【MP6901东芝功率晶体管模块硅外延式（六达林顿功率晶体管一）MP6901高功率开关应用锤驱动器，脉】,IC型号MP6901_07,MP6901_07 PDF资料,MP6901_07经销商,ic,电子元器件-51电子网

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MP6901

东芝功率晶体管模块

硅外延式（六达林顿功率晶体管一）

MP6901

高功率开关应用

锤驱动器，脉冲马达驱动器和感性负载

开关

工业应用

单位：mm

与散热片分离的带领封装（SiP 12引脚）

高集电极耗散功率（ 6 -设备操作）

: P

T

= 5 W（ TA = 25 ° C）

高集电极电流：I

C（ DC ）

= ± 4 A（最大）

高直流电流增益：H

FE

= 2000 （分钟）（V

CE

= -2 V，I

C

= ±1 A)

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

集电极 - 基极电压

集电极 - 发射极电压

发射极 - 基极电压

集电极电流

连续基极电流

集电极耗散功率

（ 1 -设备操作）

集电极电源

耗散

（ 6 -设备操作）

隔离电压

结温

存储温度范围

TA = 25°C

P

T

TC = 25°C

V

ISOL

T

j

T

英镑

25

1000

150

55

150

V

°C

°C

符号

V

CBO

V

首席执行官

V

EBO

I

C

I

CP

I

B

P

C

等级

NPN

100

80

5

4

6

0.4

3.0

5.0

W

PNP

100

80

5

4

6

0.4

单位

V

V

V

A

A

W

JEDEC

JEITA

东芝

―

―

2-32B1D

重量：9.6克（典型值）。

阵列配置

R1 R2

4

7

3

10

6

9

12

2

R1 R2

1

4

8

11

R1

≈

4.5千欧， R2

≈

300

1

2004-07-01

MP6901

记号

MP6901

日本

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

热特性

特征

热阻结到

环境

（ 6 -设备操作， TA = 25℃）

热阻结到

例

（ 6device操作， TC = 25 ° C）

铅的最大温度

焊接用途

（从案例3.2毫米10秒）

T

L

260

°C

ΣR

日（J -C ）

5.0

° C / W

符号

最大

单位

ΣR

号（j -a）的

25

° C / W

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ NPN晶体管）

特征

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极

基射

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE （1）

h

FE （2）

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

f

T

C

ob

t

on

输入

开关时间

20

μs

贮存时间

t

英镑

I

B1

I

B2

测试条件

V

CB

= 100 V，I

E

= 0 A

V

CE

= 80 V，I

B

= 0 A

V

EB

= 5 V，I

C

= 0 A

I

C

= 1毫安，我

E

= 0 A

I

C

= 10 mA时，我

B

= 0 A

V

CE

= 2 V，I

C

= 1 A

V

CE

= 2 V，I

C

= 3 A

I

C

= 3毫安，我

B

= 6毫安

I

C

= 3毫安，我

B

= 6毫安

V

CE

= 2 V，I

C

= 0.5 A

V

CB

= 10 V，I

E

= 0 ， F = 1兆赫

产量

10

民

―

―

0.5

100

80

2000

1000

―

―

―

―

―

典型值。

―

―

―

―

―

―

―

―

―

60

35

0.2

最大

20

20

2.5

―

―

―

―

1.5

2.0

―

―

―

单位

μA

μA

mA

V

V

―

饱和电压

V

兆赫

pF

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

I

B1

I

B2

―

1.5

―

μs

V

CC

= 30 V

―

0.6

―

下降时间

t

f

I

B1

=

I

B2

= 6毫安，占空比

≤

1%

2

2004-07-01

MP6901

发射极 - 集电极二极管额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

正向电流

浪涌电流

正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

I

FM

I

FSM

V

F

t

rr

Q

rr

T = 1秒， 1次射门

I

F

= 1 A，I

B

= 0 A

I

F

= 4 A，V

BE

=

3

V ，二

F

/ DT =

50

A / μs的

测试条件

―

民

―

―

―

―

―

典型值。

―

―

―

1.0

8

最大

4

6

2.0

―

―

单位

A

A

V

μs

μC

电气特性

（ TA = 25 ℃）（ PNP晶体管）

特征

集电极截止电流

集电极截止电流

发射极截止电流

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

直流电流增益

集电极 - 发射极

基射

符号

I

CBO

I

首席执行官

I

EBO

V

（ BR ） CBO

V

（ BR ） CEO

h

FE （1）

h

FE （2）

V

CE （SAT）

V

BE （SAT）

f

T

C

ob

t

on

I

B1

输入

20

μs

I

B2

I

B1

测试条件

V

CB

=

100

V，I

E

= 0 A

V

CE

=

80

V，I

B

= 0 A

V

EB

=

5

V，I

C

= 0 A

I

C

=

1

