3伏，低噪声
高fT的硅晶体管
特点
在VCE = 3V高性能
在小电流低噪声系数（ 0.3-2毫安）
高增益（14 dB）的在1mA时集电极电流
高英尺（ 14千兆赫）
可在磁带和卷轴
MP4T6310系列
SOT-23
描述
该MP4T6310系列低电流，高fT的硅NPN的
双极晶体管具有低的噪声系数为3的偏置
伏和小的集电极电流。这些廉价的表面
安装NPN晶体管非常适合于使用在可移植
电池经过2.5操作的无线系统500兆赫
GHz其中低噪声系数在小电流是很重要的。
该MP4T6310晶体管系列产品具有高的fT和低噪音
当用0.3 2.0毫安的电流，和3操作
伏偏置。相关联的增益约14分贝1
GHz的1毫安集电极电流。该MP4T6310也有
而在低功率的3-5伏的操作的低相位噪声
电池操作的VCO在0.5 3的频率范围
千兆赫。
该MP4T6310晶体管被设计用于无线
从VHF到L波段，其中通信系统
良好的噪声系数和高增益为3伏的偏压和低直流
当前的关键系统要求。推荐用途
包括900兆赫兹的便携式电话，寻呼机， PCN订户
手机和2.4 GHz无绳和移动手持
接收器。
晶体管的MP4T6310家族芯片提供
(MP4T631000),
SOT-23
(MP4T631033),
SOT-143
（ MP4T631039 ） ，并在微-X （ MP4T631035 ）封装。
表面贴装型封装可在磁带和卷轴。
SOT-143
芯片
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
1
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏，低噪声高fT的硅晶体管
电气规格在25℃
符号
fT
|S
21E
|
2
MP4T6310系列
参数
增益带宽
产品
插入电源
收益
噪声系数
NF
GTU （MAX）中
单向增益
MAG
P
1dB
R
号（j -a）的
最大
可用增益
功率输出在1分贝
压缩
热
阻力
TEST
条件
V
CE
= 3V
I
C
= 6毫安
V
CE
= 3V
I
C
= 4毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 1毫安
F = 1 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 4毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 4毫安
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 8毫安
F = 1 GHz的
结/
环境
单位
GHz的
dB
MP4T631000
芯片
14典型。
MP4T631033
SOT-23
12 TYP 。
MP4T631035
微-X
14典型。
MP4T631039
SOT-143
12 TYP 。
12 TYP 。
8典型。
dB
1.5 TYP 。
dB
14.5 TYP 。
9 TYP 。
dB
10 TYP 。
DBM
° C / W
1.5 TYP 。
1
75最大
11典型。
7典型。
1.5 TYP 。
12 TYP 。
8典型。
1.5 TYP 。
11典型。
7典型。
1.5 TYP 。
13典型。
8典型。
10 TYP 。
1.5 TYP 。
2
700典型。
14.5 TYP 。
9 TYP 。
10 TYP 。
1.5 TYP 。
2
600典型。
13典型。
8典型。
10 TYP 。
1.5 TYP 。
2
700典型。
1.结/散热器
TH
（J -C ）
2.自由空气
在25 °C最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料封装
电源Dissiapation
1.见典型性能曲线功率降额。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
P
D
最大额定值
8V
6V
1.5 V
10毫安
200°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C至+ 125°C
-60mW
1
电气规格在25℃
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极和基
结电容
条件
V
CB
= 3 V
I
E
= 0
V
EB
= 1 V
I
C
= 0
V
CE
= 3 V
I
C
= 3毫安
V
CB
= 3 V
I
E
= 0
F = 1 MHz的
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
分钟。
20
典型值。
100
0.42
马克斯。
100
1
200
0.55
单位
nA
A
pF
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
2
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏，低噪声高fT的硅晶体管
MP4T631035
在微-X封装典型散射参数
VCE = 3伏，集成电路= 2毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.744
0.524
0.357
0.255
0.188
0.139
0.130
0.133
