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飞思卡尔半导体公司
文档编号: MPC8308EC
牧师0 , 05/2010
MPC8308的PowerQUICC II Pro的
处理器硬件规格
本文档提供了MPC8308的概述
功能和它的硬件规格,包括挡
示出的主要功能组件。该
MPC8308是一种具有成本效益,低功耗,高集成度
主处理器。该MPC8308扩展的PowerQUICC
家庭,加入更高的CPU性能,附加
功能,并同时解决了速度更快的接口
与时间将产品推向市场,价格,功耗要求
消费和封装尺寸。
本文档中提供的信息
初步和仅基于估计和指
预硅相,无器件特性分析
完成的。飞思卡尔保留修改的权利
本文档的内容适当。
1
概观
图1
说明内的主要功能单元
MPC8308 。 e300内核在MPC8308 ,其16
指令字节和数据缓存为16K字节,
实现了Power架构的用户指令集
体系结构,并提供硬件和软件调试
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
目录
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
电气特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
功率特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
时钟时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
复位初始化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
DDR2 SDRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
DUART 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
以太网:三速以太网MII管理。 15
USB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
高速串行接口( HSSI ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
PCI Express的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
增强局部总线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
增强的安全数字主机控制器( eSDHC ) 。 47
JTAG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
I
2
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
定时器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
GPIO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
IPIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
SPI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
封装和引脚房源。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62
时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75
热。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79
系统设计信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85
文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
飞思卡尔半导体公司2010年版权所有。
电气特性
支持。此外, MPC8308提供了一个PCI Express控制器,两个三速10 , 100 , 1000 Mbps的
以太网控制器( eTSEC ) ,一个DDR2 SDRAM存储器控制器,一个串行解串器块,一个增强型本地
总线控制器( eLBC ) ,一个集成的可编程中断控制器(IPIC ) ,一般用途的DMA
控制器,两个我
2
控制器,双UART ( DUART ) ,个GPIO , USB ,通用定时器,以及SPI
控制器。集成的MPC8308的高水平有助于简化电路板设计,并提供显著
带宽和性能。
该装置的方框图显示在
图1 。
e300c3与核心
电源管理
DUART
I2C
计时器
GPIO , SPI
16-Kbyte
I-缓存
打断
调节器
FPU
16-Kbyte
D-缓存
DMA
增强
本地总线
DDR2
调节器
增强
SECURE
数字主机
调节器
PCI
表达
x1
USB 2.0 HS
主机/设备/ OTG
ULPI
eTSEC1
RGMII , MII
eTSEC2
RGMII , MII
图1. MPC8308框图
2
电气特性
本节提供了交流和直流电气特性和热特性的
MPC8308 。设备当前针对这些规格。其中一些规范是
独立的I / O单元,但是都包含一个更完整的参考。这些都不是单纯的I / O缓冲区
设计规格。
2.1
总体直流电气特性
本节介绍的收视率,条件等特点。
2.1.1
绝对最大额定值
表1.绝对最大额定值
1
特征
符号
V
DD
AV
DD1,
AV
DD2
GV
DD
最大值
-0.3 1.26
-0.3 1.26
-0.3 1.9
单位
V
V
V
笔记
表1
提供的绝对最大额定值。
核心供电电压
PLL供电电压
DDR2 DRAM I / O电压
MPC8308的PowerQUICC II Pro处理器硬件规格,第0版
2
飞思卡尔半导体公司
电气特性
表1.绝对最大额定值
1
(续)
特征
局部总线, DUART ,系统控制和电源管理,
eSDHC ,我
2
C, USB ,中断,以太网管理, SPI ,
杂项和JTAG I / O电压
的SerDes PHY
符号
NV
DD
最大值
-0.3 3.6
单位
V
笔记
7
XCOREV
DD
,
XPADV
DD
,
SDAV
DD
LV
DD1,
LV
DD2
MV
IN
MV
REF
LV
IN
OV
IN
-0.3 1.26
V
eTSEC I / O电压
输入电压
DDR2 DRAM的信号
DDR2 DRAM参考
eTSEC
本地总线, DUART ,系统控制和电源
管理, eSDHC ,我
2
C,中断,
以太网管理, SPI ,杂项
和JTAG I / O电压
存储温度范围
-0.3 2.75或
-0.3 3.6
-0.3 ( GV
DD
+ 0.3)
-0.3 ( GV
DD
+ 0.3)
-0.3 (LV
DD
+ 0.3)
-0.3 ( NV
DD
+ 0.3)
V
V
V
V
V
6,8
2, 5
2, 5
4, 5,8
3, 5,7
T
英镑
-55到150
°C
注意事项:
1.功能和测试的操作条件在给定的
表2中。
绝对最大额定值仅为应力额定值,以及
功能操作的最大值不能保证。超出所列的压力可能会影响器件的可靠性和事业
永久损坏设备。
2.
