【MP4411东芝功率MOS FET模块硅N沟道MOS型（四L2-π - MOSV在一）MP4411高】,IC型号MP4411,MP4411 PDF资料,MP4411经销商,ic,电子元器件-51电子网

MP4411

东芝功率MOS FET模块硅N沟道MOS型（四L

2

-π - MOSV在一）

MP4411

高功率，高速开关应用

对于打印头管脚驱动器和脉冲马达驱动器

对于电磁驱动器

工业应用

单位：mm

4 -V闸驾驶性能

小包装由全成型（ SIP 12脚）

高消耗的功率耗散（ 4 -设备操作）

: P

T

= 28瓦（TC = 25 ° C）

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 0.28

（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

fs

| = 3.5 S（典型值）。

低漏电流：I

GSS

= ± 10 μA （最大值）（V

GS

= ±16 V)

I

DSS

= 100 μA（最大值）（Ⅴ

DS

= 100 V)

增强型： V

th

= 0.8 2.0 V（V

DS

= 10 V，I

D

= 1 mA）的

最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅源电压

漏电流

漏极功耗

（ 1 -设备操作， TA = 25 ° C）

漏功耗TA = 25℃

（ 4设备操作）

TC = 25°C

DC

脉冲

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

等级

100

±20

3

12

2.2

4.4

28

140

3

0.22

mJ

E

艺术

T

ch

T

英镑

0.44

150

55

150

°C

单位

V

A

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-32C1D

重量：3.9克（典型值）。

W

P

DT

E

AS

I

AR

W

mJ

A

单脉冲雪崩能量

（注1 ）

雪崩电流

重复性雪崩

能源

（注2 ） 4设备

手术

通道温度

存储温度范围

1设备

手术

E

AR

注1 ：条件雪崩能量（单脉冲）测量

V

DD

= 50 V ，起始物为

ch

= 25 ° C，L = 20 mH的，R

G

= 25

,

I

AR

= 3 A

注2 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度

此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。

1

2004-07-01

MP4411

阵列配置

热特性

2

3

5

4

1

6

9

10

12

11

8

7

特征

热阻通道

环境

（ 4 -设备操作， TA = 25 ° C）

热阻通道

例

（ 4设备操作，锝= 25 ℃）

铅的最大温度

焊接用途

（案件从T = 10秒3.2毫米）

T

L

260

°C

ΣR

TH（ CH-C ）

4.46

° C / W

符号

最大

单位

ΣR

第（章-a）的

28.4

° C / W

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

t

on

t

f

10 V

V

GS

0V

50

I

D

= 2 A

R

L

= 25

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0 V

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

GS

= 4 V，I

D

= 2 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 2 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 2 A

民

―

100

0.8

―

1.5

―

V

OUT

―

50

―

ns

―

40

―

典型值。

―

0.36

0.28

3.5

280

50

105

20

最大

±10

100

―

2.0

0.45

0.35

―

单位

A

V

S

pF

开启时间

开关时间

下降时间

V

DD

≈

50 V

V

IN

: t

r

, t

f

< 5纳秒，值班

≤

1%, t

w

= 10 s

―

170

―

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

≈

80 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 3 A

―

13.5

8.5

5

―

nC

2

2004-07-01

MP4411

源极 - 漏极二极管额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

脉冲漏极电流反向

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

I

DR

I

DRP

V

DSF

t

rr

Q

rr

测试条件

―

IDR = 3 A， VGS = 0 V

IDR = 3 A， VGS = 0 V ，

dIDR / DT = 50 A / μs的

民

―

典型值。

―

100

0.2

最大

3

12

1.5

―

单位

A

V

ns

C

反激式二极管额定值和特性，

（ TA = 25°C ）

特征

正向电流

反向电流

反向电压

正向电压

符号

I

FM

I

R

V

R

V

F

VR = 100V

I

R

= 100 A

I

F

= 0.5 A

测试条件

―

民

―

100

―

典型值。

―

最大

3

0.4

―

1.8

单位

A

V

记号

MP4411

日本

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

3

2004-07-01

MP4411

I

D

– V

DS

2.0

常见的来源

TC = 25°C

1.6

8

6

4

3

10

8

10

8

6

I

D

– V

DS

常见的来源

TC = 25°C

(A)

