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摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPS4250 / D
晶体管
PNP硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPS4250
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
价值
–40
–40
–40
–5.0
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-04 ,风格1
TO-92 (TO- 226AA )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = -5.0毫安)
集电极 - 发射极耐受电压( 1 )
( IC = -5.0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = -10
m
A)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = -10
m
A)
收藏家Cuto FF电流
( VCB = -50 V)
( VCB = -40 V, TA = 65 ° C)
发射Cuto FF电流
( VEB = -3.0 V)
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
m
S;占空比= 2.0 % 。
V( BR ) CES
V( BR ) CEO ( SUS )
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
–10
–3.0
–20
nA
m
A
nA
–40
–40
–40
–5.0
VDC
VDC
VDC
VDC
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPS4250
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = -1.0毫安, VCE = -5.0 V)
( IC = -10毫安, VCE = -5.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压( 1 )
( IC = -10毫安, IB = -0.5毫安)
基地 - 发射极饱和电压( 1 )
( IC = -10毫安, IB = -0.5毫安)
的hFE
250
250
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
–0.25
–0.9
VDC
VDC
小信号特性
输出电容
( VCB = -5.0 V,F = 1.0兆赫)
输入电容
( VEB = -0.5 V,F = 1.0兆赫)
小信号电流增益
( IC = -1.0毫安, VCE = -5.0 V,F = 1.0千赫)
( IC = -0.5毫安, VCE = -5.0 V,F = 20兆赫)
噪声系数
( IC = -20
m
A, VCE = -5.0 V, RS = 10 kΩ的, F = 1.0千赫, PBW = 150赫兹)
( IC = -250
m
A, VCE = -5.0 V, RS = 1.0千欧, F = 1.0千赫, PBW = 150赫兹)
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
m
S;占空比= 2.0 % 。
科博
CIBO
的hFE
250
2.0
NF
2.0
2.0
800
dB
6.0
16
pF
pF
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPS4250
包装尺寸
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MPS4250
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPS4250/D
*MPS4250/D*
摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
由MPS4250 / D
晶体管
PNP硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPS4250
1
2
3
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCES
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ , TSTG
价值
–40
–40
–40
–5.0
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
°C
CASE 29-04 ,风格1
TO-92 (TO- 226AA )
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
q
JA
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明)
特征
符号
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压
( IC = -5.0毫安)
集电极 - 发射极耐受电压( 1 )
( IC = -5.0 )
集电极 - 基极击穿电压
( IC = -10
m
A)
发射极 - 基极击穿电压
(IE = -10
m
A)
收藏家Cuto FF电流
( VCB = -50 V)
( VCB = -40 V, TA = 65 ° C)
发射Cuto FF电流
( VEB = -3.0 V)
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
m
S;占空比= 2.0 % 。
V( BR ) CES
V( BR ) CEO ( SUS )
V( BR ) CBO
V( BR ) EBO
ICBO
IEBO
–10
–3.0
–20
nA
m
A
nA
–40
–40
–40
–5.0
VDC
VDC
