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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPS6717 / D
一瓦的放大器晶体管
NPN硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPS6717
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
价值
80
80
5.0
500
1.0
8.0
2.5
20
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-05 ,风格1
TO-92 (TO- 226AE )
1
2
3
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = 100
m
的adc ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 10
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 60 VDC , IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = 5.0伏, IC = 0 )
1.脉冲测试:脉冲宽度
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
80
80
5.0
0.1
10
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
v
300
m
S;占空比
v
2.0%.
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MPS6717
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = 50 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 250 MADC , VCE = 1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 250 MADC , IB = 10 MADC )
基地 - 发射极电压上
( IC = 250 MADC , VCE = 1.0 V直流)
的hFE
80
50
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
250
0.5
1.2
VDC
VDC
小信号特性
集电极 - 基极电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , F = 1.0兆赫)
小信号电流增益
( IC = 200 MADC , VCE = 5.0伏, F = 20兆赫)
建行
的hFE
2.5
30
25
pF
400
TJ = 125°C
的hFE , DC电流增益
200
25°C
–55°C
100
80
60
40
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70
100
200
300
500
VCE = 1.0 V
图1.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
TJ = 25°C
0.8
IC = 10毫安
50
mA
百毫安
250毫安
500毫安
V,电压(V )
1.0
TJ = 25°C
0.8
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
0.6
VBE ( ON) @ VCE = 1.0 V
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
IB ,基极电流(毫安)
10
20
50
0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
50
100
20
IC ,集电极电流(毫安)
200
500
图2.集电极饱和区
图3. “开”电压
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPS6717
θ
VB ,温度系数(毫伏/
°
C)
–0.8
–1.2
C,电容(pF )
80
60
40
CIBO
TJ = 25°C
–1.6
θ
VB的VBE
20
–2.0
–2.4
10
8.0
6.0
科博
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
VR ,反向电压(伏)
50
100
–2.8
0.5
1.0
2.0
5.0
20
50
10
100
IC ,集电极电流(毫安)
200
500
4.0
0.1
图4.基射极温度系数
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
图5.电容
300
IC ,集电极电流(毫安)
200
VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
占空比
10%
2k
1k
500
200
100
50
20
30
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
IC ,集电极电流(毫安)
200
10
1.0
MPS6717
10
20
60 80 100
2.0
5.0
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0 s
dc
1.0毫秒
100
s
100
70
50
dc
电流限制
热限制
第二击穿极限
图6.电流增益 - 带宽积
图7.活动区 - 安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MPS6717
包装尺寸
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.135
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.56
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
3.43
–––
3.43
–––
K
X X
G
H
V
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
N
CASE 029-05
(TO–226AE)
ISSUE AD
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们:
美国/欧洲/点未列出:
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ,科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
日本:
日本摩托罗拉有限公司: SPD ,战略规划办公室, 4-32-1 ,
西五反田,品川区,东京141 ,日本。 81-3-5487-8488
M传真 :
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
互联网:
http://motorola.com/sps
4
MPS6717/D
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPS6717
一瓦的放大器
晶体管
NPN硅
特点
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
80
80
5.0
500
1.0
8.0
2.5
20
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
1
2
TO-92 (TO- 226)
情况29-10
风格1
3
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
MPS
6717
AYWW
G
G
MPS6717 =器件代码
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MPS6717
MPS6717G
MPS6717RLRA
MPS6717RLRAG
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
5000单位/散装
5000单位/散装
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
出版订单号:
MPS6717/D
1
2006年2月 - 第2版
MPS6717
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压(注1 )
(I
C
= 1.0 MADC ,我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ,
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ,
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 60 VDC ,我
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 5.0伏,我
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
(I
C
= 250 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 250 MADC ,我
B
= 10 MADC )
基地发射极电压上
(I
C
= 250 MADC ,V
CE
= 1.0伏)
小信号特性
集电极 - 基极电容
(V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
小信号电流增益
(I
C
= 200 MADC ,V
CE
= 5.0伏, F = 20兆赫)
1.脉冲测试:脉冲宽度
v
300
女士;
占空比
v
2.0%.
