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MPS4124
晶体管放大器
NPN硅
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
集电极发射极电压
集电极基极电压
发射极基极电压连续
连续集电极电流 -
器件总功耗@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
V
CE
V
CB
V
EB
I
C
P
D
P
D
T
J
, T
英镑
价值
25
30
5.0
200
625
5.0
1.5
12
-55到+150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
W
毫瓦/°C的
W
毫瓦/°C的
°C
1
2
http://onsemi.com
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
热特性
特征
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
R
qJA
R
QJC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
TO92
CASE 29-11
风格1
3
标记图
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值(不
正常工作条件下),并同时无效。如果这些限制
超标,设备功能操作不暗示,可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
MPS
4124
AYWW
G
G
MPS4124
A
Y
WW
G
=器件代码
=大会地点
=年
=工作周
= Pb-Free包装
(注:微球可在任一位置)
订购信息
设备
MPS4124
MPS4124G
MPS4124RLRA
MPS4124RLRAG
TO92
TO92
(无铅)
TO92
TO92
(无铅)
航运
5000单位/箱
5000单位/箱
2000 /磁带&卷轴
2000 /磁带&卷轴
*有关我们的无铅战略和焊接细节,更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册, SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司, 2006年
。有关磁带和卷轴规格,
包括部分方向和磁带大小,请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册, BRD8011 / D 。
出版订单号:
MPS4124/D
1
2006年3月 - 第3版
MPS4124
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明)
特征
开关特性
集电极发射极击穿电压
(I
C
= 1.0毫安,我
B
= 0)
集电极基极击穿电压
(I
C
= 10
毫安,
I
E
= 0)
发射-Base击穿电压
(I
C
= 0, I
E
= 10
毫安)
收藏家Cuto FF电流
(V
CB
= 20 V,I
E
= 0)
发射Cuto FF电流
(V
EB
= 3.0 V,I
C
= 0)
基本特征
直流电流增益
(I
C
= 2.0毫安, V
CE
= 1.0 V)
(I
C
= 50 mA时, V
CE
= 1.0 V)
集电极发射极饱和电压
(I
C
= 50 mA时,我
B
= 5.0 mA)的
基地发射极饱和电压
(I
C
= 50 mA时,我
B
= 5.0 mA)的
小信号特性
电流 - 获得 - 带宽积
(I
C
= 10 mA时, V
CE
= 20 V , F = 100兆赫)
输出电容
(V
CB
= 5.0 V,I
E
= 0中,f = 1.0 MHz)的
输入电容
(V
EB
= 0.5 V,I
C
= 0中,f = 1.0 MHz)的
小信号电流增益
(I
C
= 2.0毫安, V
CE
= 1.0 V,F = 1.0千赫)
噪声系数
(I
C
= 100
毫安,
V
CE
= 5.0 V ,R
S
= 1.0千瓦, F = 1.0千赫)
f
T
170
C
ob
C
ib
h
fe
120
NF
5.0
480
dB
13.5
4.0
pF
pF
兆赫
h
FE
120
60
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.95
0.3
VDC
360
VDC
V
( BR ) CEO
25
V
( BR ) CBO
30
V
( BR ) EBO
5.0
I
CBO
I
EBO
50
50
NADC
NADC
VDC
VDC
VDC
符号
最大
单位
http://onsemi.com
2
MPS4124
包装尺寸
TO-92 (TO- 226)
CASE 29-11
ISSUE AL
A
R
P
L
座位
飞机
B
注意事项:
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M , 1982年。
2.控制尺寸:英寸。
3.轮廓的包装BEYOND尺寸R
不加控制。
4. LEAD维不受控制IN P和
BEYOND尺寸k最低限度。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
P
R
V
英寸
最大
0.175
0.205
0.170
0.210
0.125
0.165
0.016
0.021
0.045
0.055
0.095
0.105
0.015
0.020
0.500
0.250
0.080
0.105
0.100
0.115
0.135
MILLIMETERS
最大
4.45
5.20
4.32
5.33
3.18
4.19
0.407
0.533
1.15
1.39
2.42
2.66
0.39
0.50
12.70
6.35
2.04
2.66
2.54
2.93
3.43
K
X X
G
H
V
1
D
J
C
第X-X
N
N
风格1 :
PIN 1.辐射源
2.基
3.收集
安森美半导体
是半导体元件工业,LLC ( SCILLC )的注册商标。 SCILLC保留随时更改,恕不另行通知的权利
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3
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