双极性高的fT低电压
NPN硅晶体管
特点
专为3-5伏操作
可用到6 GHz的振荡器
可用的低噪声，低电压驱动放大器
到3 GHz的
有用的C类放大器
作为芯片和密封和表面
贴装封装
可筛选到JANTX ， JANTXV同等控制水平
（陶瓷pacakges ）
磁带和卷轴包装适用于包装
设备。
MP4T3243系列
V4.00
机箱样式
SOT-23
描述
该MP4T3243系列高F的
T
低电压NPN中
功率硅双极晶体管是专为使用在
电池供电的3-5伏集电极偏置系统。他们
是通过6低相位噪声的振荡器晶体管有用
GHz和通过3为中等功率驱动放大器
千兆赫。
这些晶体管可作为芯片的杂交振荡器
或陶瓷封装用于军事或商业用途。
两种片和密封封装可以筛选到
JANTX等同的水平。
这些晶体管用高温金，铂，
钛金属化用二氧化硅和氮化硅
钝化。该芯片发射极镇流与多晶硅
电阻器，以防止电流集中在高电流
操作。
芯片
微-X
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲
Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
1
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
双极性高的fT低电压NPN硅晶体管
最大额定值
MP4T324300
参数
集电极 - 基极电压
1
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
1
结温
储存温度
功耗
1,3
工作温度
1.
2.
3.
2
1
1
MP4T3243系列
V4.00
MP4T324333
SOT-23
8
6
1.5
110
125
-65到+ 125 °
C
250
125
MP4T324335
微-X
8
6
1.5
110
200
-65到+ 175 °
C
400
150
符号
V
CBO
V
CE
V
EB
I
C
T
j
T
英镑
P
T
T
CP
单位
伏
伏
伏
mA
°
C
°
C
mW
°
C
芯片
8
6
1.5
110
200
-65到+ 175 °
C
600
150
在25℃的外壳温度（封装晶体管）或25 °安装面温度（芯片晶体管） 。
C
C
案例或粘接的表面温度。线性降额最大功耗额定值以最高工作温度零瓦。
该MP4T324300结/壳体的热阻为50℃
C /瓦标称。
电气规格@ + 25 °
C
MP4T324300
参数
增益带宽积
插入功率增益
条件
V
CE
= 3伏
I
C
= 50毫安
V
CE
= 3伏
I
C
= 40毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
噪声系数
V
CE
= 3伏
I
C
= 10毫安
F = 1 GHz的
单向增益
V
CE
= 3伏
I
C
= 40毫安
F = 1 GHz的
F = 2 GHz的
最大可用增益
V
CE
= 3伏
I
C
= 40毫安
F = 2 GHz的
电源输出的1分贝
压缩
V
CE
= 3伏
I
C
= 50毫安
F = 2 GHz的
F = 3 GHz的
20 （典型值）
典型值15
典型值19
典型值15
20 （典型值）
典型值15
P
1dB
DBM
8.5 （典型值）
7 TYP
8.5 （典型值）
MAG
dB
10 TYP
6 TYP
9典型值
4 ，典型值
10 TYP
6 TYP
GTU （MAX）中
dB
2.2最大
2.4最大
2.2最大
NF
dB
7分钟
3 ，典型值
6分钟
2.5 （典型值）
7分钟
3 ，典型值
|S
21E
|
2
dB
符号
f
T
单位
GHz的
芯片
6 TYP
MP4T324333
SOT-23
6 TYP
MP4T324335
微-X
6 TYP
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲
Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
2
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
双极性高的fT低电压NPN硅晶体管
电气规格@ + 25 °
C
MP4T3243系列
参数
集电极截止电流
发射极截止电流
正向电流增益
集电极和基
结电容
条件
V
CB
= 4伏
I
E
= 0
A
V
EB
= 1 VOLT
I
C
= 0
A
V
CE
= 3伏
I
C
= 20毫安
V
CB
= 3伏
I
E
= 0
A
F = 1 MHz的
C
OB
0.8
h
FE
20
125
I
EBO
符号
I
CBO
民
典型
MP4T3243系列
V4.00
最大
10
1
250
1.0
单位
A
A
pF
在微-X封装典型散射参数
MP4T324335
V
CE
= 3伏，我
C
= 10毫安
频率
（兆赫）
1000
2000
3000
4000
5000
6000
MAG 。
0.647
0.666
0.694
0.714
0.748
0.772
S11E
角
172
149
128
109
90
70
MAG 。
2.480
1.408
1.135
1.005
0.948
0.930
S21E
角
73.2
51.2
34.1
17.3
4.0
-9.1
MAG 。
0.137
0.225
0.336
0.427
0.507
0.605
S12E
角
51.4
49.0
43.8
32.1
22.8
11.8
MAG
0.311
0.365
0.366
0.412
0.453
0.499
S22E
角
-165.8
172.5
156.0
142.1
127.2
111.9
MP4T324335
V
CE
= 3伏，我
C
= 20毫安
频率
（兆赫）
1000
2000
3000
4000
5000
6000
MAG 。
0.661
0.677
0.697
0.715
0.744
0.762
S11E
角
168
146
125
107
89
69
MAG 。
2.632
1.493
1.210
1.067
1.007