C
cb
h
fe
2.5
30
25
pF
h
FE
80
50
V
CE ( SAT )
V
BE(上)
250
0.5
1.2
VDC
VDC
V
( BR ) CEO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
I
EBO
80
80
5.0
0.1
10
VDC
VDC
VDC
MADC
MADC
符号
最大
单位
400
T
J
= 125°C
200
25°C
55°C
100
80
60
40
的hFE , DC电流增益
V
CE
= 1.0 V
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
I
C
,集电极电流(毫安)
50
70
100
200
300
500
图1.直流电流增益
http://onsemi.com
2
MPS6717
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
T
J
= 25°C
0.8
I
C
= 10毫安
50
mA
百毫安
250毫安
500毫安
V,电压(V )
0.8
V
BE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.6
V
BE(上)
@ V
CE
= 1.0 V
1.0
T
J
= 25°C
0.6
0.4
0.4
0.2
0
0.05
0.2
V
CE ( SAT )
@ I
C
/I
B
= 10
0.1
0.2
1.0
0.5
2.0
5.0
I
B
,基极电流(毫安)
10
20
50
0
0.5
1.0
2.0
20
5.0
10
50
100
I
C
,集电极电流(毫安)
200
500
图2.集电极饱和区
图3. “开”电压
θ
VB ,温度系数(毫伏/ C)
°
0.8
1.2
C,电容(pF )
80
60
40
C
IBO
T
J
= 25°C
1.6
q
VB
对于V
BE
20
2.0
2.4
2.8
0.5
10
8.0
6.0
C
敖包
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
V
R
,反向电压(伏)
50
100
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
I
C
,集电极电流(毫安)
200
500
4.0
0.1
图4.基射极温度系数
图5.电容
带宽积(兆赫)
300
200
IC ,集电极电流(毫安)
V
CE
= 2.0 V
T
J
= 25°C
占空比
10%
2k
1k
500
200
100
50
20
30
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
I
C
,集电极电流(毫安)
200
10
1.0
T
A
= 25°C
T
C
= 25°C
1.0 s
dc
1.0毫秒
100
ms
100
70
50
F T ,电流增益
dc
电流限制
热限制
第二击穿极限
MPS6717
2.0
5.0
10
20
60 80 100
V
CE
,集电极 - 发射极电压(伏)
图6.电流增益 - 带宽积
图7.活动区 - 安全工作区
http://onsemi.com
3
MPS6717
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
情况29-10
ISSUE AL
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.021
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.135
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.457
0.533
0.407
0.482
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
3.43
K
X X
G
H
R
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
N
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
这里的任何产品。 SCILLC对其产品是否适合任何特定用途的任何担保,声明或保证,也不SCILLC承担任何责任
由此产生的任何产品或电路的应用或使用,并特别声明,任何和所有责任,包括但不限于特殊,间接或附带损失。
这可能SCILLC数据表和/或技术规格,可以提供和做不同的应用和实际性能“典型”参数可随时间变化。所有
运行参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。 SCILLC不转达根据其专利权的任何许可
也不是他人的权利。 SCILLC产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他应用程序
旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的SCILLC产品故障可能造成人身伤害的情况可能发生或死亡。应
买方购买或使用产品SCILLC任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并SCILLC及其高级人员,雇员,子公司,关联公司,
和分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师所产生的直接或间接的人身伤害或死亡的任何索赔费用无害
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称, SCILLC有关部分的设计或制造疏忽造成的。 SCILLC是平等
机会/肯定行动雇主。这种文学是受所有适用的版权法律,并不得转售以任何方式。
出版物订货信息
文学履行:
N.美国技术支持:
免费电话800-282-9855
安森美半导体文学配送中心
美国/加拿大
P.O. 61312盒,凤凰城,亚利桑那州85082-1312 USA
电话:
480-829-7710或800-344-3860免费电话美国/加拿大
日本:
安森美半导体,日本顾客焦点中心
2-9-1 Kamimeguro ,目黑区,东京,日本153-0051
传真:
480-829-7709或800-344-3867免费电话美国/加拿大
电话:
81357733850
电子邮件:
orderlit@onsemi.com
安森美半导体网站:
http://onsemi.com
为了文学:
http://www.onsemi.com/litorder
有关更多信息,请联系您
当地销售代表。
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4
MPS6717/D
摩托罗拉
半导体技术资料
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由MPS6717 / D
一瓦的放大器晶体管
NPN硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPS6717
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
价值
80
80
5.0
500
1.0
8.0
2.5
20
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
毫瓦/°C的
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-05 ,风格1
TO-92 (TO- 226AE )
1
2
3
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
125
50
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压( 1 )
( IC = 1.0 MADC , IB = 0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = 100
m
的adc ,IE = 0)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = 10
m
ADC , IC = 0 )
收藏家Cuto FF电流
( VCB = 60 VDC , IE = 0 )
发射Cuto FF电流
( VEB = 5.0伏, IC = 0 )
1.脉冲测试:脉冲宽度
V( BR ) CEO
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
80
80
5.0
0.1
10
VDC
VDC
VDC
μAdc
μAdc
v
300
m
S;占空比
v
2.0%.
