MP6754
东芝GTR模块硅N沟道IGBT
MP6754
高功率开关应用
电机控制应用
l
所述电极从壳体分离。
l
6的IGBT中内置了1包。
l
增强型
l
低饱和电压
: V
CE （SAT）
= 4.0V （最大） （我
C
= 10A)
l
高速：吨
f
= 0.35μs （最大值） （我
C
= 10A)
t
rr
= 0.15μs （最大值） （我
F
= 10A)
单位：mm
等效电路
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 44克（典型值）
―
―
2-78A1A
000707EAA2
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
2001-03-13
1/5
MP6754
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC
1ms
DC
1ms
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
V
ISOL
―
等级
600
± 20
10
20
10
20
40
150
40
~ 125
2500
（AC 1分钟）
1.5
单位
V
V
A
正向电流
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
正向电压
反向恢复时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
R
日（J -C ）
I
F
= 10A ，V
GE
= 0
I
F
= 10A ，V
GE
=
10V
的di / dt = 100A / μs的
晶体管
二极管
测试条件
V
GE
= ± 20V, V
CE
= 0
V
CE
= 600V, V
GE
= 0
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0中，f = 1MHz的
民
―
―
6.0
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
3.0
620
0.3
0.4
0.2
0.4
1.7
0.08
―
―
最大
± 500
1.0
9.0
4.0
―
0.6
0.8
s
0.35
0.8
2.5
0.15
3.09
3.09
V
s
C / W
单位
nA
mA
V
V
pF
000707EAA2
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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东芝GTR模块硅N沟道IGBT
MP6754
高功率开关应用
电机控制应用
l
所述电极从壳体分离。
l
6的IGBT中内置了1包。
l
增强型
l
低饱和电压
: V
CE （SAT）
= 4.0V （最大） （我
C
= 10A)
l
高速：吨
f
= 0.35μs （最大值） （我
C
= 10A)
t
rr
= 0.15μs （最大值） （我
F
= 10A)
单位：mm
等效电路
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 44克（典型值）
―
―
2-78A1A
000707EAA2
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
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最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC
1ms
DC
1ms
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
V
ISOL
―
等级
600
± 20
10
20
10
20
40
150
40
~ 125
2500
（AC 1分钟）
1.5
单位
V
V
A
正向电流
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
正向电压
反向恢复时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
R
日（J -C ）
I
F
= 10A ，V
GE
= 0
I
F
= 10A ，V
GE
=
10V
的di / dt = 100A / μs的
晶体管
二极管
测试条件
V
GE
= ± 20V, V
CE
= 0
V
CE
= 600V, V
GE
= 0
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0中，f = 1MHz的
民
―
―
6.0
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
3.0
620
0.3
0.4
0.2
0.4
1.7
0.08
―
―
最大
± 500
1.0
9.0
4.0
―
0.6
0.8
s
0.35
0.8
2.5
0.15
3.09
3.09
V
s
C / W
单位
nA
mA
V
V
pF
000707EAA2
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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东芝GTR模块硅N沟道IGBT
MP6754
高功率开关应用
电机控制应用
l
所述电极从壳体分离。
l
6的IGBT中内置了1包。
l
增强型
l
低饱和电压
: V
CE （SAT）
= 4.0V （最大） （我
C
= 10A)
l
高速：吨
f
= 0.35μs （最大值） （我
C
= 10A)
t
rr
= 0.15μs （最大值） （我
F
= 10A)
单位：mm
等效电路
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 44克（典型值）
―
―
2-78A1A
000707EAA2
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
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最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC
1ms
DC
1ms
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
V
ISOL
―
等级
600
± 20
10
20
10
20
40
150
40
~ 125
2500
（AC 1分钟）
1.5
单位
V
V
A
正向电流
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
正向电压
反向恢复时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
R
日（J -C ）
I
F
= 10A ，V
GE
= 0
I
F
= 10A ，V
GE
=
10V
的di / dt = 100A / μs的
晶体管
二极管
测试条件
V
GE
= ± 20V, V
CE
= 0
V
CE
= 600V, V
GE
= 0
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0中，f = 1MHz的
民
―
―
6.0
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
3.0
620
0.3
0.4
0.2
0.4
1.7
0.08
―
―
最大
± 500
1.0
9.0
4.0
―
0.6
0.8
s
0.35
0.8
2.5
0.15
3.09
3.09
V
s
C / W
单位
nA
mA
V
V
pF
000707EAA2
