中等功率高的fT
NPN硅晶体管
特点
高
输出功率
- 16 dBm的P1dB为@ 1 GHz的
- 10 dBm的P1dB为@ 2 GHz的
高
增益带宽积
8-9
千兆赫的fT
高
功率增益
- | S21E |
2
= 15 dB的1 GHz的
- | S21E |
2
= 9分贝@ 2 GHz的
ULOW
噪声系数
- 1.5分贝@ 1.5 GHz的
描述
该MP4T856系列中等功率NPN
晶体管提供图片的IDE噪音低5-10 V OLTS操作
V oltage 。这些晶体管被设计用于优化
获得在中等集电极电流（20 - 60 mA）的。
它们分别是中等功率有用（ + 23-24 dBm的）低
在0.5-2 GHz的噪声放大器或低噪声VCO
晶体管从100 MHz到5.0 GHz的。
这些inexpensiv ê晶体管是在SOT- AV ailable
图23（ MP4T85633 ） ，所述的SOT- 143 （ MP4T85639 ），并且
微-X （ MP4T85635 ）封装。
它们也
AV ailable作为芯片（ MP4T85600 ）的混合电路。该
塑料封装SOT -23和SOT -143通常
磁带和卷轴提供。
包装外形
MP4T856系列
SOT-23
SOT-143
芯片
绝对最大额定值
1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
芯片或陶瓷封装
塑料包装
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料包装
功率耗散（模）
1.请参阅功率降额曲线。
绝对最大
20 V
12 V
3.0 V
百毫安
+200°C
+150°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C到+ 200℃
1200毫瓦
1
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
1
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
中等功率高的fT NPN硅晶体管
MP4T856系列
电气规格@ + 25 °
C
符号
fT
|S21E|2
NF
GA
P1dB
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
MP4T856系列
参数
增益带宽
产品
插入功率增益
噪声系数
相关的增益
1 dB输出功率
压缩
热阻
热阻
测试条件
VCE = 8V ， IC = 30毫安
VCE = 8V ， IC = 20mA时， F = 1GHz的
VCE = 8V ， IC = 10毫安中，f = 1GHz的
VCE = 8V ， IC = 10毫安中，f = 1GHz的
VCE = 8V ， IC = 40毫安中，f = 1GHz的，
f=2GHz
结/环境（自由空气）
结/外壳
单位
GHz的
dB
dB
dB
DBM
° C / W
° C / W
MP4T85600
芯片
7.0典型。
13.5最小。
1.6 MAX 。
16典型。
16典型。
10 TYP 。
-
60马克斯。
1
MP4T85633
SOT-23
7.0典型。
12 MIN 。
1.7 MAX 。
15典型。
13典型。
10 TYP 。
600最大。
200典型。
MP4T85635
微-X
7.0典型。
13.0最小。
1.6 MAX 。
16典型。
16典型。
10 TYP 。
550最大
200典型。
MP4T85639
SOT-143
7.0典型。
12 MIN 。
1.7 MAX 。
15典型。
13典型。
10 TYP 。
600最大。
200典型。
1参见功率降额曲线。
电气规格@ + 25 °
C
符号
我CBO
我EBO
的hFE
COB
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极 - 基极结电容
测试条件
VCB = 8V ， IE = 0
VEB = 1V ， IC = 0
VCE = 8V ， IC = 20mA下
VCB = 8 V ， F = 1兆赫
单位
A
A
-
pF
分钟。
-
-
20
-
典型值。
-
-
100
0.62
马克斯。
1.0
1
250
0.75
MP4T85635
在微-X封装典型散射参数
VCE = 8伏， IC = 10毫安
频率
（兆赫）
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
4000
5000
6000
S11E
MAG 。
0.581
0.516
0.496
0.487
0.483
0.481
0.479
0.478
0.478
0.476
0.475
0.475
0.474
0.473
0.472
0.472
0.476
0.484
角
-97.9
-151.1
177.1
153.4
133.2
114.9
97.7
81.2
65.1
49.4
33.9
18.4
3.9
-12.2
-27.4
-103.3
-176.5
104.4
MAG 。
16.95
10.72
7.59
5.84
4.74
