3伏特，通用低噪声
高fT的硅晶体管
MP4T6325系列
特点
低电压工作（ 3 - 5V ）
高英尺（ 11千兆赫）
低噪声图1-5 mA电流
便宜
可在磁带和卷轴
SOT-23
描述
该MP4T6325系列低压硅双极
晶体管提供低噪声系数在3-5伏的偏压
为1 5毫安集电极电流。这些廉价的表面
安装晶体管的低噪声放大器和有用
在便携式电池操作的VCO的RF系统的VHF
通过2.5 GHz的。
该MP4T6325系列产品具有较高的FT（ 11千兆赫），并提供
1.5分贝噪声系数1-5毫安的电流和3伏偏置1
千兆赫。这些晶体管还具有低相位噪声时使用
在3-5伏的低功率电池通过2.5操作的VCO
千兆赫。
该MP4T6325系列是廉价的晶体管有用
便携式电池供电的要求低电流射频系统
从3-5伏直流电源流失。
晶体管的MP4T6325家族芯片提供
(MP4T632500),
SOT-23
(MP4T632533),
SOT-143
（ MP4T632539 ）和在微-X （ MP4T632535 ）封装。
表面贴装型封装可在磁带和卷轴。
SOT-143
芯片
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
1
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏特，通用低噪声高fT的硅晶体管
MP4T6325系列
电气规格在25℃
符号
fT
|S
21E
|
2
参数
增益带宽
产品
插入电源
收益
噪声系数
单向增益
NF
GTU （MAX）中
MAG
P
1dB
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
1.
最大
可用增益
功率输出在1分贝
压缩
热
阻力
热
阻力
TEST
条件
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 2毫安
F = 1 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 15毫安
F = 900MHz的
结/
环境
结/
例
单位
GHz的
dB
MP4T632500
芯片
11典型。
MP4T632533
SOT-23
10 TYP 。
MP4T632535
微-X
11典型。
MP4T632539
SOT-143
11典型。
12 TYP 。
8典型。
dB
1.5 TYP 。
dB
14.5 TYP 。
9 TYP 。
dB
10 TYP 。
DBM
° C / W
° C / W
8典型。
70最大。
1
11典型。
7典型。
1.6 TYP 。
13典型。
8典型。
9 TYP 。
8典型。
650典型。
200典型。
12 TYP 。
8典型。
1.5 TYP 。
14.5 TYP 。
9 TYP 。
10 TYP 。
8典型。
500典型。
200典型。
11典型。
7典型。
1.6 TYP 。
13典型。
8典型。
9 TYP 。
8典型。
625典型。
200典型。
结/散热器
TH
（J -C ）
在25 °C最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料封装
电源Dissiapation
1.
见典型性能曲线的功率降额。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
P
D
最大额定值
8V
6V
1.5 V
25毫安
200°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C至+ 125°C
150mW
1
电气规格在25℃
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极和基
结电容
条件
V
CB
= 5 V
I
E
= 0
V
EB
= 1 V
I
C
= 0
V
CE
= 3 V
I
C
= 3毫安
V
CB
= 3 V
I
E
= 0
F = 1 MHz的
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
分钟。
20
典型值。
90
0.52
马克斯。
100
1
200
0.70
单位
nA
A
pF
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
2
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏特，通用低噪声高fT的硅晶体管
MP4T632535
在微-X封装典型散射参数
VCE = 3伏，集成电路= 5毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.486
0.338
0.294
0.284
0.283
0.281
0.290
0.320
0.333
0.358
0.382
0.405
角
-80.5
-128.0
-156.3
169.8
160.9
144.6
132.5
119.4
106.6
94.9
82.7
72.7
MAG 。
7.164
4.508
3.219
2.533
2.123
1.835
1.678
1.546
1.434
1.354
1.290
1.238
S21E
角
119.8
93.4
78.1
66.1
55.5
46.3
36.8
28.3
18.9
11.5
4.0
-4.0
MAG 。
0.077
0.112
0.144
0.179
0.210
0.240
0.272
0.301
0.323
0.349
0.375
0.397
S12E
角
56.6
51.9
50.2
47.8
44.7
41.8
36.7
33.2
29.0
25.1
21.4
17.7
MP4T6325系列
S22E
MAG
0.628
0.424
0.345
0.305
0.280
0.266
0.256
0.254
0.245
0.241
0.246
0.255
角
-45.8
-58.8
-65.9
-74.9
-83.1
-90.8
-103.7
-113.8
-125.4
-135.9
-146.1
-158.0
VCE = 3V时， IC = 10毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.326
0.288
0.288
0.305
0.319
0.330
0.335
0.372
0.385
0.417
0.445
0.468
角
-116.9
-158.6
174.6
160.8
145.8
131.0
121.4
110.2
99.4