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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东芝GTR模块硅N沟道IGBT
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高功率开关应用
电机控制应用
l
所述电极从壳体分离。
l
6的IGBT中内置了1包。
l
增强型
l
低饱和电压
: V
CE （SAT）
= 4.0V （最大） （我
C
= 10A)
l
高速：吨
f
= 0.35μs （最大值） （我
C
= 10A)
t
rr
= 0.15μs （最大值） （我
F
= 10A)
单位：mm
等效电路
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 44克（典型值）
―
―
2-78A1A
000707EAA2
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
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1/5
MP6754
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC
1ms
DC
1ms
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
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j
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英镑
V
ISOL
―
等级
600
± 20
10
20
10
20
40
150
40
~ 125
2500
（AC 1分钟）
1.5
单位
V
V
A
正向电流
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
正向电压
反向恢复时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
R
日（J -C ）
I
F
= 10A ，V
GE
= 0
I
F
= 10A ，V
GE
=
10V
的di / dt = 100A / μs的
晶体管
二极管
测试条件
V
GE
= ± 20V, V
CE
= 0
V
CE
= 600V, V
GE
= 0
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0中，f = 1MHz的
民
―
―
6.0
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
3.0
620
0.3
0.4
0.2
0.4
1.7
0.08
―
―
最大
± 500
1.0
9.0
4.0
―
0.6
0.8
s
0.35
0.8
2.5
0.15
3.09
3.09
V
s
C / W
单位
nA
mA
V
V
pF
000707EAA2
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。无责任承担
东芝公司知识产权的任何侵犯第三方或其他权利，可能导致其
使用。无许可证下的任何知识产权或东芝或其他权利授予暗示或其他方式
其他人。
·
此处所包含的信息如有更改，恕不另行通知。
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东芝GTR模块硅N沟道IGBT
MP6754
高功率开关应用
电机控制应用
l
所述电极从壳体分离。
l
6的IGBT中内置了1包。
l
增强型
l
低饱和电压
: V
CE （SAT）
= 4.0V （最大） （我
C
= 10A)
l
高速：吨
f
= 0.35μs （最大值） （我
C
= 10A)
t
rr
= 0.15μs （最大值） （我
F
= 10A)
单位：mm
等效电路
JEDEC
EIAJ
东芝
重量： 44克（典型值）
―
―
2-78A1A
000707EAA2
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，在半导体器件一般
可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理应力。它的责任
买方，利用东芝产品时，要符合安全的制造安全的设计对整个系统的标准，并
为避免出现此类东芝产品的故障或失效可能导致人的生命，人身伤害或损失
财产损失。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围用作规定
最近东芝的产品规格。另外，请记住载于“处理的注意事项和条件
导半导体设备“或”东芝半导体可靠性手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品在一般电子应用（计算机，个人打算使用
设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器等） 。这些东芝的产品
既不打算也不为保证使用中的设备要求非常高的品质和/或可靠性或故障，或
这些故障可能会导致人的生命或身体伤害（ “意外用法” ）的损失。意想不到的用途包括原子能
控制仪表，飞机或太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制
仪器，医疗仪器，各类安全装置等。东芝产品的非预期使用本文件所列
应在客户自己的风险进行。
2001-03-13
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最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
DC
1ms
DC
1ms
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CP
I
F
I
FM
P
C
T
j
T
英镑
V
ISOL
―
等级
600
± 20
10
20
10
20
40
150
40
~ 125
2500
（AC 1分钟）
1.5
单位
V
V
A
正向电流
A
W
°C
°C
V
N·m的
集电极耗散功率（ TC = 25 ° C）
结温
存储温度范围
隔离电压
螺杆转矩
电气特性
（ TA = 25°C ）
特征
栅极漏电流
集电极截止电流
栅极 - 发射极截止电压
集电极 - 发射极饱和电压
输入电容
上升时间
开启时间
开关时间
下降时间
打开-O FF时间
正向电压
反向恢复时间
热阻
符号
I
GES
I
CES
V
GE （ OFF ）
V
CE （SAT）
C
IES
t
r
t
on
t
f
t
关闭
V
F
t
rr
R
日（J -C ）
I
F
= 10A ，V
GE
= 0
I
F
= 10A ，V
GE
=
10V
的di / dt = 100A / μs的
晶体管
二极管
测试条件
V
GE
= ± 20V, V
CE
= 0
V
CE
= 600V, V
GE
= 0
I
C
= 10毫安，V
CE
= 5V
I
C
= 10A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V, V
GE
= 0中，f = 1MHz的
民
―
―
6.0
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
3.0
620
0.3
0.4
0.2
0.4
1.7
0.08
―
―
最大
± 500
1.0
9.0
4.0
―
0.6
0.8
s
0.35
0.8
2.5
0.15
3.09
3.09
V
s
C / W
单位
nA
mA
V
V
pF
000707EAA2
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2001-03-13
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