2.8

1.2

2.6

0.8

2.4

0.4

VGS = 2.2 V

(A)

10

I

D

I

D

4

6

漏电流

4

3.5

3

2

VGS = 2.5 V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

2

4

6

8

10

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

– V

GS

5

常见的来源

4

VDS = 10V

3.2

V

DS

– V

GS

常见的来源

(V)

TC = 25°C

2.4

(A)

I

D

漏源电压

3

漏电流

V

DS

1.6

ID = 5 A

3

0.8

1.5

2

25

1

100

TA =

55°C

)

0

1

2

3

4

5

0

0.8

4

8

12

16

20

栅源电压

V

GS

(V)

栅源电压

V

GS

(V)

|Y

fs

| – I

D

10

常见的来源

3

常见的来源

TA =

55°C

100

25

1

R

DS （ ON）

– I

D

正向转移导纳

|Y

fs

| (S)

5

3

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

()

VDS = 10V

TC = 25°C

1

0.5

0.3

VGS = 24 V

10

0.5

0.3

0.1

0.3

0.5

1

3

5

10

0.1

0.3

0.5

1

3

5

10

漏电流

I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

4

2004-07-01

MP4411

R

DS （ ON）

TC =

R

DS （ ON）

()

1.0

常见的来源

0.8

1.5

0.6

0.8

ID = 3] A

3

10

5

3

VGS = 10 V

3

1

0.5

0.3

I

DR

– V

DS

漏源导通电阻

0.4

VGS = 24 V

0.8, 1.5

反向漏电流I

DR

(A)

1

0

0.2

VGS = 10 V

常见的来源

TC = 25°C

0

80

40

0

40

80

120

160

0.1

0

0.5

1.0

1.5

2.0

外壳温度

Tc

(°C)

漏源电压

V

DS

(V)

电容 - V

DS

3000

4

常见的来源

1000

VDS = 10V

ID = 1毫安

V

th

TC =

V

th

(V)

栅极阈值电压

100

（PF ）

500

300

西塞

3

电容

C

2

100

50共源

30 VGS = 0 V

F = 1 MHz的

TA = 25°C

10

0.1

0.3 0.5

科斯

CRSS

1

3

5

10

30 50

漏源电压

V

DS

(V)

0

80

40

0

40

80

120

160

外壳温度

Tc

(°C)

动态输入/输出特性

100

20

IDP最大

10

安全工作区

(V)

80

VDS

16

V

GS

(V)

V

DS

(A)

100 s*

3

ID最多

漏源电压

栅源电压

60

12

漏电流

I

D

1毫秒*

1

100毫秒*

0.3

* ：单非重复脉冲

TC = 25°C

曲线必须降低

线性地增加

温度。

3

10

30

100

300

10毫秒*

40

常见的来源

VDD = 80 V

ID = 3] A

TC = 25°C

8

12

16

8

20

VGS

4

0

4

0

20

0.1

1

总栅极电荷Q

g

（ NC ）

漏源电压

V

DS

(V)

5

2004-07-01

MP4411

东芝功率MOS FET模块

硅N沟道MOS型（四L

2

-π - MOSV在一）

MP4411

高功率，高速开关应用

对于打印头管脚驱动器和脉冲马达驱动器

对于电磁驱动器

4 -V闸驾驶性能

小包装由全成型（ SIP 12脚）

高消耗的功率耗散（ 4 -设备操作）

: P

T

= 28瓦（TC = 25 ° C）

低漏源导通电阻，R

DS （ ON）

= 0.28

（典型值）。

高正向转移导纳： | Y

fs

| = 3.5 S（典型值）。

低漏电流：I

GSS

= ±10

μA

（最大值）（Ⅴ

GS

= ±16 V)

I

DSS

= 100

μA

（最大值）（Ⅴ

DS

= 100 V)

增强型： V

th

= 0.8 2.0 V（V

DS

= 10 V，I

D

= 1 mA）的

工业应用

单位：mm

绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

特征

漏源电压

漏，栅极电压（R

GS

= 20 k)