0.156
0.180
0.204
0.228
角
-37.9
-69.7
-94.3
-118.6
-142.6
-171.1
168.9
140.6
122.4
105.0
89.7
78.9
MAG 。
4.174
3.435
2.771
2.308
1.977
1.709
1.587
1.448
1.369
1.296
1.239
1.194
S21E
角
137.0
109.7
89.9
75.0
62.3
51.5
41.9
33.1
23.1
15.5
7.9
0.7
MAG 。
0.088
0.136
0.169
0.201
0.228
0.254
0.281
0.299
0.323
0.342
0.362
0.379
S12E
角
63.8
51.4
45.5
41.2
37.3
33.8
29.1
25.8
21.8
17.9
14.3
10.7
MP4T6310系列
S22E
MAG
0.841
0.645
0.531
0.463
0.415
0.393
0.360
0.342
0.324
0.308
0.299
0.292
角
-31.2
-48.2
-57.9
-67.5
-75.2
-81.9
91.2
-97.9
-107.8
-115.4
-123.5
-132.8
VCE = 3伏，集成电路= 4毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.558
0.324
0.217
0.169
0.147
0.141
0.145
0.167
0.196
0.223
0.251
0.275
角
-54.5
-92.2
-119.0
-150.7
172.8
148.6
134.2
115.0
103.5
90.9
79.0
69.7
MAG 。
6.582
4.537
3.299
2.635
2.204
1.888
1.719
1.562
1.465
1.381
1.314
1.260
S21E
角
127.1
98.8
82.1
69.2
58.0
48.1
39.3
30.9
21.3
13.9
6.4
-1.4
MAG 。
0.074
0.114
0.149
0.184
0.215
0.244
0.274
0.296
0.322
0.343
0.365
0.383
S12E
角
61.9
54.8
51.4
47.4
43.3
39.4
34.5
30.7
26.2
22.0
17.8
14.1
S22E
MAG
0.727
0.523
0.437
0.387
0.353
0.330
0.315
0.305
0.288
0.275
0.267
0.262
角
-37.0
-49.9
-56.5
-65.3
-72.2
-78.6
-88.4
-95.7
-106.1
-114.0
-122.7
-132.5
VCE = 3伏，集成电路= 6毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.429
0.244
0.178
0.160
0.158
0.166
0.170
0.192
0.221
0.250
0.280
0.304
角
-67.5
-107.3
-136.4
-168.7
163.5
138.7
126.8
109.9
100.9
89.2
77.8
68.6
MAG 。
7.855
4.871
3.445
2.722
2.264
1.933
1.753
1.584
1.490
1.403
1.333
1.276
S21E
角
120.2
93.9
78.8
66.7
56.0
46.4
37.9
29.8
20.2
13.0
5.3
-2.4
MAG 。
0.067
0.107
0.144
0.179
0.212
0.241
0.273
0.294
0.322
0.344
0.367
0.385
S12E
角
62.5
57.9
54.7
50.3
45.9
41.5
36.5
32.8
28.1
23.8
19.4
15.7
S22E
MAG
0.656
0.466
0.397
0.354
0.326
0.306
0.295
0.289
0.275
0.263
0.255
0.254
角
-39.5
-49.4
-54.9
-63.5
-70.3
-76.9
-87.3
-94.3
-106.0
-114.7
-124.2
-134.7
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
3
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏，低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线（ MP4T631035 ）
MP4T6310系列
功率降额曲线
80
70
功耗（MW ）
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
A M B I E NT· T E M·P é R A牛逼ü E（ C）
M P4T631033 ， 39
（ S 0牛逼-2 3 1 4 3 ）由于F R E E一I R
M·P 4 T 6 3 1 0 3 5 （M IC R 0 -X ）
M P4T 63100 0 （ CH IP ）在FIN IT EHEAT单
噪声系数和相关的增益在
VCE = 3V ， 1 GHz的VS集电极电流
16
14
噪声系数（dB ）
