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半导体
技术参数
高电流应用。
特征
补充MPS8550S 。
L
MPS8050S
外延平面NPN晶体管
E
B
L
2
3
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
40
25
6
1.5
350
150
-55 150
0.6
)
单位
V
1
P
P
N
C
V
V
A
mW
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
A
G
H
M
1.发射器
2.基
3.收集
* P
C
：包安装于99.5 ％的氧化铝（ 10 8
K
SOT-23
记号
h
FE
秩
LOT号
型号名称
BH
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
直流电流增益
h
FE
（2）（注）
h
FE
(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
（2）分类
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 35V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
I
C
= 100 A，I
E
=0
I
C
= 2毫安，我
B
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=5mA
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
=800mA
I
C
= 800毫安，我
B
=80mA
I
C
= 800毫安，我
B
=80mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ， F = 1MHz时，我
E
=0
300
分钟。
-
-
40
25
45
85
40
-
-
-
100
-
典型值。
-
-
-
-
135
160
110
0.28
0.98
0.66
190
9
马克斯。
100
100
-
-
-
300
-
0.5
1.2
1.0
-
-
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
V
B： 85 160 ，C ： 120 200 ， D： 160
2003. 3. 25
版本号： 1
J
D
1/2
MPS8050S
I
C
- V
CE
0.5
集电极电流I
C
（MA ）
0.4
0.3
0.2
0.1
I
B
=0.5mA
h
FE
- I
C
1k
直流电流增益
FE
I
B
=3.0mA
I
B
=2.5mA
I
B
=2.0mA
I
B
=1.5mA
I
B
=1.0mA
V
CE
=1V
500
300
100
50
30
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1K
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
I
C
- V
BE
集电极电流I
C
（MA ）
100
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE
=1V
V
BE （ SAT ） ，
V
CE （ SAT ）
- I
C
5k
3k
饱和电压
V
BE （ SAT ） ，
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
1k
500
300
100
50
30
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1K
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
C
=10I
B
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
300
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
V
CE
=10V
C
ob
- V
CB
100
50
30
f=1MHz
I
E
=0
100
50
30
10
5
3
10
1
3
5
10
30 50
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
1
1
3
5
10
30
50
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2003. 3. 25
版本号： 1
2/2
半导体
技术参数
高电流应用。
特征
补充MPS8550S 。
L
MPS8050S
外延平面NPN晶体管
E
B
L
2
3
最大额定值（ TA = 25
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
集电极耗散功率
结温
存储温度范围
)
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
P
C
*
T
j
T
英镑
等级
40
25
6
1.5
350
150
-55 150
0.6
)
单位
V
1
P
P
N
C
V
V
A
mW
暗淡
A
B
C
D
E
G
H
J
K
L
M
N
P
MILLIMETERS
_
2.93 + 0.20
1.30+0.20/-0.15
1.30最大
0.45+0.15/-0.05
2.40+0.30/-0.20
1.90
0.95
0.13+0.10/-0.05
0.00 ~ 0.10
0.55
0.20 MIN
1.00+0.20/-0.10
7
A
G
H
M
1.发射器
2.基
3.收集
* P
C
：包安装于99.5 ％的氧化铝（ 10 8
K
SOT-23
记号
h
FE
秩
LOT号
型号名称
BH
电气特性（ TA = 25 ）
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
符号
I
CBO
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE
(1)
直流电流增益
h
FE
（2）（注）
h
FE
(3)
集电极 - 发射极饱和电压
基射极饱和电压
基射极电压
跃迁频率
集电极输出电容
注：H
FE
（2）分类
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
V
BE
f
T
C
ob
测试条件
V
CB
= 35V ，我
E
=0
V
EB
= 6V ，我
C
=0
I
C
= 100 A，I
E
=0
I
C
= 2毫安，我
B
=0
V
CE
= 1V ，我
C
=5mA
V
CE
= 1V ，我
C
=100mA
V
CE
= 1V ，我
C
=800mA
I
C
= 800毫安，我
B
=80mA
I
C
= 800毫安，我
B
=80mA
V
CE
= 1V ，我
C
=10mA
V
CE
= 10V ，我
C
=50mA
V
CB
= 10V ， F = 1MHz时，我
E
=0
300
分钟。
-
-
40
25
45
85
40
-
-
-
100
-
典型值。
-
-
-
-
135
160
110
0.28
0.98
0.66
190
9
马克斯。
100
100
-
-
-
300
-
0.5
1.2
1.0
-
-
V
V
V
兆赫
pF
单位
nA
nA
V
V
B： 85 160 ，C ： 120 200 ， D： 160
2003. 3. 25
版本号： 1
J
D
1/2
MPS8050S
I
C
- V
CE
0.5
集电极电流I
C
（MA ）
0.4
0.3
0.2
0.1
I
B
=0.5mA
h
FE
- I
C
1k
直流电流增益
FE
I
B
=3.0mA
I
B
=2.5mA
I
B
=2.0mA
I
B
=1.5mA
I
B
=1.0mA
V
CE
=1V
500
300
100
50
30
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1K
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极电流I
C
（MA ）
I
C
- V
BE
集电极电流I
C
（MA ）
100
50
30
10
5
3
1
0.5
0.3
0.1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
V
CE
=1V
V
BE （ SAT ） ，
V
CE （ SAT ）
- I
C
5k
3k
饱和电压
V
BE （ SAT ） ，
V
CE （ SAT ）
（毫伏）
1k
500
300
100
50
30
10
0.1
0.3
1
3
10
30
100
300
1K
集电极电流I
C
（MA ）
V
CE
（SAT）
V
BE
（SAT）
I
C
=10I
B
f
T
- I
C
过渡频率f
T
（兆赫）
300
集电极输出电容
C
ob
（PF ）
V
CE
=10V
C
ob
- V
CB
100
50
30
f=1MHz
I
E
=0
100
50
30
10
5
3
10
1
3
5
10
30 50
100
300
集电极电流I
C
（MA ）
1
1
3
5
10
30
50
集电极 - 基极电压V
CB
(V)
2003. 3. 25
版本号： 1
2/2
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MRF3104
MI-P5WW-MYX
MRSB-3-4SKX
M38197E5-XXXFS
MAX408ACSA
MPSA56G
MM72C19
MXC8-PW35-0000
MI-P2LP-IXV
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MPS8050S
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市创芯联盈电子有限公司
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电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
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MPS8050S
NEC
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23000
SOT23
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联系人：销售部
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MPS8050S
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24+
22000
SOT-23
原装正品假一赔百！
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联系人：何小姐
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MPS8050S
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22+
32570
SOT23
全新原装正品/质量有保证
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电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MPS8050S
HAMOS/汉姆
19+
12000
SOT-23
全新原装正品/质量有保证
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
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MPS8050S
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8927
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