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MP4304
东芝大功率晶体管模块硅NPN外延型( 1高增益功率晶体管4 )
MP4304
高功率开关应用。
锤驱动器,脉冲马达驱动器和感性负载
切换。
工业应用
单位:mm
·
·
·
·
小包装由全成型( SIP 12脚)
高集电极耗散功率( 4设备操作)
: P
T
= 4.4 W( TA = 25 ° C)
高集电极电流:I
C( DC )
= 3 A(最大值)
高直流电流增益:H
FE
= 600 (分钟) (Ⅴ
CE
= 2 V,I
C
= 1 A)
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续基极电流
集电极耗散功率
( 1设备操作)
集电极耗散功率
( 4设备操作)
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
80
80
7
3
5
0.5
2.2
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
JEITA
东芝
2-32C1B
重量:3.9克(典型值)。
P
T
T
j
T
英镑
4.4
150
55
150
W
°C
°C
阵列配置
2
3
4
9
10
11
1
6
5
8
12
7
1
2002-11-20
MP4304
热特性
特征
结到热阻
环境
( 4设备操作, TA = 25 ° C)
铅的最大温度
焊接用途
(从案例3.2毫米10秒)
T
L
260
°C
符号
最大
单位
ΣR
号(j -a)的
28.4
° C / W
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极
基射
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
输入
开关时间
贮存时间
t
英镑
I
B1
20 s
测试条件
V
CB
= 80 V,I
E
= 0 A
V
EB
= 7 V,I
C
= 0 A
I
C
= 1毫安,我
E
= 0 A
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 1 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 2 A
I
C
= 1.5 A,I
B
= 15毫安
I
C
= 1.5 A,I
B
= 15毫安
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.1 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0 , F = 1兆赫
80
80
600
150
典型值。
0.25
85
50
0.4
最大
10
10
0.5
1.2
单位
A
A
V
V
饱和电压
V
兆赫
pF
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
I
B1
I
B2
产量
20
2.6
s
I
B2
V
CC
= 30 V
1.3
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 15 mA时,占空比
1%
反激式二极管额定值和特性,
( TA = 25°C )
特征
最大正向电流
反向电流
反向电压
正向电压
符号
I
FM
I
R
V
R
V
F
V
R
= 80 V
I
R
= 100 A
I
F
= 1 A
测试条件
80
典型值。
最大
3
0.4
1.5
单位
A
A
V
V
2
2002-11-20
MP4304
I
C
– V
CE
3
20
2.5
10
5
常见
辐射源
2.8
TA = 25°C
2
3.2
共发射极
VCE = 1V
I
C
– V
BE
(A)
(A)
I
C
集电极电流
2.4
2.0
1.6
TA = 100℃
1.2
0.8
0.4
0
0
25
55
集电极电流
I
C
2
1.5
1
1
IB = 0.5毫安
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
h
FE
– I
C
3000
0.5
100
V
CE
– I
B
共发射极
(V)
TA = 25°C
0.4
h
FE
TA =
55°C
300
直流电流增益
集电极 - 发射极电压
V
CE
1000
25
0.3
IC = 3] A
0.2
2
0.1
1
0.5
0.1
0
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
100
共发射极
VCE = 1V
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流
I
C
(A)
基极电流
I
B
(MA )
V
CE (SAT)
– I
C
3
V
BE (SAT)
– I
C
10
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
共发射极
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
1
0.5
0.3
IC / IB = 100
共发射极
5
3
IC / IB = 100
1
0.5
0.3
TA =
55°C
25
100
0.1
0.05
0.03
0.01
0.03
TA = 100℃
55
