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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第372页 > MPF4392_06
MPF4392 ， MPF4393
首选设备
JFET开关晶体管
N沟道 - 耗尽
特点
无铅包可用*
最大额定值
等级
漏 - 源电压
排水-Gate Voltag
栅源电压
正向栅电流
器件总功耗
@ T
A
= 25°C
减免上述25℃
工作和存储频道
温度范围
符号
V
DS
V
DG
V
GS
I
G（ F）
P
D
350
2.8
T
通道
,
T
英镑
-65到+150
mW
毫瓦/°C的
°C
1
2
3
http://onsemi.com
2 SOURCE
价值
30
30
30
50
单位
VDC
VDC
VDC
MADC
1 DRAIN
3
门
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
超标，设备功能操作不暗示，可能会出现损伤和
可靠性可能受到影响。
TO-92 （TO- 226AA ）
CASE 29-11
风格5
标记图
MPF
439x
AYWW
G
G
MPF439x =器件代码
X = 2或3的
A
=大会地点
Y
=年
WW
=工作周
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
订购信息
设备
MPF4392
MPF4392G
MPF4393
MPF4393G
MPF4393RLRP
MPF4393RLRPG
*有关我们的无铅战略和焊接细节，更多的信息请
下载安森美半导体焊接与安装技术
参考手册， SOLDERRM / D 。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
包
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
TO92
TO92
（无铅）
航运
1000单位/散装
1000单位/散装
1000单位/散装
1000单位/散装
1000 /弹药盒
1000 /弹药盒
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
1
2006年1月 - 修订版5
出版订单号：
MPF4392/D
MPF4392 ， MPF4393
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
栅 - 源击穿电压
(I
G
= 1.0
MADC ，
V
DS
= 0)
门反向电流
(V
GS
= 15 VDC ，V
DS
= 0)
(V
GS
= 15 VDC ，V
DS
= 0, T
A
= 100°C)
汲极截止电流
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 12 V直流）
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 12伏直流，T
A
= 100°C)
门源电压
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 10 NADC ）
基本特征
零-Gate - 电压漏电流（注1 ）
(V
DS
= 15 VDC ，V
GS
= 0)
漏源电压
(I
D
= 6.0 MADC ，V
GS
= 0)
(I
D
= 3.0 MADC ，V
GS
= 0)
静态漏源导通电阻
(I
D
= 1.0 MADC ，V
GS
= 0)
小信号特性
正向转移导纳
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 25 MADC ， F = 1.0千赫）
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 5.0 MADC ， F = 1.0千赫）
漏源“ ON”电阻
(V
GS
= 0, I
D
= 0中，f = 1.0 kHz）的
输入电容（V
GS
= 15 VDC ，V
DS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
反向传输电容
(V
GS
= 12伏直流，V
DS
= 0中，f = 1.0 MHz）的
(V
DS
= 15 VDC ，我
D
= 10 MADC ， F = 1.0兆赫）
开关特性
上升时间（见图2 ）
(I
D（上）
= 6.0 MADC ）
(I
D（上）
= 3.0 MADC ）
下降时间（参见图4）
(V
GS （ OFF ）
= 7.0伏）
(V
GS （ OFF ）
= 5.0伏）
开启时间（参见图1和图2）
(I
D（上）
= 6.0 MADC ）
(I
D（上）
= 3.0 MADC ）
关断时间（参见图3和图4）
(V
GS （ OFF ）
= 7.0伏）
(V
GS （ OFF ）
= 5.0伏）
1.脉冲测试：脉冲宽度
v
300
女士，
占空比
v
3.0%.
t
r
MPF4392
MPF4393
t
f
MPF4392
MPF4393
t
on
MPF4392
MPF4393
t
关闭
MPF4392
MPF4393
20
37
35
55
4.0
6.5
15
15
ns
15
29
20
35
ns
2.0
2.5
5.0
5.0
ns
ns
|y
fs
|
MPF4392
MPF4393
r
DS （ ON）
MPF4392
MPF4393
C
国际空间站
C
RSS
2.5
3.2
3.5
6.0
60
100
10
pF
pF
17
12
W
毫姆欧
I
DSS
MPF4392
MPF4393
V
DS （ ON）
MPF4392
MPF4393
r
DS （ ON）
MPF4392
MPF4393
60
100
0.4
0.4
W
25
5.0
75
30
VDC
MADC
MPF4392
MPF4393
V
（ BR ） GSS
30
I
GSS
I
D（关闭）
V
GS
2.0
0.5
5.0
3.0
1.0
0.1
NADC
MADC
VDC
1.0
0.2
NADC
MADC
VDC
符号
民
典型值
最大
单位
http://onsemi.com
2
MPF4392 ， MPF4393
典型的开关特性
1000
吨D（ ON） ，导通延迟时间（纳秒）
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
5.0 7.0 10
2.0 3.0
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
R
K
= 0
R
K
= R
D
′
T
J
= 25°C
MPF4392 V
GS （ OFF ）
= 7.0 V
MPF4393
= 5.0 V
1000
500