栅源电压

漏电流

漏极功耗

（ 1 -设备操作， TA = 25 ° C）

漏功耗TA = 25℃

（ 4设备操作）

TC = 25°C

DC

脉冲

符号

V

DSS

V

DGR

V

GSS

I

D

I

DP

P

D

P

DT

E

AS

I

AR

1设备

手术

E

AR

E

艺术

T

ch

T

英镑

等级

100

±20

3

12

2.2

4.4

28

140

3

0.22

mJ

0.44

150

55

150

°C

单位

V

A

JEDEC

JEITA

东芝

―

2-32C1D

重量：3.9克（典型值）。

W

mJ

A

单脉冲雪崩能量

（注1 ）

雪崩电流

重复性雪崩

能源

（注2 ） 4设备

手术

通道温度

存储温度范围

注1 ：条件雪崩能量（单脉冲）测量

V

DD

= 50 V ，起始物为

ch

= 25 ° C，L = 20 mH的，R

G

= 25

,

I

AR

= 3 A

注2 ：重复评价;脉冲宽度有限的最大通道温度

注3 ：在重负载下连续使用（如高温/电流/电压和应用

在温度等显著变化）可能会导致此产品的可靠性降低显著

即使在操作条件下（即工作温度/电流/电压等）内的绝对

最大额定值。

请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性

（ “注意事项” /降级的概念和方法）和个人数据的可靠性（即可靠性试验

报告与估计的故障率，等）。

此晶体管是静电感应装置。请谨慎操作。

1

2006-10-27

MP4411

阵列配置

2

3

5

4

1

6

9

10

12

11

8

7

热特性

特征

热阻通道

环境

（ 4 -设备操作， TA = 25 ° C）

热阻通道

例

（ 4设备操作，锝= 25 ℃）

铅的最大温度

焊接用途

（案件从T = 10秒3.2毫米）

T

L

260

°C

ΣR

TH（ CH-C ）

4.46

° C / W

符号

最大

单位

ΣR

第（章-a）的

28.4

° C / W

电气特性

（ TA = 25°C ）

特征

栅极漏电流

排水截止电流

漏源击穿电压

栅极阈值电压

漏源导通电阻

正向转移导纳

输入电容

反向传输电容

输出电容

上升时间

符号

I

GSS

I

DSS

V

（ BR ） DSS

V

th

R

DS （ ON）

|Y

fs

|

C

国际空间站

C

RSS

C

OSS

t

r

V

GS

0V

10 V

I

D

= 2 A

R

L

= 25

V

DS

= 10 V, V

GS

= 0 V ， F = 1兆赫

测试条件

V

GS

= ±16 V, V

DS

= 0 V

V

DS

= 100 V, V

GS

= 0 V

I

D

= 10 mA时， V

GS

= 0 V

V

DS

= 10 V，I

D

= 1毫安

V

GS

= 4 V，I

D

= 2 A

V

GS

= 10 V，I

D

= 2 A

V

DS

= 10 V，I

D

= 2 A

民

―

100

0.8

―

1.5

―

V

OUT

―

50

―

ns

―

40

―

典型值。

―

0.36

0.28

3.5

280

50

105

20

最大

±10

100

―

2.0

0.45

0.35

―

单位

μA

V

S

pF

开启时间

开关时间

下降时间

t

on

t

f

50

V

DD

≈

50 V

V

IN

: t

r

, t

f

< 5纳秒，值班

≤

1%, t

w

= 10

μs

―

170

―

打开-O FF时间

总栅极电荷

（栅极 - 源极加上栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅 - 漏极（ “米勒” ）费

t

关闭

Q

g

Q

gs

Q

gd

V

DD

≈

80 V, V

GS

= 10 V，I

D

= 3 A

―

13.5

8.5

5

―

nC

2

2006-10-27

MP4411

源极 - 漏极二极管额定值和特性

（ TA = 25°C ）

特征

连续漏电流反向

脉冲漏极电流反向

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

符号

I

DR

I

DRP

V

DSF

t

rr

Q

rr

测试条件

―

IDR = 3 A， VGS = 0 V

IDR = 3 A， VGS = 0 V ，

dIDR / DT = 50 A / μs的

民

―

典型值。

―

