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MP4507
东芝大功率晶体管模块硅三重扩散型
（四达林顿功率晶体管倾朝野）
MP4507
高功率开关应用
锤驱动器，脉冲电机驱动和感应
负载开关
与散热片分离的带领封装（SiP 12引脚）
高集电极耗散功率（ 4 -设备操作）
: P
T
= 5 W（ TA = 25 ° C）
高集电极电流：I
C（ DC ）
= ± 5 A（最大值）
高直流电流增益：H
FE
= 1000 （分钟） （V
CE
= -3 V，I
C
= ±3 A)
工业应用
单位：mm
最大额定值
（ TA = 25°C ）
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续基极电流
集电极耗散功率
（ 1 -设备操作）
集电极电源
耗散
（ 4设备操作）
隔离电压
结温
存储温度范围
TA = 25°C
P
C
TC = 25°C
V
ISOL
T
j
T
英镑
25
1000
150
55
150
V
°C
°C
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
NPN
100
100
5
5
8
0.1
3.0
5.0
W
PNP
100
100
5
5
8
0.1
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
2-32B1C
重量：9.6克（典型值）。
阵列配置
R3 R4
7
8
9
2
1
11
4
12
5
R1 R2
6
R1
≈
5 k
R3
≈
5 k
R2
≈
200
R4
≈
120
1
2004-07-01
MP4507
记号
MP4507
日本
产品型号（或缩写代码）
LOT号
A线指示
铅（Pb ） - 免费包或
铅（Pb ） -free完成。
热特性
特征
热电阻fromchannel到
环境
（ 4设备操作， TA = 25 ° C）
热阻通道
例
（ 4设备操作， TC = 25 ° C）
铅的最大温度
焊接用途
（从案例3.2毫米10秒）
T
L
260
°C
ΣR
日（J -C ）
5.0
° C / W
符号
最大
单位
ΣR
号（j -a）的
25
° C / W
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ NPN晶体管）
特征
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极
基射
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
h
FE （2）
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
t
on
输入
开关时间
20
μs
贮存时间
t
英镑
I
B1
I
B2
测试条件
V
CB
= 100 V，I
E
= 0 A
V
CE
= 100 V，I
B
= 0 A
V
EB
= 5 V，I
C
= 0 A
I
C
= 1毫安，我
E
= 0 A
I
C
= 30 mA时，我
B
= 0 A
V
CE
= 3 V，I
C
= 0.5 A
V
CE
= 3 V，I
C
= 3 A
I
C
= 3 A，I
B
= 12毫安
I
C
= 3 A，I
B
= 12毫安
V
CE
= 3 V，I
C
= 0.5 A
V
CB
= 50 V，I
E
= 0 ， F = 1兆赫
产量
10
民
―
―
0.3
100
100
1000
1000
―
―
3
―
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
40
0.5
最大
10
10
2.0
―
―
―
―
2.0
2.5
―
―
―
单位
μA
μA
mA
V
V
―
饱和电压
V
兆赫
pF
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
I
B1
I
B2
―
3.0
―
μs
V
CC
= 30 V
―
2.0
―
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 12 mA时，占空比
≤
1%
2
2004-07-01
MP4507
发射极 - 集电极二极管额定值和特性
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
浪涌电流
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
FM
I
FSM
V
F
t
rr
Q
rr
T = 1秒， 1次射门
I
F
= 1 A，I
B
= 0 A
I
F
= 5 A，V
BE
=
3
V ，二
F
/ DT =
50
A / μs的
测试条件
―
民
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
1.0
8
最大
5
8
2.0
―
―
单位
A
A
V
μs
μC
电气特性
（ TA = 25 ℃） （ PNP晶体管）
特征
集电极截止电流
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极
基射
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
h
FE （1）
h
FE （2）
V
CE （SAT）
V
BE （SAT）
f
T
C
ob
t
on
I
B1
测试条件
V
CB
=
100
V，I
E
= 0 A
V
CE
=
100
V，I
B
= 0 A
V
EB
=
5
V，I
C
= 0 A
I
C
=
1
妈，我
E
= 0 A
I
C
=
30
妈，我
B
= 0 A
V
CE
=
3
V，I
C
=
