摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MPIC2113 / D
电力产品部
超前信息
高端和低端驱动器
该MPIC2113是一种高电压，高转速，功率MOSFET和IGBT驱动器
具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的HVIC
和锁存免疫CMOS技术使坚固耐用的单片式结构。
逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容。输出
驱动器具有高脉冲电流缓冲级，最低驱动
跨导。传播延迟匹配，以简化在高频时使用
CY的应用程序。浮置沟道，可用于驱动一个N沟道功率
MOSFET或IGBT在其中工作在10至600偏高配置
伏。
MPIC2113
高，低
侧驱动器
14
1
设计为引导操作浮动通道
充分运作，以+600 V
耐负瞬态电压
的dV / dt免疫
栅极驱动电压范围为10 20 V
欠压锁定两个通道
单独的逻辑电源
工作电压范围从5到20 V
逻辑和电源接地操作偏移范围在-5至+5 V
CMOS施密特触发器输入端采用下拉
逐周期边沿触发关断逻辑
匹配的传播延迟为两个通道
同相输入输出
产品概述
P后缀
塑料包装
CASE 646-06
16
1
DW后缀
塑料包装
CASE 751G -02
SOIC - 宽
订购信息
设备
MPIC2113DW
MPIC2113P
包
SOIC宽
PDIP
VOFFSET
IO +/-
VOUT
吨/关（典型值）
延迟匹配
600 V最大
2 A/2 A
10 – 20 V
120 & 94纳秒
10纳秒
引脚连接
（ TOP VIEW ）
9
8
9
10
11
12
13
14
VDD
HIN
SD
LIN
VSS
VCC
COM
LO
HO
VB
VS
7
6
5
4
3
2
1
10
11
12
13
14
15
16
VDD
HIN
SD
LIN
VSS
VCC
COM
LO
HO
VB
VS
8
7
6
5
4
3
2
1
14 LEADS PDIP MPIC2113P
16个导SOIC （宽体）
MPIC2113DW
本文件包含的新产品信息。本文规格和信息如有
更改，恕不另行通知。
摩托罗拉TMOS
摩托罗拉公司1996年
功率MOSFET晶体管器件数据
1
MPIC2113
简化的框图
VB
VDD
R Q
S
HIN
VDD / VCC
水平
移
HV
水平
移
脉冲
根
UV
检测
脉冲
滤波器
R
R
S
Q
HO
VS
VCC
SD
UV
检测
LIN
S
R Q
VSS
VDD / VCC
水平
移
LO
延迟
COM
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数是绝对的
电压参考COM 。热电阻和功耗额定值下测板安装和静止的空气中
条件。
等级
高侧浮动绝对电压
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
允许的偏移电压瞬变
*封装功耗@ TA
≤
+25°C
热阻，结到环境
工作和存储温度
无铅焊接温度的目的10秒
（ 14引脚DIP ）
（ 16 SOIC - WIDE ）
（ 14引脚DIP ）
（ 16 SOIC - WIDE ）
符号
VB
VS
VHO
VCC
VLO
VDD
VSS
VIN
DVS / DT
PD
–
R
θJA
TJ ， TSTG
TL
民
–0.3
VB–25
VS–0.3
–0.3
–0.3
–0.3
VCC–25
VSS–0.3
–
–
–
–
–
–55
–
最大
625
VB+0.3
VB+0.3
25
VCC+0.3
VSS+25
VCC+0.3
VDD+0.3
50
1.6
1.25
75
100
150
260
单位
VDC
V / ns的
瓦
° C / W
°C
°C
推荐工作条件
的输入/输出逻辑的时序图显示在图1。对于正确的操作设备应该推荐的条件内使用
系统蒸发散。在VS和VSS抵消收视率与偏置15 V差分所有电源进行测试。
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑电源电压
逻辑电源电压偏移
逻辑输入电压（ HIN ， LIN & SD ）
环境温度
VB
VS
VHO
VCC
VLO
VDD
VSS
VIN
VS+10
注1
VS
10
0
VSS+5
–5
VSS
–40
VS+20
600
VB
20
VCC
VSS+20
5
VDD
125
°C
V
TA
注1 ：逻辑操作为-5 VS于为-5 V VS到-VBS 600 V.逻辑状态。
2
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
MPIC2113
电气特性
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
特征
符号
民
典型值
最大
单位
静态电气特性 - 电源特性
VBIAS （VCC ， VBS中，VDD ）= 15 V和VSS = COM ，除非另有规定。在VIN ， VTH和IIN参数参考VSS ，并