88.6
77.1
67.4
MAG 。
8.628
4.808
3.337
2.608
2.172
1.863
1.696
1.559
1.444
1.361
1.294
1.236
S21E
角
108.6
86.7
73.4
62.3
52.2
43.2
34.5
25.9
16.9
9.4
3.2
-6.0
MAG 。
0.060
0.098
0.135
0.170
0.204
0.234
0.268
0.299
0.322
0.350
0.379
0.401
S12E
角
60.9
60.0
57.7
53.7
49.7
45.8
41.0
36.8
32.7
28.3
24.1
20.3
S22E
MAG
0.505
0.351
0.302
0.275
0.256
0.245
0.245
0.245
0.240
0.237
0.242
0.253
角
-48.5
-56.2
-61.8
-71.7
-80.2
-88.1
-101.8
-112.9
-125.3
-136.8
-148.0
-160.2
VCE = 3V时， IC = 15毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.286
0.278
0.287
0.317
0.334
0.354
0.355
0.382
0.408
0.440
0.471
0.492
角
-136.7
-173.6
168.5
149.8
135.8
121.6
112.4
100.2
92.3
82.1
71.3
62.2
MAG 。
9.912
5.355
3.679
2.875
2.377
2.029
1.834
1.653
1.552
1.456
1.377
1.312
S21E
角
104.1
84.5
72.6
61.7
52.0
43.0
34.6
26.7
17.3
10.0
2.2
-5.5
MAG 。
0.053
0.092
0.132
0.165
0.200
0.230
0.265
0.290
0.317
0.344
0.372
0.392
S12E
角
65.0
64.6
60.8
56.6
52.2
47.7
42.7
38.9
34.1
29.7
25.2
21.3
S22E
MAG
0.428
0.295
0.263
0.236
0.222
0.215
0.218
0.220
0.218
0.213
0.212
0.218
角
-50.5
-55.5
-60.3
-70.3
-77.5
-84.3
-97.2
-103.8
-117.6
-127.1
-137.0
-147.9
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
3
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏特，通用低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线（ MP4T632535 ）
功率降额曲线
160
功耗（MW ）
MP4T6325系列
噪声系数和相关的增益在
VCE = 3V ， 1 GHz的VS集电极电流
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
NF
（O P T）
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
A M B I E NT· T E M·P é R A牛逼ü E（ C）
M P4T632533 ， 39
（ S 0牛逼-2 3 1 4 3 ）由于F R E E一I R
M·P 4 T 6 3 2 5 3 5 （M IC R 0 -X ）
M P4T 63250 0 （C 2 H IP ）
N I ·N· IN I T E ^ h è一件T S I N·K
相关的增益（分贝）
140
噪声系数（dB ）
AS SO C I AT E D克有效成分
N 2 O为E F IG ü E（ 50Ω HM S）
10
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
10 0
增益与频率的VCE = 3 V和IC =
10毫安
16
COLL. - BASE电容（pF ）
集电极 - 基极电容（C
OB
)
VS集电极 - 基极电压
0.65
0 .6
0.55
0 .5
0.45
0 .4
1
C 0 L L权证T O服务 -B ASE VO L T AG电子（VO LTS ）
10
14
12
增益（dB ）
10
8
6
4
2
0
1
由于F R ê Q ü简 （G ^ h Z）
10
|S
2 1E
|
2
克叔 （M AX ）
增益带宽积（ FT） VS
集电极电流VCE = 3V
12
增益带宽（千兆赫）
10
8
6
4
2
2
0
1
10
C 0 L L权证T O服务R C ü RE NT· （M一）
100
0
1
增益（dB ）
12
10
8
6
4
增益与集电极电流在2 GHz ，
VCE = 3V
M股份公司
克叔 （M AX ）
|S
2 1 E
|
2
10
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
10 0
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
4
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电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏特，通用低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线
（ MP4T632535 ）续。
直流电流增益（HFE ）与集热器
电流VCE = 3V
1 00
90
直流电流增益
80
70
60
50
40
0
5
10
15
20
25
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
MP4T6325系列
输出功率在1 dB压缩
POINT VS集电极电流VCE = 3V
12
10
F = 90 0 M·H
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
8
6
F = 2 GH
4
2
0
5
10
15
20
25
30
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
5