3.99
3.46
3.06
2.74
2.49
2.29
2.12
1.98
1.86
1.76
1.39
1.17
1.03
S21E
角
117.1
83.5
60.3
40.7
22.7
5.6
-11.0
-27.3
-43.4
-59.3
-75.0
-90.6
-106.1
-121.5
-136.7
148.1
74.8
3.1
MAG 。
0.033
0.045
0.054
0.064
0.074
0.085
0.097
0.109
0.121
0.133
0.145
0.158
0.170
0.183
0.197
0.267
0.340
0.415
S12E
角
44.9
27.8
17.9
8.6
1.0
11.4
22.2
33.6
45.4
57.3
69.5
82.0
94.7
107.3
120.1
174.4
107.1
38.2
MAG
0.685
0.481
0.396
0.355
0.334
0.324
0.317
0.311
0.311
0.315
0.314
0.311
0.317
0.324
0.323
0.336
0.367
0.375
S22E
角
-46.4
-65.0
-79.0
-91.6
-105.0
-118.0
-132.0
-147.0
-162.0
-177.0
168.4
152.6
136.0
121.0
107.0
28.5
-49.0
-126.0
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
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2
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传真：（ 408 ） ） 432-3440
中等功率高的fT NPN硅晶体管
MP4T85635
在微-X封装典型散射参数
VCE = 8伏， IC = 20毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.469
-124.6
400
0.456
-170.4
600
0.453
163.3
800
0.452
142.9
1000
0.451
124.9
1200
0.451
108.1
1400
0.449
91.9
1600
0.448
76.2
1800
0.450
60.8
2000
0.448
45.5
2200
0.448
30.6
2400
0.448
15.7
2600
0.446
1.5
2800
0.445
-14.0
3000
0.442
-29.1
4000
0.443
-104.0
5000
0.442
-177.9
6000
0.456
105.2
S21E
MAG 。
角
21.56
107.4
12.34
77.1
8.50
56.0
6.48
37.7
5.23
20.5
4.40
3.9
3.80
-12.3
3.35
-28.2
3.01
-44.0
2.73
-59.6
2.51
-75.2
2.32
-90.6
2.17
-105.9
2.04
-121.1
1.92
-136.3
1.52
148.8
1.29
75.3
1.13
3.2
MAG 。
0.026
0.037
0.050
0.062
0.075
0.089
0.102
0.116
0.130
0.143
0.157
0.170
0.184
0.198
0.212
0.281
0.351
0.419
S12E
角
47.0
36.6
28.2
18.5
7.5
4.1
16.2
28.8
41.5
54.3
67.3
80.4
93.6
106.9
120.1
172.7
104.5
35.6
MP4T856系列
S22E
MAG
角
0.546
-53.6
0.363
-69.8
0.298
-81.1
0.269
-92.9
0.254
-105.6
0.247
-119.2
0.244
-133.0
0.242
-147.8
0.243
-163.0
0.246
-177.5
0.246
167.9
0.246
152.4
0.251
136.5
0.258
121.9
0.260
107.2
0.275
29.1
0.307
-48.5
0.318
-126.1
MP4T85635
在微-X封装典型散射参数
VCE = 8伏， IC = 40毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.426
-147.7
400
0.438
175.6
600
0.441
153.3
800
0.442
134.9
1000
0.442
118.0
1200
0.442
101.9
1400
0.441
86.1
1600
0.441
70.6
1800
0.443
55.3
2000
0.443
40.2
2200
0.443
25.3
2400
0.443
10.6
2600
0.442
-4.7
2800
0.441
-19.2
3000
0.440
-34.3
4000
0.446
-109.5
5000
0.447
174.0
6000
0.466
100.3
S21E
