MP6X1
晶体管
电气特性
(Ta=25
°
C)
<Tr1 ， Tr2>
参数
集电极 - 发射极击穿电压
集电极 - 基极击穿电压
发射极 - 基极击穿电压
收藏家Cuto FF电流
发射Cuto FF电流
集电极 - 发射极饱和电压
直流电流增益
跃迁频率
集电极输出电容
脉冲
符号
BV
首席执行官
BV
CBO
BV
EBO
I
CBO
I
EBO
V
CE （ SAT ）
h
FE
f
T
COB
分钟。
32
40
5
120
典型值。
150
15
马克斯。
500
500
400
390
单位
V
V
V
nA
nA
mV
兆赫
pF
I
C
=1mA
I
C
=50A
I
E
=50A
V
CB
=20V
V
EB
=4V
条件
I
C
/I
B
=500mA/50mA
V
CE
= 3V ，我
C
=100mA
V
CE
= 5V ，我
E
= -50mA ， F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0A ， F = 1MHz的
电气特性曲线
500
500
集电极电流：我
C
（MA ）
V
CE
=6V
Ta=100°C
2.5mA
400
4.5mA
300
3.0mA
3.5mA
4.0mA
Ta=25°C
2.0mA
直流电流增益：H
FE
2000
Ta=25°C
集电极电流：我
C
（MA ）
200
100
50
20
10
5
2
1
0
25°C
55°C
1000
1.5mA
500
1.0mA
200
0.5mA
100
I
B
=0A
1.6
2.0
200
V
CE
=3V
1V
100
0
50
1
2
5
10 20
50 100 200
500 1000
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6
基地发射极电压： V
BE
(V)
0
0.4
0.8
1.2
集电极到发射极电压： V
CE
(V)
集电极电流：我
C
（MA ）
图1发射极接地传播
特征
图2接地发射极输出
特征
图3直流电流增益与集电极
电流（
Ι
)
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
2000
V
CE
=3V
0.5
集电极饱和电压： V
CE （ SAT ）
(V)
Ta=25
°C
0.5
l
C
/l
B
=10
1000
直流电流增益：H
FE
0.2
0.2
0.1
0.05
TA = 100℃
25°C
40°C
0.02
0.01
1
500
0.1
I
C
/I
B
=50
0.05
20
0.02
0.01
1
10
200
Ta=100°C
25°C
55°C
100
50
1
2
5
10 20
50 100 200 500 1000
2
5
10 20
50 100 200
5001000
2
5 10
20
50 100 200 5001000
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
集电极电流：我
C
（MA ）
图4直流电流增益与
集电极电流（ ΙΙ ）
图5集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（
Ι
)
图6集电极 - 发射极饱和
电压与集电极电流（ ΙΙ ）
Rev.A的
2/3
附录
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（如视听设备，办公自动化设备，通信设备，电气
电器及电子玩具） 。
如果您打算使用这些产品，设备或装置需要相当高的水平
可靠性和故障，其中将直接危及人的生命（如医疗
仪器仪表，交通运输设备，航空器械，核反应控制器，燃料控制器
和其他安全设备） ，请务必提前与我们的销售代表咨询。
这是我们的首要任务，以提供产品以最大的质量和可靠性。然而，总有一个机会
失败是由于意外因素。因此，请考虑降容特性，并允许
供足够的安全功能，如额外的裕度，抗燃性，和故障保护措施的设计在当
为了防止可能发生的事故可能会导致人身伤害或火灾，造成部件故障的。 ROHM
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