相关的增益（分贝）
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1
ASSOC IATE GAIN
N 2 O ISE FIGU
10
C 0 LLE C TO R C ü R R简T（毫安）
增益与频率的VCE = 3 V和IC =
4毫安
16
COLL. - BASE电容（pF ）
集电极 - 基极电容（C
OB
)
VS集电极 - 基极电压
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
14
12
增益（dB ）
10
8
6
4
2
1
由于F R ê Q ü简 （G ^ h Z）
10
|S
2 1E
|
2
GT （M AX ）
1
C 0 LL EC T或-B ASE VO LTA GE （VO LTS ）
10
增益带宽积（ FT） VS
集电极电流VCE = 3V
15
增益带宽（千兆赫）
14
13
12
11
10
9
8
1
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
10
增益（dB ）
增益与集电极电流为3 GHz的，
VCE = 3V
8
7
6
5
4
3
2
1
C 0 LL EC T或C ü R R EN T（毫安）
10
M股份公司
GT （M AX ）
|S
21 E
|
2
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
4
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏，低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线
（ MP4T631035 ）续。
MP4T6310系列
直流电流增益（HFE ）与集热器
电流VCE = 3V
2 00
直流电流增益
1 50
1 00
50
0
1
OL LE C TO R C ü R R简T（毫安）
10
输出功率在1 dB压缩
POINT VS集电极电流VCE = 3V
3.5
3
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
2.5
F = 90 0 M·H
2
1.5
F = 2 GHz的
1
0.5
0
6 .5
7
7 .5
8
8 .5
9
9.5
10
OL LE C TO R C ü R R简T（毫安）
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
5
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏，低噪声
高fT的硅晶体管
特点
在VCE = 3V高性能
在小电流低噪声系数（ 0.3-2毫安）
高增益（14 dB）的在1mA时集电极电流
高英尺（ 14千兆赫）
可在磁带和卷轴
MP4T6310系列
SOT-23
描述
该MP4T6310系列低电流，高fT的硅NPN的
双极晶体管具有低的噪声系数为3的偏置
伏和小的集电极电流。这些廉价的表面
安装NPN晶体管非常适合于使用在可移植
电池经过2.5操作的无线系统500兆赫
GHz其中低噪声系数在小电流是很重要的。
该MP4T6310晶体管系列产品具有高的fT和低噪音
当用0.3 2.0毫安的电流，和3操作
伏偏置。相关联的增益约14分贝1
GHz的1毫安集电极电流。该MP4T6310也有
而在低功率的3-5伏的操作的低相位噪声
电池操作的VCO在0.5 3的频率范围
千兆赫。
该MP4T6310晶体管被设计用于无线
从VHF到L波段，其中通信系统
良好的噪声系数和高增益为3伏的偏压和低直流
当前的关键系统要求。推荐用途
包括900兆赫兹的便携式电话，寻呼机， PCN订户
手机和2.4 GHz无绳和移动手持
接收器。
晶体管的MP4T6310家族芯片提供
(MP4T631000),
SOT-23
(MP4T631033),
SOT-143
（ MP4T631039 ） ，并在微-X （ MP4T631035 ）封装。
表面贴装型封装可在磁带和卷轴。
SOT-143
芯片
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
1
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏，低噪声高fT的硅晶体管
电气规格在25℃
符号
fT
|S
21E
|
2
MP4T6310系列
参数
增益带宽
产品
插入电源
收益
噪声系数
NF
GTU （MAX）中
单向增益
MAG
P
1dB
R
号（j -a）的
最大
可用增益
功率输出在1分贝
压缩
热
阻力
TEST
条件
V
CE
= 3V
I
C
= 6毫安
V
CE
= 3V
I
C
= 4毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
- 0.5毫安
I
C
= 1毫安
F = 1 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 4毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 4毫安
F = 2 GHz的
V
CE
= 3V
I
C
= 8毫安
F = 1 GHz的
结/
环境
单位
GHz的
dB
