添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13692101218  13751165337
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13692101218
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2736页 > MPS6652RLRAG
MPS6601 ， MPS6602 （ NPN ）
MPS6651 ， MPS6652 （ PNP ）
MPS6602和MPS6652是首选设备
放大器晶体管
特点
电压和电流是负的PNP晶体管
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
MPS6601/6651
MPS6602/6652
集电极基极电压
MPS6601/6651
MPS6602/6652
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
CBO
25
30
4.0
1000
625
5.0
1.5
12
-55到+150
VDC
MADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
符号
V
首席执行官
25
40
VDC
价值
单位
VDC
2
BASE
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
NPN
1
辐射源
PNP
1
辐射源
集热器
3
1
2
3
TO92
CASE 29-11
风格1
热特性
特征
热阻，结到环境
（注1 ）
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. R
qJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
MPS
66xy
AYWW
G
G
MPS66xy =器件代码
X = 0或5
Y = 1或2个
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册第7页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年6月 - 第4版
出版订单号：
MPS6601/D
MPS6601 ， MPS6602 （ NPN ） MPS6651 ， MPS6652 （ PNP ）
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 25伏直流，我
B
= 0)
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 25伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1000 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 1000 MADC ，我
B
= 100 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 40 VDC ，我
C
= 500 MADC ，
I
B1
= 50 MADC ，
t
p
w
300 ns的占空比）
t
d
t
r
t
s
t
f
25
30
250
50
ns
ns
ns
ns
f
T
C
敖包
100
30
兆赫
pF
h
FE
50
50
30
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
0.6
1.2
VDC
VDC
MPS6601/6651
MPS6602/6652
I
CBO
MPS6601/6651
MPS6602/6652
0.1
0.1
V
（ BR ） CEO
MPS6601/6651
MPS6602/6652
V
（ BR ） CBO
MPS6601/6651
MPS6602/6652
V
（ BR ） EBO
I
CES
0.1
0.1
MADC
25
40
4.0
VDC
MADC
25
40
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
http://onsemi.com
2
MPS6601 ， MPS6602 （ NPN ） MPS6651 ， MPS6652 （ PNP ）
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P
（ PK）
单脉冲
0.01
单脉冲
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
R
QJC
(t) = (t)
QJC
R
QJC
= 100 ° C / W MAX
R
qJA
（ T）D = R （t）的
qJA
R
qJA
= 357 ° C / W MAX
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
10
20
50
100
0.1 0.05
0.07 0.02
0.05
0.03
0.02
0.01
0.001
T，时间（秒）
图1.热响应
开启时间
1.0 V
V
CC
+40
V
R
L
产量
V
in
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
V
in
5.0
mF
关断时间
+V
BB
V
CC
+40
V
100
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
100
R
L
产量
5.0
ms
+10
V
0
100
图2.开关时间测试电路
http://onsemi.com
3
MPS6601 ， MPS6602 （ NPN ） MPS6651 ， MPS6652 （ PNP ）
NPN
300
200
^ h FE ，电流增益
^ h FE ，电流增益
100
70
50
V
CE
= 1.0 V
T
J
= 25°C
200
PNP
100
70
50
30
V
CE
= 1.0 V
T
J
= 25°C
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
20
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
图3. MPS6601 / 6602直流电流增益
图4. MPS6651 / 6652直流电流增益
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
