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4V驱动N沟道+ N沟道MOSFET
MP6K31
结构
硅N沟道MOSFET
■特点
1 ）内置G -S保护二极管。
2 ）小型表面贴装封装（ MPT6 ） 。
3 ）低电压驱动。 （ 4V ）
尺寸
（单位：毫米）
MPT6
（双）
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
应用
开关
包装规格
TYPE
MP6K31
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
1000
○
内部电路
(6)
(5)
(4)
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
<It是Tr1和Tr2.>相同评级
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2装在一个陶瓷基板。
(1)
(2)
(3)
符号
V
DSS
V
GSS
范围
60
20
2
单位
V
V
A
A
A
A
1
ESD保护二极管
2
体二极管
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（ 3 ） Tr2的漏
（4） Tr2的源
（ 5 ） Tr2的门
（ 6 ） Tr1的漏
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
s
I
sp
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
8
1.2
8
*1
*2
2.0
W / TOTAL
1.4
W /元
150
C
55
+150
C
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2010.09 - Rev.A的
MP6K31
电气特性
（ TA = 25°C ）
<It为Tr1和Tr2.>相同特性
参数
栅源漏
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
*脉冲
　
数据表
符号
I
GSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
升
fs
l*
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
*
分钟。
-
60
-
1.0
-
-
-
1.4
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
-
210
240
255
-
110
28
12
6
10
20
9
2.0
0.8
0.4
马克斯。
10
-
1
2.5
290
330
350
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=60V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 2A ，V
GS
=10V
漏源击穿电压V
（ BR ） DSS
m我
D
= 2A ，V
GS
=4.5V
I
D
= 2A ，V
GS
=4.0V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I
D
= 2A ，V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 1A ，V
DD
30V
V
GS
=10V
R
L
=30
R
G
=10
I
D
= 2A ，V
DD
30V
V
GS
=5V
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）
<It为Tr1和Tr2.>相同特性
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
-
典型值。
-
马克斯。
1.2
单位
V
条件
I
s
= 1.2A ，V
GS
=0V
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2010.09 - Rev.A的
MP6K31
电气特性曲线（大= 25C ）
典型的输出特性（ Ⅰ ）
2
V
GS
=10.0V
V
GS
=4.5V
V
GS
=4.0V
漏电流：我
D
[A]
V
GS
=3.0V
　
数据表
典型的输出特性（ Ⅰ ）
2
V
GS
=10.0V
V
GS
=4.5V
V
GS
=4.0V
V
GS
=3.0V
漏电流：我
D
[A]
T
a
=25℃
脉冲
1
V
GS
=2.8V
1
V
GS
=2.8V
V
GS
=2.5V
V
GS
=2.5V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
T
a
=25℃
脉冲
1
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压： V
DS
[V]
漏源电压： V
DS
[V]
静态漏源通态电阻与漏电流
10000
T
a
=25℃
脉冲
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
10000
静态漏源通态电阻与漏电流
V
GS
=10V
脉冲
静态漏源导通电阻
e
R
DS （
上） [毫欧]
T
a
=125℃
T
a
=75℃
T
a
=25℃
T
a
=-25℃
1000
V
GS
=4.0V
V
GS
=4.5V
V
GS
=10V
1000
100
100
10
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
静态漏源通态电阻与漏电流
10000
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
V
GS
=4.5V
脉冲
10
10
0.01
0.1
1
10
漏电流：我
D
[A]
静态漏源通态电阻与漏电流
10000
V
GS
=4V
脉冲
1000
静态漏源导通电阻
R
DS
（上） [毫欧]
T
a
=125℃
T
a
=75℃
T
a
=25℃
T
a
=-25℃
T
a
=125℃
T
a
=75℃
T
a
=25℃
T
a
=-25℃
1000
100
100
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
漏电流：我
D
[A]
10
漏电流：我
D
[A]
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2010.09 - Rev.A的
MP6K31
　
正向转移导纳主场迎战漏电流
典型的传输特性
V
DS
=10V
脉冲
数据表
10
V
DS
=10V
脉冲
1
正向转移导纳
YFS [S]
1
漏Currnt ：我
D
[A]
T
a
=-25℃
T
a
=25℃
T
a
=75℃
T
a
=125℃
T
a
=125℃
T
a
=75℃
T
a
=25℃
T
a
=-25℃
0.1
0.1
0.01
0.01
0.01
0.1
1
10
0.001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
漏电流：我
D
[A]
栅源电压： V
GS
[V]
静态漏源通态电阻与
栅源电压
600
T
a
=25℃
脉冲
源电流和源极 - 漏极电压
10
V
GS
=0V
脉冲
静态漏源导通街
泰特电阻
R
DS
（上） [ mΩ的
]
500
I
D
=1.0A
400
I
D
=2.0A
源电流：是[ A]
1
T
a
=125℃
T
a
=75℃
T
a
=25℃
T
a
=-25℃
300
0.1
200
100
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0
2
4
6
8
10
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
栅源电压： V
GS
[V]
开关特性
1000
V
DD
≒30V
V
GS
=10V
R
G
=10
T
a
=25℃
脉冲
栅源电压： V
GS
[V]
10
T
a
=25℃
V
DD
=30V
I
D
=2A
脉冲
动态输入特性
t
f
100
切换时间： T [ NS ]
t
D（关闭）
8
6
4
10
t
D（上）
t
r
2
1
0.01
0.1
1
10
0
0
1
2
3
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
4
5
漏电流：我
D
[A]
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2010.09 - Rev.A的
MP6K31
　
典型的电容与漏源电压
数据表
最大安全工作区
在这一领域
由R有限公司
DS （ ON）
( V
GS
= 10V )
P
W
= 100μs
10
漏电流：我
D
[ A ]
1000
T
a
=25℃
f=1MHz
V
GS
=0V
电容： C [ pF的]
100
C
国际空间站
P
W
为1ms
1
P
W
= 10ms的
0.1
直流操作
T
a
=25℃
单脉冲（ 1台）
安装在陶瓷板上。
（30mm
X 30毫米X 0.8毫米）
0.1
1
10
100
C
OSS
10
C
RSS
1
0.01
0.1
1
10
0.01
漏源电压： V
DS
[V]
漏源电压： V
DS
[ V ]
归瞬态热阻V.S.脉冲宽度
T
a
=25℃
单脉冲
归瞬态热阻： R（T ）
R
安装在陶瓷板上。
（30mm ×
30mm
×
0.8mm)
RTH
（ CH -A ）
= 89.3 ℃ / W （ 1台）
RTH
（ CH -A ）
（吨） = R（T） × Rth的
（ CH -A ）
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.01
1
100
脉冲宽度
：
Pw
（
s
）
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MCA-50MH+
MI-P7JN-MXW
MAA3864K
M30873FHBGP
M38024M2-XXXSP
M38027M6-XXXSP
MB86294
M95320-WDW6TP/P
MI-QC6NY-MVX
M38277EDMXXXHP
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
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    MP6K31
    -
    -
    -
    -
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