0.1
25
0.3 0.5
1
3
5
0.1
0.01
0.03
0.1
0.3 0.5
1
3
5
集电极电流
I
C
(A)
集电极电流
I
C
(A)
3
2002-11-20
MP4304
r
th
– t
w
曲线应该在热面积有限施加。下面
每1单位与脉冲数字显示热阻
宽度。
通过使用单一非重复脉冲获得此曲线
不带散热片和连接在电路板上。
( 1 ) 1设备操作
(2) 2的设备的操作
(3) 3器件的操作
( 4 ) 4设备操作
( ° C / W)
(3)
(4)
100
r
th
(1)
(2)
瞬态热阻
10
1
电路板
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
30
8
P
T
- TA
附着在电路板上的
( 1 ) 1设备操作
(2) 2的设备的操作
(3) 3器件的操作
( 4 ) 4设备操作
(4)
4
(3)
(2)
2
(1)
电路板
(W)
10
5
集成电路最大值(脉冲) *
1毫秒*
10毫秒*
100 s*
集电极电流
I
C
(A)
3
总功耗
P
T
6
1
0
0
40
80
120
160
200
环境温度Ta (C )
0.5
0.3
* :单不重复
脉冲TA = 25℃
0.1曲线必须降低
线性地增加
温度。
10
30
50
100
200
T
j
– P
T
最大VCEO
160
通道温度上升
T
j
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
(°C)
0.05
5
(1)
120
(2) (3) (4)
80
电路板
附着在电路板上的
40
( 1 ) 1设备操作
(2) 2的设备的操作
(3) 3器件的操作
( 4 ) 4设备操作
2
4
6
8
10
0
0
总功耗
P
T
(W)
4
2002-11-20
MP4304
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
5
2002-11-20
MP4304
东芝大功率晶体管模块硅NPN外延型( 1高增益功率晶体管4 )
MP4304
高功率开关应用。
锤驱动器,脉冲马达驱动器和感性负载
切换。
工业应用
单位:mm
·
·
·
·
小包装由全成型( SIP 12脚)
高集电极耗散功率( 4设备操作)
: P
T
= 4.4 W( TA = 25 ° C)
高集电极电流:I
C( DC )
= 3 A(最大值)
高直流电流增益:H
FE
= 600 (分钟) (Ⅴ
CE
= 2 V,I
C
= 1 A)
最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续基极电流
集电极耗散功率
( 1设备操作)
集电极耗散功率
( 4设备操作)
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
80
80
7
3
5
0.5
2.2
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
JEITA
东芝
2-32C1B
重量:3.9克(典型值)。
P
T
T
j
T
英镑
4.4
150
55
150
W
°C
°C
阵列配置
2
3
4
9
10
11
1
6
5
8
12
7
1
2002-11-20
MP4304
热特性
特征
结到热阻
环境
( 4设备操作, TA = 25 ° C)
铅的最大温度
焊接用途
(从案例3.2毫米10秒)
T
L
260
°C
符号
最大
单位
ΣR
号(j -a)的
28.4
° C / W
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极
基射
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
输入
开关时间
贮存时间
t
英镑
I
B1
20 s
测试条件
V
CB
= 80 V,I
E
= 0 A
V
EB
= 7 V,I
C
= 0 A
I
C
= 1毫安,我
E
= 0 A
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 1 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 2 A
I
C
= 1.5 A,I
B
= 15毫安
I
C
= 1.5 A,I
B
= 15毫安
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.1 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0 , F = 1兆赫
80
80
600
150
典型值。
0.25
85
50
0.4
最大
10
10
0.5
1.2
单位
A
A
V
V
饱和电压
V
兆赫
pF
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
I
B1
I
B2
产量
20
2.6
s
I
B2
V
CC
= 30 V
1.3
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 15 mA时,占空比
1%
反激式二极管额定值和特性,
( TA = 25°C )
特征
最大正向电流
反向电流
反向电压
正向电压
符号
I
FM
I
R
V
R
V
F
V
R
= 80 V
I
R
= 100 A
I
F
= 1 A
测试条件