VDC
VDC
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPS4250
电气特性
( TA = 25° C除非另有说明) (续)
特征
符号
最大
单位
基本特征
直流电流增益
( IC = -1.0毫安, VCE = -5.0 V)
( IC = -10毫安, VCE = -5.0 V)
集电极 - 发射极饱和电压( 1 )
( IC = -10毫安, IB = -0.5毫安)
基地 - 发射极饱和电压( 1 )
( IC = -10毫安, IB = -0.5毫安)
的hFE
250
250
VCE ( SAT )
VBE ( SAT )
–0.25
–0.9
VDC
VDC
小信号特性
输出电容
( VCB = -5.0 V,F = 1.0兆赫)
输入电容
( VEB = -0.5 V,F = 1.0兆赫)
小信号电流增益
( IC = -1.0毫安, VCE = -5.0 V,F = 1.0千赫)
( IC = -0.5毫安, VCE = -5.0 V,F = 20兆赫)
噪声系数
( IC = -20
m
A, VCE = -5.0 V, RS = 10 kΩ的, F = 1.0千赫, PBW = 150赫兹)
( IC = -250
m
A, VCE = -5.0 V, RS = 1.0千欧, F = 1.0千赫, PBW = 150赫兹)
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
m
S;占空比= 2.0 % 。
科博
CIBO
的hFE
250
2.0
NF
2.0
2.0
800
dB
6.0
16
pF
pF
2
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPS4250
包装尺寸
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4.尺寸f适用P和L之间
尺寸D和J适用I和K之间
最低限度。 LEAD DIMENSION不受控制
在P型和超越维数k最低限度。
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.022
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
–––
0.250
–––
0.080
0.105
–––
0.100
0.115
–––
0.135
–––
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.41
0.55
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
–––
6.35
–––
2.04
2.66
–––
2.54
2.93
–––
3.43
–––
A
R
P
座位
飞机
B
F
L
K
D
X X
G
H
V
1
J
C
N
N
第X-X
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
CASE 029-04
(TO–226AA)
ISSUE AD
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
3
MPS4250
摩托罗拉保留更改,恕不另行通知这里的任何产品的权利。摩托罗拉公司对于任何担保,声明或保证
其产品适用于任何特定用途,也不摩托罗拉承担由此产生的任何产品或电路的应用或使用任何责任,
并明确拒绝承担任何责任,包括但不限于间接或附带损失。 “典型”参数,并会根据不同的
应用程序。所有的操作参数,包括“典型”必须为每个客户的客户应用的技术专家进行验证。摩托罗拉并
不转达根据其专利权的任何许可或他人的权利。摩托罗拉产品不是设计,意,或授权用作组件
旨在系统通过外科手术移植到体内,或其他应用程序旨在支持或维持生命,或任何其他应用程序中的故障
摩托罗拉的产品可能会造成这样一种情况人身伤害或死亡可能会发生。如果买方购买或使用摩托罗拉产品的任何此类
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿并持有摩托罗拉和其职员,雇员,子公司,联营公司及分销商无害
对所有索赔,费用,损失,费用,以及直接或间接引起的,合理的律师费,人身伤害或死亡的任何索赔
与此类意外或未经授权的使用有关,即使此类索赔称,摩托罗拉对零件的设计或制造疏忽造成的。
摩托罗拉
注册摩托罗拉公司,摩托罗拉公司的商标是一个平等机会/ AF连接rmative行动雇主。
如何找到我们:
美国/欧洲:
摩托罗拉文学分布;
P.O. 20912盒;亚利桑那州凤凰城85036. 1-800-441-2447
M传真:
RMFAX0@email.sps.mot.com - 按键( 602 ) 244-6609
互联网:
http://Design-NET.com
日本:
日本摩托罗拉有限公司;巽SPD- JLDC ,利胜乙木,
6F西武Butsuryu中心, 3-14-2巽江东区,东京135 ,日本。 03-3521-8315
香港:
摩托罗拉半导体H.K.有限公司; 8B太平工业园,
51汀角路,大埔,新界,香港。 852-26629298
4
摩托罗拉小信号晶体管, FET和二极管设备数据
MPS4250/D
*MPS4250/D*
MPS4250
晶体管
PNP硅
特点
这是一个Pb - Free设备*
最大额定值
等级
集热器
:辐射源
电压
集热器
:辐射源
电压
集热器
: BASE
电压
辐射源
: BASE
电压
集电极电流
连续
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
首席执行官
V
CES
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
40
40
40
5.0
50
625
5.0
1.5
12
55
+150
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
MADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
12
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