MP4T631000
芯片
14典型。
MP4T631033
SOT-23
12 TYP 。
MP4T631035
微-X
14典型。
MP4T631039
SOT-143
12 TYP 。
12 TYP 。
8典型。
dB
1.5 TYP 。
dB
14.5 TYP 。
9 TYP 。
dB
10 TYP 。
DBM
° C / W
1.5 TYP 。
1
75最大
11典型。
7典型。
1.5 TYP 。
12 TYP 。
8典型。
1.5 TYP 。
11典型。
7典型。
1.5 TYP 。
13典型。
8典型。
10 TYP 。
1.5 TYP 。
2
700典型。
14.5 TYP 。
9 TYP 。
10 TYP 。
1.5 TYP 。
2
600典型。
13典型。
8典型。
10 TYP 。
1.5 TYP 。
2
700典型。
1.结/散热器
TH
（J -C ）
2.自由空气
在25 °C最大额定值
参数
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
结温
储存温度
芯片或陶瓷封装
塑料封装
电源Dissiapation
1.见典型性能曲线功率降额。
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
T
j
T
英镑
P
D
最大额定值
8V
6V
1.5 V
10毫安
200°C
-65 ° C到+ 200℃
-65 ° C至+ 125°C
-60mW
1
电气规格在25℃
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极和基
结电容
条件
V
CB
= 3 V
I
E
= 0
V
EB
= 1 V
I
C
= 0
V
CE
= 3 V
I
C
= 3毫安
V
CB
= 3 V
I
E
= 0
F = 1 MHz的
符号
I
CBO
I
EBO
h
FE
C
OB
分钟。
20
典型值。
100
0.42
马克斯。
100
1
200
0.55
单位
nA
A
pF
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
2
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏，低噪声高fT的硅晶体管
MP4T631035
在微-X封装典型散射参数
VCE = 3伏，集成电路= 2毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.744
0.524
0.357
0.255
0.188
0.139
0.130
0.133
0.156
0.180
0.204
0.228
角
-37.9
-69.7
-94.3
-118.6
-142.6
-171.1
168.9
140.6
122.4
105.0
89.7
78.9
MAG 。
4.174
3.435
2.771
2.308
1.977
1.709
1.587
1.448
1.369
1.296
1.239
1.194
S21E
角
137.0
109.7
89.9
75.0
62.3
51.5
41.9
33.1
23.1
15.5
7.9
0.7
MAG 。
0.088
0.136
0.169
0.201
0.228
0.254
0.281
0.299
0.323
0.342
0.362
0.379
S12E
角
63.8
51.4
45.5
41.2
37.3
33.8
29.1
25.8
21.8
17.9
14.3
10.7
MP4T6310系列
S22E
MAG
0.841
0.645
0.531
0.463
0.415
0.393
0.360
0.342
0.324
0.308
0.299
0.292
角
-31.2
-48.2
-57.9
-67.5
-75.2
-81.9
91.2
-97.9
-107.8
-115.4
-123.5
-132.8
VCE = 3伏，集成电路= 4毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.558
0.324
0.217
0.169
0.147
0.141
0.145
0.167
0.196
0.223
0.251
0.275
角
-54.5
-92.2
-119.0
-150.7
172.8
148.6
134.2
115.0
103.5
90.9
79.0
69.7
MAG 。
6.582
4.537
3.299
2.635
2.204
1.888
1.719
1.562
1.465
1.381
1.314
1.260
S21E
角
127.1
98.8
82.1
69.2
58.0
48.1
39.3
30.9
21.3
13.9
6.4
-1.4
MAG 。
0.074
0.114
0.149
0.184
0.215
0.244
0.274
0.296
0.322
0.343
0.365
0.383
S12E
角
61.9
54.8
51.4
47.4
43.3
39.4
34.5
30.7
26.2
22.0
17.8
14.1
S22E
MAG
0.727
0.523
0.437
0.387
0.353
0.330
0.315
0.305
0.288
0.275
0.267
0.262
角
-37.0
-49.9
-56.5
-65.3
-72.2
-78.6
-88.4
-95.7
-106.1
