MP6920
快速关断的智能整流器
模拟IC技术的未来
描述
该MP6920是一个快速关断的智能整流
对于反激式转换器，结合了60V
它取代二极管整流器的电源开关
高效率。该芯片调节前进
内部电源开关的电压降
电压前大约为70mV ，并把它关闭
变负。
特点
支持DCM和准谐振
反激式转换器
为10mΩ集成60V电源开关
兼容能源之星， 1W待机
需求
V
DD
范围从8V至24V
最高300kHz开关频率
支持高侧和低侧
整流器阳离子
截至功率节省，以1.5W的典型
笔记本适配器
工业动力系统
分布式电源系统
电池供电系统
反激式转换器
应用
对于MPS绿色状态，请访问以下质量保证MPS的网站。
“ MPS ”和“模拟IC技术的未来”的注册商标。
单片电源系统有限公司
典型用途
VIN
U1
MP6920
1
VSS
VSS
VSS
VDD
E / PAD
VD
SENSE
6
VOUT
5
PWM
6
2
3
GND
MP6920牧师1.01
9/19/2012
www.monolithicpower.com
MPS专有信息。专利保护。未经授权影印和复制禁止的。
2012 MPS 。版权所有。
1
MP6920-快速关断智能整流器
订购信息
产品型号
MP6920DN*
包
SOIC8E
顶部标记
MP6920
*对于带卷轴& ，加后缀-Z （如MP6920DN -Z ） ;
对于符合RoHS包装，加后缀-LF ; （例如MP6920DN -LF -Z ）
包装说明
顶视图
VSS
VSS
VSS
VDD
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
NC
SENSE
NC
VD
裸露焊盘
SOIC8E
绝对最大额定值
(1)
V
DD
到V
SS
......................................- 0.3V至+ 26V
V
D
到V
SS
.......................................- 0.7V至+ 60V
最大工作频率300kHz的.............
(2)
连续功率耗散（T
A
= 25°C)
SOIC8E……………………………………....2.5W
结温............................... 150℃
焊接温度（焊接） ....................... 260℃
存储温度.............. -55 ° C至+ 150°C
热阻
(4)
θ
JA
θ
JC
SOIC8E ................................... 50 ...... 10 ......° C / W
注意事项：
1 ）超过这些额定值可能会损坏设备。
2）最大允许功耗为的函数
最高结温T
J
（ MAX）的结点到
环境的热阻
θ
JA
和环境温度
T
A
。在允许的最大连续功率耗散
任何环境温度下用P来计算
D
（MAX）= （T
J
（最大） -t
A
)/θ
JA
。超过最大允许功耗
耗将导致过多的模头温度，并在
监管机构将进入热关断。内部热
关断电路保护永久设备
损害。
3 ）该设备是不能保证功能以外的
操作条件。
4 ）测量在JESD51-7 ， 4层PCB 。无需散热片。
推荐工作条件
(3)
V
DD
到V
SS
............................................ 8V至24V
工作结点温度。 （T
J
） .... -40 ° C至+ 125°C
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MP6920-快速关断智能整流器
电气特性
V
DD
= 12V ，T
A
= 25 ℃，除非另有说明。
参数
符号
漏极至源极击穿电压V
（ BR ） DSS
V
DD
电压范围
V
DD
UVLO上升
V
DD
UVLO迟滞
工作电流
I
CC
轻负载电流
控制电路
V
SS
–V
D
正向电压
V
FWD
(5)
导通延迟
t
DON
(5)
关闭阈值（ V
SS
-V
D
)
关断延时
(5)
t
DOFF
(5)
最小导通时间
t
民
轻载输入延迟
t
LL-延迟
轻载输入脉冲宽度
t
LL
轻载输入脉冲宽度
t
LL -H
迟滞
轻载模式退出脉宽
V
LL -DS
阈值（V
DS
)
电源开关特性
单脉冲雪崩电流
(6)
I
AS
(6)
单脉冲雪崩能量
E
AS
漏源导通电阻
R
DS （ ON）
输入电容
C
国际空间站
输出电容
C
OSS
反向传输电容
C
RSS
漏源二极管的特性
反向恢复时间
t
rr
二极管反向充电
Q
rr
注意事项：
5 ）保证通过设计和特性。
6 ）起始物为
J
= 25℃时，L = 0.3mH
条件
民
60
8
5.0
0.8
典型值
最大
24
7.0
1.5
8
360
85
40
45
f
SW
=100kHz
6.0
1.2
4.5
260
70
200
30
30
1.6
120
2.2
0.2
-250
41
250
9.5
3696
258
104
29
80
单位
V
V
V
V
mA
A
mV
ns
mV
ns
μs
μs
μs
μs
mV
A
mJ
m
pF
pF
pF
ns
nC
55
20
V
D
=V
SS
11.4
V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
I
F
= 10A ，二
F
/dt=300A/us
引脚功能
针＃
(SOIC8E)
1,2,3
6
4
5,7,8
裸露
PAD
名字
VSS
SENSE
VDD
NC
VD
描述
MOSFET的源，也可作为参考VDD
漏感，搭配上布局裸露焊盘连接这个引脚
电源电压
无连接
MOSFET漏极
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典型性能特性
V
DD
= 12V，除非另外声明。
运行在36W反激式
应用
V
IN
= 110V
AC
, V
OUT
= 12V，我
OUT
= 1A
运行在36W反激式
应用
V
IN
= 110V
AC
, V
OUT
= 12V，我
OUT
= 1A
运行在36W反激式
应用
V
IN
=110V
AC
, V
OUT
= 12V，我
OUT
=3A
V
DS
10V/div.
V
DS
1V/div.
V
DS
10V/div.
运行在36W反激式
应用
V
IN
=110V
AC
, V
OUT
= 12V，我
OUT
=3A
V
DS
1V/div.
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框图
VD
VDD
逻辑
司机
控制
迂曲
SENSE
图1 ：功能框图
VSS
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