MAG 。
角
23.88
99.9
12.94
72.7
8.80
52.9
6.67
35.3
5.38
18.5
4.51
2.2
3.90
-13.8
3.43
-29.6
3.08
-45.3
2.79
-60.8
2.56
-76.3
2.37
-91.6
2.21
-106.8
2.07
-122.0
1.95
-137.2
1.54
148.1
1.30
74.7
1.13
2.9
MAG 。
0.021
0.034
0.048
0.062
0.076
0.090
0.105
0.119
0.133
0.147
0.161
0.174
0.188
0.202
0.216
0.283
0.351
0.414
S12E
角
51.7
43.8
34.7
23.9
11.9
0.5
13.4
26.4
39.7
52.9
66.2
79.6
93.1
106.5
120.0
172.3
104.0
35.3
S22E
MAG
角
0.443
-56.7
0.296
-68.7
0.250
-79.0
0.230
-90.5
0.222
-103.3
0.219
-117.1
0.218
-131.1
0.218
-146.0
0.221
-161.3
0.225
-175.9
0.226
169.6
0.227
154.1
0.233
138.3
0.242
123.8
0.244
109.4
0.264
32.3
0.297
-43.8
0.307
-119.7
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
3
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
中等功率高的fT NPN硅晶体管
MP4T85639
在SOT -143封装的典型散射参数
VCE = 3V时， IC = 20毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.471
-118.4
400
0.457
-152.6
600
0.458
-168.7
800
0.461
-178.9
1000
0.466
173.0
1200
0.471
166.0
1400
0.476
160.2
1600
0.480
155.0
1800
0.485
150.1
2000
0.491
144.8
2200
0.488
141.5
2400
0.496
137.1
2600
0.499
132.9
2800
0.510
129.4
3000
0.513
125.8
S21E
MAG 。
角
19.14
115.5
10.70
97.7
7.33
88.2
5.57
81.4
4.48
75.7
3.76
70.3
3.24
65.5
2.86
61.1
2.56
56.7
2.32
52.3
2.12
48.8
1.97
44.7
1.83
40.8
1.71
37.3
1.62
34.0
MAG 。
0.034
0.048
0.064
0.079
0.095
0.110
0.128
0.144
0.158
0.172
0.190
0.207
0.220
0.233
0.249
S12E
角
56.7
57.2
60.7
61.1
62.3
60.7
60.1
59.0
56.9
56.3
55.7
53.2
50.6
48.8
46.8
MP4T856系列
S22E
MAG
角
0.492
-54.8
0.297
-66.2
0.219
-71.4
0.183
-75.3
0.168
-80.1
0.158
-85.0
0.156
-89.3
0.154
-94.0
0.157
-98.3
0.157
-101.4
0.167
-104.8
0.172
-108.7
0.180
-111.6
0.183
-115.9
0.184
-118.5
MP4T85639
在SOT -143封装的典型散射参数
VCE = 3伏，集成电路= 40毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.447
-140.1
400
0.460
-165.5
600
0.467
-177.5
800
0.473
174.3
1000
0.478
167.7
1200
0.484
161.8
1400
0.490
156.6
1600
0.492
151.9
1800
0.499
147.4
2000
0.504
142.4
2200
0.501
139.3
2400
0.509
135.3
2600
0.511
131.0
2800
0.521
127.3
3000
0.527
124.2
S21E
MAG 。
角
20.11
108.5
10.77
93.6
7.30
85.3
5.53
79.2
4.44
73.9
3.72
68.8
3.21
64.1
2.83
59.8
2.53
55.6
2.30
51.3
2.10
47.9
1.94
43.8
1.81
39.9
1.70
36.4
1.60
33.1
MAG 。
0.028
0.043
0.062
0.079
0.096
0.112
0.128
0.148
0.163
0.177
0.195