300
200
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
300
200
100
70
50
30
V
CE
= 10 V
T
J
= 25°C
F = 30 MHz的
10
100
200
1000
100
70
50
30
10
V
CE
= 10 V
T
J
= 25°C
F = 30 MHz的
100
200
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.电流增益带宽积
图6.电流增益带宽积
1.0
T
J
= 25°C
1.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
0
1.0
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
10
100
1000
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.电压
图8.电压
http://onsemi.com
4
MPS6601 ， MPS6602 （ NPN ） MPS6651 ， MPS6652 （ PNP ）
NPN
80
T
J
= 25°C
60
120
160
PNP
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
40
C
ib
80
C
ib
40
C
ob
C
ob
C
ib
5.0
1.0
15
20
10
2.0
3.0
4.0
V
R
，反向电压（伏）
25
5.0
20
C
ob
5.0
1.0
15
20
10
2.0
3.0
4.0
V
R
，反向电压（伏）
25
5.0
0
C
ob
C
ib
0
图9.电容
图10.电容
10
V
CE
= 5.0 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
I
C
= 100
mA
10
V
CE
= 5.0 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
8.0
6.0
4.0
I
C
= 100
mA
4.0
2.0
0
2.0
0
10
100
1k
10 k
10
100
1k
10 k
R
s
，源电阻（欧姆）
R
s
，源电阻（欧姆）
图11. MPS6601 / 6602噪声系数
图12. MPS6651 / 6652噪声系数
10 k
5k
3k
1k
500
200
100
50
20
10
10
20
50
100
200
t
f
t
r
t
d
500
1000
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
s
10 k
5k
3k
1k
500
200
100
50
20
10
10
20
50
100
200
t
f
t
r
t
d
500
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
t
s
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13. MPS6601 / 6602开关时间
T， TIME （ NS ）
图14. MPS6651 / 6652开关时间
http://onsemi.com
5
NPN - MPS6601 ; PNP -
MPS6651 ， MPS6652
MPS6652是首选设备
放大器晶体管
特点
电压和电流是负的PNP晶体管
无铅包可用*
http://onsemi.com
集热器
3
集热器
3
2
BASE
NPN
1
辐射源
VDC
PNP
1
辐射源
最大额定值
等级
集电极发射极电压
MPS6601/6651
MPS6652
集电极基极电压
MPS6601/6651
MPS6652
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
V
CBO
25
30
4.0
1000
625
5.0
1.5
12
-55到+150
VDC
MADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
符号
V
首席执行官
25
40
价值
单位
VDC
2
BASE
TO92
CASE 29
风格1
12
1
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
热特性
特征
热阻，结到环境
（注1 ）
热阻，结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
MPS
66xy
AYWW
G
G
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1. R
qJA
度用焊接到一个典型的印刷电路板的装置。
MPS66xy =器件代码
X = 0或5
Y = 1或2个
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2007年4月 - 修订版5
出版订单号：
MPS6601/D
NPN - MPS6601 ; PNP - MPS6651 ， MPS6652
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 1.0 MADC ，我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 100
MADC ，
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
E
= 10
MADC ，
I
C
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CE
= 25伏直流，我
B
= 0)
(V
CE
= 30伏直流电，我
B
= 0)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 25伏直流，我
E
= 0)
(V
CB
= 30伏直流电，我
E
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 100 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
(I
C
= 1000 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 1000 MADC ，我
B
