并联电容和连接器适用于PNP测试电路，所有的反向电压极性
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
V
in
5.0
mF
100
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
关断时间
+V
BB
V
CC
+40 V
100
R
L
产量
5.0
ms
+10 V
100
图2.开关时间测试电路
NPN
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
200
5.0 V
V
CE
= 1.0 V
100
70
50
30
F T ，电流增益 - 带宽积（兆赫）
300
T
J
= 25°C
200
PNP
5.0 V
V
CE
= 1.0 V
100
70
50
30
1.0
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20
30
50 70 100
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图3. MPS8098 / 99电流增益 -
带宽积
图4. MPS8598 / 99电流增益 -
带宽积
40
T
J
= 25°C
20
C
IBO
10
8.0
6.0
4.0
2.0
40
25°C
TT
J
==25°C
J
20
C
IBO
10
8.0
6.0
C
敖包
4.0
2.0
0.1 0.2
C，电容（pF ）
C
敖包
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
C，电容（pF ）
0.5 1.0 2.0
5.0
10 20
50 100
V
R
，反向电压（伏）
V
R
，反向电压（伏）
图5. MPS8098 / 99电容
http://onsemi.com
3
图6. MPS8598 / 99电容
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ， （ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
NPN
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
10
10
20
30
50
70
100
t
r
200
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
1.0 k
700
500
300
T， TIME （ NS ）
200
100
70
50
30
20
10
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
10
20
30
50
70
100
200
t
f
PNP
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
s
t
s
t
f
t
r
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7. MPS8098 / 99开关时间
图8. MPS8598 / 99开关时间
I C ，集电极电流（毫安）
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
2.0
I C ，集电极电流（毫安）
1.0 k
700
500
1.0 k
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
电流限制
热限制
第二击穿极限
占空比
≤
10%
3.0
5.0 7.0 10
MPS8098
MPS8099
20
30
50
70 100
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS8598
占空比
≤
10%
MPS8599
2.0 3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
V
CE
，集电极 - 发射极电压（伏）
图9. MPS8098 / 99有源区安全
工作区
图10. MPS8598 / 99有源区安全
工作区
400
T
J
= 125°C
^ h FE ， DC电流增益
^ h FE ， DC电流增益
200
25°C
55°C
300
T
J
= 125°C
200
25°C
100
70
50
55°C
V
CE
= 5.0 V
100
80
60
40
V
CE
= 5.0 V
0.2 0.3 0.5
1.0
2.0 3.0 5.0
10
20 30
50
100 200
30
0.2
0.5
1.0 2.0
5.0
10
20
50 100 200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图11. MPS8098 / 99直流电流增益
图12. MPS8598 / 99直流电流增益
http://onsemi.com
4
（ NPN ） MPS8098 ， MPS8099 * ， （ PNP ） MPS8598 ， MPS8599 *
NPN
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
1.0
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE
@ V
CE
= 5.0 V
PNP
0.8
V，电压（V ）
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.6
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.4
0.2
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13. MPS8098 / 99 “开”电压
图14. MPS8598 / 99 “开”电压
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏）
2.0
I
C
=
20毫安
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
VCE ，集电极 - 发射极电压（伏特
T
J
= 25°C
I
C
=
200毫安
2.0
I
C
=
10毫安
I
C
=
20毫安
I
C
=
50毫安
I
C
=
百毫安
I
C
=
200毫安
1.6
1.6
1.2
1.2
0.8
0.4
0.8
0.4
T
J
= 25°C
0
0.05 0.1
0.02
I
C
=
10毫安
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
0
0.02
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
I
B
，基极电流（毫安）
I
B
，基极电流（毫安）
图15. MPS8098 / 99集电极饱和区
图16. MPS8598 / 99集电极饱和区
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.4
1.8
R
QVB
对于V
BE
2.2
-55 ° C至125°C
R
q
VB ，温度系数（毫伏/
°
C)
1.0
1.0
1.4
1.8
2.2
R
QVB
对于V
BE
-55 ° C至125°C
2.6
3.0
2.6
3.0
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图17. MPS8098 / 99基射极
温度COEF网络cient
图18. MPS8598 / 99基射极
温度COEF网络cient
http://onsemi.com
5
QQ：2881677436 复制