注意事项:
MV
IN
不得超过GV
DD
超过0.3 V.这可能超过界限为最多20毫秒时
上电复位和掉电序列。
3.
注意事项:
OV
IN
不得超过NV
DD
超过0.3 V.这可能超过界限为最多20毫秒时
上电复位和掉电序列。
4.
注意事项:
LV
IN
不得超过LV
DD
超过0.3 V.这限制可能在上电时被超过最多为20毫秒
复位和掉电序列。
5. (M , L,O )V
IN
和MV
REF
可能会过冲/下冲的电压和最大持续时间,如图
图2
6.电源电压的最大值,应根据所述RGMII模式中选择。在较低的范围适用于RGMII模式。
7. NV
DD
这里指的是NV
DDA
, NV
DDB
, NV
DDG
, NV
DDH
, NV
DDP_K
从球地图。
8. LV
DD1
这里指的是NV
DDC
和LV
DD2
指的是NV
DDF
从球地图
2.1.2
电源电压规格
表2
提供建议的操作条件为设备。另外,在数值
表2
推荐的和测试的操作条件。这些条件器件正常工作之外的
不能保证。
表2.推荐工作条件
特征
SERDES内置数字电源
SERDES内置数字电源
SERDES I / O数字供电
串行解串器的模拟电源PLL
符号
XCOREV
DD
XCOREV
SS
XPADV
DD
SDAV
DD
推荐值
1
1.0 V± 50 mV的
0.0
1.0 V± 50 mV的
1.0 V± 50 mV的
单位
V
V
V
V
MPC8308的PowerQUICC II Pro处理器硬件规格,第0版
飞思卡尔半导体公司
3
电气特性
表2.推荐工作条件(续)
特征
串行解串器的模拟电源PLL
SERDES I / O数字供电
核心供电电压
模拟电源的e300内核APLL
模拟电源系统APLL
DDR2 DRAM I / O电压
差分基准电压的DDR控制器
标准I / O电压(局部总线, DUART ,系统控制和电源
管理, eSDHC , USB,I
2
C,中断,以太网管理,
SPI ,杂项和JTAG I / O电压)
2
eTSEC IO电源
3,4
模拟地和数字地
结温
5
注意:
1
2
3
4
5
符号
SDAV
SS
XPADV
SS
V
DD
AV
DD1
AV
DD2
GV
DD
MV
REF
NV
DD
推荐值
1
0
0
1.0 V± 50 mV的
1.0 V± 50 mV的
1.0 V± 50 mV的
1.8 V± 100 mV的
GVDD / 2( 0.49
×
GV
DD
to
0.51
×
GV
DD
)
3.3 V± 300 mV的
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
LV
DD1
, LV
DD2
V
SS
T
A
/T
J
2.5 V± 125 mV的
3.3 V± 300 mV的
0.0
0至105
V
V
°C
GV
DD
, NV
DD
, AV
DD
和V
DD
必须彼此跟踪,并且必须变化以相同的方向,或者在正或负
方向。
NV
DD
这里指的是NV
DDA
, NV
DDB
, NV
DDG
, NV
DDH
和NV
DDP_K
从球地图。
电源电压的最大值应根据RGMII模式被选择。在较低的范围适用于RGMII模式。
LV
DD1
这里指的是NV
DDC
和LV
DD2
指的是NV
DDF
从球地图。
最低温度被指定为T
A
;最高温度被指定为T
J.