80
典型值。
最大
3
0.4
1.5
单位
A
A
V
V
2
2002-11-20
MP4304
I
C
– V
CE
3
20
2.5
10
5
常见
辐射源
2.8
TA = 25°C
2
3.2
共发射极
VCE = 1V
I
C
– V
BE
(A)
(A)
I
C
集电极电流
2.4
2.0
1.6
TA = 100℃
1.2
0.8
0.4
0
0
25
55
集电极电流
I
C
2
1.5
1
1
IB = 0.5毫安
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基极 - 发射极电压V
BE
(V)
h
FE
– I
C
3000
0.5
100
V
CE
– I
B
共发射极
(V)
TA = 25°C
0.4
h
FE
TA =
55°C
300
直流电流增益
集电极 - 发射极电压
V
CE
1000
25
0.3
IC = 3] A
0.2
2
0.1
1
0.5
0.1
0
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
100
共发射极
VCE = 1V
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流
I
C
(A)
基极电流
I
B
(MA )
V
CE (SAT)
– I
C
3
V
BE (SAT)
– I
C
10
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
共发射极
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
1
0.5
0.3
IC / IB = 100
共发射极
5
3
IC / IB = 100
1
0.5
0.3
TA =
55°C
25
100
0.1
0.05
0.03
0.01
0.03
TA = 100℃
55
0.1
25
0.3 0.5
1
3
5
0.1
0.01
0.03
0.1
0.3 0.5
1
3
5
集电极电流
I
C
(A)
集电极电流
I
C
(A)
3
2002-11-20
MP4304
r
th
– t
w
曲线应该在热面积有限施加。下面
每1单位与脉冲数字显示热阻
宽度。
通过使用单一非重复脉冲获得此曲线
不带散热片和连接在电路板上。
( 1 ) 1设备操作
(2) 2的设备的操作
(3) 3器件的操作
( 4 ) 4设备操作
( ° C / W)
(3)
(4)
100
r
th
(1)
(2)
瞬态热阻
10
1
电路板
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
30
8
P
T
- TA
附着在电路板上的
( 1 ) 1设备操作
(2) 2的设备的操作
(3) 3器件的操作
( 4 ) 4设备操作
(4)
4
(3)
(2)
2
(1)
电路板
(W)
10
5
集成电路最大值(脉冲) *
1毫秒*
10毫秒*
100 s*
集电极电流
I
C
(A)
3
总功耗
P
T
6
1
0
0
40
80
120
160
200
环境温度Ta (C )
0.5
0.3
* :单不重复
脉冲TA = 25℃
0.1曲线必须降低
线性地增加
温度。
10
30
50
100
200
T
j
– P
T
最大VCEO
160
通道温度上升
T
j
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
(°C)
0.05
5
(1)
120
(2) (3) (4)
80
电路板
附着在电路板上的
40
( 1 ) 1设备操作
(2) 2的设备的操作
(3) 3器件的操作
( 4 ) 4设备操作
2
4
6
8
10
0
0
总功耗
P
T
(W)
4
2002-11-20
MP4304
限制产品使用
000707EAA
·
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
·
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等)。这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用本上市
文件应在客户自己的风险进行。
·
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担责任东芝公司的知识产权或其他任何侵权行为
该第三方可能导致其使用的权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式
任何知识产权或东芝或他人的其他权利。
·
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
5
2002-11-20
MP4304
东芝大功率晶体管模块硅NPN外延型
(四高增益功率晶体管倾朝野)
MP4304
高功率开关应用
锤驱动器,脉冲马达驱动器和感性负载
开关
工业应用
单位:mm
小包装由全成型( SIP 12脚)
高集电极耗散功率( 4 -设备操作)
: P
T
= 4.4 W( TA = 25 ° C)
高集电极电流:I
C( DC )
= 3 A(最大值)
高直流电流增益:H
FE
= 600 (分钟) (Ⅴ
CE
= 2 V,I
C
= 1 A)
绝对最大额定值
( TA = 25°C )
特征
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
