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数据表
4V驱动N沟道+ N沟道MOSFET
MP6K13
结构
硅N沟道MOSFET
■特点
1）低导通电阻。
2 ）高功率封装（ MPT6 ） 。
3 ）低电压驱动（ 4V的驱动器） 。
尺寸
（单位：毫米）
MPT6
（决斗）
(6)
(5)
(4)
(1)
(2)
(3)
应用
开关
包装规格
TYPE
MP6K13
包
CODE
基本订购单位（件）
TAPING
TR
1000
内部电路
(6)
(5)
1
(4)
2
2
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
参数
漏源电压
栅源电压
漏电流
源出电流
（体二极管）
功耗
通道温度
储存温度范围
* 1 Pw10s ，职务cycle1 ％
* 2装在一个陶瓷基板。
符号
V
DSS
V
GSS
范围
30
20
6.0
单位
V
V
A
A
A
A
（1） Tr1的源
（2） Tr1的栅极
（ 3 ） Tr2的漏
（4） Tr2的源
（ 5 ） Tr2的门
（ 6 ） Tr1的漏
1
(1)
(2)
(3)
1
ESD保护二极管
2
体二极管
连续
脉冲
连续
脉冲
I
D
I
DP
I
s
I
sp
P
D
总胆固醇
TSTG
*1
12
1.6
12
*1
*2
2.0
W / TOTAL
1.4
W /元
150
C
55
to
150
C
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2011.03 - Rev.A的
MP6K13
电气特性
（ TA = 25°C ）
<It是Tr1和Tr2.>相同评级
参数
Gatesource泄漏
漏 - 源击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
静态漏 - 源通态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
TURNON DELAY TIME
上升时间
关断延迟时间
下降时间
总栅极电荷
Gatesource费
Gatedrain费
*脉冲
　
数据表
符号
I
GSS
V
（ BR ） DSS
I
DSS
V
GS （ TH）
R
DS （ ON）
*
分钟。
30
1.0
3.5
典型值。
22
30
35
350
160
65
8
16
30
7
5.0
1.4
1.9
马克斯。
10
1
2.5
31
42
49
单位
A
V
A
V
条件
V
GS
=20V, V
DS
=0V
I
D
= 1mA时， V
GS
=0V
V
DS
=30V, V
GS
=0V
V
DS
= 10V ，我
D
=1mA
I
D
= 6.0A ，V
GS
=10V
m我
D
= 6.0A ，V
GS
=4.5V
I
D
= 6.0A ，V
GS
=4.0V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
I
D
= 6.0A ，V
DS
=10V
V
DS
=10V
V
GS
=0V
f=1MHz
I
D
= 3.0A ，V
DD
15V
V
GS
=10V
R
L
=5.0
R
G
=10
I
D
= 6.0A ，V
DD
15V
V
GS
=5V
升
fs
l *
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
Body
二极管的特性
（源极 - 漏极时）（Ta = 25C ）
<It是Tr1和Tr2.>相同评级
参数
正向电压
*脉冲
符号
V
SD
*
分钟。
典型值。
马克斯。
1.2
单位
V
条件
是= 6.0A ，V
GS
=0V
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ⅵELECTRICAL
特性曲线
(Ta=25C)
图1典型的输出特性（ Ⅰ ）
6
T
a
=25°C
脉冲
5
漏电流：我
D
[A]
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
　
数据表
图2典型的输出特性（ Ⅱ ）
6
T
a
=25°C
脉冲
5
漏电流：我
D
[A]
V
GS
= 10V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 3.0V
4
4
3
V
GS
= 3.0V
2
3
V
GS
= 2.5V
2
1
V
GS
= 2.5V
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
漏源电压： V
DS
[V]
0
0
2
4
6
8
10
漏源电压： V
DS
[V]
图3典型的传输特性
10
V
DS
= 10V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-
25°C
1000
图4静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
T
a
=25°C
脉冲
V
GS
= 4.0V
V
GS
= 4.5V
V
GS
= 10V
100
漏电流：我
D
[A]
1
0.1
.
10
0.01
0.001
0
1
2
3
栅源电压： V
GS
[V]
图5静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
1000
V
GS
= 10V
脉冲
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
1
0.01
0.1
1
10
漏电流：I
D
[A]
图6静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
1000
V
GS
= 4.5V
脉冲
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-
25°C
100
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
10
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-
25°C
100
10
10
1
0.1
1
漏电流：I
D
[A]
1
0.1
1
漏电流：I
D
[A]
10
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图8正向转移导纳
与漏电流
10
V
GS
= 4.0V
脉冲
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-
25°C
正向转移导纳： | YFS | [S ]
V
DS
= 10V
脉冲
数据表
图7静态漏源导通状态
电阻与漏电流（ Ⅰ ）
1000
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
on
)[m]
100
1
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-
25°C
10
1
0.1
1
漏电流：I
D
[A]
10
0.1
0.01
0.1
1
10
漏电流：I
D
[A]
图9反向漏电流
与水稻源极 - 漏极电压
10
静态漏源导通状态
电阻值：R
DS
(
ON
)[m]
V
GS
=0V
脉冲
源电流：是[ A]
100
图10静态漏源导通状态
电阻与栅源电压
T
a
=25°C
脉冲
80
I
D
= 6.0A
I
D
= 3.0A
1
60
0.1
T
a
= 125°C
T
a
= 75°C
T
a
= 25°C
T
a
=
-
25°C
40
20
0.01
0
0.5
1
1.5
源极 - 漏极电压： V
SD
[V]
0
0
2
4
6
8
10
栅源电压： V
GS
[V]
图11开关特性
1000
t
f
切换时间： T [ NS ]
t
D（关闭）
100
T
a
=25°C
V
DD
=15V
V
GS
=10V
R
G
=10Ω
脉冲
10
图12动态输入特性
栅源电压： V
GS
[V]
8
6
t
D（上）
10
4
T
a
=25°C
V
DD
= 15V
I
D
= 6.0A
R
G
=10Ω
脉冲
0
2
4
6
8
10
2
t
r
1
0.01
0.1
1
10
漏电流：I
D
[A]
0
总栅极电荷：的Qg [ NC ]
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图13典型电容
与漏源电压
数据表
图14最大安全运行的Aera
100
在这一领域是由R有限公司
DS （ ON）
(V
GS
=10V)
漏电流：我
D
(A)
10000
C
OSS
电容： C [ pF的]
1000
C
国际空间站
10
P
W
=100us
1
P
W
=1ms
P
W
= 10ms的
C
RSS
100
0.1
T
a
=25°C
f=1MHz
V
GS
=0V
10
0.01
0.1
1
10
100
漏源电压： V
DS
[V]
0.01
0.1
T
a
=25°C
单脉冲： 1台
安装在陶瓷板上。
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
1
10
直流操作
100
漏源电压： V
DS
[V]
图15归瞬态热电阻与脉冲宽度
10
T
a
=25°C
单脉冲： 1台
NORMARIZED瞬态热
电阻： R（T ）
1
0.1
0.01
安装在陶瓷板上。
(30mm
×
30mm
×
0.8mm)
RTH
（ CH -A ）
=89.3°C/W
RTH
（ CH -A ）
（吨） = R（T） × Rth的
（ CH -A ）
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.001
0.0001
脉冲宽度： Pw的（ S）
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