-114.0
-122.7
-132.5
VCE = 3伏，集成电路= 6毫安
频率
（兆赫）
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
S11E
MAG 。
0.429
0.244
0.178
0.160
0.158
0.166
0.170
0.192
0.221
0.250
0.280
0.304
角
-67.5
-107.3
-136.4
-168.7
163.5
138.7
126.8
109.9
100.9
89.2
77.8
68.6
MAG 。
7.855
4.871
3.445
2.722
2.264
1.933
1.753
1.584
1.490
1.403
1.333
1.276
S21E
角
120.2
93.9
78.8
66.7
56.0
46.4
37.9
29.8
20.2
13.0
5.3
-2.4
MAG 。
0.067
0.107
0.144
0.179
0.212
0.241
0.273
0.294
0.322
0.344
0.367
0.385
S12E
角
62.5
57.9
54.7
50.3
45.9
41.5
36.5
32.8
28.1
23.8
19.4
15.7
S22E
MAG
0.656
0.466
0.397
0.354
0.326
0.306
0.295
0.289
0.275
0.263
0.255
0.254
角
-39.5
-49.4
-54.9
-63.5
-70.3
-76.9
-87.3
-94.3
-106.0
-114.7
-124.2
-134.7
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲Microwave____________________________________________________________________________________
3
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
3伏，低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线（ MP4T631035 ）
MP4T6310系列
功率降额曲线
80
70
功耗（MW ）
60
50
40
30
20
10
0
0
25
50
75
100
125
150
175
A M B I E NT· T E M·P é R A牛逼ü E（ C）
M P4T631033 ， 39
（ S 0牛逼-2 3 1 4 3 ）由于F R E E一I R
M·P 4 T 6 3 1 0 3 5 （M IC R 0 -X ）
M P4T 63100 0 （ CH IP ）在FIN IT EHEAT单
噪声系数和相关的增益在
VCE = 3V ， 1 GHz的VS集电极电流
16
14
噪声系数（dB ）
相关的增益（分贝）
12
10
8
6
4
2
0
0.1
1
ASSOC IATE GAIN
N 2 O ISE FIGU
10
C 0 LLE C TO R C ü R R简T（毫安）
增益与频率的VCE = 3 V和IC =
4毫安
16
COLL. - BASE电容（pF ）
集电极 - 基极电容（C
OB
)
VS集电极 - 基极电压
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
14
12
增益（dB ）
10
8
6
4
2
1
由于F R ê Q ü简 （G ^ h Z）
10
|S
2 1E
|
2
GT （M AX ）
1
C 0 LL EC T或-B ASE VO LTA GE （VO LTS ）
10
增益带宽积（ FT） VS
集电极电流VCE = 3V
15
增益带宽（千兆赫）
14
13
12
11
10
9
8
1
C 0 L L权证T O服务R C ü R R简T（米A）
10
增益（dB ）
增益与集电极电流为3 GHz的，
VCE = 3V
8
7
6
5
4
3
2
1
C 0 LL EC T或C ü R R EN T（毫安）
10
M股份公司
GT （M AX ）
|S
21 E
|
2
规格如有变更，恕不另行通知
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4
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3伏，低噪声高fT的硅晶体管
典型性能曲线
（ MP4T631035 ）续。
MP4T6310系列
直流电流增益（HFE ）与集热器
电流VCE = 3V
2 00
直流电流增益
1 50
1 00
50
0
1
OL LE C TO R C ü R R简T（毫安）
10
输出功率在1 dB压缩
POINT VS集电极电流VCE = 3V
3.5
3
P
OUT
- 1分贝（ DBM）
2.5
F = 90 0 M·H
2
1.5
F = 2 GHz的
1
0.5
0
6 .5
7
7 .5
8
8 .5
9
9.5
10
OL LE C TO R C ü R R简T（毫安）
规格如有变更，恕不另行通知
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5
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