0.5
A
V
CE
=
3
V，I
C
=
3
A
I
C
=
3
A，I
B
=
12
mA
I
C
=
3
A，I
B
=
12
mA
V
CE
=
3
V，I
C
=
0.5
A
V
CB
=
50
V，I
E
= 0 ， F = 1兆赫
民
―
―
0.3
100
100
1000
1000
―
―
3
―
典型值。
―
―
―
―
―
―
―
―
―
―
40
最大
10
10
2.0
―
―
―
―
2.0
2.5
―
―
单位
μA
μA
mA
V
V
―
饱和电压
V
兆赫
pF
跃迁频率
集电极输出电容
I
B2
开启时间
―
I
B2
I
B1
产量
10
0.5
―
输入
20
μs
开关时间
贮存时间
t
英镑
―
3.0
―
μs
V
CC
=
30
V
下降时间
t
f
I
B1
= I
B2
= 12 mA时，占空比
≤
1%
―
2.0
―
发射极 - 集电极二极管额定值和特性
（ TA = 25°C ）
特征
正向电流
浪涌电流
正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
符号
I
FM
I
FSM
V
F
t
rr
Q
rr
T = 1秒， 1次射门
I
F
= 1 A，I
B
= 0 A
I
F
= 5 A，V
BE
= 3 V ，二
F
/ DT =
50
A / μs的
测试条件
―
民
―
―
―
―
―
典型值。
―
―
―
1.0
8
最大
5
8
2.0
―
―
单位
A
A
V
μs
μC
3
2004-07-01
MP4507
（ NPN晶体管）
I
C
– V
CE
8
8
5.0
3.0
2.0
1.5
6
1.0
0.7
4
0.5
IB = 0.3毫安
2
常见
辐射源
TC = 25°C
共发射极
VCE = 3V
I
C
– V
BE
(A)
(A)
6
集电极电流I
C
集电极电流I
C
4
2
TC = 100℃
25
55
0
0
0
2
4
6
8
10
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
30000
共发射极
VCE = 3V
2.4
V
CE
– I
B
共发射极
2.0
TC = 25°C
直流电流增益
FE
10000
5000
3000
25
1000
500
300
0.05
0.1
0.3
1
3
10
20
55
TC = 100℃
V
CE
(V)
1.6
3
1
0.8
0.1
5
集电极 - 发射极电压
IC = 8的
1.2
0.4
)
0
0.1
集电极电流I
C
(A)
0.3
1
3
10
30
100
300
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （SAT）
– I
C
10
10
共发射极
5
3
IC / IB = 250
V
BE （SAT）
– I
C
共发射极
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
5
3
TC =
55°C
25
100
IC / IB = 250
1
25
0.5
0.3
0.1
TC =
55°C
1
100
0.5
0.3
0.1
0.3
1
3
10
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
4
2004-07-01
MP4507
（ PNP晶体管）
I
C
– V
CE
8
100 30
常见
15
辐射源
TC = 25°C
8
共发射极
VCE =
3
V
I
C
– V
BE
(A)
7
6
3
4
1
2
IB =
0.3
mA
(A)
集电极电流I
C
6
4
2
集电极电流I
C
TC = 100℃
25
55
0
0
0
2
4
6
8
10
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
10000
5000
TC = 100℃
25
共发射极
VCE =
3
V
2.8
V
CE
– I
B
常见
辐射源
TC = 25°C
直流电流增益
FE
3000
V
CE
(V)
2.4
1000
500
300
集电极 - 发射极电压
55
2.0
8
7
6
5
4
3
2
1
IC =
0.1
A
1.6
1.2
100
50
0.05 0.1
0.8
0.3
1
3
10
30
集电极电流I
C
(A)
0.4
0.1
0.3
1
3
10
30
100 300 500
基极电流I
B
（MA ）
V
CE （SAT）
– I
C
10
10
共发射极
5
3
IC / IB = 250
共发射极
V
BE （SAT）
– I
C
基射极饱和电压
V
BE （SAT）
(V)
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
(V)
5
3
IC / IB = 250
TC =
55°C
25
100
1
TC =
55°C
1
0.5
0.3
0.1
100
25
0.5
0.3
0.1
0.3
1
3
10
0.3
1
3
10
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
5
2004-07-01
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M38C35MCAXXXFP
MID-95R3L
MDLS-16465
M87C257-10C7X
M27C512-12F1F
MC14016BFELG
MRS-2-4KXRA
M38C30E8MXXXFS
MCP3208-BI/ST
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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