0.210
0.225
0.238
0.255
S12E
角
59.4
65.0
67.1
66.6
66.4
64.5
63.7
61.9
59.3
57.6
57.0
54.7
51.5
49.9
47.5
S22E
MAG
角
0.376
-60.8
0.221
-69.4
0.166
-74.5
0.141
-78.2
0.130
-84.2
0.127
-89.1
0.127
-93.9
0.128
-98.7
0.134
-103.4
0.138
-106.8
0.151
-109.4
0.151
-113.5
0.160
-115.6
0.164
-119.3
0.170
-123.7
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
4
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
中等功率高的fT NPN硅晶体管
MP4T85639
在SOT -143 Pacakge典型的散射参数
VCE = 8伏， IC = 20毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.500
-98.3
400
0.423
-137.3
600
0.406
-157.4
800
0.404
-170.3
1000
0.406
-179.7
1200
0.409
172.1
1400
0.416
165.6
1600
0.418
159.7
1800
0.425
154.5
2000
0.431
149.0
2200
0.431
145.3
2400
0.439
140.9
2600
0.446
136.5
2800
0.457
132.4
3000
0.463
129.3
S21E
MAG 。
角
20.35
119.5
11.71
100.4
8.09
90.4
6.17
83.2
4.97
77.3
4.17
71.7
3.59
66.8
3.16
62.2
2.83
57.9
2.57
53.2
2.33
49.7
2.16
45.6
2.01
41.7
1.88
38.0
1.77
34.5
MAG 。
0.030
0.042
0.055
0.068
0.081
0.096
0.109
0.123
0.134
0.144
0.163
0.175
0.188
0.199
0.212
S12E
角
59.3
57.3
61.6
62.8
62.4
61.1
61.5
60.5
58.3
58.4
57.8
56.8
54.2
52.3
50.7
MP4T856系列
S22E
MAG
角
0.580
-38.8
0.394
-43.0
0.322
-42.7
0.290
-43.0
0.272
-45.2
0.264
-47.8
0.257
-50.9
0.254
-54.1
0.255
-57.9
0.254
-61.7
0.264
-65.6
0.265
-69.2
0.268
-72.9
0.273
-76.4
0.271
-80.0
MP4T85639
在SOT -143封装的典型散射参数
VCE = 8伏， IC = 40毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.455
-116.2
400
0.414
-150.6
600
0.410
-166.9
800
0.412
-177.6
1000
0.417
174.6
1200
0.422
167.4
1400
0.429
161.8
1600
0.432
156.4
1800
0.439
151.7
2000
0.447
146.4
2200
0.444
143.0
2400
0.455
138.8
2600
0.460
134.5
2800
0.472
131.0
3000
0.479
127.7
S21E
MAG 。
角
21.21
112.3
11.59
95.8
7.90
87.0
5.98
80.4
4.82
74.9
4.04
69.6
3.48
64.8
3.06
60.4
2.74
56.1
2.48
51.5
2.25
48.0
2.09
43.8
1.94
39.8
1.82
36.1
1.70
32.7
MAG 。
0.026
0.038
0.052
0.66
0.079
0.092
0.109
0.123
0.136
0.146
0.163
0.177
0.188
0.199
0.211
S12E
角
58.5
61.8
64.9
64.4
67.4
65.2
64.3
63.1
60.6
60.1
59.1
57.4
54.8
52.4
51.4
S22E
MAG
角
0.492
-38.2
0.350
-37.6
0.303
-36.0
0.282
-36.7
0.268
-39.3
0.265
-42.4
0.263
-45.7
0.260
-49.7
0.260
-54.2
0.260
-58.0
0.272
-62.0
0.272
-66.1
0.276
-69.7
0.282
-73.7
0.279
-77.3
规格如有变更，恕不另行通知
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5