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉1997年公司
1
MPS6717
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = 50 MADC , VCE = 1.0 V直流)
( IC = 250 MADC , VCE = 1.0 V直流)
集电极 - 发射极饱和电压
( IC = 250 MADC , IB = 10 MADC )
基地 - 发射极电压上
( IC = 250 MADC , VCE = 1.0 V直流)
的hFE
80
50
VCE ( SAT )
VBE (ON)的
250
0.5
1.2
VDC
VDC
小信号特性
集电极 - 基极电容
( VCB = 10 VDC , IE = 0 , F = 1.0兆赫)
小信号电流增益
( IC = 200 MADC , VCE = 5.0伏, F = 20兆赫)
建行
的hFE
2.5
30
25
pF
400
TJ = 125°C
的hFE , DC电流增益
200
25°C
–55°C
100
80
60
40
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
IC ,集电极电流(毫安)
50
70
100
200
300
500
VCE = 1.0 V
图1.直流电流增益
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
1.0
TJ = 25°C
0.8
IC = 10毫安
50
mA
百毫安
250毫安
500毫安
V,电压(V )
1.0
TJ = 25°C
0.8
VBE (星期六) @ IC / IB = 10
0.6
VBE ( ON) @ VCE = 1.0 V
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
VCE (SAT) @ IC / IB = 10
0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
IB ,基极电流(毫安)
10
20
50
0
0.5
1.0
2.0
5.0
10
50
100
20
IC ,集电极电流(毫安)
200
500
图2.集电极饱和区
图3. “开”电压
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPS6717
θ
VB ,温度系数(毫伏/
°
C)
–0.8
–1.2
C,电容(pF )
80
60
40
CIBO
TJ = 25°C
–1.6
θ
VB的VBE
20
–2.0
–2.4
10
8.0
6.0
科博
0.2
0.5 1.0 2.0
5.0 10
20
VR ,反向电压(伏)
50
100
–2.8
0.5
1.0
2.0
5.0
20
50
10
100
IC ,集电极电流(毫安)
200
500
4.0
0.1
图4.基射极温度系数
F T ,电流增益 - 带宽积(兆赫)
图5.电容
300
IC ,集电极电流(毫安)
200
VCE = 2.0 V
TJ = 25°C
占空比
10%
2k
1k
500
200
100
50
20
30
2.0
3.0
5.0 7.0 10
20 30
50 70 100
IC ,集电极电流(毫安)
200
10
1.0
MPS6717
10
20
60 80 100
2.0
5.0
VCE ,集电极 - 发射极电压(伏)
TA = 25°C
TC = 25°C
1.0 s
dc
1.0毫秒
100
s
100
70
50
dc
电流限制
热限制
第二击穿极限
图6.电流增益 - 带宽积
图7.活动区 - 安全工作区
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MPS6717
包装尺寸
A
R
P
F
L
B
座位
飞机
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
MIMIMUM 。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.135
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.56
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
3.43
–––
3.43
–––
K
X X
G
H
V
1 2 3
D
J
第X-X
N c个
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
N
CASE 029-05
(TO–226AE)
ISSUE AD
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,并
具体来说不承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。可在摩托罗拉提供“典型”参数
数据表和/或特定网络阳离子可以和做不同的应用和实际性能可能会随时间而变化。所有的操作参数,包括“典型”
必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并没有传达根据其专利权的任何许可或权利
其他人。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作系统组件用于外科植入到体内,或其他
应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序在摩托罗拉产品的故障可能造成人身伤害的情况
否则可能会出现死亡。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉
其管理人员,员工,附属公司,联营公司及分销商对所有索赔,费用,损失,费用和合理的律师费无害
所产生的直接或间接造成人身伤害或意外或未经授权使用相关死亡索赔,即使此类索赔称,
摩托罗拉是疏忽就部分的设计和制造。摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等
机会/肯定行动雇主。
M传真是摩托罗拉公司的一个商标。
如何找到我们:
美国/欧洲/点未列出:
摩托罗拉文学分布;
P.O.盒5405 ,科罗拉多州丹佛市80217. 303-675-2140或1-800-441-2447
日本:
日本摩托罗拉有限公司: SPD ,战略规划办公室, 4-32-1 ,
西五反田,品川区,东京141 ,日本。 81-3-5487-8488
M传真 :
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键602-244-6609
亚洲/太平洋网络C:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
- 美国&仅限于加拿大1-800-774-1848 51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
互联网:
http://motorola.com/sps
4
MPS6717/D
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
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地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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