连续基极电流
集电极耗散功率
( 1 -设备操作)
集电极耗散功率
( 4设备操作)
结温
存储温度范围
DC
脉冲
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C
I
CP
I
B
P
C
等级
80
80
7
3
5
0.5
2.2
单位
V
V
V
A
A
W
JEDEC
JEITA
东芝
2-32C1B
重量:3.9克(典型值)。
P
T
T
j
T
英镑
4.4
150
55
150
W
°C
°C
注:在重负载下连续使用(如高温/电流/电压和应用
在温度等显著变化)可能会导致此产品在可靠性,降低显著甚至
如果操作条件(即工作温度/电流/电压等)内的绝对最大
收视率。
请在审查东芝半导体可靠性手册设计适当的可靠性
( “注意事项” /降级的概念和方法)和个人数据的可靠性(即可靠性试验报告
和估计故障率等)。
阵列配置
2
3
4
9
10
11
1
6
5
8
12
7
1
2006-10-27
MP4304
记号
MP4304
日本
产品型号(或缩写代码)
LOT号
A线指示
铅(Pb ) - 免费包或
铅(Pb ) -free完成。
热特性
特征
热阻结到
环境
( 4 -设备操作, TA = 25 ° C)
铅的最大温度
焊接用途
(从案例3.2毫米10秒)
T
L
260
°C
符号
最大
单位
ΣR
号(j -a)的
28.4
° C / W
电气特性
( TA = 25°C )
特征
集电极截止电流
发射极截止电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
直流电流增益
集电极 - 发射极
基射
符号
I
CBO
I
EBO
V
( BR ) CBO
V
( BR ) CEO
h
FE (1)
h
FE (2)
V
CE (SAT)
V
BE (SAT)
f
T
C
ob
t
on
输入
开关时间
贮存时间
t
英镑
I
B1
20
μs
测试条件
V
CB
= 80 V,I
E
= 0 A
V
EB
= 7 V,I
C
= 0 A
I
C
= 1毫安,我
E
= 0 A
I
C
= 10 mA时,我
B
= 0 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 1 A
V
CE
= 2 V,I
C
= 2 A
I
C
= 1.5 A,I
B
= 15毫安
I
C
= 1.5 A,I
B
= 15毫安
V
CE
= 2 V,I
C
= 0.1 A
V
CB
= 10 V,I
E
= 0 , F = 1兆赫
80
80
600
150
典型值。
0.25
85
50
0.4
最大
10
10
0.5
1.2
单位
μA
μA
V
V
饱和电压
V
兆赫
pF
跃迁频率
集电极输出电容
开启时间
I
B1
I
B2
产量
20
2.6
μs
下降时间
t
f
I
B1
=
I
B2
= 15 mA时,占空比
1%
I
B2
V
CC
= 30 V
1.3
反激式二极管额定值和特性,
( TA = 25°C )
特征
最大正向电流
反向电流
反向电压
正向电压
符号
I
FM
I
R
V
R
V
F
V
R
= 80 V
I
R
= 100
μA
I
F
= 1 A
测试条件
80
典型值。
最大
3
0.4
1.5
单位
A
μA
V
V
2
2006-10-27
MP4304
I
C
– V
CE
3
20
2.5
10
5
常见
辐射源
2.8
TA = 25°C
2
3.2
共发射极
VCE = 1V
I
C
– V
BE
(A)
(A)
集电极电流I
C
2.4
2.0
1.6
TA = 100℃
1.2
0.8
0.4
0
0
25
55
集电极电流I
C
2
1.5
1
1
IB = 0.5毫安
0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
集电极 - 发射极电压
V
CE
(V)
基射极电压
V
BE
(V)
h
FE
– I
C
3000
0.5
100
V
CE
– I
B
共发射极
V
CE
(V)
TA = 25°C
0.4
直流电流增益
FE
1000
25
TA =
55°C
集电极 - 发射极电压
0.3
IC = 3] A
0.2
2
0.1
1
0.5
0.1
0
0.3
1
3
10
30
100
300
1000
300
100
共发射极
VCE = 1V
30
0.01
0.03
0.1
0.3
1
3
集电极电流I
C
(A)
基极电流I
B
(MA )
V
CE (SAT)
– I
C
3
V
BE (SAT)
– I
C
10
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT)
(V)
共发射极
基射极饱和电压
V
BE (SAT)
(V)
1
0.5
0.3
IC / IB = 100
共发射极
5
3
IC / IB = 100
1
0.5
0.3
TA =
55°C
25
100
0.1
0.05
0.03
0.01
0.03
TA = 100℃
55
0.1
25
0.3 0.5
1
3
5
0.1
0.01
0.03
0.1
0.3 0.5
1
3
5
集电极电流I
C
(A)
集电极电流I
C
(A)
3
2006-10-27
MP4304
r
th
– t
w
瞬态热阻R
th
( ° C / W)
曲线应该在热面积有限施加。上图
示出了每个器件的热阻与脉冲宽度。
这些曲线是通过使用单一的非重复获得
设备安装在一个电路的条件下脉冲
板没有散热片。