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中等功率高的fT
NPN硅晶体管
特点
高
输出功率
- 16 dBm的P1dB为@ 1 GHz的
- 10 dBm的P1dB为@ 2 GHz的
高
增益带宽积
8-9
千兆赫的fT
高
功率增益
- | S21E |
2
= 15 dB的1 GHz的
- | S21E |
2
= 9分贝@ 2 GHz的
ULOW
噪声系数
- 1.5分贝@ 1.5 GHz的
描述
该MP4T856系列中等功率NPN
晶体管提供图片的IDE噪音低5-10 V OLTS操作
V oltage 。这些晶体管被设计用于优化
获得在中等集电极电流（20 - 60 mA）的。
它们分别是中等功率有用（ + 23-24 dBm的）低
在0.5-2 GHz的噪声放大器或低噪声VCO
晶体管从100 MHz到5.0 GHz的。
这些inexpensiv ê晶体管是在SOT- AV ailable
图23（ MP4T85633 ） ，所述的SOT- 143 （ MP4T85639 ），并且
微-X （ MP4T85635 ）封装。
它们也
AV ailable作为芯片（ MP4T85600 ）的混合电路。该
塑料封装SOT -23和SOT -143通常
磁带和卷轴提供。
包装外形
MP4T856系列
SOT-23
SOT-143
芯片
绝对最大额定值
1
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
芯片或陶瓷封装
塑料包装
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料包装
功率耗散（模）
1.请参阅功率降额曲线。
绝对最大
20 V
12 V
3.0 V
百毫安
+200°C
+150°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C到+ 200℃
1200毫瓦
1
规格如有变更，恕不另行通知
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中等功率高的fT NPN硅晶体管
MP4T856系列
电气规格@ + 25 °
C
符号
fT
|S21E|2
NF
GA
P1dB
Rth的第（j-一）
RTH （J -C ）
MP4T856系列
参数
增益带宽
产品
插入功率增益
噪声系数
相关的增益
1 dB输出功率
压缩
热阻
热阻
测试条件
VCE = 8V ， IC = 30毫安
VCE = 8V ， IC = 20mA时， F = 1GHz的
VCE = 8V ， IC = 10毫安中，f = 1GHz的
VCE = 8V ， IC = 10毫安中，f = 1GHz的
VCE = 8V ， IC = 40毫安中，f = 1GHz的，
f=2GHz
结/环境（自由空气）
结/外壳
单位
GHz的
dB
dB
dB
DBM
° C / W
° C / W
MP4T85600
芯片
7.0典型。
13.5最小。
1.6 MAX 。
16典型。
16典型。
10 TYP 。
-
60马克斯。
1
MP4T85633
SOT-23
7.0典型。
12 MIN 。
1.7 MAX 。
15典型。
13典型。
10 TYP 。
600最大。
200典型。
MP4T85635
微-X
7.0典型。
13.0最小。
1.6 MAX 。
16典型。
16典型。
10 TYP 。
550最大
200典型。
MP4T85639
SOT-143
7.0典型。
12 MIN 。
1.7 MAX 。
15典型。
13典型。
10 TYP 。
600最大。
200典型。
1参见功率降额曲线。
电气规格@ + 25 °
C
符号
我CBO
我EBO
的hFE
COB
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极 - 基极结电容
测试条件
VCB = 8V ， IE = 0
VEB = 1V ， IC = 0
VCE = 8V ， IC = 20mA下
VCB = 8 V ， F = 1兆赫
单位
A
A
-
pF
分钟。
-
-
20
-
典型值。
-
-
100
0.62
马克斯。
1.0
1
250
0.75
MP4T85635
在微-X封装典型散射参数
VCE = 8伏， IC = 10毫安
频率
（兆赫）
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
2400
2600
2800
3000
4000
5000
6000
S11E
MAG 。
0.581
0.516
0.496
0.487
0.483
0.481
0.479
0.478
0.478
0.476
0.475
0.475
0.474
0.473
0.472
0.472
0.476
0.484
角
-97.9
-151.1
177.1
153.4
133.2
114.9
97.7
81.2
65.1
49.4
33.9
18.4
3.9
-12.2
-27.4
-103.3
-176.5
104.4
MAG 。
16.95