= 100 MADC ）
基射极电压ON
(I
C
= 500 MADC ，V
CE
= 1.0伏）
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 50 MADC ，V
CE
= 10 VDC ， F = 100兆赫）
输出电容
(V
CB
= 10 VDC ，我
E
= 0中，f = 1.0 MHz）的
开关特性
延迟时间
上升时间
贮存时间
下降时间
(V
CC
= 40 VDC ，我
C
= 500 MADC ，
I
B1
= 50 MADC ，
t
p
w
300 ns的占空比）
t
d
t
r
t
s
t
f
25
30
250
50
ns
ns
ns
ns
f
T
100
C
敖包
30
pF
兆赫
h
FE
50
50
30
V
CE （ SAT ）
V
BE（上）
1.2
0.6
VDC
VDC
MPS6601/6651
MPS6652
I
CBO
MPS6601/6651
MPS6652
0.1
0.1
V
（ BR ） CEO
MPS6601/6651
MPS6652
V
（ BR ） CBO
MPS6601/6651
MPS6652
V
（ BR ） EBO
I
CES
0.1
0.1
MADC
25
40
4.0
VDC
MADC
25
40
VDC
VDC
符号
民
最大
单位
订购信息
设备
MPS6601RLRAG
MPS6651G
MPS6652
MPS6652G
MPS6652RLRAG
包
TO-92 （TO- 226）
（无铅）
TO-92 （TO- 226）
（无铅）
TO-92 （TO- 226）
TO-92 （TO- 226）
（无铅）
TO-92 （TO- 226）
（无铅）
2000单位/带卷&
5000单位/散装
航运
2000单位/带卷&
有关磁带和卷轴规格，包括部分方向和磁带大小，请参阅我们的磁带和卷轴包装
规范手册， BRD8011 / D 。
http://onsemi.com
2
NPN - MPS6601 ; PNP - MPS6651 ， MPS6652
R（T ） ，规范有效的瞬变
热阻
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
D = 0.5
0.2
0.1
P
（ PK）
单脉冲
0.01
单脉冲
t
1
t
2
占空比D = T
1
/t
2
0.002
0.005
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
R
QJC
(t) = (t)
QJC
R
QJC
= 100 ° C / W MAX
R
qJA
（ T）D = R （t）的
qJA
R
qJA
= 357 ° C / W MAX
D曲线任选一
电脉冲串
显示读取时间在T
1
T
J（下PK）
T
C
= P
（ PK）
q
JC
(t)
10
20
50
100
0.1 0.05
0.07 0.02
0.05
0.03
0.02
0.01
0.001
T，时间（秒）
图1.热响应
开启时间
1.0 V
V
CC
+40
V
R
L
产量
V
in
t
r
= 3.0纳秒
5.0
mF
100
5.0
ms
t
r
= 3.0纳秒
测试夹具和连接器的*总并联电容
对于PNP测试电路，所有的反向电压极性
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
V
in
5.0
mF
关断时间
+V
BB
V
CC
+40
V
100
R
B
* C
S
t
6.0 pF的
100
R
L
产量
5.0
ms
+10
V
0
100
图2.开关时间测试电路
http://onsemi.com
3
NPN - MPS6601 ; PNP - MPS6651 ， MPS6652
NPN
300
200
^ h FE ，电流增益
^ h FE ，电流增益
100
70
50
V
CE
= 1.0 V
T
J
= 25°C
200
PNP
100
70
50
30
V
CE
= 1.0 V
T
J
= 25°C
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
20
10
100
I
C
，集电极电流（毫安）
1000
图3. MPS6601 / 6602直流电流增益
图4. MPS6651 / 6652直流电流增益
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
300
200
F T ，电流增益带宽积（兆赫）
300
200
100
70
50
30
V
CE
= 10 V
T
J
= 25°C
F = 30 MHz的
10
100
200
1000
100
70
50
30
10
V
CE
= 10 V
T
J
= 25°C
F = 30 MHz的
100
200
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图5.电流增益带宽积
图6.电流增益带宽积
1.0
T
J
= 25°C
1.0
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
V，电压（V ）
T
J
= 25°C
V
BE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.8
V，电压（V ）
0.6
0.6
V
BE（上）
@ V
CE
= 1.0 V
0.4
0.2
0
1.0
0.4
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
0.2
0
1.0
V
CE （ SAT ）
@ I
C
/I
B
= 10
10
100
1000
10
100
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
I
C
，集电极电流（毫安）
图7.电压
图8.电压
http://onsemi.com
4
NPN - MPS6601 ; PNP - MPS6651 ， MPS6652
NPN
80
T
J
= 25°C
60
120
160
PNP
T
J
= 25°C
C，电容（pF ）
C，电容（pF ）
40
C
ib
80
C
ib
40
C
ob
C
ob
C
ib
5.0
1.0
10
15
20
2.0
3.0
4.0
V
R
，反向电压（伏）
25
5.0
20
C
ob
5.0
1.0
10
15
20
3.0
4.0
2.0
V
R
，反向电压（伏）
25
5.0
0
C
ob
C
ib
0
图9.电容
图10.电容
10
V
CE