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏特，通用低噪声
高fT的硅晶体管
MP4T6325系列
特点
低电压工作（ 3 - 5V ）
高英尺（ 11千兆赫）
低噪声图1-5 mA电流
便宜
可在磁带和卷轴
SOT-23
描述
该MP4T6325系列低压硅双极
晶体管提供低噪声系数在3-5伏的偏压
为1 5毫安集电极电流。这些廉价的表面
安装晶体管的低噪声放大器和有用
在便携式电池操作的VCO的RF系统的VHF
通过2.5 GHz的。
该MP4T6325系列产品具有较高的FT（ 11千兆赫），并提供
1.5分贝噪声系数1-5毫安的电流和3伏偏置1
千兆赫。这些晶体管还具有低相位噪声时使用
在3-5伏的低功率电池通过2.5操作的VCO
千兆赫。
该MP4T6325系列是廉价的晶体管有用
便携式电池供电的要求低电流射频系统
从3-5伏直流电源流失。
晶体管的MP4T6325家族芯片提供
(MP4T632500),
SOT-23
(MP4T632533),
SOT-143
（ MP4T632539 ）和在微-X （ MP4T632535 ）封装。
表面贴装型封装可在磁带和卷轴。
SOT-143
芯片
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
1
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏特，通用低噪声高fT的硅晶体管
MP4T6325系列
电气规格在25℃
符号
fT
|S
21E
|
2
参数
增益带宽
产品
插入电源
收益
噪声系数
单向增益
NF
GTU （MAX）中
MAG
P
1dB
R
号（j -a）的
R
日（J -C ）
1.
最大
可用增益
功率输出在1分贝
压缩
热
阻力
热
阻力
TEST
条件
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 2毫安
F = 1 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 10毫安
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 15毫安
F = 900MHz的
结/
环境
结/
例
单位
GHz的
dB
MP4T632500
芯片
11典型。
MP4T632533
SOT-23
10 TYP 。
MP4T632535
微-X
11典型。
MP4T632539
SOT-143
11典型。
12 TYP 。
8典型。
dB
1.5 TYP 。
dB
14.5 TYP 。
9 TYP 。
dB
10 TYP 。
DBM
° C / W
° C / W
8典型。
70最大。
1
11典型。
7典型。
1.6 TYP 。
13典型。
8典型。
9 TYP 。
8典型。
650典型。
200典型。
12 TYP 。
8典型。
1.5 TYP 。
14.5 TYP 。
9 TYP 。
10 TYP 。
8典型。
500典型。
200典型。
11典型。
7典型。
1.6 TYP 。
13典型。
8典型。
9 TYP 。
8典型。
625典型。
200典型。
结/散热器
TH
（J -C ）
在25 °C最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料封装
电源Dissiapation
1.
见典型性能曲线的功率降额。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
P
D
最大额定值
8V
6V
1.5 V
25毫安
200°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C至+ 125°C
150mW
1
电气规格在25℃
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极和基
结电容
条件
V
CB
= 5 V
I
E
= 0
V
EB
= 1 V
I
C
= 0
V
CE
= 3 V
I
C
= 3毫安
V
CB
= 3 V
I
E
= 0
F = 1 MHz的
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
分钟。
20
典型值。
90
0.52
马克斯。
100
1
200
0.70
单位
nA
A
pF
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
2
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏特，通用低噪声高fT的硅晶体管
MP4T632535
在微-X封装典型散射参数
VCE = 3伏，集成电路= 5毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.486
0.338
0.294
0.284
0.283
0.281
0.290
0.320
0.333
0.358
0.382
0.405
角
-80.5
-128.0
-156.3
169.8
160.9
144.6
132.5
119.4
106.6
94.9
82.7
72.7
MAG 。
7.164
4.508
3.219
2.533
2.123
1.835
1.678
1.546
1.434
1.354
1.290
1.238
S21E
角
119.8
93.4
78.1
66.1
55.5
46.3
36.8
28.3
18.9
11.5
4.0
-4.0
MAG 。
0.077
0.112
0.144
0.179
0.210
0.240
0.272
0.301
0.323
0.349
0.375
0.397
S12E
角
56.6
51.9
50.2
47.8
44.7
41.8
36.7
33.2
29.0
25.1
21.4
17.7
MP4T6325系列
S22E
MAG
0.628
0.424
0.345
0.305
0.280
0.266
0.256
0.254
0.245
0.241
0.246
0.255
角
-45.8
-58.8
-65.9
-74.9
-83.1
-90.8
-103.7
-113.8
-125.4
-135.9
-146.1
-158.0
VCE = 3V时， IC = 10毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.326
0.288
0.288
0.305
0.319
0.330
0.335
0.372
0.385
0.417
0.445