0.990
S21E
角
73.3
53.1
36.5
19.3
5.4
-8.5
MAG 。
0.137
0.238
0.359
0.451
0.525
0.619
S12E
角
60.8
53.0
44.8
31.0
20.7
9.1
MAG
0.373
0.421
0.415
0.450
0.480
0.510
S22E
角
178.5
161.3
144.6
130.3
115.5
101.6
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲
Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
3
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
双极性高的fT低电压NPN硅晶体管
在微-X封装典型散射参数（续“
d)
MP4T324335
V
CE
= 3伏，我
C
= 40毫安
频率
（兆赫）
1000
2000
3000
4000
5000
6000
MAG 。
0.675
0.692
0.707
0.719
0.749
0.763
S11E
角
164
143
121
104
86
66
MAG 。
2.678
1.528
1.230
1.095
1.035
1.017
S21E
角
73.3
54.1
37.7
20.8
6.5
-7.8
MAG 。
0.139
0.244
0.368
0.463
0.537
0.629
S12E
角
66.2
55.0
45.9
31.5
20.4
8.4
MP4T3243系列
V4.00
S22E
MAG
0.424
0.470
0.455
0.481
0.504
0.523
角
176.6
158.6
141.6
128.1
113.3
99.2
MP4T324335
V
CE
= 3伏，我
C
= 60毫安
频率
（兆赫）
1000
2000
3000
4000
5000
6000
MAG 。
0.685
0.698
0.719
0.727
0.754
0.767
S11E
角
164
143
122
104
86
67
MAG 。
2.678
1.528
1.245
1.103
1.045
1.025
S21E
角
73.1
54.2
37.7
20.7
6.5
-7.9
MAG 。
0.140
0.251
0.380
0.474
0.549
0.641
S12E
角
68.1
56.1
45.6
31.0
19.8
7.4
MAG
0.446
0.492
0.480
0.502
0.520
0.540
S22E
角
173.9
156.8
139.4
125.4
110.6
96.0
典型性能曲线
DC安全操作范围在25°
c
总功率耗散（ mW）的
额定功率降额曲线
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
-25
200
集电极电流（毫安）
110
100
80
50
MP4T324300 CHIP
打开25 ° HEAT SINK
C
MP4T324300 CHIP
打开25 ° HEAT SINK
C
MP4T324335 MICRO -X
MP4T324335 MICRO -X
20
MP4T324333 SOT- 23
10
0
2
4
集电极 - 发射极电压（伏）
6
MP4T324333 SOT- 23
0
25
50
75
100
125
150
175
200
环境温度（ C）
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲
Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
4
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
双极性高的fT低电压NPN硅晶体管
典型性能曲线（续“
d)
标称集电极 - 基极
电容（C
OB
）与集电极
基极电压（ MP4T324335 ）
集电极 - 基极电容
（PF ）
1
0.9
0.8
0.7
0.6
2
0
1
1
集电极 - 基极电压（伏特）
10
0.5
0.4
增益（dB ）
MP4T3243系列
V4.00
标称增益与频率在V
CE
= 3
伏和我
C
能力= 20 mA （ MP4T324335 ）
12
10
8
6
4
GTU （MAX）中
|S
21E
|2
10
频率（GHz ）
标称增益VS集电极电流
在f = 1 GHz和V
CE
= 3伏
(MP4T324335)
13
12
11
增益（dB ）
10
9
8
7
6
5
4
1
10
集电极电流（毫安）
100
|S
21E
|2
GTU （MAX）中
MAG
标称增益VS集电极电流
在f = 2 GHz和V
CE
= 3伏
(MP4T324335)
10
9
8
7
增益（dB ）
6
5
4
3
2
1
0
1
10
集电极电流（毫安）
100
|S
21E
|2
GTU （MAX）中
MAG
标称增益带宽积
(f
T
）与集电极电流在V
CE
= 3
和5伏（ MP4T324335 ）
增益带宽积（千兆赫）
7
6.5
6
5.5
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1
10
集电极电流（毫安）
100
3伏特
5伏
直流电流增益
额定直流电流增益（H
FE
） VS
集电极电流在V
CE
= 3伏
(MP4T324335)
120
110
100
90
80
70
60
50
0
20
40
60
80
100
集电极电流（毫安）
规格如有变更，恕不另行通知
M-脉冲
Microwave____________________________________________________________________________________
576夏科Avemue ，圣何塞，加利福尼亚州95131
5
电话：（ 408 ） 432-1480
传真：（ 408 ） ） 432-3440
QQ：2880707522 复制