MPC8308的PowerQUICC II Pro处理器硬件规格,第0版
4
飞思卡尔半导体公司
电气特性
图2
示出了下冲和过冲电压的设备上的接口
G / L / NV
DD
+ 20%
G / L / NV
DD
+ 5%
V
IH
G / L / NV
DD
VSS
VSS - 0.3 V
V
IL
VSS - 0.7 V
不超过10 %
的t
interface1
注意:
1.注意吨
接口
指的是与总线时钟接口相关联的时钟周期。
图2.过冲/下冲电压GVDD / NVDD / LVDD
2.1.3
输出驱动器特性
表3.输出驱动能力
驱动程序类型
输出阻抗( Ω )
42
18
42
42
电源电压
NV
DD
= 3.3 V
GV
DD
= 1.8 V
NV
DD
= 3.3 V
LV
DD
= 2.5/3.3 V
表3
提供了输出驱动强度的特性的信息。
本地总线接口公用事业信号
DDR2信号
1
DUART ,系统控制,我
2
C, JTAG , eSDHC , GPIO , SPI , USB
eTSEC信号
1
输出阻抗,也可通过在DDR控制驱动器寄存器可配置的选项( DDRCDR )调节。
欲了解更多信息,请参阅
MPC8308的PowerQUICC II Pro处理器参考手册。
2.1.4
电源排序
不需要的内核电源电压(V设备
DD
)和IO电源电压( GV
DD
, LV
DD
NV
DD
)在任何特定的顺序来施加。注意,在功率上升时,电源供应之前
是稳定的,如果在I / O电压的核心电压之前提供的,有可能是在一段时间内该
所有输入和输出引脚被主动驱动,并导致争用和过大的电流。以免
积极推动I / O引脚,消除过多的电流消耗,应用核心电压(V
DD
)前
在I / O电压( GV
DD
, LV
DD
和NV
DD
),并断言PORESET前的电源完全斜坡上升。
在其中芯电压首先施加的情况下,核心电压电源必须上升到90%,其标称的
在我以前的价值/ O电源达到0.7 V ;看
网络连接gure 3 。
MPC8308的PowerQUICC II Pro处理器硬件规格,第0版
飞思卡尔半导体公司
5
飞思卡尔半导体公司
文档编号: MPC8308EC
第1版, 07/2010
MPC8308的PowerQUICC II Pro的
处理器硬件规格
本文档提供了MPC8308的概述
功能和它的硬件规格,包括挡
示出的主要功能组件。该
MPC8308是一种具有成本效益,低功耗,高集成度
主处理器。该MPC8308扩展的PowerQUICC
家庭,加入更高的CPU性能,附加
功能,并同时解决了速度更快的接口
与时间将产品推向市场,价格,功耗要求
消费和封装尺寸。
本文档中提供的信息
初步和仅基于估计和指
预硅相,无器件特性分析
完成的。飞思卡尔保留修改的权利
本文档的内容适当。
1
概观
图1
说明内的主要功能单元
MPC8308 。 e300内核在MPC8308 ,其16
指令字节和数据缓存为16K字节,
实现了Power架构的用户指令集
体系结构,并提供硬件和软件调试
1.
2.
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
10.
11.
12.
13.
14.
15.
16.
17.
18.
19.
20.
21.
22.
23.
24.
25.