= 5.0 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
I
C
= 100
mA
10
V
CE
= 5.0 V
F = 1.0千赫
T
A
= 25°C
NF ，噪声系数（dB ）
6.0
NF ，噪声系数（dB ）
8.0
8.0
6.0
4.0
I
C
= 100
mA
4.0
2.0
0
2.0
0
10
100
1k
10 k
10
100
1k
10 k
R
s
，源电阻（欧姆）
R
s
，源电阻（欧姆）
图11. MPS6601 / 6602噪声系数
图12. MPS6651 / 6652噪声系数
10 k
5k
3k
1k
500
200
100
50
20
10
10
20
50
100
200
t
f
t
r
t
d
500
1000
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
t
s
10 k
5k
3k
1k
500
200
100
50
20
10
10
20
50
100
200
t
f
t
r
t
d
500
1000
I
C
，集电极电流（毫安）
t
s
t
d
@ V
BE （OFF）的
= 0.5 V
V
CC
= 40 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
= I
B2
T
J
= 25°C
T， TIME （ NS ）
I
C
，集电极电流（毫安）
图13. MPS6601 / 6602开关时间
T， TIME （ NS ）
图14. MPS6651 / 6652开关时间
http://onsemi.com
5
查看更多MPS6652RLRAGPDF信息
推荐型号
MB39A119QN
M95040-MN3/G
M5LV-128/74-10VI
MAX111BCPE
MI-P5J-IVA
MACH110-18
M38035FEL-XXXWG
M29W040B55NZ1
MMBZ52
MTD2003F
MSV101E
MI-L7N-IY
M38224MBFS
M38224MB-FS
M38120EE-XXXFP
M38274E4-XXXHP
MAX792TEPE
MX29LV800BTXBC-90G
M-8870-02S
MAX9380EUA
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    MPS6652RLRAG
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
MPS6652RLRAG
onsemi
24+
10000
TO-92（TO-226）
原厂一级代理，原装现货
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
MPS6652RLRAG
onsemi
24+
10000
TO-92（TO-226）
全新原装现货，原厂代理。
深圳市华斯顿电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ：515102657 复制
电话：0755-83777708/83777607/82799993
联系人：朱咸华
地址：美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
MPS6652RLRAG
ON
25+23+
25500
TO-92
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
MPS6652RLRAG
ＯＮ
22+
6000
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎洽谈
深圳市恒达亿科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004390992 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004390991 复制 点击这里给我发消息 QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189
联系人：夏先生 朱小姐
地址：广东省深圳市福田区华强北赛格科技园3栋东座10楼A2室（本公司为一般纳税人，可开增票）
MPS6652RLRAG
ON
25+
3200
TO-92(TO-226)
全新原装正品特价售销！
北京元坤国际科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：何小姐
地址：海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
MPS6652RLRAG
ON
21+
8500
全新原装正品/质量有保证
北京首天伟业科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881290686 复制

电话：010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人：刘经理
地址：北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
MPS6652RLRAG
ON
2012+
86000
原装正品
全新原装正品/质量有保证
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号2-1-1102
MPS6652RLRAG
√ 欧美㊣品
▲10/11+
10375
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
北京显周科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：5645336 复制
电话：13910052844（微信同步）
联系人：刘先生
地址：北京市海淀区增光路27号院
MPS6652RLRAG
ON Semiconductor
㊣10/11+
8391
贴◆插
【dz37.com】实时报价有图&PDF
上海如美电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：823639999 复制

电话：021-51097965
联系人：杨全兴
地址：松江区石湖荡镇松蒸公路2183号22幢-19
MPS6652RLRAG
ON/安森美
17/18+
进口原装代理现货
普通
查询更多MPS6652RLRAG供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！