10.72
7.59
5.84
4.74
3.99
3.46
3.06
2.74
2.49
2.29
2.12
1.98
1.86
1.76
1.39
1.17
1.03
S21E
角
117.1
83.5
60.3
40.7
22.7
5.6
-11.0
-27.3
-43.4
-59.3
-75.0
-90.6
-106.1
-121.5
-136.7
148.1
74.8
3.1
MAG 。
0.033
0.045
0.054
0.064
0.074
0.085
0.097
0.109
0.121
0.133
0.145
0.158
0.170
0.183
0.197
0.267
0.340
0.415
S12E
角
44.9
27.8
17.9
8.6
1.0
11.4
22.2
33.6
45.4
57.3
69.5
82.0
94.7
107.3
120.1
174.4
107.1
38.2
MAG
0.685
0.481
0.396
0.355
0.334
0.324
0.317
0.311
0.311
0.315
0.314
0.311
0.317
0.324
0.323
0.336
0.367
0.375
S22E
角
-46.4
-65.0
-79.0
-91.6
-105.0
-118.0
-132.0
-147.0
-162.0
-177.0
168.4
152.6
136.0
121.0
107.0
28.5
-49.0
-126.0
规格如有变更，恕不另行通知
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2
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中等功率高的fT NPN硅晶体管
MP4T85635
在微-X封装典型散射参数
VCE = 8伏， IC = 20毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.469
-124.6
400
0.456
-170.4
600
0.453
163.3
800
0.452
142.9
1000
0.451
124.9
1200
0.451
108.1
1400
0.449
91.9
1600
0.448
76.2
1800
0.450
60.8
2000
0.448
45.5
2200
0.448
30.6
2400
0.448
15.7
2600
0.446
1.5
2800
0.445
-14.0
3000
0.442
-29.1
4000
0.443
-104.0
5000
0.442
-177.9
6000
0.456
105.2
S21E
MAG 。
角
21.56
107.4
12.34
77.1
8.50
56.0
6.48
37.7
5.23
20.5
4.40
3.9
3.80
-12.3
3.35
-28.2
3.01
-44.0
2.73
-59.6
2.51
-75.2
2.32
-90.6
2.17
-105.9
2.04
-121.1
1.92
-136.3
1.52
148.8
1.29
75.3
1.13
3.2
MAG 。
0.026
0.037
0.050
0.062
0.075
0.089
0.102
0.116
0.130
0.143
0.157
0.170
0.184
0.198
0.212
0.281
0.351
0.419
S12E
角
47.0
36.6
28.2
18.5
7.5
4.1
16.2
28.8
41.5
54.3
67.3
80.4
93.6
106.9
120.1
172.7
104.5
35.6
MP4T856系列
S22E
MAG
角
0.546
-53.6
0.363
-69.8
0.298
-81.1
0.269
-92.9
0.254
-105.6
0.247
-119.2
0.244
-133.0
0.242
-147.8
0.243
-163.0
0.246
-177.5
0.246
167.9
0.246
152.4
0.251
136.5
0.258
121.9
0.260
107.2
0.275
29.1
0.307
-48.5
0.318
-126.1
MP4T85635
在微-X封装典型散射参数
VCE = 8伏， IC = 40毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.426
-147.7
400
0.438
175.6
600
0.441
153.3
800
0.442
134.9
1000
0.442
118.0
1200
0.442
101.9
1400
0.441
86.1
1600
0.441
70.6
1800
0.443
55.3
2000
0.443
40.2
2200
0.443
25.3
2400
0.443
10.6
2600
0.442
-4.7
2800
0.441
-19.2
3000
0.440
-34.3
4000
0.446
-109.5
5000
0.447
174.0
6000
0.466
100.3
S21E
MAG 。
角
23.88
99.9
12.94
72.7
8.80
52.9