目录
概述。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1
电气特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2
功率特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6
时钟时序。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 7
复位初始化。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8
DDR2 SDRAM 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10
DUART 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 14
以太网:三速以太网MII管理。 15
USB 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22
高速串行接口( HSSI ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 24
PCI Express的。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 34
增强局部总线。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 43
增强的安全数字主机控制器( eSDHC ) 。 47
JTAG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 53
I
2
C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
定时器。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 58
GPIO 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 59
IPIC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
SPI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 60
封装和引脚房源。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 62
时钟。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 75
热。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 79
系统设计信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 81
订购信息。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 85
文档修订历史记录。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86
飞思卡尔半导体公司2010年版权所有。
电气特性
支持。此外, MPC8308提供了一个PCI Express控制器,两个三速10 , 100 , 1000 Mbps的
以太网控制器( eTSEC ) ,一个DDR2 SDRAM存储器控制器,一个串行解串器块,一个增强型本地
总线控制器( eLBC ) ,一个集成的可编程中断控制器(IPIC ) ,一般用途的DMA
控制器,两个我
2
控制器,双UART ( DUART ) ,个GPIO , USB ,通用定时器,以及SPI
控制器。集成的MPC8308的高水平有助于简化电路板设计,并提供显著
带宽和性能。
该装置的方框图显示在
图1 。
e300c3与核心
电源管理
DUART
I2C
计时器
GPIO , SPI
16-Kbyte
I-缓存
打断
调节器
FPU
16-Kbyte
D-缓存
DMA
增强
本地总线
DDR2
调节器
增强
SECURE
数字主机
调节器
PCI
表达
x1
USB 2.0 HS
主机/设备/ OTG
ULPI
eTSEC1
RGMII , MII
eTSEC2
RGMII , MII
图1. MPC8308框图
2
电气特性
本节提供了交流和直流电气特性和热特性的
MPC8308 。设备当前针对这些规格。其中一些规范是
独立的I / O单元,但是都包含一个更完整的参考。这些都不是单纯的I / O缓冲区
设计规格。
2.1
总体直流电气特性
本节介绍的收视率,条件等特点。
2.1.1
绝对最大额定值
表1.绝对最大额定值
1
特征
符号
V
DD
AV
DD1,
AV
DD2
GV
DD
最大值
-0.3 1.26
-0.3 1.26
-0.3 1.9
单位
V
V
V
笔记
表1
提供的绝对最大额定值。
核心供电电压
PLL供电电压
DDR2 DRAM I / O电压
MPC8308的PowerQUICC II Pro处理器硬件规格,第1版
2
飞思卡尔半导体公司
电气特性
表1.绝对最大额定值
1
(续)
特征
局部总线, DUART ,系统控制和电源管理,
eSDHC ,我
2
C, USB ,中断,以太网管理, SPI ,
杂项和JTAG I / O电压
的SerDes PHY
符号
NV
DD
最大值
-0.3 3.6
单位
V
笔记
7
XCOREV
DD
,
XPADV
DD
,
SDAV
DD
LV
DD1,
LV
DD2
MV
IN
MV
REF
LV
IN
OV
IN
-0.3 1.26
V
eTSEC I / O电压
输入电压
DDR2 DRAM的信号
DDR2 DRAM参考
eTSEC
本地总线, DUART ,系统控制和电源
管理, eSDHC ,我
2
C,中断,
以太网管理, SPI ,杂项
和JTAG I / O电压
存储温度范围
-0.3 2.75或
-0.3 3.6
-0.3 ( GV
DD
+ 0.3)
-0.3 ( GV
DD
+ 0.3)
-0.3 (LV
DD
+ 0.3)
-0.3 ( NV
DD
+ 0.3)
V
V
V
V
V
6,8
2, 5
2, 5
4, 5,8
3, 5,7
T
英镑
-55到150
°C
注意事项:
1.功能和测试的操作条件在给定的
表2中。
绝对最大额定值仅为应力额定值,以及
功能操作的最大值不能保证。超出所列的压力可能会影响器件的可靠性和事业
永久损坏设备。
2.
注意事项:
MV
IN
不得超过GV
DD
超过0.3 V.这可能超过界限为最多20毫秒时
上电复位和掉电序列。
3.
注意事项:
OV
IN
不得超过NV
DD
超过0.3 V.这可能超过界限为最多20毫秒时
上电复位和掉电序列。
4.
