摩托罗拉
半导体技术资料
订购此文件
通过MPS404A / D
斩波晶体管
PNP硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPS404A
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
–35
–40
–25
–150
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA(1)
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VBE = -10伏直流， IC = 0 ）
2.脉冲测试：脉冲宽度
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
–35
–40
–25
—
—
—
—
—
–100
–100
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPS404A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -12 MADC ， VCE = -0.15伏）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -12 MADC ， IB = -0.4 MADC ）
（ IC = -24 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = -12 MADC ， IB = -0.4 MADC ）
（ IC = -24 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
的hFE
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
–0.85
–1.0
–0.15
–0.2
VDC
30
400
—
VDC
小信号特性
共基极截止频率
（ IC = -1.0 MADC ， VCB = 6.0伏）
输出电容
（ VCB = -6.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
FOB
科博
4.0
—
—
20
兆赫
pF
VEC ，发射极 - 集电极电压（毫伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（MV ）
普通模式
倒置模式
TJ = 25°C
VBC ，基极 - 集电极电压（伏）
VBE ，基极发射极电压（伏）
–100
–0.9
普通模式
倒置模式
–0.82
VBE （星期六） @ IC / IB = 2
VBC （星期六） @ IE / IB = 2
TJ = 25°C
–80
–60
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–0.74
–40
IC / IB = 2.0
VEC （星期六） @ IE / IB = 2.0
–0.66
VBE （ ON） @ VCE = -1.0 V
–20
–0.58
0
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
IC ，集电极电流（毫安）
IE浏览器，发射极电流（毫安）
–50 –70 –100
–0.50
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0 –7.0 –10
–20 –30
IC ，集电极电流（毫安）
IE浏览器，发射极电流（毫安）
–50 –70 –100
图1.集电极 - 发射极电压
图2.基“开”电压
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MPS404A
100
录制（上） ，发射极 - 集电极“ON”时
电阻（欧姆）
70
50
30
20
20
注：在发射极和之间的动态电阻
注意：
集电极的测量条件中操作的设备
注意：
反相模式。
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
兴业银行
3.0
COB
IE = 100
A
RMS
F = 1.0千赫
TJ = 25°C
IE = 0
10
7.0
5.0
–0.1
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
2.0
–0.05 –0.1
–0.2
–0.5
–1.0 –2.0
–5.0
–10
–20
–50
IB ，基极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
图9.发射极 - 集电极“开”电阻
图10.电容
2.0 k
1.0 k
700
500
T， TIME （ NS ）
300
200
100
70
50
30
20
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0 –7.0 –10
–20 –30
IC ，集电极电流（毫安）
–50 –70 –100
tr
VCC = -10 V
IC / IB = 0
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
1.0 k
700
ts
500
VCC = -10 V
IC / IB = 0
IB1 = IB2
TJ = 25°C
300
200
tf
TD @ VBE （关闭） = -1.4 V
100
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0 –7.0 –10
–20 –30
IC ，集电极电流（毫安）
–50 –70 –100
图11.开启时间
图12.开启，关闭时间
VBB
RBB
1.0 k
0.1
F
VIN
51
RB
10 k
VCC = -10 V
RC （ 560
)
C1
（ 0-250 pF的）
INPUT输入电压
RB *
(5.6 k)
产量
1.0 k
TO SCOPE
VCC
(–6.0 V)
VIN
（伏）
吨， TD和TR
花花公子， TS和TF
–12
+20.6
VBB
（伏）
+1.4
–11.6
电压和电阻值显示
对于IC = 10 mA的电流。 IC / IB = 10和IB1
= IB2 。电阻值改为转播
覃曲线在图11和12 。
测量步骤
C1增大，直到TOFF时间
输出波形下降到
0.2
s,
QS然后通过计算出的
QS = C1输入电压。
QS3或QS7由B线电子
或等效，也可以使用。
电压波形
0
6.0 V
VOUT
6.0 V
>5.0
s
VIN
TR ， TF < 15纳秒
10%
花花公子
图13.开关时间测试电路
图14.存储基地负责测试电路
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉
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通过MPS404A / D
斩波晶体管
PNP硅
集热器
3
2
BASE
1
辐射源
MPS404A
摩托罗拉的首选设备
最大额定值
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流 -
器件总功耗@ TA = 25℃
减免上述25℃
器件总功耗@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作和存储结
温度范围
符号
VCEO
VCBO
VEBO
IC
PD
PD
TJ ， TSTG
价值
–35
–40
–25
–150
625
5.0
1.5
12
- 55 + 150
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
mW
毫瓦/°C的
瓦
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
CASE 29-04 ，风格1
TO-92 （TO- 226AA ）
热特性
特征
热阻，结到环境
热阻，结到外壳
符号
R
q
JA(1)
R
q
JC
最大
200
83.3
单位
° C / W
° C / W
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明）
特征
符号
民
最大
单位
开关特性
集电极 - 发射极击穿电压（ 2 ）
（ IC = -10 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IC = -10
m
的adc ，IE = 0）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = -10
m
ADC ， IC = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCB = -10伏直流， IE = 0 ）
发射Cuto FF电流
（ VBE = -10伏直流， IC = 0 ）
2.脉冲测试：脉冲宽度
V（ BR ） CEO
V（ BR ） CBO
V（ BR ） EBO
ICBO
IEBO
–35
–40
–25
—
—
—
—
—
–100
–100
VDC
VDC
VDC
NADC
NADC
v
300
m
S，占空比
v
2.0%.