6.67
35.3
5.38
18.5
4.51
2.2
3.90
-13.8
3.43
-29.6
3.08
-45.3
2.79
-60.8
2.56
-76.3
2.37
-91.6
2.21
-106.8
2.07
-122.0
1.95
-137.2
1.54
148.1
1.30
74.7
1.13
2.9
MAG 。
0.021
0.034
0.048
0.062
0.076
0.090
0.105
0.119
0.133
0.147
0.161
0.174
0.188
0.202
0.216
0.283
0.351
0.414
S12E
角
51.7
43.8
34.7
23.9
11.9
0.5
13.4
26.4
39.7
52.9
66.2
79.6
93.1
106.5
120.0
172.3
104.0
35.3
S22E
MAG
角
0.443
-56.7
0.296
-68.7
0.250
-79.0
0.230
-90.5
0.222
-103.3
0.219
-117.1
0.218
-131.1
0.218
-146.0
0.221
-161.3
0.225
-175.9
0.226
169.6
0.227
154.1
0.233
138.3
0.242
123.8
0.244
109.4
0.264
32.3
0.297
-43.8
0.307
-119.7
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
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3
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
中等功率高的fT NPN硅晶体管
MP4T85639
在SOT -143封装的典型散射参数
VCE = 3V时， IC = 20毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.471
-118.4
400
0.457
-152.6
600
0.458
-168.7
800
0.461
-178.9
1000
0.466
173.0
1200
0.471
166.0
1400
0.476
160.2
1600
0.480
155.0
1800
0.485
150.1
2000
0.491
144.8
2200
0.488
141.5
2400
0.496
137.1
2600
0.499
132.9
2800
0.510
129.4
3000
0.513
125.8
S21E
MAG 。
角
19.14
115.5
10.70
97.7
7.33
88.2
5.57
81.4
4.48
75.7
3.76
70.3
3.24
65.5
2.86
61.1
2.56
56.7
2.32
52.3
2.12
48.8
1.97
44.7
1.83
40.8
1.71
37.3
1.62
34.0
MAG 。
0.034
0.048
0.064
0.079
0.095
0.110
0.128
0.144
0.158
0.172
0.190
0.207
0.220
0.233
0.249
S12E
角
56.7
57.2
60.7
61.1
62.3
60.7
60.1
59.0
56.9
56.3
55.7
53.2
50.6
48.8
46.8
MP4T856系列
S22E
MAG
角
0.492
-54.8
0.297
-66.2
0.219
-71.4
0.183
-75.3
0.168
-80.1
0.158
-85.0
0.156
-89.3
0.154
-94.0
0.157
-98.3
0.157
-101.4
0.167
-104.8
0.172
-108.7
0.180
-111.6
0.183
-115.9
0.184
-118.5
MP4T85639
在SOT -143封装的典型散射参数
VCE = 3伏，集成电路= 40毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.447
-140.1
400
0.460
-165.5
600
0.467
-177.5
800
0.473
174.3
1000
0.478
167.7
1200
0.484
161.8
1400
0.490
156.6
1600
0.492
151.9
1800
0.499
147.4
2000
0.504
142.4
2200
0.501
139.3
2400
0.509
135.3
2600
0.511
131.0
2800
0.521
127.3
3000
0.527
124.2
S21E
MAG 。
角
20.11
108.5
10.77
93.6
7.30
85.3
5.53
79.2
4.44
73.9
3.72
68.8
3.21
64.1
2.83
59.8
2.53
55.6
2.30
51.3
2.10
47.9
1.94
43.8
1.81
39.9
1.70
36.4
1.60
33.1
MAG 。
0.028
0.043
0.062
0.079
0.096
0.112
0.128
0.148
