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MP6X2
晶体管
中等功率晶体管( 32V , 2A )
MP6X2
应用
低频放大器
尺寸
(单位:毫米)
MPT6
(6)
(5)
(4)
特点
1 )低V
CE ( SAT )
, V
CE ( SAT )
= 0.5V (典型值)。
(I
C
/ I
B
= 2A / 0.2A)
2 )包含两个2SD1766 -死在一个包中。
(1)
(2)
(3)
结构
NPN硅外延平面晶体管
包装规格
TYPE
CODE
基本订购单位(件)
MP6X2
TAPING
TR
1000
内部电路
(6)
(5)
(4)
(1) EMITTER<Tr1>
(2) BASE<Tr1>
(3) COLLECTOR<Tr2>
(4) EMITTER<Tr2>
(5) BASE<Tr2>
(6) COLLECTOR<Tr1>
<Tr1>
<Tr2>
(1)
(2)
(3)
绝对最大额定值
(Ta=25
°
C)
<Tr1 , Tr2>
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
连续
集电极电流
脉冲
功耗
结温
储存温度范围
I
CP
P
D
Tj
TSTG
1
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
范围
40
32
5
2.0
2.5
2.0
1.4
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
W / TOTAL
W /元
°C
°C
2
1 PW = 10ms的1PULSE
2装在一个陶瓷基板
Rev.A的
1/3
MP6X2
晶体管
电气特性
(Ta=25
°
C)
<Tr1 , Tr2>
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
脉冲
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE ( SAT )
h
FE
f
T
COB
分钟。
32
40
5
120
典型值。
500
100
30
马克斯。
1.0
1.0
800
390
单位
V
V
V
A
A
mV
兆赫
pF
I
C
=1mA
I
C
=50A
I
E
=50A
V
CB
=20V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=2.0A/200mA
V
CE
= 3V ,我
C
=500mA
V
CE
= 5V ,我
E
= -500mA , F = 100MHz的
V
CB
= 10V ,我
E
= 0A , F = 1MHz的
电气特性曲线
10
集电极电流: IC ( A)
Ta=100℃
   
25℃
   -40℃
V
CE
=3V
0.35
Ta=25℃
0.3
0.25
0.2
2.0mA
1.8mA
1.6mA
1.4mA
1.2mA
1.0mA
直流电流增益:H
FE
Ta=25°C
500
1
200
V
CE
=3V
1V
0.1
0.15
0.01
100
0.8mA
0.6mA
0.4mA
0.2mA
0.1
0.05
50
0.001
0
0.5
1
1.5
0
0
0.5
1
1.5
2
I
B
=0mA
20
5
10 20
50 100 200
500 1A 2A
集电极电流:我
C
(MA )
基地发射极电压: V
BE
(V)
图1接地发射传播特性
集电极到发射极电压: V
CE
(V)
图2地面发射极输出Caracteristics
图3直流电流增益与集电极
电流(
Ι
)
集电极饱和电压: V
CE ( SAT )
(毫伏)
1000
V
CE
=3V
直流电流增益:H
FE
Ta=25°C
500
集电极饱和电压
:V
CE
(饱和) (V)的
1
I
C
/I
B
=10
200
100
Ta=100℃
   
25℃
   -40℃
0.1
Ta=100℃
   
25℃
   -40℃
100
I
C
/I
B
=50
50
20
20
10
10 20
10
0.001
0.01
0.1
1
10
5
50 100 200 500 1A 2A
0.01
0.001
0.01
0.1
1
10
集电极电流: IC ( A)
图4直流电流增益与集电极电流( Ⅱ )
集电极电流:我
C
(MA )
集电极电流: IC ( A)
图6集电极饱和Enitter
电压与集电极电流( Ι )
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流( Ι )
Rev.A的
2/3
MP6X2
晶体管
盐基饱和电压: V
BE ( SAT )
(V)
2
1000
跃迁频率:F
T
(兆赫)
Ta=25°C
500
Ta=25°C
V
CE
=5V
集电极输出电容:玉米棒(PF )
发射极输入电容
: CIB (PF )
1000
500
兴业银行
200
100
50
COB
1
I
C
/I
B
=10
0.5
Ta=25°C
f
=
1MHz
I
E
=0A
I
C
=0A
200
100
0.2
50
0.1
20
10
5
10 20
50 100 200
500 1A 2A
20
1
2
5 10 20
50 100200 500 1A
0.5
1
2
5
10
20
集电极电流:我
C
(MA )
发射极电流:我
E
(MA )
集电极 - 基极电压: V
CB
(V)
发射器基极电压
: V
EB
(V)
图7集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流
图8过渡频率与发射器
当前
图9集电极输出电容主场迎战
集电极 - 基极电压
发射器的输入电容与
发射极 - 基极电压
归瞬态热阻: R(T )
10
集电极电流:我
C
(A)
10
Ta=25℃
100毫秒10毫秒
1ms
1
DC
0.1
Ta=25℃
单脉冲
0.01
1
0.1
0.01
0.001
0.1
10
1000
0.1
1
10
100
脉冲宽度: Pw的( S)
图10归一化热阻
(元)
集电极到发射极电压
: V
CE
(V)
图11安全工作区
Rev.A的
3/3
附录
笔记
本文件的任何技术含量的网页不得以任何形式或通过任何传输
指无ROHM CO 。 , LTD事先许可。
本文所描述的内容如有更改,恕不另行通知。规格为
本文档中介绍的产品仅供参考。在实际使用中,因此,请申请
该规范将单独提供。
此处包含的应用电路图和电路常数被示为标准的例子
在使用和操作。在设计电路时,请小心留意周边环境
并决定在集合中的电路常数。
任何数据,包括但不限于:应用电路图信息,在此描述
仅作为这样的装置的示意图,而不是作为规格为这样的设备。 ROHM
股份有限公司。公司不承担任何担保,任何使用这种设备应无任何侵权
第三方的知识产权或其他专有权利,并进一步将需承担任何责任
凡在任何此类侵权,或产生的事件的性质,或有或相关连接
在使用这样的装置的。
一旦出售任何这样的设备,比使用此类设备本身的买受人的权利等,转售或
以其他方式处置的同时,任何明示或暗示的权利或执业执照或商业
利用所拥有或控制的任何知识产权或其他专有权利
罗姆股份有限公司。被授予任何此类买家。
本文档中列出的产品有没有抗辐射设计。
本文件中所列出的产品被设计成与通常的电子设备或装置使用
(如视听设备,办公自动化设备,通信设备,电气
电器及电子玩具) 。
如果您打算使用这些产品,设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障,其中将直接危及人的生命(如医疗
仪器仪表,交通运输设备,航空器械,核反应控制器,燃料控制器
和其他安全设备) ,请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务,以提供产品以最大的质量和可靠性。然而,总有一个机会
失败是由于意外因素。因此,请考虑降容特性,并允许
供足够的安全功能,如额外的裕度,抗燃性,和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾,造成部件故障的。 ROHM
可以不负责因使用该产品的情况下所产生的任何损失
一系列的规范或因不遵守本产品目录中规定的注意事项。
感谢您的访问,以ROHM的产品信息。
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