首选
设备是摩托罗拉建议以供将来使用和最佳的总体值的选择。
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
摩托罗拉公司1996年
1
MPS404A
电气特性
（ TA = 25° C除非另有说明） （续）
特征
符号
民
最大
单位
基本特征
直流电流增益
（ IC = -12 MADC ， VCE = -0.15伏）
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = -12 MADC ， IB = -0.4 MADC ）
（ IC = -24 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
基地 - 发射极饱和电压
（ IC = -12 MADC ， IB = -0.4 MADC ）
（ IC = -24 MADC ， IB = -1.0 MADC ）
的hFE
VCE （ SAT ）
—
—
VBE （ SAT ）
—
—
–0.85
–1.0
–0.15
–0.2
VDC
30
400
—
VDC
小信号特性
共基极截止频率
（ IC = -1.0 MADC ， VCB = 6.0伏）
输出电容
（ VCB = -6.0伏， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
FOB
科博
4.0
—
—
20
兆赫
pF
VEC ，发射极 - 集电极电压（毫伏）
VCE ，集电极 - 发射极电压（MV ）
普通模式
倒置模式
TJ = 25°C
VBC ，基极 - 集电极电压（伏）
VBE ，基极发射极电压（伏）
–100
–0.9
普通模式
倒置模式
–0.82
VBE （星期六） @ IC / IB = 2
VBC （星期六） @ IE / IB = 2
TJ = 25°C
–80
–60
VCE （SAT） @ IC / IB = 10
–0.74
–40
IC / IB = 2.0
VEC （星期六） @ IE / IB = 2.0
–0.66
VBE （ ON） @ VCE = -1.0 V
–20
–0.58
0
–1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
–20 –30
IC ，集电极电流（毫安）
IE浏览器，发射极电流（毫安）
–50 –70 –100
–0.50
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0 –7.0 –10
–20 –30
IC ，集电极电流（毫安）
IE浏览器，发射极电流（毫安）
–50 –70 –100
图1.集电极 - 发射极电压
图2.基“开”电压
2
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
MPS404A
100
录制（上） ，发射极 - 集电极“ON”时
电阻（欧姆）
70
50
30
20
20
注：在发射极和之间的动态电阻
注意：
集电极的测量条件中操作的设备
注意：
反相模式。
TJ = 25°C
C，电容（pF ）
10
7.0
5.0
兴业银行
3.0
COB
IE = 100
A
RMS
F = 1.0千赫
TJ = 25°C
IE = 0
10
7.0
5.0
–0.1
–0.2 –0.3
–0.5 –0.7 –1.0
–2.0 –3.0
–5.0 –7.0 –10
2.0
–0.05 –0.1
–0.2
–0.5
–1.0 –2.0
–5.0
–10
–20
–50
IB ，基极电流（毫安）
VR ，反向电压（伏）
图9.发射极 - 集电极“开”电阻
图10.电容
2.0 k
1.0 k
700
500
T， TIME （ NS ）
300
200
100
70
50
30
20
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0 –7.0 –10
–20 –30
IC ，集电极电流（毫安）
–50 –70 –100
tr
VCC = -10 V
IC / IB = 0
TJ = 25°C
T， TIME （ NS ）
1.0 k
700
ts
500
VCC = -10 V
IC / IB = 0
IB1 = IB2
TJ = 25°C
300
200
tf
TD @ VBE （关闭） = -1.4 V
100
–1.0
–2.0 –3.0 –5.0 –7.0 –10
–20 –30
IC ，集电极电流（毫安）
–50 –70 –100
图11.开启时间
图12.开启，关闭时间
VBB
RBB
1.0 k
0.1
F
VIN
51
RB
10 k
VCC = -10 V
RC （ 560
)
C1
（ 0-250 pF的）
INPUT输入电压
RB *
(5.6 k)
产量
1.0 k
TO SCOPE
VCC
(–6.0 V)
VIN
（伏）
吨， TD和TR
花花公子， TS和TF
–12
+20.6
VBB
（伏）
+1.4
–11.6
电压和电阻值显示
对于IC = 10 mA的电流。 IC / IB = 10和IB1
= IB2 。电阻值改为转播
覃曲线在图11和12 。
测量步骤
C1增大，直到TOFF时间
输出波形下降到
0.2
s,
QS然后通过计算出的
QS = C1输入电压。
QS3或QS7由B线电子
或等效，也可以使用。
电压波形
0
6.0 V
VOUT
6.0 V
>5.0
s
VIN
TR ， TF < 15纳秒
10%
花花公子
图13.开关时间测试电路
图14.存储基地负责测试电路
4
摩托罗拉小信号晶体管， FET和二极管设备数据
QQ：2881677436 复制