0.468
角
-116.9
-158.6
174.6
160.8
145.8
131.0
121.4
110.2
99.4
88.6
77.1
67.4
MAG 。
8.628
4.808
3.337
2.608
2.172
1.863
1.696
1.559
1.444
1.361
1.294
1.236
S21E
角
108.6
86.7
73.4
62.3
52.2
43.2
34.5
25.9
16.9
9.4
3.2
-6.0
MAG 。
0.060
0.098
0.135
0.170
0.204
0.234
0.268
0.299
0.322
0.350
0.379
0.401
S12E
角
60.9
60.0
57.7
53.7
49.7
45.8
41.0
36.8
32.7
28.3
24.1
20.3
S22E
MAG
0.505
0.351
0.302
0.275
0.256
0.245
0.245
0.245
0.240
0.237
0.242
0.253
角
-48.5
-56.2
-61.8
-71.7
-80.2
-88.1
-101.8
-112.9
-125.3
-136.8
-148.0
-160.2
VCE = 3V时， IC = 15毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.286
0.278
0.287
0.317
0.334
0.354
0.355
0.382
0.408
0.440
0.471
0.492
角
-136.7
-173.6
168.5
149.8
135.8
121.6
112.4
100.2
92.3
82.1
71.3
62.2
MAG 。
9.912
5.355
3.679
2.875
2.377
2.029
1.834
1.653
1.552
1.456
1.377
1.312
S21E
角
104.1
84.5
72.6
61.7
52.0
43.0
34.6
26.7
17.3
10.0
2.2
-5.5
MAG 。
0.053
0.092
0.132
0.165
0.200
0.230
0.265
0.290
0.317
0.344
0.372
0.392
S12E
角
65.0
64.6
60.8
56.6
52.2
47.7
42.7
38.9
34.1
29.7
25.2
21.3
S22E
MAG
0.428
0.295
0.263
0.236
0.222
0.215
0.218
0.220
0.218
0.213
0.212
0.218
角
-50.5
-55.5
-60.3
-70.3
-77.5
-84.3
-97.2
-103.8
-117.6
-127.1
-137.0
-147.9
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
3
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏特，通用低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线（ MP4T632535 ）
功率降额曲线
160
功耗（MW ）
MP4T6325系列
噪声系数和相关的增益在
VCE = 3V ， 1 GHz的VS集电极电流
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
1
NF
（O P T）
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
A M B I E NT· T E M·P é R A牛逼ü E（ C）
M P4T632533 ， 39
（ S 0牛逼-2 3 1 4 3 ）由于F R E E一I R
M·P 4 T 6 3 2 5 3 5 （M IC R 0 -X ）
M P4T 63250 0 （C 2 H IP ）
N I ·N· IN I T E ^ h è一件T S I N·K
相关的增益（分贝）
140
噪声系数（dB ）
AS SO C I AT E D克有效成分
N 2 O为E F IG ü E（ 50Ω HM S）
10
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
10 0
增益与频率的VCE = 3 V和IC =
10毫安
16
COLL. - BASE电容（pF ）
集电极 - 基极电容（C
OB
)
VS集电极 - 基极电压
0.65
0 .6
0.55
0 .5
0.45
0 .4
1
C 0 L L权证T O服务 -B ASE VO L T AG电子（VO LTS ）
10
14
12
增益（dB ）
10
8
6
4
2
0
1
由于F R ê Q ü简 （G ^ h Z）
10
|S
2 1E
|
2
克叔 （M AX ）
增益带宽积（ FT） VS
集电极电流VCE = 3V
12
增益带宽（千兆赫）
10
8
6
4
2
2
0
1
10
C 0 L L权证T O服务R C ü RE NT· （M一）
100
0
1
增益（dB ）
12
10
8
6
4
增益与集电极电流在2 GHz ，
VCE = 3V
M股份公司
克叔 （M AX ）
|S
2 1 E
|
2
10
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
10 0
规格如有变更，恕不另行通知
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3伏特，通用低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线
（ MP4T632535 ）续。
直流电流增益（HFE ）与集热器
电流VCE = 3V
1 00
90
直流电流增益
80
70
60
50
40
0
5
10
15
20
25
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
MP4T6325系列
输出功率在1 dB压缩
POINT VS集电极电流VCE = 3V
12
10
F = 90 0 M·H
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
8
6
F = 2 GH
4
2
0
5
10
15
20
25
30
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
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