1
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
3
直引线
散装
3
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
2
TO- 92 1瓦
(TO226)
情况29-10
风格1
标记图
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
MPS
4250
AYWW
G
G
A
=大会地点
Y
=年
WW =工作周
G
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MPS4250G
TO92
(无铅)
航运
5000 /磁带&卷轴
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2010
2010年8月
启5
1
出版订单号:
MPS4250/D
MPS4250
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集热器
:辐射源
击穿电压
(I
C
=
5.0
毫安)
集热器
:辐射源
维持电压(注1 )
(I
C
=
5.0)
集热器
: BASE
击穿电压
(I
C
=
10
毫安)
辐射源
: BASE
击穿电压
(I
E
=
10
毫安)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
=
50
V)
(V
CB
=
40
V,T
A
= 65°C)
发射Cuto FF电流
(V
EB
=
3.0
V)
基本特征
直流电流增益
(I
C
=
1.0
毫安,V
CE
=
5.0
V)
(I
C
=
10
毫安,V
CE
=
5.0
V)
集热器
:辐射源
饱和电压(注1 )
(I
C
=
10
妈,我
B
=
0.5
毫安)
BASE
:辐射源
饱和电压(注1 )
(I
C
=
10
妈,我
B
=
0.5
毫安)
小信号特性
输出电容
(V
CB
=
5.0
V,F = 1.0兆赫)
输入电容
(V
EB
=
0.5
V,F = 1.0兆赫)
小信号电流增益
(I
C
=
1.0
毫安,V
CE
=
5.0
V,F = 1.0千赫)
(I
C
=
0.5
毫安,V
CE
=
5.0
V,F = 20兆赫)
噪声系数
(I
C
=
20
毫安,
V
CE
=
5.0
V ,R
S
= 10千瓦, F = 1.0千赫,P
BW
= 150赫兹)
(I
C
=
250
毫安,
V
CE
=
5.0
V ,R
S
= 1.0千瓦, F = 1.0千赫,P
BW
= 150赫兹)
1.脉冲测试:脉冲宽度= 300
女士;
占空比= 2.0 % 。
C
敖包
C
IBO
h
fe
6.0
16
pF
pF
h
FE
250
250
0.25
0.9
V
( BR ) CES
V
( BR ) CEO ( SUS )
V
( BR ) CBO
V
( BR ) EBO
I
CBO
40
40
40
5.0
VDC
VDC
VDC
VDC
符号
最大
单位
10
3.0
20
nA
mA
nA
I
EBO
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
VDC
VDC
250
2.0
800
2.0
2.0
NF
dB
http://onsemi.com
2
MPS4250
包装尺寸
TO-92 (TO- 226) 1瓦特
情况29-10
发行
A
B
P
F
L
K
直引线
散装
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R IS
不受控制。
4.尺寸f适用尺寸P之间
AND L. DIMENSIONS D AND J APPLY BETWEEN DI
MENSIONS L&K型最低。 THE LEAD
尺寸不受控制高维
P和超越维数k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.021
0.016
0.019
0.045
0.055
0.095
0.105
0.018
0.024
0.500
---
0.250
---
0.080
0.105
---
0.100
0.135
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.53
0.41
0.48
1.15
1.39
2.42
2.66
0.46
0.61
12.70
---
6.35
---
2.04
2.66
---
2.54
3.43
---
3.43
---
R
X X
H
V
1
D
G
J
C
N
N
第X-X
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
A
R
B
P
T
座位
飞机
BENT LEAD
磁带&卷轴
弹药包
K
注意事项:
1.尺寸和公差符合ASME
Y14.5M , 1994年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R IS
不受控制。
4.尺寸f适用尺寸P之间
和L尺寸D和J之间适用
尺寸L和K降到最低。 THE LEAD
尺寸不受控制高维
P和超越维数k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
J
K
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.290
0.310
0.125
0.165
0.018
0.021
0.094
0.102
0.018
0.024
0.500
---
0.080
0.105
---
0.100
0.135
---
0.135
---
MILLIMETERS
最大
4.44
5.21
7.37
7.87
3.18
4.19
0.46
0.53
2.40
2.80
0.46
0.61
12.70
---
2.04
2.66
---
2.54
3.43
---
3.43
---
G
X X
V
1
D
J
C
N
第X-X
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
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