适用于所有的三个逻辑输入导线： HIN ， LIN和SD 。在VO和IO参数参考COM或VSS并适用于
相应的输出引线： HO或LO 。
逻辑“1”的输入电压
逻辑“0”输入电压
高电平输出电压， VBIAS - VO @ VIN = VIH ， IO = 0
低电平输出电压， VO @ VIN = VIL ， IO = 0
胶印机供应漏电流@ VB = VS = 600 V
VBS静态电源电流@ VIN = 0 V或VDD
VCC静态电源电流@ VIN = 0 V或VDD
VDD静态电源电流@ VIN = 0 V或VDD
逻辑“1”输入偏置电流@ VIN = 15 V
逻辑“0”输入偏置电流@ VIN = 0 V
VBS电源欠压积极门槛
VBS电源欠压负门槛
Vcc电源欠压积极门槛
Vcc电源欠压负门槛
高输出短路电流脉冲
@ VOUT = 0 V ， VIN = 15V， PW
≤10 s
低输出短路脉冲电流
@ VOUT = 15 V ， VIN = 0 V ， PW
≤
10
s
VIH
VIL
VOH
VOL
ILK
IQBS
IQCC
IQDD
IIN +
IIN-
VBSUV +
VBSUV-
Vccuv +
VCCUV-
IO +
IO =
9.5
–
–
–
–
–
–
–
–
–
7.5
7.0
7.4
7.0
2.0
2.0
–
–
–
–
–
125
180
15
20
–
–
–
–
–
2.5
2.5
–
6.0
1.2
0.1
50
230
340
30
40
1.0
9.7
9.4
9.6
9.4
–
–
A
V
A
V
动态电气特性
VBIAS （VCC ， VBS中，VDD ）= 15 V和VSS = COM ，除非另有规定。 TA = 25 ℃。
导通传播延迟@ VS = 0 V
关断传播延迟@ VS = 600 V
关闭传播延迟@ VS = 600 V
导通上升时间@ CL = 1000 pF的
关断下降时间@ CL = 1000 pF的
延迟匹配， HS & LS开启/关闭
吨
花花公子
TSD
tr
tf
MT
–
–
–
–
–
–
120
94
110
25
17
–
150
125
140
35
25
10
ns
典型连接
10至600 V
VDD
HIN
SD
LIN
VSS
VCC
VDD
HIN
SD
LIN
VSS
HO
VB
VS
VCC
COM
LO
TO
负载
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
3
MPIC2113
包装尺寸
注意事项：
1. LEADS WITHIN 0.13 （ 0.005 ） RADIUS真
位置底座面最大
物质条件。
2.尺寸L为中央导线时的
平行地形成。
3.尺寸B不包括塑模
闪光灯。
4.圆角可选。
暗淡
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
M
N
英寸
民
最大
0.715
0.770
0.240
0.260
0.145
0.185
0.015
0.021
0.040
0.070
0.100 BSC
0.052
0.095
0.008
0.015
0.115
0.135
0.300 BSC
0
_
10
_
0.015
0.039
MILLIMETERS
民
最大
18.16
19.56
6.10
6.60
3.69
4.69
0.38
0.53
1.02
1.78
2.54 BSC
1.32
2.41
0.20
0.38
2.92
3.43
7.62 BSC
0
_
10
_
0.39
1.01
14
8
B
1
7
A
F
C
N
H
G
D
座位
飞机
L
J
K
M
CASE 646-06
ISSUE L
–A–
16
9
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：毫米。
3.尺寸A和B不包括塑模
前伸。
4.最大模具PROTRUSION 0.15 （ 0.006 ） PER
SIDE 。
5.尺寸D不包括密封条
前伸。允许的dambar
突出应该0.13 （ 0.005 ）总数
超过D尺寸最大
物质条件。
MILLIMETERS
民
最大
10.15
10.45
7.40
7.60
2.35
2.65
0.35
0.49
0.50
0.90
1.27 BSC
0.25
0.32
0.10
0.25
0
_
7
_
10.05
10.55
0.25
0.75
英寸
民
最大
0.400
0.411
0.292
0.299
0.093
0.104
0.014
0.019
0.020
0.035
0.050 BSC
0.010
0.012
0.004
0.009
0
_
7
_
0.395
0.415
0.010
0.029
–B–
1
8
8X
P
0.010 (0.25)
M
B
M
16X
D
M
J
T A
S
0.010 (0.25)
B
S
F
R
X 45
_
C
–T–
14X
暗淡
A
B
C
D
F
G
J
K
M
P
R
G
K
座位
飞机
M
CASE 751G -02
发出
摩托罗拉TMOS功率MOSFET电晶体元件数据
5
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