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首字符M的型号第1718页
> MP6M11
数据表
4V驱动N沟道+ P沟道MOSFET
MP6M11
结构
硅的N沟道MOSFET /
硅P沟道MOSFET
■特点
1)低导通电阻。
2 )内置G -S保护二极管。
3 )小型表面贴装封装( MPT6 ) 。
尺寸
(单位:毫米)
MPT6
(决斗)
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
应用
开关
Inner
电路
(6)
(5)
1
(4)
包装规格
TYPE
MP6M11
包
CODE
基本订购单位(件)
TAPING
TCR
1000
2
2
(1) Tr1的源
(2) Tr1的栅极
( 3 ) Tr2的漏
(4) Tr2的源
( 5 ) Tr2的门
( 6 ) Tr1的漏
1
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
(体二极管)
总功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ,职务cycle1 %
* 2装在一个陶瓷基板。
符号
V
DSS
范围
TR1 : N沟道Tr2的: P沟道
30
±20
3.5
12
1.6
12
30
±20
3.5
12
1.6
12
单位
V
V
A
A
A
A
W / TOTAL
W /元
C
C
连续
脉冲
连续
脉冲
V
GSS
I
D
I
DP
I
s
I
sp
P
D
*1
*1
*2
总胆固醇
TSTG
2.0
1.4
150
55
to
150
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2011.03 - Rev.A的
MP6M11
电气特性
( TA = 25°C )
<Tr1(Nch)>
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
*
升
fs
l
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
*
t
r
*
t
D(关闭)
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
*
分钟。
-
30
-
1.0
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
70
90
100
-
85
40
20
4
8
18
3
1.9
0.8
0.4
马克斯。
±10
-
1
2.5
98
126
140
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ,我
D
=1mA
I
D
= 3.5A ,V
GS
=10V
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
m我
D
= 3.5A ,V
GS
=4.5V
I
D
= 3.5A ,V
GS
=4.0V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
DS
= 10V ,我
D
=3.5A
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 1.75A ,V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=8.6
R
G
=10
I
D
=3.5A
V
DD
15V
V
GS
=5V
Body
二极管的特性
(源极 - 漏极时)(Ta = 25C )
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= 3.5A ,V
GS
=0V
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2011.03 - Rev.A的
MP6M11
电气特性
( TA = 25°C )
<Tr2(Pch)>
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
数据表
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
*
t
r
*
t
D(关闭)
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
*
分钟。
-
30
1.0
-
-
-
2.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
70
100
110
-
410
55
55
9
18
35
12
4.2
1.7
1.1
马克斯。
±10
-
1
2.5
98
140
155
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=±20V, V
DS
=0V
I
D
= ± 1mA时, V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= -10V ,我
D
=1mA
I
D
= 3.5A ,V
GS
=10V
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
m我
D
= 1.7A ,V
GS
=4.5V
I
D
= 1.7A ,V
GS
=4.0V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I
D
= 3.5A ,V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 1.7A ,V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=8.8
R
G
=10
I
D
=3.5A
V
DD
15V
V
GS
=5V
Body
二极管的特性
(源极 - 漏极时)(Ta = 25C )
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= 3.5A ,V
GS
=0V
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2011.03 - Rev.A的
MP6M11
ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
〈Tr.1(Nch)〉
3.5
3
2.5
2
V
GS
= 2.8V
1.5
1
0.5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压: V
DS
[V]
V
GS
= 2.5V
Ta=25°C
脉冲
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
图1典型的输出特性( Ⅰ )
数据表
图2典型的输出特性( Ⅱ )
3.5
3
漏电流:我
D
[A]
2.5
2
1.5
1
0.5
Ta=25°C
脉冲
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压: V
DS
[V]
V
GS
= 2.5V
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 2.8V
漏电流:我
D
[A]
图3典型的传输特性
10
V
DS
= 10V
脉冲
1
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA
-
25°C
1000
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
Ta=25°C
脉冲
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
漏电流:我
D
[A]
0.1
100
.
0.01
0.001
0
1
2
3
栅源电压: V
GS
[V]
10
0.1
1
漏电流:I
D
[A]
10
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
1000
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
V
GS
= 10V
脉冲
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA
-
25°C
1000
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
V
GS
= 4.5V
脉冲
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA
-
25°C
100
100
10
0.1
1
漏电流:I
D
[A]
10
10
0.1
1
漏电流:I
D
[A]
10
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MP6M11
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流( Ⅰ )
数据表
图8正向转移导纳
与漏电流
10
正向转移导纳: | YFS | [S ]
1000
V
GS
= 4.0V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA
-
25°C
V
DS
= 10V
脉冲
100
1
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA
-
25°C
10
0.1
1
漏电流:I
D
[A]
图9反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
10
V
GS
=0V
脉冲
源电流:是[ A]
10
0.1
0.01
0.1
1
10
漏电流:I
D
[A]
图10静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
200
Ta=25°C
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值:R
DS
(上) [毫欧]
150
I
D
= 1.75A
1
I
D
= 3.5A
100
0.1
TA = 125℃
TA = 75℃
TA = 25℃
TA
-
25°C
50
0.01
0
0.5
1
1.5
源极 - 漏极电压: V
SD
[V]
0
0
2
4
6
8
栅源电压: V
GS
[V]
10
图11开关特性
1000
t
D(关闭)
切换时间: T [ NS ]
t
f
100
Ta=25°C
V
DD
= 15V
V
GS
=10V
R
G
=10Ω
脉冲
10
图12动态输入特性
栅源电压: V
GS
[V]
8
6
4
10
t
D(上)
2
t
r
1
0.01
0.1
1
10
漏电流:I
D
[A]
0
0
1
2
3
Ta=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 3.5A
脉冲
4
5
总栅极电荷:的Qg [ NC ]
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M5LV-128/256-6AC
MI-L23-IW
M24C04-WDW3
MN13802-RTA
MI-P54Y-MXV
MSP430F1101A
M27C1001-35XC6TR
M5LV-320/192-20YI
MTA10ZDV
MI-QC6KO-MWY
M50FLW040A
MI-P2K-MWV
M38197M4-XXXFS
M29F100-B90M6TR
M29F100B-90M6TR
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型号
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单价/备注
操作
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QQ:2880707522
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QQ:2369405325
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电话:0755-82780082
联系人:杨小姐
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
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-
-
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QQ:2881677436
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QQ:2881620402
复制
电话:18922805453
联系人:连
地址:福田区华强北路1019号华强广场D座23楼
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-
-
-
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QQ:
QQ:5645336
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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