200
吨R，上升时间（ NS ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
5.0 7.0 10
2.0 3.0
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
R
K
= 0
R
K
= R
D
′
T
J
= 25°C
MPF4392 V
GS （ OFF ）
= 7.0 V
MPF4393
= 5.0 V
图1.开启延迟时间
1000
吨D（关闭） ，关闭延迟时间（纳秒）
500
200
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
R
K
= 0
R
K
= R
D
′
T
J
= 25°C
MPF4392 V
GS （ OFF ）
= 7.0 V
MPF4393
= 5.0 V
1000
500
200
五六，下降时间（ NS ）
100
50
20
10
5.0
2.0
1.0
0.5 0.7 1.0
图2.上升时间
T
J
= 25°C
R
K
= R
D
′
MPF4392 V
GS （ OFF ）
= 7.0 V
MPF4393
= 5.0 V
R
K
= 0
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
图3.关闭延迟时间
图4.下降时间
http://onsemi.com
3
MPF4392 ， MPF4393
注1
V
DD
R
D
集V
DS （关闭）
= 10 V
输入
R
根
50
W
V
根
50
W
R
K
R
GG
V
GG
R
T
50
W
输入脉冲
t
r
≤
0.25纳秒
t
f
≤
0.5纳秒
脉冲宽度= 2.0
ms
占空比
≤
2.0%
R
GG
＆放大器;
R
K
R
D
′
= R
D
(R
T
+ 50)
R
D
+ R
T
+ 50
图5.开关时间测试电路
使用上面所示的开关特性进行测定
测试电路类似于图5.在切换的开始
间隔中，栅极电压处于门电源电压（ -V
GG
） 。该
漏源极电压（V
DS
）比漏极供应略低
电压（V
DD
）由于分压器。因此，反向传输
电容（C
RSS
）或栅 - 漏电容（C
gd
）被充电到
V
GG
+ V
DS
.
在导通时间，栅源电容（C
gs
)
产量
排出至R的串联组合
根
和R
K
. C
gd
必须排放到V
DS （ ON）
通过研究
G
和R
K
串联在
的有效负载阻抗的并联组合（R'
D
）和
漏源电阻（R
ds
） 。在关断时，该负责
流是相反的。
预测的导通时间是作为信道有点困难
电阻R
ds
是栅极 - 源极电压的函数。而C
gs
放电，V
GS
趋近于零和R
ds
减小。由于C
gd
排放到R
ds
，导通时间是非线性的。在关断时，
这种情况是有R逆转
ds
增加为C
gd
收费。
上述的开关曲线显示两个阻抗条件：
1) R
K
是等于R
D
′
它模拟的转换行为
级联级，其中所述驱动源阻抗通常是
前一阶段的2负载阻抗，并）R
K
= 0（低
阻抗）的驱动源阻抗是发电机。
15
FS ，远期转移导纳（毫姆欧）
20
MPF4392
10
7.0
5.0
MPF4393
C，电容（pF ）
10
C
gs
7.0
5.0
T
通道
= 25°C
(C
ds
是可忽略的）
C
gd
T
通道
= 25°C
V
DS
= 15 V
3.0
2.0
0.5 0.7 1.0
3.0
2.0
1.5
2.0 3.0
5.0 7.0 10
I
D
，漏极电流（毫安）
20
30
50
1.0
0.03 0.05
0.1
0.3 0.5 1.0
3.0 5.0
V
R
，反向电压（伏）
10
30
图6.典型正向转移导纳
200
RDS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
2.0
RDS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（标准化）
25
mA
50毫安
75毫安百毫安
125毫安
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
70
40
图7.典型电容
I
DSS
= 10
160毫安
I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 0
120
80
40
T
通道
= 25°C
0
0
1.0
2.0
3.0
5.0
6.0
4.0
V
GS
，栅源电压（伏）
7.0
8.0
20
50
80
110
T
通道
，路温度（ ℃）
10
140
170
的栅源电压图8.影响
在漏源电阻
http://onsemi.com
4
图9.影响温度对
漏源导通电阻
MPF4392 ， MPF4393
100
R DS（ON ） ，漏极 - 源极导通状态
电阻（欧姆）
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
V
GS （ OFF ）
r
DS （ ON）
@ V
GS
= 0
T
通道
= 25°C
10
9.0
V GS ，栅源电压
（伏）
8.0
7.0
6.0
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150
I
DSS
零栅极电压漏极电流（毫安）
注2
我图10.影响
DSS
在漏源
电阻与栅源电压
在零栅极电压漏极电流（I
DSS
），是
其他J- FET特性的原则决定。
图10示出了栅源之间的关系关
电压（V
GS （ OFF ）
）和漏源导通电阻
(r
DS （ ON）
）到我
DSS
。大部分设备将内
±10%
在图10所示的值的该数据将是有益的
在预测的特性离散为一个给定的部分
号。
例如：
未知
r
DS （ ON）
和V
GS
范围为MPF4392
电气特性表指示的
MPF4392具有I
DSS
范围为25 75毫安。图10
显示为R
DS （ ON）
= 52
W
对于我
DSS
= 25 mA和30
W
对于我
DSS
75毫安。相应的V
GS
值是2.2 V和
4.8 V.
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MI-QC6PX-IUY
MSAU212
ML60851EGA
MNCLC501A-X
MAX749C/D
MSS1038-334NLB
MAX1473EUI
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批号
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操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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