注意事项:
LV
IN
不得超过LV
DD
超过0.3 V.这限制可能在上电时被超过最多为20毫秒
复位和掉电序列。
5. (M , L,O )V
IN
和MV
REF
可能会过冲/下冲的电压和最大持续时间,如图
图2
6.电源电压的最大值,应根据所述RGMII模式中选择。在较低的范围适用于RGMII模式。
7. NV
DD
这里指的是NV
DDA
, NV
DDB
, NV
DDG
, NV
DDH
, NV
DDP_K
从球地图。
8. LV
DD1
这里指的是NV
DDC
和LV
DD2
指的是NV
DDF
从球地图
2.1.2
电源电压规格
表2
提供建议的操作条件为设备。另外,在数值
表2
推荐的和测试的操作条件。这些条件器件正常工作之外的
不能保证。
表2.推荐工作条件
特征
SERDES内置数字电源
SERDES内置数字电源
SERDES I / O数字供电
串行解串器的模拟电源PLL
符号
XCOREV
DD
XCOREV
SS
XPADV
DD
SDAV
DD
推荐值
1
1.0 V± 50 mV的
0.0
1.0 V± 50 mV的
1.0 V± 50 mV的
单位
V
V
V
V
MPC8308的PowerQUICC II Pro处理器硬件规格,第1版
飞思卡尔半导体公司
3
电气特性
表2.推荐工作条件(续)
特征
串行解串器的模拟电源PLL
SERDES I / O数字供电
核心供电电压
模拟电源的e300内核APLL
模拟电源系统APLL
DDR2 DRAM I / O电压
差分基准电压的DDR控制器
标准I / O电压(局部总线, DUART ,系统控制和电源
管理, eSDHC , USB,I
2
C,中断,以太网管理,
SPI ,杂项和JTAG I / O电压)
2
eTSEC IO电源
3,4
模拟地和数字地
结温
5
注意事项:
1
2
3
4
5
符号
SDAV
SS
XPADV
SS
V
DD
AV
DD1
AV
DD2
GV
DD
MV
REF
NV
DD
推荐值
1
0
0
1.0 V± 50 mV的
1.0 V± 50 mV的
1.0 V± 50 mV的
1.8 V± 100 mV的
GVDD / 2( 0.49
×
GV
DD
to
0.51
×
GV
DD
)
3.3 V± 300 mV的
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
LV
DD1
, LV
DD2
V
SS
T
A
/T
J
2.5 V± 125 mV的
3.3 V± 300 mV的
0.0
0至105
V
V
°C
GV
DD
, NV
DD
, AV
DD
和V
DD
必须彼此跟踪,并且必须变化以相同的方向,或者在正或负
方向。
NV
DD
这里指的是NV
DDA
, NV
DDB
, NV
DDG
, NV
DDH
和NV
DDP_K
从球地图。
电源电压的最大值应根据RGMII模式被选择。在较低的范围适用于RGMII模式。
LV
DD1
这里指的是NV
DDC
和LV
DD2
指的是NV
DDF
从球地图。
最低温度被指定为T
A
;最高温度被指定为T
J.
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电气特性
图2
示出了下冲和过冲电压的设备上的接口
G / L / NV
DD
+ 20%
G / L / NV
DD
+ 5%
V
IH
G / L / NV
DD
VSS
VSS - 0.3 V
V
IL
VSS - 0.7 V
不超过10 %
的t
interface1
注意:
1.注意吨
接口
指的是与总线时钟接口相关联的时钟周期。
图2.过冲/下冲电压GVDD / NVDD / LVDD
2.1.3
输出驱动器特性
表3.输出驱动能力
驱动程序类型
输出阻抗( Ω )
42
18
42
42
电源电压
NV
DD
= 3.3 V
GV
DD
= 1.8 V
NV
DD
= 3.3 V
LV
DD
= 2.5/3.3 V
表3
提供了输出驱动强度的特性的信息。
本地总线接口公用事业信号
DDR2信号
1
DUART ,系统控制,我
2
C, JTAG , eSDHC , GPIO , SPI , USB
eTSEC信号
1
输出阻抗,也可通过在DDR控制驱动器寄存器可配置的选项( DDRCDR )调节。
欲了解更多信息,请参阅
MPC8308的PowerQUICC II Pro处理器参考手册。
2.1.4
电源排序
不需要的内核电源电压(V设备
DD
)和I / O电源电压( GV
DD
, LV
DD
NV
DD
)在任何特定的顺序来施加。注意,在功率上升时,电源供应之前
是稳定的,如果在I / O电压的核心电压之前提供的,有可能是在一段时间内该
所有输入和输出引脚被主动驱动,并导致争用和过大的电流。以免
积极推动I / O引脚,消除过多的电流消耗,应用核心电压(V
DD
)前
在I / O电压( GV
DD
, LV
DD
和NV
DD
),并断言PORESET前的电源完全斜坡上升。
在其中芯电压首先施加的情况下,核心电压电源必须上升到90%,其标称的
在我以前的价值/ O电源达到0.7 V ;看
网络连接gure 3 。
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