妈，我

E

= 0 A

I

C

=

10

妈，我

B

= 0 A

V

CE

=

2

V，I

C

=

1

A

V

CE

=

2

V，I

C

=

3

A

I

C

=

3

A，I

B

=

6

mA

I

C

=

3

A，I

B

=

6

mA

V

CE

=

2

V，I

C

=

0.5

A

V

CB

=

10

V，I

E

= 0 ， F = 1兆赫

民

―

―

0.5

100

80

2000

1000

―

―

―

―

―

典型值。

―

―

―

―

―

―

―

―

―

40

60

0.15

最大

20

20

2.5

―

―

―

―

1.5

2.0

―

―

―

单位

μA

μA

mA

V

V

―

饱和电压

V

兆赫

pF

跃迁频率

集电极输出电容

开启时间

产量

10

开关时间

贮存时间

t

英镑

―

0.80

―

μs

V

CC

=

30

V

下降时间

t

f

I

B1

= I

B2

= 6毫安，占空比

≤

1%

―

0.40

―

发射极 - 集电极二极管额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

正向电流

浪涌电流

正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

I

FM

I

FSM

V

F

t

rr

Q

rr

T = 1秒， 1次射门

I

F

= 1 A，I

B

= 0 A

I

F

= 4 A，V

BE

= 3 V ，二

F

/ DT =

50

A / μs的

测试条件

―

民

―

―

―

―

―

典型值。

―

―

―

1.0

8

最大

4

6

2.0

―

―

单位

A

A

V

μs

μC

3

2004-07-01

MP6901

（ NPN晶体管）

I

C

– V

CE

6

常见

5

辐射源

TC = 25°C

5

1

0.5

6

共发射极

5 VCE = 2 V

I

C

– V

BE

(A)

集电极电流I

C

3

集电极电流I

C

4

(A)

0.3

4

0.23

3

2

IB = 0.2毫安

2

TC = 100℃

25

1

0

0

0

1

2

3

4

5

6

7

1

55

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

基射极电压

V

BE

(V)

h

FE

– I

C

20000

10000 VCE = 2 V

2.4

共发射极

V

CE

– I

B

V

CE

(V)

2.0

5

1.6

3

1.2

1

0.8

0.3

0.4

共发射极

TC = 25°C

0

0.1

0.3

1

3

10

30

100

300

2

4

IC = 6的

直流电流增益

FE

5000

3000

TC = 100℃

25

1000

500

300

0.05

0.1

0.3

55

0.5

1

3

5

10

集电极电流I

C

(A)

集电极 - 发射极电压

基极电流I

B

（MA ）

V

CE （SAT）

– I

C

10

10

共发射极

5

3

IC / IB = 500

V

BE （SAT）

– I

C

基射极饱和电压

V

BE （SAT）

(V)

共发射极

5

3

TC =

55°C

25

1

100

IC / IB = 500

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

1

25

0.5

0.3

0.1

TC =

55°C

100

0.5

0.3

0.1

0.3

0.5

1

3

5

10

0.3

0.5

1

3

5

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

4

2004-07-01

MP6901

（ PNP晶体管）

I

C

– V

CE

6

常见

5

辐射源

TC = 25°C

0.5

0.4

1.5

1.0

6

0.7

共发射极

5

VCE =

2

V

I

C

– V

BE

(A)

(A)

集电极电流I

C

4

3

集电极电流I

C

4

3

0.3

2

IB =

0.2

mA

2

TC = 100℃

1

0

1

2

3

4

5

6

7

1

25

55

0

0

0

0

0.4

0.8

1.2

1.6

2.0

2.4

2.8

集电极 - 发射极电压

V

CE

(V)

基射极电压

V

BE

(V)

h

FE

– I

C

20000

2.4

共发射极

10000 VCE =

2

V

V

CE

– I

B

V

CE

(V)

2.0

直流电流增益

FE

5000

3000

TC = 100℃

25

55

1000

500

300

0.05

0.1

0.3 0.5

1

3

5

10

1.6

4

1.2

1

0.8

0.3

0.4

2

3

5

IC =

6

A

集电极 - 发射极电压

共发射极

0

0.1

TC = 25°C

0.3

1

3

10

30

100

300

集电极电流I

C

(A)

)

基极电流I

B

（MA ）

V

CE （SAT）

– I

C

10

10

共发射极

V

BE （SAT）

– I

C

共发射极

IC / IB = 500

集电极 - 发射极饱和电压

V

CE （SAT）

(V)

5

3

IC / IB = 500

基射极饱和电压

V

BE （SAT）

(V)

5

3

TC =

55°C

25

1

100

1

25

0.5

0.3

0.1

TC =

55°C

100

0.5

0.3

0.1

0.3 0.5

1

3

5

10

0.3 0.5

1

3

5

10

集电极电流I

C

(A)

集电极电流I

C

(A)

5

2004-07-01

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