100

0.2

最大

3

12

1.5

―

单位

A

V

ns

μC

反激式二极管额定值和特性，

（ TA = 25°C ）

特征

正向电流

反向电流

反向电压

正向电压

符号

I

FM

I

R

V

R

V

F

VR = 100V

I

R

= 100

μA

I

F

= 0.5 A

测试条件

―

民

―

100

―

典型值。

―

最大

3

0.4

―

1.8

单位

A

μA

V

记号

MP4411

日本

产品型号（或缩写代码）

LOT号

A线指示

铅（Pb ） - 免费包或

铅（Pb ） -free完成。

3

2006-10-27

MP4411

I

D

– V

DS

2.0

常见的来源

TC = 25°C

1.6

8

6

4

3

10

8

10

6

I

D

– V

DS

常见的来源

TC = 25°C

8

漏电流I

D

(A)

2.8

1.2

2.6

0.8

2.4

0.4

VGS = 2.2 V

漏电流I

D

(A)

10

4

6

4

3.5

3

2

VGS = 2.5 V

0

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

0

2

4

6

8

10

漏源电压

V

DS

(V)

漏源电压

V

DS

(V)

I

D

– V

GS

5

常见的来源

4

VDS = 10V

3.2

V

DS

– V

GS

常见的来源

V

DS

(V)

TC = 25°C

2.4

漏电流I

D

(A)

漏源电压

3

1.6

ID = 5 A

3

0.8

1.5

2

25

1

100

TA =

55°C

)

0

1

2

3

4

5

0

0.8

4

8

12

16

20

栅源电压

V

GS

(V)

栅源电压

V

GS

(V)

|Y

fs

| – I

D

10

常见的来源

3

常见的来源

TA =

55°C

100

25

1

R

DS （ ON）

– I

D

正向转移导纳

|Y

fs

| (S)

5

3

漏源导通电阻

R

DS （ ON）

()

VDS = 10V

TC = 25°C

1

0.5

0.3

VGS = 24 V

10

0.5

0.3

0.1

0.3

0.5

1

3

5

10

0.1

0.3

0.5

1

3

5

10

漏电流I

D

(A)

漏电流I

D

(A)

4

2006-10-27

MP4411

R

DS （ ON）

TC =

()

1.0

常见的来源

0.8

1.5

0.6

0.8

ID = 3] A

3

10

5

3

VGS = 10 V

3

1

0.5

0.3

I

DR

– V

DS

漏源电阻R

DS （ ON）

0.4

VGS = 24 V

0.8, 1.5

反向漏电流I

DR

(A)

1

0

0.2

VGS = 10 V

常见的来源

TC = 25°C

0

80

40

0

40

80

120

160

0.1

0

0.5

1.0

1.5

2.0

壳温度（ ° C）

漏源电压

V

DS

(V)

电容 - V

DS

3000

4

常见的来源

1000

VDS = 10V

3

ID = 1毫安

V

th

TC =

500

300

西塞

电容C

栅极阈值电压

V

th

(V)

100

（PF ）

2

100

50共源

30 VGS = 0 V

F = 1 MHz的

TA = 25°C

10

0.1

0.3 0.5

科斯

CRSS

1

3

5

10

30 50

漏源电压

V

DS

(V)

0

80

40

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

动态输入/输出特性

100

20

IDP最大

10

安全工作区

V

DS

(V)

80

VDS

16

V

GS

(V)

漏电流I

D

(A)

100

μs*

3

ID最多

漏源电压

栅源电压

60

12

1毫秒*

1

100毫秒*

0.3

* ：单非重复脉冲

TC = 25°C

曲线必须降低

线性地增加

温度。

3

10

30

100

300

10毫秒*

40

常见的来源

20

VGS

VDD = 80 V

ID = 3] A

TC = 25°C

8

12

16

8

4

0

4

0

20

0.1

1

总栅极电荷Q

g

（ NC ）

漏源电压

V

DS

(V)

5

2006-10-27