0.163
0.177
0.195
0.210
0.225
0.238
0.255
S12E
角
59.4
65.0
67.1
66.6
66.4
64.5
63.7
61.9
59.3
57.6
57.0
54.7
51.5
49.9
47.5
S22E
MAG
角
0.376
-60.8
0.221
-69.4
0.166
-74.5
0.141
-78.2
0.130
-84.2
0.127
-89.1
0.127
-93.9
0.128
-98.7
0.134
-103.4
0.138
-106.8
0.151
-109.4
0.151
-113.5
0.160
-115.6
0.164
-119.3
0.170
-123.7
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
4
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
中等功率高的fT NPN硅晶体管
MP4T85639
在SOT -143 Pacakge典型的散射参数
VCE = 8伏， IC = 20毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.500
-98.3
400
0.423
-137.3
600
0.406
-157.4
800
0.404
-170.3
1000
0.406
-179.7
1200
0.409
172.1
1400
0.416
165.6
1600
0.418
159.7
1800
0.425
154.5
2000
0.431
149.0
2200
0.431
145.3
2400
0.439
140.9
2600
0.446
136.5
2800
0.457
132.4
3000
0.463
129.3
S21E
MAG 。
角
20.35
119.5
11.71
100.4
8.09
90.4
6.17
83.2
4.97
77.3
4.17
71.7
3.59
66.8
3.16
62.2
2.83
57.9
2.57
53.2
2.33
49.7
2.16
45.6
2.01
41.7
1.88
38.0
1.77
34.5
MAG 。
0.030
0.042
0.055
0.068
0.081
0.096
0.109
0.123
0.134
0.144
0.163
0.175
0.188
0.199
0.212
S12E
角
59.3
57.3
61.6
62.8
62.4
61.1
61.5
60.5
58.3
58.4
57.8
56.8
54.2
52.3
50.7
MP4T856系列
S22E
MAG
角
0.580
-38.8
0.394
-43.0
0.322
-42.7
0.290
-43.0
0.272
-45.2
0.264
-47.8
0.257
-50.9
0.254
-54.1
0.255
-57.9
0.254
-61.7
0.264
-65.6
0.265
-69.2
0.268
-72.9
0.273
-76.4
0.271
-80.0
MP4T85639
在SOT -143封装的典型散射参数
VCE = 8伏， IC = 40毫安
频率
S11E
（兆赫）
MAG 。
角
200
0.455
-116.2
400
0.414
-150.6
600
0.410
-166.9
800
0.412
-177.6
1000
0.417
174.6
1200
0.422
167.4
1400
0.429
161.8
1600
0.432
156.4
1800
0.439
151.7
2000
0.447
146.4
2200
0.444
143.0
2400
0.455
138.8
2600
0.460
134.5
2800
0.472
131.0
3000
0.479
127.7
S21E
MAG 。
角
21.21
112.3
11.59
95.8
7.90
87.0
5.98
80.4
4.82
74.9
4.04
69.6
3.48
64.8
3.06
60.4
2.74
56.1
2.48
51.5
2.25
48.0
2.09
43.8
1.94
39.8
1.82
36.1
1.70
32.7
MAG 。
0.026
0.038
0.052
0.66
0.079
0.092
0.109
0.123
0.136
0.146
0.163
0.177
0.188
0.199
0.211
S12E
角
58.5
61.8
64.9
64.4
67.4
65.2
64.3
63.1
60.6
60.1
59.1
57.4
54.8
52.4
51.4
S22E
MAG
角
0.492
-38.2
0.350
-37.6
0.303
-36.0
0.282
-36.7
0.268
-39.3
0.265
-42.4
0.263
-45.7
0.260
-49.7
0.260
-54.2
0.260
-58.0
0.272
-62.0
0.272
-66.1
0.276
-69.7
0.282
-73.7
0.279
-77.3
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