( 1 ) 1设备操作
( 2)2-设备操作
(3) 3-设备操作
(4) 4-设备操作
(3)
(4)
100
(1)
(2)
10
1
电路板
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
脉冲宽度
t
w
(s)
安全工作区
30
8
P
T
- TA
附着在电路板上的
(1) 1设备操作
( 2)2-设备操作
(3) 3-设备操作
(4) 4-设备操作
(4)
4
(3)
(2)
2
(1)
电路板
P
T
(W)
集成电路最大值(脉冲) *
1毫秒*
10毫秒*
100
μs*
6
10
5
集电极电流I
C
(A)
3
总功耗
1
0
0
40
80
120
160
200
环境温度Ta (C )
0.5
0.3
* :单不重复
脉冲TA = 25℃
0.1曲线必须降低
线性地增加
温度。
10
30
50
100
200
ΔT
j
– P
T
最大VCEO
160
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
ΔT
j
(°C)
0.05
5
(1)
120
(2) (3) (4)
通道温度上升
80
电路板
附着在电路板上的
40
(1)1 -设备操作
( 2)2-设备操作
(3) 3-设备操作
(4) 4-设备操作
2
4
6
8
10
0
0
总功耗
P
T
(W)
4
2006-10-27
MP4304
限制产品使用
此处所包含的信息如有更改,恕不另行通知。
20070701-EN
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过,半导体
在一般的设备可能发生故障或失效,由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时,买方的责任,以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统,并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命,人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时,请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外,请记住注意事项,
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
(计算机,个人设备,办公设备,测量设备,工业机器人,家用电器,
等) ,这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害( “意外用法” ) 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表,飞机或
太空船仪器,运输仪器,交通信号仪器仪表,燃烧控制仪表,
医疗器械,各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
文件应在客户自己的风险进行。
本文档中所描述的产品,不得使用或嵌入到任何下游产品,其中
制造,使用和/或出售的任何可适用的法律,法规禁止的。
此处包含的信息仅显示为对我们产品的应用指南。没有
承担因东芝专利或其它第三方权利的任何侵犯其
可能是由于它的使用。没有获发牌照以暗示或其他任何专利或其他权利
东芝或第三方。
请符合有关本文档中联系您的销售代表产品对产品的细节
兼容性。请本文档中遵守所有适用法律和法规使用这些产品
该规范的受控物质列入或使用。东芝公司不承担损害或损失不承担任何责任
如发生不遵守适用的法律和法规的结果。
5
2006-10-27
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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电话:0755- 82556029/82532511
联系人:高小姐/李先生
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MP4304
TOSHIBA
2025+
3557
SIP
全新原装、公司现货热卖
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电话:0755-82170267
联系人:李经理
地址:深圳市福田区园岭街道上林社区八卦四路2号先科机电大厦1210
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TOSHIBA/东芝
20+
35738
SOP8
有挂就有货 支持订货.备货
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电话:15821228847 // 13764057178 // 15026993318
联系人:销售部
地址:门市:上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房
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TOS
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3500
ZIP
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